專利名稱：磁光記錄媒體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于具有不超過大約1000nm波長(zhǎng)／透鏡的數(shù)值孔徑(NA)之光學(xué)系統(tǒng)的磁光記錄媒體和其生產(chǎn)方法，特別涉及在不降低光學(xué)特性的情況下抑制溫度升高和改善熱特性的磁光記錄媒體及其生產(chǎn)方法。
普通磁光記錄媒體，例如磁光盤，是按圖1的剖面圖所示構(gòu)成的，例如包括光傳輸襯底1，其上連續(xù)地堆積有由厚度為80nm到100nmSiN構(gòu)成的光傳輸?shù)谝唤橘|(zhì)層2，由例如TbFeCo構(gòu)成的磁光記錄層3，由例如厚度為20nm到40nmSiN構(gòu)成的光傳輸?shù)诙橘|(zhì)層4，和由厚度為50nm到60nm Al構(gòu)成的金屬反射層5。在圖1所示結(jié)構(gòu)的磁光記錄媒體中，光L從襯底1側(cè)射入，光L主要在第二介質(zhì)層4和金屬反射層5之間的界面上反射。光L的反射光有檢測(cè)器檢測(cè)并被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
磁光記錄層3通過將厚度設(shè)定為不超過30nm例如為15nm到25nm的厚度進(jìn)行光的傳輸。由于克爾效應(yīng)的增強(qiáng)效果能夠通過使用在磁光記錄層3和金屬反射層5之間的多重干涉獲得，因此磁光記錄層3具有的優(yōu)點(diǎn)是反射率R能夠隨光學(xué)性能指數(shù)降低，即R·θK(R是反射率，θK是克爾旋轉(zhuǎn)角)保持為常數(shù)。而且，如果適當(dāng)?shù)剡x擇了磁光記錄層3和金屬反射層5的組合，防止磁光記錄層3中溫度的升高和設(shè)計(jì)成最理想熱特性是可能的。
下面，詳細(xì)地說明上述傳統(tǒng)的磁光記錄媒體的光學(xué)方面和熱方面。
首先，說明上述磁光記錄媒體的光學(xué)方面。如果當(dāng)改變膜結(jié)構(gòu)時(shí)光學(xué)性能指數(shù)固定，則信號(hào)和盤噪聲幅值保持在常數(shù)水平，S／N不變。在磁光盤中，在高頻區(qū)散粒噪聲是主要的。而且，由于散粒噪聲水平正比于檢測(cè)信號(hào)之檢測(cè)器上檢測(cè)的光量的開平方，反射愈低，散粒噪聲水平愈低。因此，能夠在熱特性和伺服特性允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)使反射率愈低，則S／N尤其是高頻特性的改進(jìn)愈大。
反射率的降低能夠通過在襯底上涂SiN介質(zhì)層和厚磁光記錄層實(shí)現(xiàn)。但是，在這種情況下，即使SiN介質(zhì)層的厚度變化了，反射率將不會(huì)變得小于20％。為了進(jìn)一步降低反射率，使磁光記錄層的厚度不超過30nm和安排經(jīng)過介質(zhì)層的反射層的結(jié)構(gòu)是有效的。特別是，當(dāng)磁光記錄層的厚度做成不超過20nm時(shí)，光的透過率增加。因此，通過使用在磁光記錄層和反射層之間的多重干涉在寬范圍內(nèi)改變反射率就變?yōu)榭赡?。作為反射層，通常使用主要由Al構(gòu)成的高反射率的金屬。
下面，說明上述磁光記錄媒體的熱方面。關(guān)于熱方面，磁光記錄層的熱特性是通過適當(dāng)選擇金屬反射層和第二介質(zhì)層的厚度來控制的。
但是，根據(jù)具有上述膜結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)磁光記錄媒體，充分控制該熱特性是困難的。
隨著近些年來磁光記錄媒體增加的較高密度，光點(diǎn)尺寸已經(jīng)在直徑上做的較小，因此，當(dāng)增加再現(xiàn)光的強(qiáng)度和重復(fù)再現(xiàn)信息時(shí)，有時(shí)要失去記錄的痕跡和擦除在媒體上記錄的信息。尤其是當(dāng)使用短波長(zhǎng)光源或者具有0．7以上NA的光學(xué)系統(tǒng)時(shí)，光吸收集中在磁光記錄層的表面上。因此，包括磁光記錄層的磁光記錄媒體的溫度在熱到達(dá)金屬反射層和散失之前就升高了。
通常在金屬膜中，當(dāng)減小其厚度時(shí)，熱導(dǎo)率由于電子平均自由程的下降而降低。已經(jīng)知道，當(dāng)厚度大約為30nm或更小時(shí)，熱導(dǎo)率將顯著地下降。在由TbFeCo或其它金屬層等構(gòu)成的磁光記錄層中，當(dāng)為了保持光學(xué)特性如上述使磁光記錄層的厚度做成大約為30nm或更小時(shí)，由于熱導(dǎo)率的下降導(dǎo)致的溫度升高變成了一個(gè)問題。
正如上述，在磁光記錄媒體中，存在的問題是實(shí)現(xiàn)保持光學(xué)性能指數(shù)和防止溫度升高兩者是困難的。
而且，當(dāng)使用不超過49nm的短波長(zhǎng)的光源和／或具有0．7以上NA的光學(xué)系統(tǒng)時(shí)，磁光記錄層中溫度的升高變得顯著。因此，當(dāng)?shù)诙橘|(zhì)層很薄地形成在例如大約10nm的厚度上時(shí)，來自磁光記錄層的熱散失就變得不充分。這樣，產(chǎn)生的問題在于磁光記錄層的熱控制變得不可能。
本發(fā)明考慮了上述問題。因此，本發(fā)明的目的是提供保持光學(xué)性能指數(shù)和改善熱特性的磁光記錄媒體以及其生產(chǎn)的方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的磁光記錄媒體是用于通過聚焦微光點(diǎn)直徑的光來記錄和再現(xiàn)信息的磁光記錄媒體，特征在于包括光射到其第一表面的第一光傳輸介質(zhì)層；形成在相對(duì)著第一介質(zhì)層第一表面之第二表面上的磁光記錄層；形成在磁光記錄層上的光傳輸金屬層，其具有從磁光記錄層散失熱所要求的預(yù)定厚度和具有比磁光記錄層更大的熱導(dǎo)率；形成在光傳輸金屬層上的第二光傳輸介質(zhì)層；和形成在第二介質(zhì)層上和反射光的金屬反射層。
本發(fā)明的磁光記錄媒體優(yōu)選特征在于微米光點(diǎn)直徑的光是來自(波長(zhǎng))／(透鏡數(shù)值孔徑(NA))的比率不超過大約1000nm的光學(xué)系統(tǒng)的光。而且，本發(fā)明的磁光記錄媒體優(yōu)選特征在于光傳輸金屬層的預(yù)定厚度不小于大約10nm。
本發(fā)明的磁光記錄媒體優(yōu)選特征在于光傳輸金屬層厚度的上限設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，在這里來自第一表面?zhèn)鹊纳涞焦鈧鬏斀饘賹拥闹辽佟糠止獯┻^光傳輸金屬層射到第二介質(zhì)層。
本發(fā)明的磁光記錄媒體優(yōu)選特征還在于光傳輸金屬層厚度的上限是大約60nm。
另外，本發(fā)明的磁光記錄媒體優(yōu)選特征在于光傳輸金屬層是由相對(duì)于光具有大的反射率的金屬構(gòu)成。本發(fā)明的磁光記錄媒體優(yōu)選特征還在于光傳輸金屬層包含Al。另外，本發(fā)明的磁光記錄媒體優(yōu)選特征還在于光傳輸金屬層包含Ag。
本發(fā)明的磁光記錄媒體優(yōu)選特征在于還包括在第一介質(zhì)層第一表面上的襯底。另外，本發(fā)明的磁光記錄媒體優(yōu)選特征在于還包括在光入射側(cè)相反一側(cè)的金屬反射層表面上的襯底。
因此，促使來自磁光記錄層熱有效散失變得可能，改善磁光記錄媒體熱特性成為可能。根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄媒體，具有10nm或更多厚度的光傳輸金屬層形成在磁光記錄層和鄰近磁光記錄層的金屬反射層之間。這樣，磁光記錄層和光傳輸金屬層共用承擔(dān)熱導(dǎo)的導(dǎo)電電子，磁光記錄層的固有熱導(dǎo)率增加。因此，抑制了因光聚焦導(dǎo)致的磁光記錄層的局部溫度升高。
通常，當(dāng)使金屬膜較薄時(shí)，由于電子的平均自由程，熱導(dǎo)率降低。但是，根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄媒體，光傳輸金屬層的厚度在有光傳輸?shù)姆秶鷥?nèi)能夠做得較大。因此，通過加厚光傳輸金屬層有可能進(jìn)一步增加磁光記錄層的熱導(dǎo)率。而且，光傳輸金屬層的熱導(dǎo)率愈高，這個(gè)效應(yīng)就變得更有效。
而且，根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄媒體，通過使用在光傳輸磁光記錄層和金屬反射層之間的多重干涉，R·θK(R是反射率，θK是克爾旋轉(zhuǎn)角)的光性能指數(shù)能夠保持常數(shù)。因此，當(dāng)形成具有上述厚度的光傳輸金屬層時(shí)，不減少磁光記錄層的光特性。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，生產(chǎn)本發(fā)明的磁光記錄媒體的方法是生產(chǎn)用于通過聚焦短波長(zhǎng)的光或大的NA來記錄和再現(xiàn)信息的磁光記錄媒體，所述方法包括步驟在與光射入側(cè)相反一側(cè)的光傳輸襯底的表面上形成光傳輸?shù)谝唤橘|(zhì)層；在第一介質(zhì)層上形成磁光記錄層；在磁光記錄層上形成光傳輸金屬層，其具有從磁光記錄層熱散失所要求的預(yù)定厚度和大于磁光記錄層的熱導(dǎo)率；在光傳輸金屬層上形成光傳輸?shù)诙橘|(zhì)層；和在第二介質(zhì)層上形成反射光的金屬反射層。
生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征在于形成第一介質(zhì)層，磁光記錄層，光傳輸金屬層，第二介質(zhì)層和金屬反射層包括通過濺射形成各層。
生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征還在于每一個(gè)濺射步驟是在相同的裝置上進(jìn)行的。
生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征在于還包括步驟在形成光傳輸金屬層的步驟之后整平光傳輸金屬層表面的步驟。生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征還在于平滑光傳輸金屬層表面的步驟包括反向?yàn)R射的步驟。生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征還在于步驟形成第一介質(zhì)層，磁光記錄層，光傳輸金屬層，第二介質(zhì)層和金屬反射層包括通過濺射形成各層，以及反向?yàn)R射是在與濺射步驟相同的裝置上進(jìn)行。
根據(jù)生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體的方法，由于有可能連續(xù)地形成第一介質(zhì)層，磁光記錄層，光傳輸金屬層，第二介質(zhì)層和在襯底上的金屬反射層，僅僅形成光傳輸金屬層的步驟不得不被加到磁光記錄媒體的常規(guī)生產(chǎn)步驟中。即，與傳統(tǒng)生產(chǎn)方法相比，該生產(chǎn)步驟是不復(fù)雜的，不要求新的設(shè)備等。
另外，當(dāng)在生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體的方法中通過反向?yàn)R射平滑光傳輸金屬層的表面時(shí)，有可能用簡(jiǎn)單的步驟改善光傳輸金屬層的表面條件和降低因表面粗糙度導(dǎo)致的噪聲。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，生產(chǎn)本發(fā)明的磁光記錄媒體的方法是生產(chǎn)用于通過聚焦短波長(zhǎng)的光或大的NA來記錄和再現(xiàn)信息的磁光記錄媒體，包括步驟形成在光聚焦側(cè)襯底的表面上反射光的金屬反射層；在金屬反射層形成光傳輸?shù)诙橘|(zhì)層；在第二介質(zhì)層上形成光傳輸金屬層，其具有從磁光記錄層熱散失所要求的預(yù)定厚度和大于磁光記錄層的熱導(dǎo)率；在光傳輸金屬層上形成磁光記錄層；和在磁光記錄層上形成光傳輸?shù)谝唤橘|(zhì)層。
生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征在于形成金屬反射層，第二介質(zhì)層，光傳輸金屬層，磁光記錄層，和第一介質(zhì)層的步驟包括通過濺射形成各層。生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征還在于每一個(gè)濺射步驟是在相同的裝置上進(jìn)行的。
生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征在于還包括步驟在形成光傳輸金屬層的步驟之后平滑光傳輸金屬層表面的步驟。生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征還在于平滑光傳輸金屬層表面的步驟包括反向?yàn)R射的步驟。生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體方法的優(yōu)選特征還在于步驟形成第一介質(zhì)層，磁光記錄層，光傳輸金屬層，第二介質(zhì)層和金屬反射層包括通過濺射形成各層，以及反向?yàn)R射是在與濺射步驟相同的裝置上進(jìn)行。
根據(jù)生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體的方法，由于有可能連續(xù)地形成金屬反射層，第二介質(zhì)層，光傳輸金屬層，磁光記錄層 ，和在襯底上的第一介質(zhì)層，僅僅形成光傳輸金屬層的步驟不得不被加到磁光記錄媒體的常規(guī)生產(chǎn)步驟中。即，與傳統(tǒng)生產(chǎn)方法相比，該生產(chǎn)步驟是不復(fù)雜的，不要求新的設(shè)備等。
另外，當(dāng)在生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體的方法中通過反向?yàn)R射平滑光傳輸金屬層的表面時(shí)，有可能用簡(jiǎn)單的步驟改善光傳輸金屬層的表面條件和降低因表面粗糙度導(dǎo)致的噪聲。
通過下面參考附圖對(duì)實(shí)施例的說明，本發(fā)明的上述和其它目的和特征將變得更為清楚。其中圖1是傳統(tǒng)磁光記錄媒體的剖面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的磁光記錄媒體的剖面圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光傳輸金屬層厚度和透過率之相關(guān)性的曲線；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的磁光記錄媒體的剖面圖；圖5是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的磁光記錄媒體的特征(C／N)的曲線；圖6是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的磁光記錄媒體的特征(波動(dòng))的曲線；圖7A是表示載流子電平(carrir level)對(duì)再現(xiàn)光強(qiáng)度之依賴性和在波長(zhǎng)為407nm和NA為0．60的光學(xué)系統(tǒng)中將本發(fā)明盤與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)盤相比較的圖；圖7B是640nm和NA為0．85的光學(xué)系統(tǒng)中的圖；圖7C是660nm和NA為0．70的光學(xué)系統(tǒng)中的圖8是表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的載流子電平對(duì)再現(xiàn)光強(qiáng)度之依賴性和將其中反射層做成厚的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)與本發(fā)明結(jié)構(gòu)相比較的圖；圖9是表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的載流子電平對(duì)再現(xiàn)光強(qiáng)度之依賴性和將其中第二介質(zhì)層做成薄的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)與本發(fā)明結(jié)構(gòu)相比較的圖。
下面將參考


本發(fā)明的磁光記錄媒體的實(shí)施例和其生產(chǎn)方法。(第一實(shí)施例)圖2是本發(fā)明的磁光記錄媒體的剖面圖。光L從襯底11側(cè)聚焦其上。正如圖2所示，本實(shí)施例的磁光記錄媒體是由光傳輸襯底11構(gòu)成的，其上連續(xù)地堆積有光傳輸?shù)谝唤橘|(zhì)層12，磁光記錄層13，光傳輸金屬層16，光傳輸?shù)诙橘|(zhì)層14，和金屬反射層15。上述本實(shí)施例的磁光記錄媒體的特征是包括光傳輸金屬層16，其具有可以合適控制的厚度。
這里，本發(fā)明的“光傳輸”意味著相對(duì)于再現(xiàn)被聚焦在磁光記錄媒體上的預(yù)定波長(zhǎng)的光展現(xiàn)所要求的透過率。
對(duì)于襯底11，能夠使用例如玻璃襯底，由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的塑料襯底，等，或者由這些材料構(gòu)成的保護(hù)層。
第一介質(zhì)層12和第二介質(zhì)層14設(shè)置為能夠根據(jù)所用光源波長(zhǎng)給出適當(dāng)增強(qiáng)效果的厚度。第一和第二介質(zhì)層12，14例如由SiN構(gòu)成。第一介質(zhì)層12能夠被設(shè)置為例如60nm到100nm的厚度，第二介質(zhì)層14能夠被設(shè)置為例如20nm到40nm的厚度。
磁光記錄層13例如由TbFeCo構(gòu)成。正如上述，由于散粒噪聲水平是通過降低反射率降低的，因此磁光記錄層13的厚度被設(shè)置為30nm或更小，例如優(yōu)選為20nm或15nm到25nm的范圍。
光傳輸金屬層16是由金屬材料構(gòu)成，其與磁光記錄層13相比具有較大的熱散失和較大的反射率，并且配置在磁光記錄層13之光入射側(cè)的相反側(cè)。
通過靠近磁光記錄層13配置，光傳輸金屬層16具有與磁光記錄層13共用熱導(dǎo)電子的作用。即，負(fù)責(zé)熱導(dǎo)的電子能夠在磁光記錄層13和光傳輸金屬層16之間的界面上傳輸，因此，能夠增加磁光記錄層13的固有熱導(dǎo)率。
另外，光傳輸金屬層16被設(shè)置為10nm到100nm的厚度，優(yōu)選為10nm到60nm。
這是因?yàn)楫?dāng)超過60nm時(shí)，穿過光傳輸金屬層16的入射光量變得極其小，使得金屬反射層15變得不需要和不需要使該膜結(jié)構(gòu)成為本發(fā)明的磁光記錄媒體的膜結(jié)構(gòu)之一。
圖3是表示光傳輸金屬層厚度和透過率之關(guān)系的曲線。圖3表示在使用襯底，第一介質(zhì)層(SiN，43nm)，磁光記錄層(15nm)，和光傳輸金屬層(Ag)堆積層作為本實(shí)施例磁光記錄媒體之模型系統(tǒng)和改變光傳輸金屬層厚度的情況下的透過率。
正如圖3所示，當(dāng)光傳輸金屬層厚度變成大約100nm時(shí)，透過率幾乎變?yōu)?％，但是當(dāng)厚度超過60nm時(shí)，透過率變?yōu)?到2％或更少，因此透過光的強(qiáng)度基本上能夠忽略。另一方面，當(dāng)磁光記錄層的厚度在磁光記錄層具有光可透過性例如25nm的范圍內(nèi)增加時(shí)，圖3的整個(gè)曲線在降低透過率的方向上移動(dòng)。因此，當(dāng)透過率變成0或幾個(gè)％時(shí)光傳輸金屬層的厚度變得比圖3的情況要小。根據(jù)上述，從透過率觀點(diǎn)看，設(shè)置光傳輸金屬層厚度的上限。
另外，將光傳輸金屬層厚度的上限設(shè)置為60nm的原因是由于當(dāng)上述厚度超過大約60nm時(shí)熱散失變得嚴(yán)重和用于聚焦的光的強(qiáng)度變得要求較高。
另一方面，將光傳輸金屬層厚度的下限設(shè)置為10nm的原因是因?yàn)橐呀?jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)上述厚度小于10nm時(shí)，對(duì)于波長(zhǎng)／NA不超過大約1000nm的微米光點(diǎn)，磁光記錄層13固有熱導(dǎo)率的上述增強(qiáng)效果變得很難獲得。換言之，對(duì)于波長(zhǎng)／NA為1000nm或更大些的光學(xué)系統(tǒng)，通過10nm或更小些的厚度能夠獲得足夠的效果。
光傳輸金屬層16是由在490nm更短波長(zhǎng)處具有足夠大反射率的金屬例如Ag或Al構(gòu)成。而且，有可能做成與加有這些金屬的其它金屬合成。例如，為了防止潮濕或機(jī)械保護(hù)的目的，還有可能使用加Ti的Al和使用加有Pd的Ag等等。
記錄在上述磁光記錄媒體上的信息是通過聚焦激光束L作為再現(xiàn)光使用公知光學(xué)拾取裝置讀出的。當(dāng)將激光L聚焦在磁光記錄層13上時(shí)，再現(xiàn)光是根據(jù)記錄在磁光記錄媒體上的信息隨著克爾旋轉(zhuǎn)即磁化強(qiáng)度的方向而旋轉(zhuǎn)的。再現(xiàn)光在第二介質(zhì)層14和金屬反射層15之間的界面處反射，然后，信息通過檢測(cè)再現(xiàn)光的返回光讀出。
根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄媒體，具有比磁光記錄層13更大熱散失的光傳輸金屬層16靠近磁光記錄層13配置。由于這，能夠增加磁光記錄層13的固有熱導(dǎo)率。當(dāng)將再現(xiàn)光聚焦在磁光記錄層13上時(shí)，由于在磁光記錄層13上局部吸收的能量很快散失，避免了在磁光記錄層13上溫度的局部升高。因此，能夠提高再現(xiàn)光的強(qiáng)度和改善C／N。
而且，正如上述，通過在磁光記錄層13和金屬反射層15之間布置光傳輸金屬層16，有可能防止磁光記錄媒體光學(xué)性能指數(shù)的下降。
光傳輸金屬層16是光傳輸層，其具有60nm或更小的厚度和由Al，Ag構(gòu)成，或者是具有高反射率的另—金屬。因此，可以認(rèn)為，增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的反射層被分離成兩層，所以，以與上述傳統(tǒng)磁光記錄媒體相同的方式可以獲得克爾效應(yīng)的增強(qiáng)效果。
下面說明生產(chǎn)上述本實(shí)施例磁光記錄媒體的方法。根據(jù)本實(shí)施例的生產(chǎn)方法，形成了具有圖2所示的光從襯底11側(cè)射入之結(jié)構(gòu)的磁光記錄媒體。
首先，在光傳輸襯底11上，上述光傳輸?shù)谝唤橘|(zhì)層12，磁光記錄層13，具有10nm到60nm厚度和比磁光記錄層13更大熱散失的光傳輸金屬層16通過第一連續(xù)濺射被依此形成。
這之后，為了平滑處理，在光傳輸金屬層16上進(jìn)行反向?yàn)R射，以平滑光傳輸金屬層16的表面。由于平滑處理，有可能降低因在表面上隨機(jī)反射引起的噪聲。
接著，在光傳輸金屬層16上通過第二次連續(xù)濺射依此形成光傳輸?shù)诙橘|(zhì)層14和金屬反射層15。
上述第一連續(xù)濺射，反向?yàn)R射，和第二次連續(xù)濺射能夠在相同的濺射設(shè)備上連續(xù)地進(jìn)行，因此在步驟之間每一次從設(shè)備上下載堆積層是不必要的。
根據(jù)生產(chǎn)本發(fā)明磁光記錄媒體的方法，有可能形成第一介質(zhì)層12，磁光記錄層13，光傳輸金屬層16，第二介質(zhì)層14和金屬反射層15，并且在序列處理中平滑光傳輸金屬層16的表面。因此，在不使生產(chǎn)磁光記錄媒體之傳統(tǒng)方法的工作復(fù)雜化的情況下，有可能形成光傳輸金屬層16和完成在其表面上進(jìn)行平滑處理。
(第二實(shí)施例)在上述第一實(shí)施例的磁光記錄媒體中，如圖2所示，襯底11是由光傳輸襯底構(gòu)成，光L是從襯底11側(cè)聚焦。但是，本發(fā)明的磁光記錄媒體還能夠構(gòu)成為光L例如為再現(xiàn)光是從襯底11的相反側(cè)聚焦的。下面說明其中光L是從襯底11的相反側(cè)聚焦之情況下的實(shí)施例。
圖4是本實(shí)施例的磁光記錄媒體的剖面圖。圖4中，對(duì)應(yīng)于圖2的部分用與圖2中相同標(biāo)記給出。在第二實(shí)施例中，襯底11并不局限于具有光透過性的襯底。正如圖4所示，本實(shí)施例的磁光記錄媒體的構(gòu)成為金屬反射層15，第二介質(zhì)層14，光傳輸金屬層16，磁光記錄層13，和在襯底11上堆積的第一介質(zhì)層12。
在本實(shí)施例的磁光記錄媒體中，具有比磁光記錄層13更大熱散失的光傳輸金屬層16也配置靠近磁光記錄層13。由于這，能夠增加磁光記錄層13的固有熱導(dǎo)率。當(dāng)將再現(xiàn)光聚焦在磁光記錄層13上時(shí)，由于在磁光記錄層13上局部吸收的能量很快散失，避免了在磁光記錄層13上溫度的局部升高。因此，能夠提高再現(xiàn)光的強(qiáng)度和改善C／N。
而且，正如上述，通過在磁光記錄層13和金屬反射層15之間布置光傳輸金屬層16，有可能防止磁光記錄媒體光學(xué)性能指數(shù)的下降。
下面說明生產(chǎn)上述本實(shí)施例磁光記錄媒體的方法。根據(jù)本實(shí)施例的生產(chǎn)方法，形成了具有圖4所示的光從襯底11相反側(cè)射入之結(jié)構(gòu)的磁光記錄媒體。
首先，在光傳輸或光屏蔽襯底11上，金屬反射層15，第二介質(zhì)層14，和光傳輸金屬層16通過第一連續(xù)濺射被依此形成。
接著，為了平滑處理，在光傳輸金屬層16上進(jìn)行反向?yàn)R射，以平滑光傳輸金屬層16的表面。由于平滑處理，有可能降低因在表面上隨機(jī)反射引起的噪聲。
這之后，在光傳輸金屬層16上通過第二次連續(xù)濺射依此形成磁光記錄層13和第一介質(zhì)層12。
還在本實(shí)施例中，上述第一連續(xù)濺射，反向?yàn)R射，和第二次連續(xù)濺射能夠在相同的濺射設(shè)備上連續(xù)地進(jìn)行，因此在步驟之間每一次從設(shè)備上下載堆積層是不必要的。因此，在不使生產(chǎn)磁光記錄媒體之傳統(tǒng)方法的工作復(fù)雜化的情況下，有可能形成光傳輸金屬層16和完成在其表面上進(jìn)行平滑處理。
(第三實(shí)施例)下面，通過比較，說明本發(fā)明和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的磁光記錄媒體的特定結(jié)構(gòu)和特征。
本發(fā)明的磁光記錄媒體按圖2所示構(gòu)成，包括SiN構(gòu)成的第一介質(zhì)層2，由TbFeCo構(gòu)成的厚度為15nm的磁光記錄層，由Ag構(gòu)成的光傳輸金屬層，由厚度為20nm的SiN構(gòu)成的第二介質(zhì)層，由厚度為100nm的Ag構(gòu)成的金屬反射層，它們依此堆積在玻璃襯底上。光傳輸金屬層的厚度在0到16nm的范圍內(nèi)做成5個(gè)類型(0，4，8，12，16nm)之一個(gè)上。按照厚度增加的次序，其結(jié)果被指定為樣品1到5。沒有光傳輸金屬層的樣品1等價(jià)于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)(見圖1)。而且，第一介質(zhì)層的厚度使用多重干涉效應(yīng)在制備樣品1到5時(shí)被設(shè)置為相同的反射率。
聚焦在上述每個(gè)磁光記錄媒體上的光的波長(zhǎng)被設(shè)置為400nm。
在這種情況下，構(gòu)成這些磁光記錄媒體各層中材料的光學(xué)常數(shù)(折射率n，阻尼(quenching)系數(shù)k)被設(shè)置為表1中的值。這里，n+和k+分別表示右極化光的折射率和阻尼系數(shù)，n-和k-分別表示左極化光的折射率和阻尼系數(shù)。[表1]400nm波長(zhǎng)的光學(xué)常數(shù)
表2表示在400nm波長(zhǎng)時(shí)上述樣品1到5之增強(qiáng)的計(jì)算結(jié)果。[表2]400nm波長(zhǎng)時(shí)增強(qiáng)的計(jì)算
從表2可知，在具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的樣品2到5中，獲得了與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)之樣品1的等價(jià)的光學(xué)特性，并且當(dāng)光傳輸金屬層和第一介質(zhì)層的厚度變化時(shí)保持了性能指數(shù)(R·θK)。
下面，說明本發(fā)明和現(xiàn)有技術(shù)的磁光記錄媒體的熱性。在這種情況下，熱導(dǎo)率的測(cè)量是困難的，測(cè)量數(shù)據(jù)的可靠性是難以獲得的。因此，這里，每個(gè)樣品實(shí)際上是使用磁光估計(jì)設(shè)備進(jìn)行制備和測(cè)量的。熱特性是以來自該測(cè)量的數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)估計(jì)的。
估計(jì)系統(tǒng)中的各種條件設(shè)置如下數(shù)值孔徑NA=0．60，光波長(zhǎng)407nm，軌道節(jié)距0．50μm，記錄標(biāo)記長(zhǎng)度0．28μm，線速度4．62m／秒。在這種情況下，波長(zhǎng)／NA大約為680nm。另外，波動(dòng)是當(dāng)(1，7)調(diào)制的記錄隨機(jī)數(shù)據(jù)使用該記錄標(biāo)記長(zhǎng)度為最短痕跡時(shí)估計(jì)的。
而且，在上述測(cè)量的樣品中，Tb(Fe90Co10)和Tb(Fe85Co15)被用作為磁光記錄層的材料。在這些材料中，Co的成分愈高，居里溫度愈高和記錄光必須的強(qiáng)度愈高。而且，上述樣品是用光傳輸金屬層構(gòu)成的，光傳輸金屬層是由Ag構(gòu)成的，其接觸磁光記錄層配置。
圖5和圖6分別表示C／N的獨(dú)立性和再現(xiàn)光強(qiáng)度的波動(dòng)性。正如圖5和圖6所示，隨著光傳輸金屬層厚度的增加，C／N和波動(dòng)在再現(xiàn)光較高強(qiáng)度處成峰。而且，光傳輸金屬層愈厚，C／N和波動(dòng)的改進(jìn)分別愈大。因此發(fā)現(xiàn)，當(dāng)光傳輸金屬層變得厚時(shí)，再現(xiàn)光強(qiáng)度的分布即再現(xiàn)光強(qiáng)度的容限變得較寬。
而且，在這些曲線中，當(dāng)光傳輸金屬層的厚度為10nm或更多時(shí)，性能的改進(jìn)是顯著的。當(dāng)光傳輸金屬層的厚度大于16nm時(shí)，記錄光的強(qiáng)度對(duì)上述實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)是不夠大的，因此沒有示出數(shù)據(jù)。但是，當(dāng)使用較大強(qiáng)度的光源時(shí)，當(dāng)降低記錄的線速度時(shí)，當(dāng)NA較大和聚焦光點(diǎn)小時(shí)，或者當(dāng)波長(zhǎng)較短時(shí)，通過使光傳輸金屬層比上述實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的更厚(16nm或更大)，能夠獲得較高的性能。
當(dāng)包括大量的添加劑以改進(jìn)光傳輸金屬層的抗腐蝕性時(shí)，光傳輸金屬層的熱導(dǎo)率通常下降。在這種情況下，通過使光傳輸金屬層較厚也能獲得高性能。
注意，盡管上述估計(jì)系統(tǒng)的結(jié)果在這里是用于僅僅表示熱特性的變化，在光波長(zhǎng)為488nm的情況下也能觀察到熱特性變化的類似趨勢(shì)。而且，對(duì)640nm波長(zhǎng)和NA=0．85的情況這也是相同的。因此，可以認(rèn)為，在滿足波長(zhǎng)／NA大約為1000nm或更小的其它波長(zhǎng)和NA之組合的情況下能夠獲得類似的結(jié)果。
上述實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中，正如在第一實(shí)施例說明的，使用了通過反向?yàn)R射在金屬層表面上進(jìn)行平滑處理的樣品。另一方面，當(dāng)不進(jìn)行反向?yàn)R射時(shí)，在上述實(shí)驗(yàn)條件下觀察到3dB或更多的C／N下降。由于這，發(fā)現(xiàn)在光傳輸金屬層表面上反向?yàn)R射或刻蝕和其它平滑處理對(duì)降低噪聲是有效的。
注意，當(dāng)增加圖1所示傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的金屬反射層5的厚度，幾乎沒有觀察到上述的C／N，抖動(dòng)或其它特性的改善趨勢(shì)。通過這，發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的具有接觸磁光記錄層形成的光傳輸金屬層和具有可控制的光傳輸金屬層厚度的結(jié)構(gòu)對(duì)改善磁光記錄媒體的特性是有效的。
(第四實(shí)施例)下面說明當(dāng)波長(zhǎng)／NA是1000nm或更大時(shí)本發(fā)明的磁光記錄媒體的膜結(jié)構(gòu)對(duì)組合一些波長(zhǎng)和NA的樣品是特別有效的。
使用藍(lán)光源(波長(zhǎng)407nm，NA=0．60，波長(zhǎng)／NA=680nm)，紅光源1(波長(zhǎng)640nm，NA=0．85，波長(zhǎng)／NA=750nm)，和紅光源2(波長(zhǎng)660nm，NA=0．70，波長(zhǎng)／NA=940nm)來比較圖1所示傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)盤和本發(fā)明的媒體。盡管三個(gè)光學(xué)系統(tǒng)的光點(diǎn)相互不同，在藍(lán)光源和紅光源1之間的光點(diǎn)直徑的差是大約為10％。因此可以認(rèn)為幾乎是相同的。正如圖7所示，當(dāng)增加再現(xiàn)光的強(qiáng)度時(shí)，光點(diǎn)內(nèi)的溫度漸漸升高。隨著這，克爾旋轉(zhuǎn)角下降，因此，載流子電平下降。換言之，其表示出當(dāng)不降低克爾效應(yīng)時(shí)，載流子電平／再現(xiàn)光強(qiáng)度保持在0dB，但是從此下降愈大，溫度愈高。
圖7A和7B分別表示藍(lán)光源和紅光源1的結(jié)果。當(dāng)從這些曲線比較本發(fā)明的盤和傳統(tǒng)盤時(shí)，發(fā)現(xiàn)本發(fā)明盤的熱特性明顯改善了，載流子電平的下降小了。而且，當(dāng)比較這些光學(xué)系統(tǒng)時(shí)，如果光點(diǎn)直徑是幾乎相同的水平的話，發(fā)現(xiàn)能夠獲得幾乎相同的熱特性的改善。換言之，本發(fā)明的效果不是因?yàn)椴ㄩL(zhǎng)或NA，而是當(dāng)光點(diǎn)直徑小時(shí)獲得的效果。
圖7C表示紅光源2的結(jié)果，但是熱特性是由于大的光點(diǎn)直徑導(dǎo)致大的改變，并且發(fā)現(xiàn)不能獲得與圖7A和7B一樣大的效果。但是，在光學(xué)系統(tǒng)3mW再現(xiàn)光的高強(qiáng)度時(shí)，本發(fā)明盤的載流子電平是高的并且觀察到該效果。而且，由于當(dāng)光點(diǎn)較大時(shí)差變得較小，發(fā)現(xiàn)如果波長(zhǎng)／NA是1000nm或更小的活本發(fā)明明的效果是有效的。
圖8是表示當(dāng)改變傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中金屬反射層厚度時(shí)和當(dāng)使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)時(shí)載流子電平對(duì)再現(xiàn)光強(qiáng)度之依賴性。光源是藍(lán)激光(波長(zhǎng)407nm)。
傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的膜結(jié)構(gòu)被做成襯底，第一介質(zhì)層(SiN，59nm)，磁光記錄層(TbFeCo，15nm)，第二介質(zhì)層(SiN，20nm)，和金屬反射層(Ag，x nm)。x被設(shè)置為50，100，150(nm)。
另一方面，本發(fā)明結(jié)構(gòu)的膜結(jié)構(gòu)被做成襯底，第一介質(zhì)層(SiN，59nm)，磁光記錄層(TbFeCo，15nm)，光傳輸金屬層(Ag，5nm)，第二介質(zhì)層(SiN，20nm)，和金屬反射層(Ag，50nm)。而且，估計(jì)系統(tǒng)中的各種條件設(shè)置如下軌道節(jié)距0．50μm，記錄標(biāo)記長(zhǎng)度0．307μm，線速度4．62m／秒。
正如圖8所示，在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的情況下，即使當(dāng)改變金屬反射層的厚度時(shí)特性也沒有改變很多。但是，當(dāng)使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)時(shí)，特性的改善是顯著的。而且，盡管在本實(shí)施例中光傳輸金屬層的厚度被設(shè)置為5nm，與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，在5nm厚度的情況下特性是改善了。通過第三實(shí)施例，如果使本發(fā)明結(jié)構(gòu)中的厚度例如做成10nm，可以期望能夠獲得5nm厚度之情況下的類似特性或較好特性。
圖9是表示當(dāng)改變傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中第二介質(zhì)層厚度時(shí)和當(dāng)使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)時(shí)載流子電平對(duì)再現(xiàn)光強(qiáng)度之依賴性。金屬反射層的厚度做成常數(shù)。而且，第一介質(zhì)層的厚度設(shè)置使得樣品在使用多重干涉效應(yīng)的反射率變得相同。與圖8情況相同的方式，光源是藍(lán)激光(波長(zhǎng)407nm)。
傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的膜結(jié)構(gòu)是襯底，第一介質(zhì)層(SiN，43到59nm)，磁光記錄層(TbFeCo，15nm)，第二介質(zhì)層(SiN，x nm)，和金屬反射層(Ag，50nm)。x被設(shè)置為5，10，20(nm)。
另一方面，本發(fā)明結(jié)構(gòu)的膜結(jié)構(gòu)被做成襯底，第一介質(zhì)層(SiN，59nm)，磁光記錄層(TbFeCo，15nm)，光傳輸金屬層(Ag，5nm)，第二介質(zhì)層(SiN，20nm)，和金屬反射層(Ag，50nm)。而且，估計(jì)系統(tǒng)中的各種條件設(shè)置如下軌道節(jié)距0．50μm，記錄標(biāo)記長(zhǎng)度0．307μm，線速度4．62m／秒。
當(dāng)使用紅光源和NA=0．5左右時(shí)，公知熱特性是通過使在磁光記錄層和金屬反射層之間的第二介質(zhì)層厚度較薄改善的，這是因?yàn)樵诖殴庥涗泴拥奈諢崮軌蜃龀珊芸煸诮饘俜瓷鋵由⑹А１M管期望類似的效果，實(shí)際上如圖9所示，在藍(lán)光源的情況下，當(dāng)使在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的第二介質(zhì)層較薄時(shí)，很少觀察到熱特性的改善。
另一方面，當(dāng)使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)時(shí)，特性的改善是顯著的。而且，盡管在本實(shí)施例中光傳輸金屬層的厚度被設(shè)置為5nm，與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，在5nm厚度的情況下特性是改善了。通過第三實(shí)施例，如果使本發(fā)明結(jié)構(gòu)中的厚度例如做成10nm，與5nm或更多厚度之情況相比較，可以期望能夠展示類似特性或較好特性。
正如上述，根據(jù)本發(fā)明的上述磁光記錄媒體，通過配置具有比磁光記錄層更大熱導(dǎo)率的接觸磁光記錄層的光傳輸金屬層，有可能改善磁光記錄層的固有熱導(dǎo)率。特別是，當(dāng)使用藍(lán)光源和當(dāng)使用大的NA時(shí)，也有可能改善C／N。
另外，在上述實(shí)施例中，盡管表示的情況是其中磁光記錄層和第一和第二介質(zhì)層每一個(gè)都被做成單層結(jié)構(gòu)，也有可能使每層做成多層結(jié)構(gòu)，或者包括用其它材料的層。另外，在不超過本發(fā)明范圍內(nèi)可以做各種修改。
根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄媒體，由于具有比磁光記錄層更大熱散失的光傳輸金屬層靠近磁光記錄層配置，因此增加了磁光記錄層的固有熱導(dǎo)率。由于這，當(dāng)將再現(xiàn)光聚焦在磁光記錄層上時(shí)，在磁光記錄層上局部吸收的光能量很快散失，防止了局部溫度升高。因此，能夠增加再現(xiàn)光的強(qiáng)度和改善S／N和C／N。
另外，根據(jù)本發(fā)明的磁光記錄媒體，由于光傳輸金屬層配置在與光入射側(cè)相反的磁光記錄層一側(cè)，在不引起光學(xué)特性破壞的情況下，有可能改善熱特性。
權(quán)利要求
1一種磁光記錄媒體，是用于通過聚焦微光點(diǎn)(microspot)直徑的光來記錄和再現(xiàn)信息，包括光入射到其第一表面的第一光傳輸介質(zhì)層；形成在相對(duì)著第一介質(zhì)層第一表面之第二表面上的磁光記錄層；形成在磁光記錄層上的光傳輸金屬層，其具有從磁光記錄層散失熱所要求的預(yù)定厚度和具有比磁光記錄層更大的熱導(dǎo)率；形成在光傳輸金屬層上的第二光傳輸介質(zhì)層；和形成在第二介質(zhì)層上和反射光的金屬反射層。
2根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄媒體，其中微光點(diǎn)直徑的光是來自(波長(zhǎng))／(透鏡數(shù)值孔徑(NA))的比率不超過大約1000nm的光學(xué)系統(tǒng)的光。
3根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄媒體，其中光傳輸金屬層的預(yù)定厚度不小于大約10nm。
4根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄媒體，其中光傳輸金屬層厚度的上限設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，在這里來自第一表面?zhèn)鹊纳涞焦鈧鬏斀饘賹拥闹辽僖徊糠止獯┻^光傳輸金屬層射到第二介質(zhì)層。
5根據(jù)權(quán)利要求4的磁光記錄媒體，其中光傳輸金屬層厚度的上限是大約60nm。
6根據(jù)權(quán)利要求2的磁光記錄媒體，其中光傳輸金屬層是由相對(duì)于光具有大的反射率的金屬構(gòu)成。
7根據(jù)權(quán)利要求6的磁光記錄媒體，其中光傳輸金屬層包含Al。
8根據(jù)權(quán)利要求6的磁光記錄媒體，其中光傳輸金屬層包含Ag。
9根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄媒體，還包括在第一介質(zhì)層第一表面上的襯底。
10根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄煤體，還包括在光入射側(cè)相反一側(cè)的金屬反射層表面上的襯底。
11一種生產(chǎn)磁光記錄媒體的方法，用于通過聚焦短波長(zhǎng)的光或大的NA來記錄和再現(xiàn)信息，所述方法包括步驟在與光射入側(cè)相反一側(cè)的光傳輸襯底的表面上形成光傳輸?shù)谝唤橘|(zhì)層；在第一介質(zhì)層上形成磁光記錄層；在磁光記錄層上形成光傳輸金屬層，其具有從磁光記錄層熱散失所要求的預(yù)定厚度和大于磁光記錄層的熱導(dǎo)率；在光傳輸金屬層上形成光傳輸?shù)诙橘|(zhì)層；和在第二介質(zhì)層上形成反射光的金屬反射層。
12根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中形成第一介質(zhì)層，磁光記錄層，光傳輸金屬層，第二介質(zhì)層和金屬反射層的步驟包括通過濺射形成各層。
13根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中濺射步驟是在相同的裝置上進(jìn)行的。
14根據(jù)權(quán)利要求11的方法，還包括步驟在形成光傳輸金屬層的步驟之后平滑光傳輸金屬層表面的步驟。
15根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中平滑光傳輸金屬層表面的步驟包括反向?yàn)R射的步驟。
16根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成第一介質(zhì)層，磁光記錄層，光傳輸金屬層，第二介質(zhì)層和金屬反射層包括通過濺射形成各層，以及反向?yàn)R射是在與濺射步驟相同的裝置上進(jìn)行。
17一種生產(chǎn)磁光記錄媒體的方法，用于通過聚焦短波長(zhǎng)的光或大的NA來記錄和再現(xiàn)信息，所述方法包括步驟形成在光聚焦側(cè)襯底的表面上反射光的金屬反射層；在金屬反射層上形成光傳輸?shù)诙橘|(zhì)層；在第二介質(zhì)層上形成光傳輸金屬層，其具有從磁光記錄層熱散失所要求的預(yù)定厚度和大于磁光記錄層的熱導(dǎo)率；在光傳輸金屬層上形成磁光記錄層；和在磁光記錄層上形成光傳輸?shù)谝唤橘|(zhì)層。
18根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中形成金屬反射層，第二介質(zhì)層，光傳輸金屬層，磁光記錄層，和第一介質(zhì)層的步驟包括通過濺射形成各層。
19根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中濺射步驟是在相同的裝置上進(jìn)行的。
20根據(jù)權(quán)利要求17的方法，還包括步驟在形成光傳輸金屬層的步驟之后平滑光傳輸金屬層表面的步驟。
21根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中平滑光傳輸金屬層表面的步驟包括反向?yàn)R射的步驟。
22根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中形成第一介質(zhì)層，磁光記錄層，光傳輸金屬層，第二介質(zhì)層和金屬反射層的步驟包括通過濺射形成各層，以及反向?yàn)R射是在與濺射步驟相同的裝置上進(jìn)行。
全文摘要
提供一種用于通過聚焦波長(zhǎng)/NA大約為1000nm或更小的光來記錄和再現(xiàn)信息的磁光記錄媒體,包括光入射到其一個(gè)表面即第一表面的光傳輸?shù)谝唤橘|(zhì)層;形成在第一介質(zhì)層第一表面的背面即第二表面上的磁光記錄層;形成在磁光記錄層上的光傳輸金屬層,其具有從磁光記錄層散失熱所要求的預(yù)定厚度(大約10nm或更多)和具有比磁光記錄層更大的熱導(dǎo)率;形成在光傳輸金屬層上的光傳輸?shù)诙橘|(zhì)層;和形成在第二介質(zhì)層上和反射光的金屬反射層15,以及其生產(chǎn)方法。
文檔編號(hào)G11B11/105GK1282958SQ00126288
公開日2001年2月7日 申請(qǐng)日期2000年7月7日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月9日
發(fā)明者佐飛裕一, 川瀨公崇 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社