專利名稱：高密度僅再現(xiàn)光盤以及記錄和/或再現(xiàn)其上的數(shù)據(jù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高密度僅再現(xiàn)(reproduction-only)光盤和在該盤上記錄和/或再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法，在該光盤中，僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)由凹槽擺動(dòng)(groove wobble)形成，并且用戶數(shù)據(jù)由凹坑(pit)形成并通過與僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)不同的通道被再現(xiàn)。
背景技術(shù)：
通常，光盤是和關(guān)于光盤以非接觸方式記錄/再現(xiàn)信息的光學(xué)拾取裝置一起使用的信息記錄介質(zhì)，光學(xué)拾取裝置。根據(jù)其存儲(chǔ)容量，光盤通?？煞譃閴嚎s盤(CD)或數(shù)字多用途光盤(DVD)。能夠記錄、擦除、和/或再現(xiàn)信息的幾種類型的光盤的例子包括650MB可記錄CD(CD-R)、可重寫CD(CD-RW)、4.7GB DVD+RW、DVD加隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DVD+RAM)、和DVD-RW。650MBCD和4.7GB DVD-ROM是僅再現(xiàn)光盤的例子。另外，具有20GB或更多的記錄容量的高密度光盤(比如HD-DVD)已被開發(fā)。
通常，盤相關(guān)信息(即僅再現(xiàn)數(shù)據(jù))被記錄為定位在傳統(tǒng)僅再現(xiàn)光盤的里面部分的引入?yún)^(qū)中的凹坑。然而，為了設(shè)計(jì)與和將與將被開發(fā)的高密度可記錄光盤一起使用的光盤驅(qū)動(dòng)器相同的光盤驅(qū)動(dòng)器兼容的僅再現(xiàn)光盤，光盤的格式必須一致。因此，高密度僅再現(xiàn)光盤的物理數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)必須與高密度可記錄光盤符合相同的標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有改進(jìn)的有著良好的再現(xiàn)信號(hào)特性、良好的抖動(dòng)特性、并與高密度可記錄光盤的格式一致的物理數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的高密度僅再現(xiàn)光盤以及一種在該高密度僅再現(xiàn)光盤上記錄或再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。
在下面的描述中將部分地闡明本發(fā)明另外的方面和優(yōu)點(diǎn)，通過描述，其會(huì)變得更加清楚，或者通過實(shí)施本發(fā)明可以了解。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，高密度僅再現(xiàn)光盤包括引入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)、和引出區(qū)，其中，盤相關(guān)信息被記錄為在引入?yún)^(qū)和引出區(qū)的至少一個(gè)上的高頻凹槽擺動(dòng)，并且數(shù)據(jù)被記錄為用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的凹坑。
根據(jù)本發(fā)明的其他方面，凹槽擺動(dòng)的深度基本與凹坑的深度相同，或者基本與凹坑的深度不同。
根據(jù)本發(fā)明另外的方面，當(dāng)n代表盤的折射率并且λ代表再現(xiàn)光束的波長(zhǎng)時(shí)，凹坑的深度的范圍為從λ/12n到λ/2n并且凹槽擺動(dòng)的深度的范圍為從λ/20n到λ/5n。
根據(jù)本發(fā)明另外的方面，凹槽擺動(dòng)通過微分信號(hào)通道被再現(xiàn)，并且凹坑通過和信號(hào)通道被再現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種將數(shù)據(jù)記錄在具有引入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)、和引出區(qū)的高密度僅再現(xiàn)光盤上或再現(xiàn)其上的數(shù)據(jù)的方法包括將盤相關(guān)信息記錄為在引入?yún)^(qū)和引出區(qū)的至少一個(gè)中的高頻凹槽擺動(dòng)；和將數(shù)據(jù)記錄為用戶數(shù)據(jù)區(qū)上的凹坑。


通過結(jié)合附圖對(duì)其實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，本發(fā)明的以上和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，其中圖1A到1C示意性地顯示與本發(fā)明相關(guān)的高密度可記錄光盤的結(jié)構(gòu)；圖2A到2C示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明一方面的高密度僅再現(xiàn)光盤的結(jié)構(gòu)；圖3是表示根據(jù)凹槽深度的抖動(dòng)特性和推挽信號(hào)中的變化的曲線圖；圖4A到4E是表示制造根據(jù)本發(fā)明一方面的高密度僅再現(xiàn)光盤的處理的示圖；圖5和6是根據(jù)本發(fā)明多個(gè)方面的高密度僅再現(xiàn)光盤的一部分的透視圖；圖7是示意性地顯示用于從根據(jù)本發(fā)明一方面的高密度僅再現(xiàn)光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)的示圖；和圖8是根據(jù)本發(fā)明一方面的高密度僅再現(xiàn)光盤的一部分的透視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，其示例表示在附圖中，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同部件。下面通過參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描述以解釋本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明一方面可用的高密度可記錄光盤的物理結(jié)構(gòu)顯示在圖1中。該高密度可記錄光盤使用由在申請(qǐng)?zhí)枮?001-23747的韓國(guó)專利和申請(qǐng)?zhí)枮?0/128,530的美國(guó)專利(公開為公開號(hào)為2003-0002427A1的美國(guó)專利)中的本中請(qǐng)所公開的格式，其公開于此以資參考。該高密度可記錄光盤包括引入?yún)^(qū)110、用戶數(shù)據(jù)區(qū)120、和引出區(qū)130。該盤具有凹槽軌道123和槽脊軌道125。這里，用戶數(shù)據(jù)可僅被記錄在凹槽軌道123上，或者被記錄在凹槽軌道123和槽脊軌道125上。
當(dāng)僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)被記錄時(shí)，具有有著特定頻率的波的擺動(dòng)信號(hào)105和106被相繼記錄在凹槽軌道123和/或槽脊軌道125的每一個(gè)的側(cè)壁上，而非凹坑上。這里，數(shù)據(jù)由沿凹槽軌道123和/或槽脊軌道125傳播的激光束L記錄或再現(xiàn)。特別地，引入?yún)^(qū)110和引出區(qū)130分別包括用于記錄盤相關(guān)信息的僅再現(xiàn)區(qū)和可記錄區(qū)。盤相關(guān)信息由高頻擺動(dòng)信號(hào)105記錄。另外，在引入?yún)^(qū)110和引出區(qū)130的可記錄區(qū)中以及在用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中，數(shù)據(jù)由具有比高頻擺動(dòng)信號(hào)105低的頻率的擺動(dòng)信號(hào)106記錄。記錄標(biāo)記127形成于用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中。
高頻擺動(dòng)數(shù)據(jù)通過使用推挽信號(hào)的微分信號(hào)通道ch2(參照?qǐng)D7)被再現(xiàn)，形成于用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中的數(shù)據(jù)通過和信號(hào)通道ch1(參照?qǐng)D7)被再現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的高密度僅再現(xiàn)光盤的物理數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)考慮到如上所述的高密度可記錄光盤的格式而被設(shè)計(jì)。參照?qǐng)D2A到2C，根據(jù)本發(fā)明的高密度僅再現(xiàn)光盤包括引入?yún)^(qū)10、用戶數(shù)據(jù)區(qū)13、和引出區(qū)15。比如盤相關(guān)信息的僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)被記錄在引入?yún)^(qū)10和引出區(qū)15的至少一個(gè)上。僅再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)被記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)13上。凹槽軌道3和槽脊軌道5在引入?yún)^(qū)10和引出區(qū)15中交替形成。比如盤相關(guān)信息的僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)由形成為在凹槽軌道3和/或槽脊軌道5的每一個(gè)的側(cè)壁上的波的高頻凹槽擺動(dòng)8記錄。另外，當(dāng)盤被制造時(shí)，用戶數(shù)據(jù)以凹坑18的形式被記錄。在圖2A到2C中顯示的盤是一種混合盤，并且對(duì)僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)具有不同的再現(xiàn)通道。
圖3顯示根據(jù)凹槽擺動(dòng)的深度或凹坑的深度的推挽信號(hào)和抖動(dòng)特性。凹槽擺動(dòng)或凹坑的深度被確定以便推挽信號(hào)或抖動(dòng)特性良好。這里，抖動(dòng)特性與和信號(hào)相關(guān)。也就是說，抖動(dòng)值越小，和信號(hào)越好。當(dāng)n代表盤的折射率并且λ代表再現(xiàn)光束的波長(zhǎng)時(shí)，如圖3中所示的推挽信號(hào)在λ/8n的深度指示最大值，而抖動(dòng)值在λ/4n的深度指示最小值。因此，再現(xiàn)信號(hào)在λ/4n的凹坑深度為最大值。在圖3的曲線圖中，凹槽擺動(dòng)或凹坑的深度的單位是波長(zhǎng)(λ/n)。
與凹坑18具有相同深度的凹槽擺動(dòng)8可形成于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的高密度僅再現(xiàn)光盤中。凹槽擺動(dòng)8或凹坑18的深度可參照?qǐng)D3的曲線圖考慮凹槽擺動(dòng)8的推挽信號(hào)和凹坑18的抖動(dòng)值而被確定。例如，雖然當(dāng)凹槽擺動(dòng)8和凹坑18為相同深度時(shí)推挽信號(hào)和抖動(dòng)值都略低于它們的最大值，但凹槽擺動(dòng)8和凹坑18的深度可被確定以獲得推挽信號(hào)和抖動(dòng)值的可靠的再現(xiàn)信號(hào)。例如，在凹槽擺動(dòng)8和凹坑18的深度被設(shè)置為λ/6n的情況下，推挽信號(hào)與其最大值相比被減小約12％，凹坑信號(hào)的抖動(dòng)值與其最小值相比被增加約0.4％。然而，當(dāng)不理想時(shí)，推挽信號(hào)和抖動(dòng)值的可靠的再現(xiàn)信號(hào)可從以上值獲得。在如上述實(shí)施例中所述凹槽擺動(dòng)8和凹坑18的深度相同的情況下，制造該光盤的處理被顯著地簡(jiǎn)化。
另外，根據(jù)另一實(shí)施例，凹槽擺動(dòng)8或凹坑18的深度可被設(shè)置為僅對(duì)于推挽信號(hào)和抖動(dòng)值之一的最佳值。也就是說，凹槽擺動(dòng)8或凹坑18的深度可被設(shè)置為僅對(duì)于推挽信號(hào)的最佳值，例如λ/8n，或者可被設(shè)置為僅對(duì)于抖動(dòng)值的最佳值，例如λ/4n。
另外，根據(jù)另一實(shí)施例，凹槽擺動(dòng)8的深度可與凹坑18的深度不同。這里，凹坑18的深度的范圍為從λ/12n到λ/2n并且凹槽擺動(dòng)8的深度的范圍為從λ/20n到λ/5n。最好，凹槽擺動(dòng)8的深度被設(shè)置為對(duì)于推挽信號(hào)的最佳值，例如λ/8n，并且凹坑18的深度被設(shè)置為對(duì)于抖動(dòng)值的最佳值，例如λ/4n。這里，λ/8n和λ/4n只是最佳深度的例子，凹槽擺動(dòng)8和凹坑18的實(shí)際最佳深度可改變。因此，在凹槽擺動(dòng)8的深度與凹坑18的深度不同的情況下，凹槽擺動(dòng)8和凹坑18的深度可被確定以便與凹槽擺動(dòng)8和凹坑18對(duì)應(yīng)的信號(hào)的每一個(gè)具有最佳值。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤可為單層光盤或具有多個(gè)信息表面的多層光盤。
用于制造根據(jù)其中凹槽擺動(dòng)8的深度與凹坑18的深度不同的本發(fā)明實(shí)施例的光盤的方法將參照?qǐng)D4A到4E被描述。如圖4A中所示，與凹坑18具有相同深度d2的光刻膠20被均勻地施加在主玻璃18上。其后，光刻膠20被激光束切割。槽脊區(qū)25被使用具有功率Pw1的激光束23切割到深度d1。凹坑區(qū)28被使用具有功率Pw2的激光束26切割到深度d2。功率Pw2大于功率Pw1。由于本發(fā)明具有偶數(shù)的壓模并且基片使用偶數(shù)的壓模(比如第二壓模或第四壓模)被模壓，所以軌道在光刻膠20的第一激光切割期間以在與盤在再現(xiàn)期間旋轉(zhuǎn)的方向相反的方向成螺旋狀的螺旋線被形成。
如圖4B中所示，激光切割的光刻膠20被顯影以形成其中凹坑區(qū)28的深度d2大于槽脊區(qū)25的深度d1的原版(master)30。如圖4C中所示，父壓模33被使用原版30壓印。父壓模33的形狀與原版30的形狀相反，從而槽脊區(qū)25′凸出，父壓模33的凸出的槽脊區(qū)25′之間的凹槽區(qū)27被形成，并且凹坑區(qū)28′凸出。
下面，如圖4D中所示，具有父壓模33的相反形狀的母壓模35被使用父壓模33壓印。母壓模35具有在形狀上分別與父壓模33的槽脊區(qū)25′、凹坑區(qū)28′、和凹槽區(qū)27相反的槽脊區(qū)25″、凹坑區(qū)28″、和凹槽區(qū)27′。為了使用壓模來模壓多個(gè)基片，需要多個(gè)壓模。為此，當(dāng)如前所述多個(gè)壓模被使用具有光刻膠20的原版30制造時(shí)，原版30很容易因光刻膠20而被磨損，從而使用原版30制造的壓模的形狀不好。因此，在本發(fā)明中多個(gè)母壓模35被使用父壓模33壓印，并且多個(gè)基片40被使用如圖4D所示的母壓模35注射成型。
如上所述，如果在圖5中顯示的基片40被使用父壓模33和母壓模35制造，則制造出的基片40的形狀與父壓模33的形狀相同，并且母壓模35的形狀與原版30的形狀相同。也就是說，原版30的形狀與制造出的基片40的形狀相反。因此，當(dāng)使用母壓模35生產(chǎn)盤時(shí)，如果軌道不是以在如圖4A中所示的光刻膠20的第一激光切割期間的相反方向成螺旋狀的螺旋線被形成，則在基片40中形成的軌道的螺旋方向與盤必須旋轉(zhuǎn)的方向相反。
最后，基片40被使用母壓模35模壓。這里，假設(shè)形成在基片40上的凹槽3或凹槽擺動(dòng)8的深度由d1表示，并且凹坑18的深度由從再現(xiàn)光束的入射方向的d2表示，被制造為d1＜d2的盤被顯示在圖5中。
另外，其中凹槽擺動(dòng)8比凹坑18深(即d1＞d2)的如圖6中所示的盤可被通過控制激光束的功率Pw1和Pw2根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例制造。此外，其中凹槽擺動(dòng)8與凹坑18具有基本相同的深度(即d1＝d2)的如圖8中所示的盤可被通過控制激光束的功率Pw1和Pw2根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例制造。
用于將數(shù)據(jù)記錄在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的高密度僅再現(xiàn)光盤上或再現(xiàn)其上的數(shù)據(jù)的方法如下。盤相關(guān)信息由在圖2A到2C中顯示的引入?yún)^(qū)10和引出區(qū)15的至少一個(gè)上的高頻凹槽擺動(dòng)8記錄。形成于用戶數(shù)據(jù)區(qū)13中的數(shù)據(jù)以凹坑18的形式被記錄。然后，由凹槽擺動(dòng)8記錄的數(shù)據(jù)被通過使用推挽信號(hào)的微分信號(hào)通道ch2再現(xiàn)，并且以凹坑18的形式記錄的數(shù)據(jù)被通過和信號(hào)通道ch1再現(xiàn)。
如上所述，凹槽擺動(dòng)8和凹坑18可具有相同的深度，或者可具有不同的最佳深度。
圖7示意性地顯示用于將數(shù)據(jù)記錄在根據(jù)本發(fā)明的高密度僅再現(xiàn)光盤上或再現(xiàn)其上的數(shù)據(jù)的系統(tǒng)的實(shí)施例。該系統(tǒng)包括拾取單元45、記錄的/再現(xiàn)的信號(hào)處理單元60、和控制單元70。更具體地講，該記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)還包括激光二極管41，用于發(fā)射激光束；準(zhǔn)直透鏡42，用于使從激光二極管41發(fā)射的激光束變成平行激光束；分束器44，用于改變?nèi)肷涔獾那斑M(jìn)路徑；和物鏡46，用于將穿過分束器44的激光束聚焦在盤53上。
從盤53反射的激光束被分束器44反射，然后由光電檢測(cè)器55接收。光電檢測(cè)器55的例子是將入射激光束分割為四個(gè)光束區(qū)域的梯度光電檢測(cè)器55。由光電檢測(cè)器55接收的激光束經(jīng)運(yùn)算電路單元50被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，然后被輸出到用于檢測(cè)RF信號(hào)(即和信號(hào))的和信號(hào)通道ch1。微分信號(hào)被輸出到用于使用推挽方法檢測(cè)擺動(dòng)信號(hào)的通道ch2。根據(jù)本發(fā)明的光盤的凹坑數(shù)據(jù)被通過和信號(hào)通道ch1再現(xiàn)，凹槽擺動(dòng)數(shù)據(jù)被通過微分信號(hào)通道ch2再現(xiàn)。另外，控制單元70的跟蹤伺服裝置65可被使用通過微分信號(hào)通道ch2再現(xiàn)的信號(hào)實(shí)現(xiàn)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，由于根據(jù)本發(fā)明的高密度僅再現(xiàn)光盤具有考慮到高密度可記錄光盤的格式而被設(shè)計(jì)的物理數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)并且在光盤中用于再現(xiàn)信號(hào)的通道相同，所以光盤與相同的盤驅(qū)動(dòng)器兼容。
盡管參照其實(shí)施例具體地表示并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由所附權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修改。
權(quán)利要求
1.一種高密度僅再現(xiàn)光盤，包括引入?yún)^(qū)；用戶數(shù)據(jù)區(qū)；引出區(qū)；盤相關(guān)信息，由在引入?yún)^(qū)和引出區(qū)的至少一個(gè)上的高頻凹槽擺動(dòng)記錄；和數(shù)據(jù)，由用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的凹坑記錄。
2.如權(quán)利要求1所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，其中，凹槽擺動(dòng)的深度基本與凹坑的深度相同。
3.如權(quán)利要求1所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，其中，凹槽擺動(dòng)的深度基本與凹坑的深度不同。
4.如權(quán)利要求3所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，其中n代表盤的折射率，和λ代表可用于再現(xiàn)盤相關(guān)信息和數(shù)據(jù)的再現(xiàn)光束的波長(zhǎng)，凹坑的深度為λ/12n或λ/2n，或者在它們之間，和凹槽擺動(dòng)的深度為λ/20n或λ/5n，或者在它們之間。
5.如權(quán)利要求4所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，還包括包含一個(gè)或更多的層的信息表面，每一層具有相應(yīng)的引入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)、引出區(qū)、盤相關(guān)信息、和用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求4所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，其中凹槽擺動(dòng)被優(yōu)化以被通過微分信號(hào)通道再現(xiàn)，和凹坑被優(yōu)化以被通過和信號(hào)通道再現(xiàn)。
7.如權(quán)利要求1所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，還包括包含一個(gè)或更多的層的信息表面，每一層具有相應(yīng)的引入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)、引出區(qū)、盤相關(guān)信息、和用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求1所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，其中凹槽擺動(dòng)被優(yōu)化以被通過微分信號(hào)通道再現(xiàn)，和凹坑被優(yōu)化以被通過和信號(hào)通道再現(xiàn)。
9.一種將數(shù)據(jù)記錄在具有引入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)、和引出區(qū)的高密度僅再現(xiàn)光盤上的方法，該方法包括使用在引入?yún)^(qū)和引出區(qū)的至少一個(gè)上的高頻凹槽擺動(dòng)來記錄盤相關(guān)信息；和使用用戶數(shù)據(jù)區(qū)上的凹坑來記錄數(shù)據(jù)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，凹槽擺動(dòng)的深度基本與凹坑的深度相同。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，凹槽擺動(dòng)的深度基本與凹坑的深度不同。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中n代表盤的折射率，和λ代表可用于再現(xiàn)盤相關(guān)信息和數(shù)據(jù)的再現(xiàn)光束的波長(zhǎng)；凹坑的深度為λ/12n或λ/2n，或者在它們之間，和凹槽擺動(dòng)的深度為λ/20n或λ/5n，或者在它們之間。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，高密度僅再現(xiàn)光盤還包括包含一個(gè)或更多的層的信息表面，每一層具有相應(yīng)的引入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)、引出區(qū)、盤相關(guān)信息、和用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中凹槽擺動(dòng)被優(yōu)化以被通過微分信號(hào)通道再現(xiàn)，和凹坑被優(yōu)化以被通過和信號(hào)通道再現(xiàn)。
15.如權(quán)利要求1所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，其中，盤相關(guān)信息和數(shù)據(jù)之一被使用壓模記錄在光盤上。
16.如權(quán)利要求15所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，其中，該光盤具有20千兆字節(jié)或更多的記錄容量。
17.如權(quán)利要求15所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，其中，高頻擺動(dòng)和凹坑可由相同的光盤驅(qū)動(dòng)器讀取，該光盤驅(qū)動(dòng)器記錄和/或再現(xiàn)具有20千兆字節(jié)或更多的記錄容量的可記錄光盤。
18.如權(quán)利要求17所述的高密度僅再現(xiàn)光盤，其中，該光盤具有20千兆字節(jié)或更多的記錄容量。
19.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，記錄盤相關(guān)信息和記錄數(shù)據(jù)之一包括使用壓模記錄。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，該光盤具有20千兆字節(jié)或更多的記錄容量。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，高頻擺動(dòng)和凹坑可由相同的光盤驅(qū)動(dòng)器讀取，該光盤驅(qū)動(dòng)器記錄和/或再現(xiàn)具有20千兆字節(jié)或更多的記錄容量的可記錄光盤。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，該光盤具有20千兆字節(jié)或更多的記錄容量。
23.一種高密度光盤，包括引入?yún)^(qū)；用戶數(shù)據(jù)區(qū)；和引出區(qū)，其中盤相關(guān)信息被記錄為在引入?yún)^(qū)和引出區(qū)的至少一個(gè)上的高頻凹槽擺動(dòng)，用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)被記錄為凹坑，和光盤的容量為20千兆字節(jié)或在20千兆字節(jié)以上。
24.如權(quán)利要求23所述的高密度光盤，其中光盤為可記錄和僅再現(xiàn)之一；和光盤的格式與可記錄和僅再現(xiàn)盤的另一個(gè)充分地相同，以允許在相同盤驅(qū)動(dòng)器中的記錄和/或再現(xiàn)。
25.如權(quán)利要求23所述的高密度光盤，其中，凹槽擺動(dòng)的深度基本與凹坑的深度相同。
26.如權(quán)利要求23所述的高密度光盤，其中，凹槽擺動(dòng)的深度基本與凹坑的深度不同。
27.如權(quán)利要求26所述的高密度盤，其中，當(dāng)n代表盤的折射率并且λ代表再現(xiàn)光束的波長(zhǎng)時(shí)，凹坑的深度的范圍為從λ/12n到λ/2n并且凹槽擺動(dòng)的深度的范圍為從λ/20n到λ/5n。
28.一種與具有共同的用于指示盤相關(guān)信息和數(shù)據(jù)的格式的可記錄和僅再現(xiàn)光盤一起使用的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，該設(shè)備包括拾取單元，用于關(guān)于裝入的可記錄和僅再現(xiàn)光盤之一記錄和/或再現(xiàn)數(shù)據(jù)；信號(hào)處理單元，用于處理從拾取單元接收的信號(hào)；和控制器，用于控制信號(hào)處理器和拾取單元以關(guān)于裝入的光盤記錄和/或再現(xiàn)數(shù)據(jù)，其中該設(shè)備與可記錄和僅再現(xiàn)光盤都兼容，可記錄和僅再現(xiàn)光盤的每一個(gè)包括引入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)、和引出區(qū)，和盤相關(guān)信息被記錄為在引入?yún)^(qū)和引出區(qū)的至少一個(gè)上的高頻凹槽擺動(dòng)，數(shù)據(jù)作為凹坑被記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中，和可記錄和僅再現(xiàn)光盤的的容量為20千兆字節(jié)或在20千兆字節(jié)以上。
29.如權(quán)利要求28所述的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中，僅再現(xiàn)盤被使用壓模制造，并與另一個(gè)的可記錄光盤具有充分地相同的格式以允許在相同盤驅(qū)動(dòng)器中的記錄和/或再現(xiàn)。
30.如權(quán)利要求28所述的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中拾取單元包括具有一定波長(zhǎng)的光源，和凹槽擺動(dòng)的深度基本與凹坑的深度相同，并根據(jù)拾取單元的波長(zhǎng)被優(yōu)化。
31.如權(quán)利要求28所述的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中拾取單元包括發(fā)射具有一定波長(zhǎng)的光束的光源，裝入的光盤是具有與凹坑的深度基本不同的凹槽擺動(dòng)的深度的僅再現(xiàn)光盤，凹槽的深度關(guān)于該波長(zhǎng)被優(yōu)化以使由信號(hào)處理單元處理的推挽信號(hào)最大，和凹坑的深度關(guān)于該波長(zhǎng)被優(yōu)化以使抖動(dòng)最小。
32.如權(quán)利要求31所述的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中，n代表盤的折射率，λ代表光束的波長(zhǎng)，凹坑的深度的范圍為從λ/12n到λ/2n，和凹槽擺動(dòng)的深度的范圍為從λ/20n到λ/5n。
全文摘要
一種僅再現(xiàn)光盤具有引入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)、和引出區(qū)。記錄在引入?yún)^(qū)和引出區(qū)的至少一個(gè)上的盤相關(guān)信息由高頻凹槽擺動(dòng)記錄，并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)由凹坑記錄。由于高密度僅再現(xiàn)光盤使用與高密度可記錄光盤相同的用于再現(xiàn)信號(hào)的通道，所以兩種類型的盤彼此一致并與相同的盤驅(qū)動(dòng)器兼容。
文檔編號(hào)G11B7/007GK1659632SQ03812841
公開日2005年8月24日 申請(qǐng)日期2003年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月3日
發(fā)明者李炯根, 盧明道, 樸仁植, 尹斗燮, 樸昶敏 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社