專利名稱：光信息記錄媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用光照射來改變構(gòu)成記錄層的原子的排列，進(jìn)行信息的記錄和消除的光信息記錄媒體。
背景技術(shù)：
作為利用激光束的照射能記錄、重放和消除信息的光存儲(chǔ)媒體之一，人們熟悉的是利用晶體-非晶質(zhì)之間或者晶體1-晶體2的2個(gè)晶體相間的轉(zhuǎn)移的、所謂相變型的光信息記錄媒體。
相變型的光信息記錄媒體中所用的記錄層材料大都是采用硫族合金薄膜。其中，GeSbTe系、AgInSbTe系合金薄膜，作為能改寫的光盤等的光信息記錄媒體已經(jīng)實(shí)用化。
記錄原理如下所述。剛成膜之后的記錄層是非晶質(zhì)狀態(tài)，反射率低。所以，首先，開始時(shí)照射激光對(duì)記錄層進(jìn)行加熱，把整個(gè)盤面制成反射率高的晶體狀態(tài)。也就是說進(jìn)行初始化。通常該初始化的方法是把匯聚到數(shù)10～100μm的激光束照射到旋轉(zhuǎn)的光盤上。
在已初始化的光盤上局部照射激光，使記錄層熔化，急劇冷卻，相變成非晶質(zhì)狀態(tài)。隨著相變化，記錄層的光學(xué)性質(zhì)(反射率、透過率、復(fù)合折射率等)發(fā)生變化，來對(duì)信息進(jìn)行記錄。
重放的方法是照射比記錄時(shí)弱的激光，檢測(cè)出晶體和非晶體的反射率差或相位差。改寫是把引起結(jié)晶的低能量的消除功率上疊加的記錄峰值功率投入到記錄層內(nèi)，不經(jīng)過消除過程而在已記錄的記錄標(biāo)記上進(jìn)行重疊寫入。
已知，在上述GeSbTe系中已實(shí)用化的材料以外的系統(tǒng)，即使Sb和Te共晶體組成，也進(jìn)行晶體—非晶體狀態(tài)轉(zhuǎn)移。
但是，包括在Sb70Te30(70和30表示原子比)中添加第3元素，尤其是包括添加了Ge的組成范圍在內(nèi)的現(xiàn)有技術(shù)，例如有專利文獻(xiàn)1(日本特開平1-115685號(hào)公報(bào))、專利文獻(xiàn)2(日本特開平1-251342號(hào)公報(bào))、專利文獻(xiàn)3(日本特開平1-303643號(hào)公報(bào))等。
但是，上述各專利文獻(xiàn)1～3中所公開的現(xiàn)有技術(shù)，不能獲得充分的記錄重放特性、對(duì)比度，而且重放光耐久性強(qiáng)的這種光信息記錄媒體的。
另一方面，使用相變化材料的光盤記錄方法是一直以來利用DVD-ROM中使用的波長(zhǎng)650nm左右的紅色激光或者波長(zhǎng)更長(zhǎng)的激光。但是，近幾年，在波長(zhǎng)400nm左右發(fā)光的半導(dǎo)體激光元件已經(jīng)上市。再者，物鏡的數(shù)值孔徑(以下亦稱作NA)更高，能更有效地使光束匯聚。
這是因?yàn)?，如果能?duì)更短波長(zhǎng)的激光和高NA的物鏡進(jìn)行組合使用，則束點(diǎn)直徑減小，光盤記錄密度能相應(yīng)提高。因此，正在大力研究利用蘭色激光的光盤系統(tǒng)。
一般，利用蘭色激光的光盤系統(tǒng)，與利用過去的紅色的激光的光盤系統(tǒng)相比，前者的性能和記錄密度均大大提高，因此正在大力研究開發(fā)前者的光盤。要求這種光盤能適應(yīng)于波長(zhǎng)短的蘭色激光束，而且即使短脈沖寬度也能充分記錄，而且能夠改寫。
在過去的材料中，共晶組成附近的GeSbTe系統(tǒng)的材料，實(shí)驗(yàn)證明其錄放性能達(dá)到利用蘭色激光的光盤系統(tǒng)。并且，實(shí)驗(yàn)證明為了提高錄放特性，在GeSbTe系材料的構(gòu)成元素中，通過調(diào)整Sb和Te量的比例來控制結(jié)晶速度，能夠改變記錄時(shí)的對(duì)應(yīng)線速度。
再者，Ge的量對(duì)記錄材料的穩(wěn)定性影響很大，如果是適當(dāng)范圍的量，則能提高對(duì)光束直徑小能量密度高的蘭色激光的重放耐久性。
但是，為了進(jìn)行更高密度的記錄，必須進(jìn)一步提高錄放特性，也就是說，提高重放功率，減小抖動(dòng)(jitter)。但利用GeSbTe系材料作為記錄材料的光盤，在這一點(diǎn)上特性受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光信息記錄媒體，能夠耐受用GeSbTe系記錄層材料不能耐受的高輸出的重放光，能夠使記錄時(shí)的抖動(dòng)更小。
本發(fā)明人對(duì)記錄層進(jìn)行了銳意研究開發(fā)的結(jié)果提出了本發(fā)明，得出了以下見解在利用GeSbTe系材料作為相變化型記錄層的情況下，把Sb和Te的比例設(shè)定在規(guī)定范圍內(nèi)，而且確定Ge的量，又在該GeSbTe系材料中重新適當(dāng)添加鈦(Ti)，因此，與僅有GeSbTe的記錄材料相比，在使用蘭色激光的光盤系統(tǒng)中能顯示出優(yōu)異的錄放特性。
本發(fā)明的光信息記錄媒體，在基板上至少具有相變化型記錄層，利用光照射來使上述相變化型記錄層發(fā)生相變化，以此進(jìn)行信息的記錄和消除，其特征在于上述相變化型記錄層由TiwGexSbyTez構(gòu)成，滿足以下條件0.5≤w≤4.03.4≤x≤14.52.1≤y/z≤4.0w+x+y+z＝100(原子比)


圖1是表示涉及本發(fā)明的光盤(光信息記錄媒體)的基本構(gòu)成的一實(shí)施例的斷面圖。
圖2是表示記錄時(shí)的策略圖形(strategy pattern)的圖。
圖3是表示涉及本發(fā)明的光盤(光信息記錄媒體)的基本構(gòu)成的另一實(shí)施例的斷面圖。
圖4是表示在記錄層中添加了Ti的第1實(shí)施例的記錄層組成與重放光耐久性和初始抖動(dòng)的說明圖。
圖5是表示在記錄層中添加了Ti的第2實(shí)施例的記錄層組成與重放光耐久性和初始抖動(dòng)的說明圖。
圖6是表示在記錄層中添加了Ti的第3實(shí)施例的記錄層組成與重放光耐久性和初始抖動(dòng)的說明圖。
圖7是表示在記錄層中添加了Ti的第4實(shí)施例的記錄層組成與重放光耐久性和初始抖動(dòng)的說明圖。
圖8是表示在記錄層中添加了Ti的第5實(shí)施例的記錄層組成與重放光耐久性和初始抖動(dòng)的說明圖。
圖9是表示在記錄層中添加了Ti的第6實(shí)施例的記錄層組成與重放光耐久性和初始抖動(dòng)的說明圖。
圖10是表示在記錄層中添加了Ti的第7實(shí)施例的記錄層組成與重放光耐久性和初始抖動(dòng)的說明圖。
圖11是對(duì)試樣2～17-v7(圖4～圖10的內(nèi)容)匯總的曲線圖。
圖12是表示在添加Ti的記錄層組成中各試樣的Ge的量的說明圖。
圖13是表示在添加Ti的記錄層組成中各試樣的Sb/Te的比的說明圖。
圖14是表示本實(shí)施例的記錄條件、即記錄功率和策略的說明圖。
圖15是改變重放功率時(shí)的靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的比較說明圖。
圖16是表示本發(fā)明的實(shí)施例和比較例的記錄層組成與重放劣化、錄放特性等的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式
以下根據(jù)附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的光信息記錄媒體的最佳實(shí)施例。而且，以下所述的實(shí)施例是本發(fā)明的最佳具體例，所以，從技術(shù)上附加了理想(優(yōu)選)的各種限定，但本發(fā)明的范圍在以下的說明中只要沒有旨在特別限定本發(fā)明的敘述，不受這些實(shí)施方式的限制。
首先，為了理解作為本發(fā)明光信息記錄媒體的一例的光盤，對(duì)其背景加以說明。從上述公開的專利公報(bào)中也可以看出，為了進(jìn)行初始化，需要相當(dāng)高的輸出的激光束。并且，在高輸出的激光中，縮小了光束直徑，所以，即使小的激光的功率也能提高激光束密度。但用數(shù)微米的光束直徑來進(jìn)行掃描的初始化需要很長(zhǎng)的時(shí)間。
因此，作為記錄層材料，研究開發(fā)的不是能用低功率進(jìn)行初始化的共晶系，而是對(duì)GeTe和Ge2Sb3進(jìn)行組合使用的GeSbTe系材料，誕生了現(xiàn)在的DVD-RAM系的光盤。并且，比該材料的誕生稍晚，又開發(fā)了Ag1nSbTe系材料，誕生了CD-RW和DVD-RW光盤。
該AgInSbTe系材料與RAM中使用的GeSbTe相比，需要更強(qiáng)的激光功率。并且，由此促進(jìn)激光的短波長(zhǎng)和高功率，安裝高輸出激光元件的初始化裝置已經(jīng)上市。
由于這種安裝了高輸出激光元件的初始化裝置的出現(xiàn)，促進(jìn)了過去難于初始化的共晶系的GeSbTe的材料開發(fā)，直至現(xiàn)在。
以下參照?qǐng)D1，以光盤為例詳細(xì)說明本發(fā)明的光信息記錄媒體的最佳實(shí)施方式。而且，本發(fā)明并非僅限于以下所述的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)、使用物質(zhì)。
圖1是表示涉及本發(fā)明的光盤(光信息記錄媒體)的基本構(gòu)成的一實(shí)施例的斷面圖；圖2是表示記錄時(shí)的策略圖形的圖；圖3是表示涉及本發(fā)明的光盤(光信息記錄媒體)的基本構(gòu)成的另一實(shí)施例的斷面圖；圖4～圖10是表示在記錄層中添加了Ti的第1實(shí)施例的記錄層組成與重放光耐久性和初始抖動(dòng)的說明圖；圖11是對(duì)試樣2～17-v7(圖4～圖10的內(nèi)容)匯總的曲線圖；圖12是表示在添加Ti的記錄層組成中各試樣的Ge的量的說明圖；圖13是表示在添加Ti的記錄層組成中各試樣的Sb/Te的比的說明圖；圖14是表示本實(shí)施例的記錄條件、即記錄功率和策略的說明圖；圖15是改變重放功率時(shí)的靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的比較說明圖。
如圖1所示，本實(shí)施例的相變化型記錄層10，其結(jié)構(gòu)是在基板1上設(shè)置反射層2，在該反射層2上設(shè)置第1保護(hù)層3，在該第1保護(hù)層3上設(shè)置相變化型記錄層(以下亦可簡(jiǎn)稱為記錄層)4，在該記錄層4上設(shè)置第2保護(hù)層5，在該第2保護(hù)層5上通過粘接層6設(shè)置覆蓋片7。作為本實(shí)施例的光盤10，在基板1上有記錄層3，利用與上述基板1不同側(cè)的光例如激光L進(jìn)行照射，使構(gòu)成該記錄層3的原子排列發(fā)生變化，進(jìn)行信息的記錄和消除。
在此，激光L從復(fù)蓋片7側(cè)射入，但也可以不設(shè)置復(fù)蓋片7，從基板1側(cè)射入激光L。并且，在能獲得充分反射率的情況下，也可以不設(shè)置上述反射層2。
圖3是從基板1側(cè)射入激光L的另一實(shí)施例的斷面圖。其他實(shí)施例光盤20的結(jié)構(gòu)是在基板1上設(shè)置第2保護(hù)層5，在該第2保護(hù)層5上設(shè)置記錄層4，在該記錄層4上設(shè)置第1保護(hù)層3，在該第1保護(hù)層3上設(shè)置反射層2，在該反射層2上設(shè)置保護(hù)涂膜8。
本實(shí)施例等的光盤10、20中采用的基板1的材料，也可以是玻璃、塑料以及在玻璃上設(shè)置了光固化性樹脂的材料等中的某一種。但從包括成本在內(nèi)的生產(chǎn)性方面來看，希望是塑料，其中尤其希望是聚碳酸酯樹脂。
對(duì)記錄層4的厚度無特別限制，一般為3nm～100nm。尤其希望為3nm以上、30nm以下，以便能提高記錄、消除的靈敏度，能多次進(jìn)行記錄消除。
作為介質(zhì)層的上述第1、第2保護(hù)層3、5，如上所述，通過結(jié)構(gòu)布置來防止在記錄時(shí)上述基板1、記錄層4等因受到激光L的照射熱而產(chǎn)生變形，造成記錄特性劣化，利用對(duì)基板1、記錄層4進(jìn)行熱保護(hù)的效應(yīng)、光學(xué)干涉效應(yīng)，來改善重放時(shí)的信號(hào)對(duì)比度。
再者，還具有促進(jìn)記錄層4的結(jié)晶化，提高消除效率的效果。作為第1、第2保護(hù)層3、5，有ZnS-SiO2、Si3N4、Al2O3等無機(jī)薄膜。
尤其Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta等金屬、或者半導(dǎo)體氧化物薄膜、Si、Ge、Al等金屬、或者半導(dǎo)體氮化物薄膜、Ti、Zr、Hf、Si等金屬、或者半導(dǎo)體碳化物薄膜、ZnS、In2S3、TaS4、GeS2等金屬、或者半導(dǎo)體硫化物薄膜、以及這些化合物的2種以上的混合物薄膜，因耐熱性好，化學(xué)性能穩(wěn)定，所以效果良好。
再者，構(gòu)成對(duì)記錄層4的保護(hù)層的第1、第2保護(hù)層3、5，優(yōu)選采用無原子擴(kuò)散的。這些氧化物、硫化物、氮化物、碳化物不一定要采用化學(xué)計(jì)量的組成，為了控制折射率等，對(duì)組成進(jìn)行控制或混合使用也是有效的。
并且，在其中混合MgF2等氟化物而構(gòu)成的第1、第2保護(hù)層3、5，也因膜(層)殘留應(yīng)力小而效果良好。尤其，ZnS和SiO2的混合膜，即使反復(fù)記錄和消除也不易使記錄靈敏度、C/N、消除率等劣化，所以效果良好。第1、第2保護(hù)層3、5的厚度約為5nm～200nm。
再者，第1保護(hù)層3的厚度，從C/N、消除率等記錄特性，能穩(wěn)定地多次改寫考慮，希望是5nm～30nm。第2保護(hù)層5因不易從記錄層4和粘接層6上剝離，不易產(chǎn)生裂紋等缺陷，因此以30nm～200nm為宜。第1、第2保護(hù)層3、5也可以是不相同的，而是由不同的化合物構(gòu)成。
反射層2的材料可以是具有光反射性的Al、Au、Ag等金屬，以及以此為主要成分，包含Ti、Cr、Pd、Cu等添加元素在內(nèi)的合金、以及在Al、Au、Ag等金屬中混合了Al、Si等的金屬氮化物、金屬氧化物、金屬硫化物等金屬化合物的材料。Al、Au、Ag等金屬、以及以這些為主要成分的合金，光反射性強(qiáng)，而且能提高熱傳導(dǎo)率，所以效果良好。上述反射層5的厚度約為5nm以上、300nm以下。
并且，作為本發(fā)明的特征的記錄層4由TiwGexSbyTez構(gòu)成，能滿足以下關(guān)系式，這一點(diǎn)待以后敘述。
0.5≤w≤4.0
3.4≤x≤14.52.1≤y/z≤4.0w+x+y+z＝100(原子比)作為本實(shí)施例的光盤10、20的記錄使用的光源優(yōu)選采用激光L，主要是從近紅外區(qū)的波長(zhǎng)830nm到紫外區(qū)的300nm的范圍內(nèi)的激光。也可以采用那種利用2次高諧波發(fā)生元件(SHG元件)對(duì)1次光進(jìn)行短波長(zhǎng)化后的L激光。
以下說明本發(fā)明的光盤10的實(shí)施例，在此之前參照?qǐng)D2說明記錄時(shí)的策略。在本發(fā)明光盤10上的記錄是在結(jié)晶狀態(tài)的記錄層4上照射激光脈沖等，進(jìn)行加熱，經(jīng)過急劇冷卻后，形成非晶質(zhì)的記錄標(biāo)記。
在實(shí)用上，是把在引起結(jié)晶化的低能量的消除功率(P2)上疊加的記錄峰值功率(P1)投入到記錄層4內(nèi)，這樣，不經(jīng)過消除過程直接在已記錄的記錄標(biāo)記上進(jìn)行重疊寫入。這時(shí)的記錄激光脈沖被分割成比記錄標(biāo)記長(zhǎng)度短的多個(gè)脈沖。
以下表示具體的實(shí)施例，如前所述，本發(fā)明并非僅限于該實(shí)施例。在該實(shí)施例中，利用安裝了波長(zhǎng)405nm的激光二極管、數(shù)值孔徑NA＝0.85的光學(xué)透鏡(物鏡)的希巴索庫(shibasoku)公司制的光盤驅(qū)動(dòng)測(cè)試器(LM330A)，來進(jìn)行記錄(1束重寫)。初始化裝置使用希巴索庫公司制的初始化器(LK201A)。
以下說明實(shí)施例。如前所述，實(shí)驗(yàn)證明，共晶組成附近的GeSbTe系材料能夠使用蘭色激光的系統(tǒng)進(jìn)行某種程度的記錄重放。并且，為了提高錄放特性，實(shí)驗(yàn)證明，也可以在GeSbTe系材料的構(gòu)成元素中，通過調(diào)整Sb和Te量的比例來控制結(jié)晶化速度，改變記錄時(shí)的對(duì)應(yīng)線速度。
并且，實(shí)驗(yàn)也已證明，Ge的量對(duì)記錄材料的穩(wěn)定性影響很大，如果是適當(dāng)范圍的量，則可以提高對(duì)束徑小能量密度高的蘭色激光的重放光耐久性。
因此，在下述的圖16所示的本發(fā)明的實(shí)施例和比較例的說明中，對(duì)上述GeSbTe進(jìn)行18個(gè)試樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，在GeSbTe的組成量(原子比)和Sb/Te比位于規(guī)定范圍內(nèi)的情況下，能適應(yīng)下一代蘭色激光，而且即使短脈沖寬度也能充分記錄，而且能改寫的范圍內(nèi)的、重放劣化為0.2dB以下，并且初始抖動(dòng)也在9％以下的試樣，共抽取了12個(gè)。而且，在圖16中重放劣化特性和抖動(dòng)特性兩者均為○標(biāo)記的試樣相當(dāng)于本發(fā)明的實(shí)施例。
然而，這12個(gè)試樣，即使如上所述均為能適應(yīng)下一代的蘭色激光，而且即使短脈沖寬度也能充分記錄，并且在能夠改寫的范圍內(nèi)，也并非為了用下一代蘭色激光進(jìn)行更高密度的記錄，能如上所述提高重放功率和減小抖動(dòng)。也就是說，利用GeSbTe系材料作為已有結(jié)構(gòu)的相變化型記錄層的光盤，耐久重放功率輸出充其量也只有0.36mW左右，所以，對(duì)比度達(dá)不到，因此，C/N變壞，不能減小抖動(dòng)，必須進(jìn)一步提高錄放特性。
本發(fā)明，為了解決這些問題，如上所述，作為相變化型記錄層，以GeSbTe系材料為基礎(chǔ)適量地新添加鈦(Ti)，能獲得以下光盤，即與僅有GeSbTe的記錄材料相比，在利用蘭色激光的系統(tǒng)中能達(dá)到優(yōu)良的錄放特性，同時(shí)，對(duì)重放光有很強(qiáng)的耐久性。以下具體說明這一問題。
而且，在以下的本實(shí)施例的說明中，上述能適應(yīng)下一代蘭色激光而且即使短脈沖寬度也能充分記錄，并且在能改寫范圍內(nèi)的12個(gè)試樣作為基礎(chǔ)，從這12個(gè)中再選擇7個(gè)，在這被選擇的7個(gè)試樣中添加Ti，這樣用已有結(jié)構(gòu)達(dá)不到效果，用本實(shí)施例結(jié)構(gòu)才達(dá)到特有效果。對(duì)此加以說明。
首先參照?qǐng)D4說明試樣No.2。而且，在圖4中，2表示下述圖6的試樣No.2，2-v1～2-v7表示對(duì)該試樣No.2，改變Ti量時(shí)的耐久重放功率和平均初始抖動(dòng)狀態(tài)。
在直徑120mm的聚碳酸酯基板1上，首先利用濺射方法依次形成Ag合金作為反射層2、ZnS-SiO2作為第1保護(hù)層3、TiGeSbTe作為記錄層4、ZnS-SiO2作為第2保護(hù)層5。然后，利用UV(紫外線)固化樹脂作為粘接層6，其上面粘貼復(fù)蓋片7。這時(shí)各層的膜厚分別為反射層2為200nm、第1保護(hù)層3為8nm、記錄層4為14nm、第2保護(hù)層5為36nm。
并且，記錄層4的組成按原子比分別為Ti0.5％、Ge3.4％、Sb72.7％、Te23.4％。貼合后，為了使粘接層6充分固化，進(jìn)行UV照射。然后，利用激光束點(diǎn)直徑為120μm的初始化器把初始化條件固定為線速度4m/S，進(jìn)給間距40μm，用激光輸出570mW來進(jìn)行了初始化。
在此，初始化的激光輸出與使用GeSbTe的下述比較例相同，是對(duì)TiGeSbTe的優(yōu)化結(jié)果。然后，對(duì)1-7調(diào)制后的信息信號(hào)按5.28m/S，如圖2所示從策略上定為1T＝15.1nsec，如后述的圖14的記錄條件一覽的試樣No.2所示，對(duì)P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略(T)按照T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T在槽紋上進(jìn)行記錄，在重放信號(hào)的振幅中心進(jìn)行切片，測(cè)量了時(shí)鐘對(duì)數(shù)據(jù)抖動(dòng)(clock to data jitter)。
而且，圖14的試樣No.2～試樣No.17對(duì)應(yīng)于包括本實(shí)施例等在內(nèi)的各實(shí)施例的試樣No.2～試樣No.17。
利用時(shí)間間隔分析儀(型號(hào)為TA520橫河電機(jī)公司制)測(cè)量抖動(dòng)。初次記錄后的初始抖動(dòng)，在記錄標(biāo)記的始端為7.1％，在記錄標(biāo)記的后端為6.8％，其平均值為6.95％，形成了良好的記錄(參見圖4中2-v1)。而且，初始抖動(dòng)值是光盤本身的抖動(dòng)，按照下一代蘭色激光標(biāo)準(zhǔn)，包含裝置(硬件)側(cè)在內(nèi)的抖動(dòng)值為10％以下。所以，至少光盤單體的初始抖動(dòng)值，希望控制在約7％。
并且，在同一光盤上按照上述策略來記錄了2T長(zhǎng)的單一信號(hào)。對(duì)已記錄的軌道進(jìn)行靜態(tài)重放，對(duì)S/N進(jìn)行了測(cè)量。這時(shí)，對(duì)重放功率從0.30mW到0.40mW按0.01mW的刻度數(shù)進(jìn)行調(diào)整，測(cè)量了靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的C/N。在此，把靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的C/N差保持在0.2dB以下的范圍內(nèi)的重放功率最大值作為耐久重放功率，C/N是以頻譜分析儀為主的測(cè)量誤差為0.2dB左右。
在由于重放光而有劣化的情況下，C/N的變化在靜態(tài)重放1分鐘左右時(shí)即可看出。經(jīng)過5分鐘后，C/N劣化量的確超過了0.2dB，其劣化可充分看出。因此，把重放光造成劣化的判斷標(biāo)準(zhǔn)定為C/N差0.2dB。
根據(jù)上述測(cè)量，該實(shí)施例1的光盤剛開始后的C/N為50.2dB，經(jīng)過5分鐘后的C/N為50.2dB。C/N的測(cè)量利用頻譜分析儀，取16個(gè)數(shù)據(jù)，找出平均值。這樣可以看出，在該第1實(shí)施例的光盤中，靜態(tài)重放剛開始后的C/N和經(jīng)過5種后的C/N沒有任何變化，也就是說，沒有重放劣化，具有穩(wěn)定的性能。
在此說明重放光。在記錄的標(biāo)記中抖動(dòng)最厲害的是很難記錄的最短標(biāo)記，即2T標(biāo)記。這是因?yàn)橛涗洉r(shí)的激光照射時(shí)間、即標(biāo)記形成時(shí)間最短，所以形成標(biāo)記很費(fèi)工夫。也就是說，如果能把2T標(biāo)記的抖動(dòng)例如控制在9％以下，則能可靠地把全標(biāo)記控制在9％以下。所以，能大大減小綜合抖動(dòng)。實(shí)驗(yàn)證明，該2T單獨(dú)的抖動(dòng)為9％，所以需要的C/N是51.0dB。
在此，在采用不含Ti的GeSbTe作為相變化型記錄層的情況下，若用不會(huì)劣化的0.3mW的功率來進(jìn)行重放，則達(dá)到50.0Db的C/N。在此，實(shí)驗(yàn)證明，即使把重放光提高到耐久功率最大值0.36mW，也只不過達(dá)到50.0dB，達(dá)不到51.0dB。
另一方面，在采用含有Ti的GeSbTe作為相變化型記錄層的本實(shí)施例的情況下，耐久重放功率為0.38mW～0.4mW。這是因?yàn)?，如下所述，Ti是高熔點(diǎn)元素，對(duì)熱量非常穩(wěn)定，不與構(gòu)成相變化型記錄層的Ge、Sb、Te進(jìn)行反應(yīng)，并且，也不與相鄰的形成保護(hù)層的材料進(jìn)行反應(yīng)，是穩(wěn)定的物質(zhì)，利用適量的添加，能使該Ti在記錄膜中具有固定的作用，在形成記錄標(biāo)記時(shí)標(biāo)記邊緣更清晰，能減少抖動(dòng)。再者，如上所述，由于是高熔點(diǎn)材料，耐熱耐久性好，所以對(duì)重放光能承受更大的功率。
并且，在利用不會(huì)劣化的0.30mW的功率來進(jìn)行重放時(shí)，C/N最大值為50.2dB，但把重放功率提高到0.38mW，能使C/N達(dá)到51.1dB。也就是說，即使在形成很難記錄的最短標(biāo)記2T標(biāo)記時(shí)，也能把該T2單獨(dú)的抖動(dòng)控制在9％。
順便說明，在把重放功率提高到0.38mW的情況下，靜態(tài)重放剛開始后的C/N為51.1dB，經(jīng)過5分鐘后的C/N同樣是51.1dB。也就是說，上述2T單獨(dú)的抖動(dòng)為9％，所以，能充分滿足必要的C/N條件(參見圖15的2-v1～v5)。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定為相同，對(duì)Sb和Te的量稍加改變，再者Ti的量設(shè)定為1.0的情況下，作為2-v2進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，耐久重放功率為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為6.89％。也就是說，可以看出，該例的光盤是重放功率輸出、初始抖動(dòng)能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定為相同，對(duì)Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量設(shè)定為2.0的情況作為2-v3進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，獲得了充分的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，耐久重放功率與上述一樣為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為6.97％。也就是說，可以看出，該例的光盤也是重放功率輸出、初始抖動(dòng)能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定為相同，對(duì)Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量設(shè)定為3.0的情況作為2-v4進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，獲得了充分的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，耐久重放功率與上述一樣為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為7.11％。也就是說，可以看出，該例的光盤也是重放功率輸出、初始抖動(dòng)能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定為相同，對(duì)Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量設(shè)定為4.0的情況作為2-v5進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，獲得了充分的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，耐久重放功率與上述一樣為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為7.58％。也就是說，可以看出，該例的光盤也是重放功率輸出、初始抖動(dòng)能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定為相同，對(duì)Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量設(shè)定為5.0的情況作為2-v6進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，從試樣No.2獲得了不良的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，耐久重放功率與上述一樣為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為8.87％。也就是說，可以看出，該例的光盤也是重放功率輸出、初始抖動(dòng)能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定為相同，對(duì)Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量設(shè)定為6.0的情況作為2-v7進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，從上述2-v6中獲得了更加不良的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，耐久重放功率與上述一樣為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為9.92％。也就是說，可以看出，該例的光盤也是重放功率輸出、初始抖動(dòng)能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
在此，測(cè)量誤差產(chǎn)生約0.2dB的誤差，所以，重放剛開始后的C/N變化如果是0.2dB以下，則可以認(rèn)為是良好。也就是說，靜態(tài)重放剛開始后的C/N和經(jīng)過5分鐘后的C/N實(shí)質(zhì)上沒有變化。在此，在經(jīng)過5分鐘后的C/N劣化為0.2dB以下能承受的重放功率強(qiáng)度的調(diào)查結(jié)果是耐久性能達(dá)到0.38mW。由此可以看出第1實(shí)施例的光盤10是對(duì)重放光有很強(qiáng)的耐久性，能滿足下一代的標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
并且，從該2-v1～2-v7中可以看出，Ti的量在0.5～4.0范圍內(nèi)的，初始抖動(dòng)性能良好。
以下參照?qǐng)D5說明試樣No.4。而且，在圖5中，4表示下述圖16的試樣No.4，4-v1～4-v7表示對(duì)該試樣No.4改變了Ti量時(shí)的耐久重放功率和平均初始抖動(dòng)的狀態(tài)。
在直徑120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1實(shí)施例相同的方法，依次濺射形成了反射層2、第1保護(hù)層3、記錄層4、第2保護(hù)層5。然后，利用UV固化樹脂作粘接層6，在其上面粘貼了復(fù)蓋片7。這時(shí)各層的膜厚，反射層2為200nm，第1保護(hù)層3為8nm，記錄層4為14nm，第2保護(hù)層5為36nm。
并且，記錄層4的組成按原子比分別為Ti0.5％、Ge4.3％、Sb64.5％、Te30.7％。貼合后，為了使粘接層6充分固化，進(jìn)行了UV照射。然后，利用激光束點(diǎn)直徑120μm的初始化器來進(jìn)行初始化，初始化條件定為線速度4m/S，進(jìn)給間距40μm，激光輸出570mW。
這時(shí)，初始化的激光輸出與使用GeSbTe的下述比較例相同，是對(duì)TiGeSbTe的最佳結(jié)果。然后，對(duì)1-7調(diào)制的信息信號(hào)按5.28m/S如圖2所示。策略是1T＝15.1nsec，如下述圖14的記錄條件一覽表的試樣No.4所示，對(duì)P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽紋上進(jìn)行記錄，在重放信號(hào)的振幅中心進(jìn)行切片，測(cè)量對(duì)數(shù)據(jù)抖動(dòng)的時(shí)鐘(c1ock to data jitter)。
利用時(shí)間間隔分析儀(型號(hào)TA520橫河電機(jī)公司制)進(jìn)行了測(cè)量抖動(dòng)。初次記錄后的抖動(dòng)，在記錄標(biāo)記的始端為7.54％；在記錄標(biāo)記的后端為7.42％，其平均值為7.48％，能進(jìn)行良好的記錄(參見圖5中4-v1)。
并且，在同一光盤上按上述策略記錄了2T長(zhǎng)的單一信號(hào)。對(duì)記錄的軌道進(jìn)行靜態(tài)重放，測(cè)量了C/N。這時(shí)，對(duì)重放功率從0.30mW變化到0.40mW，對(duì)靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的C/N進(jìn)行了測(cè)量。剛開始后的C/N為50.1dB，經(jīng)過5分鐘后C/N為50.1dB。C/N的測(cè)量，利用頻譜分析儀，取16個(gè)數(shù)據(jù)，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情況下，靜態(tài)重放剛開始后的C/N為51.1dB，經(jīng)過5分鐘后C/N同樣為51.1dB。也就是說，上述2T單獨(dú)的抖動(dòng)達(dá)到9％所需要的C/N條件完全可以滿足(參見圖15的4-v1～v5)。
這樣，在該第2實(shí)施例的光盤上，靜態(tài)重放剛開始后的C/N和經(jīng)過5分鐘后的C/N幾乎沒有變化，也就是說，可以看出是沒有重放劣化、性能穩(wěn)定的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為1.0的情況作為4-v2進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了良好的結(jié)果，耐久重放功率為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為7.14％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為2.0的情況作為4-v3進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了良好的結(jié)果，耐久重放功率與上述情況相同，為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為7.08％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為3.0的情況作為4-v4進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率與上述情況相同，為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為7.22％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為4.0的情況作為4-v5進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率與上述情況相同，為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為7.76％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為5.0的情況作為4-v6進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了更加不良的結(jié)果，不如上述試樣No.4，耐久重放功率與上述情況相同，為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為9.04％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為6.0的情況作為4-v7進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了更加不良的結(jié)果，不如上述4-v6，耐久重放功率與上述情況相同，為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為10.12％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
在此，測(cè)量誤差產(chǎn)生0.2dB左右的誤差，所以，靜態(tài)重放剛開始后的C/N的變化，如果是0.2dB以下，則可以認(rèn)為是良好的。在此，按照經(jīng)過5分鐘后的C/N劣化為0.2dB下，對(duì)能承受的重放功率的強(qiáng)度進(jìn)行了檢查，結(jié)果發(fā)現(xiàn)能承受0.38mW。由此可知，第2實(shí)施例的光盤10對(duì)重放光有很強(qiáng)的耐久性，是能滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
并且，從該4-v1～4-v7中可看出，Ti的量在0.5～4.0范圍內(nèi)對(duì)初始抖動(dòng)是良好的。
以下參照?qǐng)D6，說明試樣No.7。而且，在圖6中，7表示下述圖16的試樣No.7，7-v1～7-v6表示對(duì)該試樣No.7，在改變Ti量時(shí)耐久重放功率和平均初始抖動(dòng)的狀態(tài)。
在直徑120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1實(shí)施例相同的方法，依次濺射形成了反射層2、第1保護(hù)層3、記錄層4、第2保護(hù)層5。然后，利用UV固化樹脂作為粘接層6，在其上面粘貼了復(fù)蓋片7。這時(shí)各層的膜厚，反射層2為200nm，第1保護(hù)層3為8nm，記錄層4為14nm，第2保護(hù)層5為36nm。
并且，記錄層4的組成按原子比分別為Ti0.5％、Ge4.6％、Sb75.9％、Te19.0％。貼合后，為了使粘接層6充分固化，進(jìn)行了UV照射。然后，利用激光束點(diǎn)直徑120μm的初始化器來進(jìn)行初始化，初始化條件定為線速度4m/S，進(jìn)給間距40μm，激光輸出570mW。
這時(shí)，初始化的激光輸出與使用GeSbTe的下述比較例相同，是對(duì)TiGeSbTe的最佳結(jié)果。然后，對(duì)1-7調(diào)制的信息信號(hào)按5.28m/S如圖2所示，策略是1T＝15.1nsec，如下述圖14的記錄條件一覽表的試樣No.7所示，P1＝5.2mW、P2＝3.4mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.5T、T2＝0.5T、T3＝0.8T、T4＝0.8T，在槽紋上進(jìn)行記錄，在重放信號(hào)的振幅中心進(jìn)行切片，測(cè)量對(duì)數(shù)據(jù)抖動(dòng)的時(shí)鐘(clockto data jitter)。
抖動(dòng)利用時(shí)間間隔分析儀(型號(hào)TA520橫河電機(jī)公司制)進(jìn)行了測(cè)量。初次記錄后的抖動(dòng)，在記錄標(biāo)記的始端為7.44％；在記錄標(biāo)記的后端為7.40％，其平均值為7.42％，能進(jìn)行良好的記錄(參見圖6中，7-v1)。
并且，在同一光盤上按上述策略記錄了2T長(zhǎng)的單一信號(hào)。對(duì)記錄的軌道進(jìn)行靜態(tài)重放，測(cè)量了C/N。這時(shí)，對(duì)重放功率從0.30mW變化到0.40mW，對(duì)靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的C/N進(jìn)行了測(cè)量。剛開始后的C/N為50.2dB，經(jīng)過5分鐘后C/N為50.2dB。C/N的測(cè)量，利用頻譜分析儀，取16個(gè)數(shù)據(jù)，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情況下，靜態(tài)重放剛開始后的C/N為51.2dB；經(jīng)過5分鐘后C/N同樣為51.2dB。也就是說，上述2T單獨(dú)的抖動(dòng)達(dá)到9％所需要的C/N條件完全可以滿足(參見圖15的7-v1～v5)。
這樣，在該第3實(shí)施例的光盤上，靜態(tài)重放剛開始后的C/N和經(jīng)過5分鐘后的C/N幾乎沒有變化。也就是說，可以看出，是沒有重放劣化，性能穩(wěn)定的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為1.0的情況作為7-v2進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了超過上述7-v1的結(jié)果，耐久重放功率為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為7.02％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為2.0的情況作為7-v3進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了的結(jié)果，超過了上述7-v2，耐久重放功率與上述情況相同為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為6.82％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為3.0的情況作為7-v4進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率與上述情況相同為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為6.98％。也就是說，可以看出該例的光盤也是耐久重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為4.0的情況作為7-v5進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率與上述情況相同為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為7.36％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為5.0的情況作為7-v6進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了與試樣No.7幾乎相同的結(jié)果，耐久重放功率與上述情況相同，為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為8.51％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為6.0的情況作為7-v7進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了更壞的結(jié)果，不如上述7-v6，耐久重放功率與上述情況相同為0.38mW，平均初始抖動(dòng)為9.63％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
在此，測(cè)量誤差產(chǎn)生0.2dB左右的誤差，所以，靜態(tài)重放剛開始后的C/N的變化，如果是0.2dB以下，則可以認(rèn)為是良好的。在此，按照經(jīng)過5分鐘后的C/N劣化為0.2dB下，對(duì)能承受的重放功率的強(qiáng)度進(jìn)行了檢查，結(jié)果發(fā)現(xiàn)能承受0.38mW。由此可知，第3實(shí)施例的光盤10對(duì)重放光有很強(qiáng)的耐久性，是能滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
并且，從該7-v1～7-v7中可以看出，Ti的量在0.5～4.0范圍內(nèi)初始抖動(dòng)是良好的。
以下參照?qǐng)D7，說明試樣No.9。而且，在圖7中，9表示下述圖16的試樣No.9，9-v1～9-v7表示對(duì)該試樣No.9，在改變Ti量時(shí)重放功率輸出和平均初始抖動(dòng)的狀態(tài)。
在直徑120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1實(shí)施例相同的方法，依次濺射形成了反射層2、第1保護(hù)層3、記錄層4、第2保護(hù)層5。然后，利用UV固化樹脂作粘接層6，在其上面粘貼了復(fù)蓋片7。這時(shí)各層的膜厚，反射層2為200nm，第1保護(hù)層3為8nm，記錄層4為14nm，第2保護(hù)層5為36nm。
并且，記錄層4的組成按原子比分別為Ti0.5％、Ge6.2％、Sb68.7％、Te24.6％。貼合后，為了使粘接層6充分固化，進(jìn)行了UV照射。然后，利用激光束點(diǎn)直徑120μm的初始化器來進(jìn)行初始化，初始化條件定為線速度4m/S，進(jìn)給間距40μm，激光輸出570mW。
這時(shí)，初始化的激光輸出與使用GeSbTe的下述比較例相同，是對(duì)TiGeSbTe的最佳結(jié)果。然后，對(duì)1-7調(diào)制的信息信號(hào)按5.28m/S如圖2所示，策略是1T＝15.1nsec，如下述圖14的記錄條件一覽表的試樣No.9所示，對(duì)P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽紋上進(jìn)行記錄，在重放信號(hào)的振幅中心進(jìn)行切片，測(cè)量對(duì)數(shù)據(jù)抖動(dòng)的時(shí)鐘(clock to data jitter)。
抖動(dòng)利用時(shí)間間隔分析儀(型號(hào)TA520橫河電機(jī)公司制)進(jìn)行了測(cè)量。初次記錄后的抖動(dòng)，在記錄標(biāo)記的始端為6.98％，在記錄標(biāo)記的后端為6.84％，其平均值為6.91％，能進(jìn)行良好的記錄(參見圖7中，9-v1)。
并且，在同一光盤上按上述策略記錄了2T長(zhǎng)的單一信號(hào)。對(duì)記錄的軌道進(jìn)行靜態(tài)重放，測(cè)量了C/N。這時(shí)，對(duì)重放功率從0.30mW變化到0.40mW，對(duì)靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的C/N進(jìn)行了測(cè)量。剛開始后的C/N為50.3dB，經(jīng)過5分鐘后C/N為50.2dB。C/N的測(cè)量，利用頻譜分析儀，取16個(gè)數(shù)據(jù)，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情況下，靜態(tài)重放剛開始后的C/N為51.2dB，經(jīng)過5分鐘后的C/N同樣為51.2dB。也就是說，上述2T單獨(dú)的抖動(dòng)達(dá)到9％所需要的C/N條件完全可以滿足(參見圖15的9-v1～v5)。
這樣，在該第4實(shí)施例的光盤上，靜態(tài)重放剛開始后的C/N和經(jīng)過5分鐘后的C/N幾乎沒有變化，也就是說，可以看出，是沒有重放劣化，性能穩(wěn)定的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為1.0的情況作為9-v2進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了超過上述9-v1的結(jié)果，耐久重放功率為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為6.78％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為2.0的情況作為9-v3進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了的結(jié)果，進(jìn)一步超過了上述9-v2，耐久重放功率同樣為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為6.65％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為3.0的情況作為9-v4進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，與上述情況相同，耐久重放功率為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為6.84％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為4.0的情況作為9-v5進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，與上述情況相同，耐久重放功率為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為7.09％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為5.0的情況作為9-v6進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了比試樣No.9更壞的結(jié)果，耐久重放功率同上述一樣為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為8.25％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為6.0的情況作為9-v7進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了比上述9-v6更壞的結(jié)果，耐久重放功率同上述一樣為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為9.32％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
在此，測(cè)量誤差產(chǎn)生0.2dB左右的誤差，所以，靜態(tài)重放剛開始后的C/N的變化，如果是0.2dB以下，則可以認(rèn)為是良好的。在此，按照經(jīng)過5分鐘后的C/N劣化為0.2dB以下，對(duì)能承受的重放功率的強(qiáng)度進(jìn)行了檢查，結(jié)果發(fā)現(xiàn)能承受0.39mW。由此可知，第4實(shí)施例的光盤10對(duì)重放光有很強(qiáng)的耐久性，是能滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
并且，從該9-v1～9-v7中可看出，Ti的量在0.5～4.0范圍內(nèi)對(duì)初始抖動(dòng)是良好的。
以下參照?qǐng)D8，說明試樣No.15。而且，在圖8中15表示下述圖16的試樣No.15，15-v1～15-v7表示對(duì)該試樣No.15，在改變Ti量時(shí)耐久重放功率和平均初始抖動(dòng)的狀態(tài)。
在直徑120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1實(shí)施例相同的方法，依次濺射形成了反射層2、第1保護(hù)層3、記錄層4、第2保護(hù)層5。然后，利用UV固化樹脂作粘接層6，在其上面粘貼了復(fù)蓋片7。這時(shí)各層的膜厚，反射層2為200nm，第1保護(hù)層3為8nm，記錄層4為14nm，第2保護(hù)層5為36nm。
并且，記錄層4的組成按原子比分別為Ti0.5％、Ge8.7％、Sb69.2％、Te21.6％。貼合后，為了使粘接層6充分固化，進(jìn)行了UV照射。然后，利用激光束點(diǎn)直徑120μm的初始化器來進(jìn)行初始化，初始化條件定為線速度4m/S，進(jìn)給間距40μm，激光輸出570mW。
這時(shí)，初始化的激光輸出與使用GeSbTe的下述比較例相同，是對(duì)TiGeSbTe的最佳結(jié)果。然后，對(duì)1-7調(diào)制的信息信號(hào)按5.28m/S如圖2所示。策略是1T＝15.1nsec，如下述圖14的記錄條件一覽表的試樣No.15所示，對(duì)P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽紋上進(jìn)行記錄，在重放信號(hào)的振幅中心進(jìn)行切片，測(cè)量對(duì)數(shù)據(jù)抖動(dòng)的時(shí)鐘。
抖動(dòng)利用時(shí)間間隔分析儀(型號(hào)TA520橫河電機(jī)公司制)進(jìn)行了測(cè)量。初次記錄后的抖動(dòng)，在記錄標(biāo)記的始端為6.78％，在記錄標(biāo)記的后端為6.64％，其平均值為6.71％，能進(jìn)行良好的記錄(參見圖8中，15-v1)。
并且，在同一光盤上按上述策略記錄了2T長(zhǎng)的單一信號(hào)。對(duì)記錄的軌道進(jìn)行靜態(tài)重放，測(cè)量了C/N。這時(shí)，對(duì)重放功率從0.30mW變化到0.40mW，對(duì)靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的C/N進(jìn)行了測(cè)量。剛開始后的C/N為50.4dB，經(jīng)過5分鐘后C/N為50.4dB。C/N的測(cè)量，利用頻譜分析儀，取16個(gè)數(shù)據(jù)，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情況下，靜態(tài)重放剛開始后的C/N為51.4dB，經(jīng)過5分鐘后C/N同樣為51.4dB。也就是說，上述2T單獨(dú)的抖動(dòng)達(dá)到9％所需要的C/N條件完全可以滿足(參見圖15的5-v1～v5)。
這樣，在該第5實(shí)施例的光盤上，靜態(tài)重放剛開始后的C/N和經(jīng)過5分鐘后的C/N沒有變化，也就是說，可以看出，是沒有重放劣化，性能穩(wěn)定的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為1.0的情況作為15-v2進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了的實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本與15-v1相同，耐久重放功率為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為6.63％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為2.0的情況作為15-v3進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了的結(jié)果，進(jìn)一步超過了上述15-v2，耐久重放功率同樣為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為6.68％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為3.0的情況作為15-v4進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為6.78％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為4.0的情況作為15-v5進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為6.95％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為5.0的情況作為15-v6進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了比試樣No.15更壞的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為8.14％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為6.0的情況作為15-v7進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了比上述15-v6更壞的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.39mW，平均初始抖動(dòng)為9.22％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
在此，測(cè)量誤差產(chǎn)生0.2dB左右的誤差，所以，靜態(tài)重放剛開始后的C/N的變化，如果是0.2dB以下，則可以認(rèn)為是良好的。在此，按照經(jīng)過5分鐘后的C/N劣化為0.2dB以下，對(duì)能承受的重放功率的強(qiáng)度進(jìn)行了檢查，結(jié)果發(fā)現(xiàn)能承受0.39mW。由此可知，第5實(shí)施例的光盤10對(duì)重放光有很強(qiáng)的耐久性，是能滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
并且，從該15-v1～15-v7中可看出，Ti的量在0.5～4.0范圍內(nèi)對(duì)初始抖動(dòng)是良好的。
以下參照?qǐng)D9，說明試樣No.16。而且，在圖9中，16表示下述圖16的試樣No.16，16-v1～16-v7表示對(duì)該試樣No.16，在改變Ti量時(shí)耐久重放功率和平均初始抖動(dòng)的狀態(tài)。
在直徑120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1實(shí)施例相同的方法，依次濺射形成了反射層2、第1保護(hù)層3、記錄層4、第2保護(hù)層5。然后，利用UV固化樹脂作粘接層6，在其上面粘貼了復(fù)蓋片7。這時(shí)各層的膜厚，反射層2為200nm，第1保護(hù)層3為8nm，記錄層4為14nm，第2保護(hù)層5為36nm。
并且，記錄層4的組成按原子比分別為Ti0.5％、Ge11.1％、Sb68.8％、Te19.6％。貼合后，為了使粘接層6充分固化，進(jìn)行了UV照射。然后，利用激光束點(diǎn)直徑120μm的初始化器來進(jìn)行初始化，初始化條件定為線速度4m/S，進(jìn)給間距40μm，激光輸出570mW。
這時(shí)，初始化的激光輸出與使用GeSbTe的下述比較例相同，是對(duì)TiGeSbTe的最佳結(jié)果。然后，對(duì)1-7調(diào)制的信息信號(hào)按5.28m/S如圖2所示，策略是1T＝15.1nsec，如下述圖14的記錄條件一覽表的試樣No.16所示，P1＝5.2mW、P2＝3.4mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.5T、T2＝0.5T、T3＝0.8T、T4＝0.8T，在槽紋上進(jìn)行記錄，在重放信號(hào)的振幅中心進(jìn)行切片，測(cè)量對(duì)數(shù)據(jù)抖動(dòng)的時(shí)鐘(clockto data jitter)。
抖動(dòng)利用時(shí)間間隔分析儀(型號(hào)TA520橫河電機(jī)公司制)進(jìn)行了測(cè)量。初次記錄后的抖動(dòng)，在記錄標(biāo)記的始端為7.10％，在記錄標(biāo)記的后端為6.94％，其平均值為7.02％，能進(jìn)行良好的記錄(參見圖9中，16-v1)。
并且，在同一光盤上按上述策略記錄了2T長(zhǎng)的單一信號(hào)。對(duì)記錄的軌道進(jìn)行靜態(tài)重放，測(cè)量了C/N。這時(shí)，對(duì)重放功率從0.30mW變化到0.39mW，對(duì)靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的C/N進(jìn)行了測(cè)量。剛開始后的C/N為50.2dB，經(jīng)過5分鐘后C/N為50.1dB。C/N的測(cè)量，利用頻譜分析儀，取16個(gè)數(shù)據(jù)，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情況下，靜態(tài)重放剛開始后的C/N為51.2dB，經(jīng)過5分鐘后C/N同樣為51.2dB。也就是說，上述2T單獨(dú)的抖動(dòng)達(dá)到9％所需要的C/N條件完全可以滿足(參見圖15的16-v1～v5)。
這樣，在該第6實(shí)施例的光盤上，靜態(tài)重放剛開始后的C/N和經(jīng)過5分鐘后的C/N沒有變化，也就是說，可以看出，是沒有重放劣化，性能穩(wěn)定的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為1.0的情況作為16-v2進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了超過上述16-v1的結(jié)果，耐久重放功率為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為6.95％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為2.0的情況作為16-v3進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了的結(jié)果，進(jìn)一步超過了上述16-v2，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為6.82％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為3.0的情況作為16-v4進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為6.88％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為4.0的情況作為16-v5進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為7.25％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為5.0的情況作為16-v6進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了比試樣16更壞的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為8.48％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為6.0的情況作為16-v7進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了比上述16-v6更壞的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為9.64％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
在此，測(cè)量誤差產(chǎn)生0.2dB左右的誤差，所以，靜態(tài)重放剛開始后的C/N的變化，如果是0.2dB以下，則可以認(rèn)為是良好的。在此，按照經(jīng)過5分鐘后的C/N劣化為0.2dB下，對(duì)能承受的重放功率的強(qiáng)度進(jìn)行了檢查，結(jié)果發(fā)現(xiàn)能承受0.40mW。由此可知，第6實(shí)施例的光盤10對(duì)重放光有很強(qiáng)的耐久性，是能滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
并且，從該16-v1～16-v7中可看出，Ti的量在0.5～4.0范圍內(nèi)對(duì)初始抖動(dòng)是良好的。
以下參照?qǐng)D10，說明試樣No.17。而且，在圖10中，17表示下述圖16的試樣No.17，17-v1～17-v7表示對(duì)該試樣No.17，在改變Ti量時(shí)耐久重放功率和平均初始抖動(dòng)的狀態(tài)。
在直徑120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1實(shí)施例相同的方法，依次濺射形成了反射層2、第1保護(hù)層3、記錄層4、第2保護(hù)層5。然后，利用UV固化樹脂作粘接層6，在其上面粘貼了復(fù)蓋片7。這時(shí)各層的膜厚，反射層2為200nm，第1保護(hù)層3為8nm，記錄層4為14nm，第2保護(hù)層5為36nm。
并且，記錄層4的組成按原子比分別為Ti0.5％、Ge14.5％、Sb64.8％、Te20.2％。貼合后，為了使粘接層6充分固化，進(jìn)行了UV照射。然后，利用激光束點(diǎn)直徑120μm的初始化器來進(jìn)行初始化，初始化條件定為線速度4m/S，進(jìn)給間距40μm，激光輸出570mW。
這時(shí)，初始化的激光輸出與使用GeSbTe的下述比較例相同，是o對(duì)TiGeSbTe的最佳結(jié)果。然后，對(duì)1-7調(diào)制的信息信號(hào)按5.28m/S如圖2所示，策略是1T＝15.1nsec，如下述圖14的記錄條件一覽表的試樣No.17所示，對(duì)P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照Ti＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽紋上進(jìn)行記錄，在重放信號(hào)的振幅中心進(jìn)行切片，測(cè)量對(duì)數(shù)據(jù)抖動(dòng)的時(shí)鐘(clock to data jitter)。
抖動(dòng)利用時(shí)間間隔分析儀(型號(hào)TA520橫河電機(jī)公司制)進(jìn)行了測(cè)量。初次記錄后的抖動(dòng)，在記錄標(biāo)記的始端為7.22％；在記錄標(biāo)記的后端為7.06％，其平均值為7.14％，能進(jìn)行良好的記錄(參見圖10中，17-v1)。
并且，在同一光盤上按上述策略記錄了2T長(zhǎng)的單一信號(hào)。對(duì)記錄的軌道進(jìn)行靜態(tài)重放，測(cè)量了C/N。這時(shí)，對(duì)重放功率從0.30mW變化到0.40mW，對(duì)靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的C/N進(jìn)行了測(cè)量。剛開始后的C/N為50.2dB，經(jīng)過5分鐘后C/N為50.2dB。C/N的測(cè)量，利用頻譜分析儀，取16個(gè)數(shù)據(jù)，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情況下，靜態(tài)重放剛開始后的C/N為51.3dB，經(jīng)過5分鐘后C/N同樣為51.3dB。也就是說，上述2T單獨(dú)的抖動(dòng)達(dá)到9％所需要的C/N條件完全可以滿足(參見圖15的17-v1～v5)。
這樣，在該第6實(shí)施例的光盤上，靜態(tài)重放剛開始后的C/N和經(jīng)過5分鐘后的C/N幾乎沒有變化，也就是說，可以看出，是沒有重放劣化，性能穩(wěn)定的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為1.0的情況作為17-v2進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得超過上述17-v1的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，耐久重放功率為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為7.05％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為2.0的情況作為17-v3進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得的結(jié)果，超過了上述17-v1，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為7.02％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為3.0的情況作為17-v4進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為7.16％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為4.0的情況作為17-v5進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了充分的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為7.28％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為5.0的情況作為17-v6進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了比試樣17更壞的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為8.55％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加變化，并使Ti的量為6.0的情況作為17-v7進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。取得了比上述17-v6更壞的結(jié)果，耐久重放功率同樣為0.40mW，平均初始抖動(dòng)為9.78％。也就是說，可以看出該例的光盤也是重放功率輸出和初始抖動(dòng)均能充分滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
在此，測(cè)量誤差產(chǎn)生0.2dB左右的誤差，所以，靜態(tài)重放剛開始后的C/N的變化，如果是0.2dB以下，則可以認(rèn)為是良好的。在此，按照經(jīng)過5分鐘后的C/N劣化為0.2dB下，對(duì)能承受的重放功率的強(qiáng)度進(jìn)行了檢查，結(jié)果發(fā)現(xiàn)能承受0.40mW。由此可知，第7實(shí)施例的光盤10對(duì)重放光有很強(qiáng)的耐久性，是能滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的光盤。
并且，從該17-v1～7-v17中可看出，Ti的量在0.5～4.0范圍內(nèi)對(duì)初始抖動(dòng)是良好的。在此，如下所述，Ge的最佳范圍是3.4～14.5，Sb/Te的比的最佳范圍為2.1～4.0。
以下說明作為本實(shí)施例的記錄層的各構(gòu)成要素的性質(zhì)。與Ge、Sb、Te的熔點(diǎn)為700K～1200K相比，Ti是1948K的高熔點(diǎn)元素，對(duì)熱是非常穩(wěn)定的。并且，不與本實(shí)施例的構(gòu)成光盤的記錄層內(nèi)所包含的Ge、Sb、Te進(jìn)行反應(yīng)，也不與形成鄰接的保護(hù)層的材料進(jìn)行反應(yīng)，是很穩(wěn)定的物質(zhì)。
因此，若Ti加入的量很大，則會(huì)阻礙記錄時(shí)記錄層內(nèi)的結(jié)晶一非結(jié)晶之間的相變化。但若添加適當(dāng)?shù)牧浚瑒t在記錄膜中Ti能發(fā)揮固定的作用，在形成記錄標(biāo)記時(shí)能使標(biāo)記邊緣更清晰，能減小抖動(dòng)，并且，由于是高熔點(diǎn)材料，熱耐久性良好，所以，對(duì)重放光能承受更強(qiáng)的功率。
在直徑120mm的聚碳酸酯基板1上，首先用濺射方法，依次形成了Ag合金作為反射層2、ZnS-SiO2作為第1保護(hù)層3、GeSbTe作為記錄層4、ZnS-SiO2作為第2保護(hù)層5。然后，利用UV固化樹脂作粘接層6，在其上面粘貼了復(fù)蓋片7。這時(shí)各層的膜厚，反射層2為200nm，第1保護(hù)層3為8nm，記錄層4為14nm，第2保護(hù)層5為36nm。
并且，記錄層4的組成按原子比分別為Ge8.7％、Sb69.7％、Te21.6％。貼合后，為了使粘接層6充分固化，進(jìn)行了UV照射。然后，利用激光束點(diǎn)直徑120μm的初始化器來進(jìn)行初始化，初始化條件定位為速度4m/S，進(jìn)給間距40μm，激光輸出570mW。
然后，對(duì)1-7調(diào)制的信息信號(hào)按5.28m/S如圖2所示的策略進(jìn)行錄放。1T＝15.1nsec，按照P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽紋上進(jìn)行記錄，在重放信號(hào)的振幅中心進(jìn)行切片，測(cè)量對(duì)數(shù)據(jù)抖動(dòng)的時(shí)鐘(clock to datajitter)。
抖動(dòng)利用時(shí)間間隔分析儀(型號(hào)TA520橫河電機(jī)公司制)進(jìn)行了測(cè)量。初次記錄后的抖動(dòng)，在記錄標(biāo)記的始端為7.7％，在記錄標(biāo)記的后端為7.9％，能進(jìn)行通常的記錄。
并且，在同一光盤上按上述策略記錄了2T長(zhǎng)的單一信號(hào)。對(duì)記錄的軌道進(jìn)行靜態(tài)重放，測(cè)量了C/N。這時(shí)，對(duì)重放功率設(shè)定為光盤不劣化的值0.30mW，對(duì)靜態(tài)重放剛開始后和經(jīng)過5分鐘后的C/N進(jìn)行了測(cè)量。剛開始后的C/N為50.0dB，經(jīng)過5分鐘后C/N為50.0dB。
在此，即使把重放功率提高到耐久功率最大值的0.36mW，C/N也是保持在50.0dB，并未達(dá)到上述2T單獨(dú)的抖動(dòng)達(dá)到0.9％所需的C/N 51.0dB。
C/N的測(cè)量利用頻譜分析儀，取入16次數(shù)據(jù)，找出了其平均值。在此測(cè)量誤差能產(chǎn)生0.2dB左右的誤差，所以重放劣化試驗(yàn)開始前后的C/N變化如果是0.2dB以下，則可以認(rèn)為是良好的。
并且，對(duì)上述記錄層4的組成以外的組成進(jìn)行了研究。研究過的組成如圖16所示。從該圖16中可以看出，相變化型記錄層4采用GeSbTe系材料，與使用蘭色激光的光盤系統(tǒng)相對(duì)應(yīng)，同時(shí)，對(duì)重放光具有很強(qiáng)的耐久性的光盤10，GeSbTe的組成范圍，按原子比為Ge3.4％以上、14.5％以下，而且Sb/Te為2.1以上、4.0以下，在利用重放功率0.30mW的靜態(tài)重放中，C/N的劣化為0.2dB以下，初始抖動(dòng)為9％以下。
而且，各種實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該最佳組成范圍是開始劣化的初期。以下詳細(xì)說明這一點(diǎn)。首先說明Ge的范圍。
，若使Ge的量增加，則其效果是對(duì)比度提高，環(huán)境負(fù)荷的耐受性增強(qiáng)。最小值定為3.4％(原子比)。若考慮測(cè)量誤差，則也有一些差異。而且，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在Ge量少的情況下，尤其不能減小抖動(dòng)。但是，并非Ge量越多越好。
也就是說，在Ge量增加的情況下，相對(duì)地Sb量減少，所以，結(jié)晶速度減慢。也就是說牽涉到不能用快的線速度進(jìn)行記錄和改寫。并且，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，即使相同的Sb/Te的比，也是Sb的原子比(量)少時(shí)，結(jié)晶速度減慢。所以，在此情況下，因改寫而造成消除不干凈(有殘余)。
另一方面，Ge量的增加使結(jié)晶速度加快。在高溫下結(jié)晶的記錄層具有很高的耐久性，即使記錄也是重放劣化很少。若結(jié)晶溫度過高，則初始化本身困難，能實(shí)驗(yàn)的范圍，上限為14.5％(原子比)。
以下說明Sb/Te的比。如上所述，Sb/Te的比影響結(jié)晶速度。該比值一大，結(jié)晶速度就加快，能以更快的線速度進(jìn)行記錄和改寫。相反，該比值一小，結(jié)晶速度就減慢。在本實(shí)施例中該比值的下限為2.1。因?yàn)樵诖烁浇跏蓟ば虻慕Y(jié)晶很困難。并且，在低于2.1的情況下，也還會(huì)出現(xiàn)結(jié)晶狀態(tài)不穩(wěn)定，記錄時(shí)的對(duì)比度變壞，不能重疊寫入等缺陷。
另一方面，若把該比值的上限定為4.0，當(dāng)該比值上升時(shí)容易結(jié)晶，所以記錄時(shí)不能充分形成非晶質(zhì)標(biāo)記。并且，即使能形成，也是記錄的非晶質(zhì)標(biāo)記對(duì)重放光的強(qiáng)度差，對(duì)記錄的內(nèi)容進(jìn)行靜態(tài)重放時(shí)，記錄的標(biāo)記消失。
在比較例中實(shí)驗(yàn)的圖16的試樣No.18的組成，其本身具有良好的特性，能耐受重放功率達(dá)0.35mW。但如上所述，按耐久重放功率只不過停留在50.0dB，所以，不能期望達(dá)到2T單獨(dú)的抖動(dòng)9％以下。也就是說，能耐受本發(fā)明企圖達(dá)到的、滿足下一代標(biāo)準(zhǔn)的高輸出重放光，不能獲得能以更小的抖動(dòng)進(jìn)行記錄的光信息記錄媒體。
從以上的詳細(xì)說明中，可以明顯看出若采用本發(fā)明實(shí)施例的構(gòu)成，則能獲得僅用GeSbTe記錄材料不能達(dá)到目的的有益的特性結(jié)果。
發(fā)明的效果如以上說明的那樣，若采用本發(fā)明的光信息記錄媒體，則能耐受用GeSbTe系記錄層材料達(dá)不到的高輸出重放光，能獲得能以更小的抖動(dòng)進(jìn)行記錄的光信息記錄媒體。
權(quán)利要求
1.一種光信息記錄媒體，在基板上至少具有相變化型記錄層，利用光照射來使上述相變化型記錄層發(fā)生相變化，以此進(jìn)行信息的記錄和消除，其特征在于上述相變化型記錄層由TiwGexSbyTez構(gòu)成，滿足以下條件0.5≤w≤4.03.4≤x≤14.52.1≤y/z≤4.0w+x+y+z＝100(原子比)
全文摘要
本發(fā)明提供一種能耐受高輸出的重放光的GeSbTe系光信息記錄媒體。光信息記錄媒體在基板(1)上至少具有相變化型記錄層(4)，利用光照射來使上述相變化型記錄層發(fā)生相變化，以此進(jìn)行信息的記錄和消除，其中，上述相變化型記錄層由TiwGexSbyTez構(gòu)成，滿足以下條件0.5≤w≤4.0；3.4≤x≤14.5；2.1≤y/z≤4.0；w+x+y+z＝100(原子比)。
文檔編號(hào)G11B7/243GK1521748SQ200310120248
公開日2004年8月18日 申請(qǐng)日期2003年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月7日
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