專利名稱：用于電子物品監(jiān)視系統(tǒng)中的任意天線定相的方法和裝置的制作方法
技術領域：
本申請一般地涉及電子物品監(jiān)視(EAS)標簽(tag)信號的處理，尤其涉及利用在EAS系統(tǒng)使用的發(fā)射器中的多個發(fā)射器振蕩器相移的系統(tǒng)和方法。
背景技術：
在聲磁(acoustomagnetic)或磁式機械(magnetomechanical)電子物品監(jiān)視或“EAS”中，檢測系統(tǒng)可以通過發(fā)射具有標簽共振頻率的電磁脈沖來激發(fā)EAS標簽。當標簽位于脈沖發(fā)射器產生的電磁場所限定的詢問區(qū)域時，標簽與可由檢測系統(tǒng)中接收器檢測到的聲磁或磁式機械響應頻率產生共振。
在多數不支持由歐洲電信標準協(xié)會(“ETSI”，)所頒布的標準的國家里，這些EAS系統(tǒng)工作的典型默認方式是利用對發(fā)射器的相位翻轉(flipping)來產生不同的電磁場模式，為不同方向上的標簽提供激發(fā)。然而，在一些國家(特別是支持ETSI標準的國家)中，其發(fā)射標準禁止系統(tǒng)在具有任何明顯電流級的天線結構中進行發(fā)射。
例如，8字形天線結構產生符合ETSI標準的電磁場，但位于詢問區(qū)域的某些位置和方向的標簽可能不會由8字形天線結構激發(fā)，因為這些標簽處于生成的電磁場范圍內的“零區(qū)(null)”中。輔助(aiding)天線結構產生較少“零區(qū)”，但特定的電流級可能產生不符合ETSI標準的電磁場級。另一問題是由于在天線調諧中的不匹配，可能產生兩個天線元件之間的相移。這些不匹配導致不良的電磁場，例如，導致在詢問區(qū)域中功效的降低和8字形天線結構中發(fā)射級的增加。功效的降低使得在詢問區(qū)域內的激發(fā)和隨后的EAS標簽檢測更為困難。增加的發(fā)射級可能不會符合ETSI標準。

發(fā)明內容
提供一種用于控制電子物品監(jiān)視(EAS)發(fā)射的方法，其可包括計算與所期望的頻率、所期望的占空因數和所期望的發(fā)射器天線之間的相位差中的一個或多個相聯(lián)系的系統(tǒng)參數。該方法還可包括以基于系統(tǒng)參數的數值初始化計數器，比較來自計數器的計數值和系統(tǒng)參數，和基于該計數值和系統(tǒng)參數之間的比較調制EAS發(fā)射信號。
也提供一種用于EAS系統(tǒng)的發(fā)射器。該EAS系統(tǒng)可以包含多個天線，發(fā)射器可以包含多個放大器，每一天線被配置成發(fā)射產生于相應一個放大器的信號，處理器可配置成基于接收的數值調節(jié)放大器輸出之間的相移。
提供一種EAS系統(tǒng)，其可包含至少一EAS標簽、多個天線、至少一個配置成使用天線接收來自標簽的發(fā)射的接收器，和至少一個發(fā)射器。該發(fā)射器可以配置成發(fā)射來自天線的信號以使標簽接近發(fā)射器時產生共振。每一發(fā)射器可以包含多個天線，每一天線可以被配置成發(fā)射產生于相應放大器的信號。發(fā)射器可以配置成調節(jié)放大器輸出之間的相位。


為了更好理解本發(fā)明以及其他的目的、特征和優(yōu)點，應該結合下面附圖來閱讀以下詳細的描述，其中相同的數字表示相同的部分。
圖1是電子物品監(jiān)視(EAS)系統(tǒng)的框圖。
圖2是用于EAS系統(tǒng)的天線基座前視圖，表示通過天線元件的輔助電流和從該輔助電流產生的電磁場的一部分。
圖3是圖2的天線基座的側視圖，表示從該輔肋電流產生的電磁場的另一部分。
圖4是用于EAS系統(tǒng)的天線基座前視圖，表示通過天線元件的8字形電流和從該8字形電流產生的電磁場的一部分。
圖5是圖4的天線基座的側視圖，表示從該8字形電流產生的電磁場的另一部分。
圖6是EAS系統(tǒng)的發(fā)射器的一部分的框圖。
圖7是表示圖6的發(fā)射器的一部分的工作的流程圖。
具體實施例方式
為簡單和方便描述，在此結合不同的實施例說明本發(fā)明。然而本領域技術人員應該認識到，可以以多種結構實現(xiàn)本發(fā)明的特征和優(yōu)點。因此應該了解的是，此處所提供的描述實施例是說明性的，而非限制性的。
圖1表示EAS系統(tǒng)10，其可包含第一天線基座12和第二天線基座14。天線基座12和14可以連接到包含發(fā)射器18和接收器20的控制單元16。控制單元16可以配置成與外部設備，例如控制或監(jiān)測數個EAS系統(tǒng)的操作的計算機系統(tǒng)，進行通信。此外，控制單元16可以配置成控制發(fā)射器18的發(fā)射和接收器20的接收，以使天線基座12和14可以用于EAS標簽30所接收信號的發(fā)射和EAS標簽30的激發(fā)所產生信號的接收。尤其是，當EAS標簽30處于通常在天線基座12和14之間的詢問區(qū)域32時，該接收典型地發(fā)生。系統(tǒng)10代表許多EAS系統(tǒng)實施例，僅作為一個例子提供。例如，在一個可替換的實施例中，控制單元16可以位于天線基座12和14中的一個之內。在另一個實施例中，只接收來自EAS標簽30的信號的附加天線可以用作EAS系統(tǒng)的一部分。同時，在基座之內或獨立設置的單個控制單元16，可以配置成控制多套天線基座。
在一個實施例中，天線基座12和14每一個包含兩個天線元件。圖2表示天線基座，例如可包含兩個天線元件40和42的天線基座12。在所表示的實施例中，天線元件40和42可以回路結構設置在天線基座12之內。在該結構中，如所表示的那樣，每一天線回路50和52可以大體上配置為矩形。天線基座12包含中央元件56，天線回路50的一部分60可以穿過該中央元件。天線回路52的一部分62也可以穿過中央元件56。這樣，部分60和部分62可以彼此足夠接近，以使經過天線回路50的電流所產生的電磁場受到經過天線回路52的電流所產生電磁場的影響。天線回路50的電流箭頭70和天線回路52的電流箭頭72表示天線基座12可以配置為通常所稱的輔助結構的結構配置。
在該輔助結構中，經過天線回路50和52的電流通常以相同的方向移動，除了所示的部分60和62以外。在輔助結構中，流過天線回路50和52的電流典型地視為同相。經過天線回路50和52的輔助結構電流產生具有常規(guī)形狀的電磁場80的垂直分量和零區(qū)82，如圖2所示。
圖3是天線基座12的側視圖，表示以輔助結構運行時從天線基座12延伸的電磁場80的水平分量。如同所表示的那樣，水平分量從天線基座12的頂部到底部不包括零區(qū)。該水平分量代表可能不符合ETSI標準的電磁場。
圖4表示天線基座，例如天線基座12，天線基座12也可以包含兩個天線元件40和42，并如上所述進行配置。特別地，兩個天線元件40和42配置成天線回路50和52。更為特別地，天線回路50的電流箭頭90和天線回路52的電流箭頭92表示天線基座12可以配置為通常所稱的8字形結構。在該8字形結構中，除了所示的部分60和62之外，經過天線回路50和52的電流通常以相反的方向移動。在8字形結構中，流過天線回路50和52的電流典型地視為180度反相。經過天線回路50和52的8字形結構電流產生電磁場100，其通常形狀如圖4所示，并包含如圖4所示的零區(qū)102。
圖5是天線基座12的側視圖，表示當以8字形結構運行時從天線基座12延伸的電磁場100的水平分量。如同所表示的那樣，水平分量可以包括接近天線基座12中央的一個零區(qū)。
從輔助結構到8字形結構來回地轉換經過天線回路50和52的電流，有時稱作相位翻轉。相位翻轉用以產生電磁場的變化，以使不論是哪個物理方向的EAS標簽30(圖1所示)都能被激發(fā)。
然而，如上所述，在支持歐洲電信標準協(xié)會(“ETSI”)標準的國家里，發(fā)射標準禁止天線基座12在具有任何明顯電流級的輔助結構中進行發(fā)射。因此，電磁場(例如，圖2和3所示的電磁場80)不能強到激發(fā)詢問區(qū)域32內特定方向的EAS標簽30。進一步地，盡管8字形結構符合ETSI標準，但是在詢問區(qū)域32內一些EAS標簽30位置和方向可能不會由電磁場100激發(fā)，因為這些EAS標簽30可能經過詢問區(qū)域32內出現(xiàn)的電磁場100中的零區(qū)102。在天線回路50和52之間也可能存在不希望的相移。這些相移可能由于兩個天線回路50和52之間天線調諧的不匹配而產生的，這導致偏離所希望的電磁場80和100。該不匹配也可能導致由天線回路50和52產生的場之間的對稱性的極大降低，從而導致可能不符合ETSI標準的發(fā)射增加。
圖6是EAS系統(tǒng)，例如EAS系統(tǒng)10，的發(fā)射器110一部分的框圖。發(fā)射器110可以包含數字信號處理器111，該數字信號處理器111具有脈沖寬度調制器(PWM)112以給放大器114和116提供信號。這些信號然后可以分別通過天線元件40和42發(fā)射。應該認識到，此處描述的實施例可以利用與DSP外部的PWM模塊相連的DSP來實現(xiàn)。
如下進一步所述，PWM 112，和發(fā)射器110，可以進行配置，以提高監(jiān)視標簽(例如圖1所示EAS標簽30)的檢測，該標簽可能位于例如EAS系統(tǒng)10產生的電磁場中“零區(qū)”之內。此外，PWM 112可以配置成補償天線元件40和42的調諧的不匹配，該不匹配可能產生各種天線元件40和42之間的相移，這可能在詢問區(qū)域32(圖1所示)內產生不良的電磁場和功效的降低。進一步地，發(fā)射器110能夠在上述的ETSI標準下工作。
如圖6所示，PWM 112包含多個控制振蕩器130和132，控制振蕩器可以配置成以使天線元件40和42實現(xiàn)例如8字形結構、輔助結構或其它任意相位結構。這些不同的結構可以產生從可應用于不同EAS系統(tǒng)裝置的天線元件40和42發(fā)出的電磁場。任意相位結構是所希望的，例如處理取決于安裝的阻抗差和發(fā)射電纜長度，和降低詢問區(qū)域之內的零區(qū)的產生。
在所描述的實施例里，每一振蕩器130和132可以包含在PWM 112和類似的處理電路內，處理電路包含分別用于接收頻率控制信號144和脈沖寬度控制信號146的周期寄存器140和比較寄存器142。頻率控制信號144和脈沖寬度控制信號146可以在DSP 111內產生，例如使用包含在DSP 111的處理部分150之內的程序控制算法，以上頻率控制信號和脈沖寬度控制信號有時候稱為系統(tǒng)參數。PWM 112也可以包含計數器152，其從DSP 111的處理部分150接收相位控制信號154。
在一個實施例中，周期寄存器140和頻率控制信號144可以用來產生用于來自PWM 112的調制發(fā)射的平均頻率。更特別地，所希望的發(fā)射頻率可以不是提供給兩個振蕩器130和132的周期寄存器140、比較寄存器142和計數器152的DSP 111內主時鐘156的精確倍數。因此，為了獲得所期望的頻率，平均起來，頻率控制信號144可以配置成高頻顫動(dither)周期寄存器140內的一個值，例如使用DSP處理部分150之內的軟件。如這里所使用的，術語“高頻顫動”被認為表示在兩個和多個值之間來回轉換。通過高頻顫動周期寄存器140內的值，周期寄存器140輸出的頻率改變。這些頻率輸出是主時鐘156的頻率的倍數。當這些頻率輸出被平均后，平均值等于所期望的發(fā)射頻率。
作為一個實例，為了獲得所期望的等于2500.6主時鐘周期的發(fā)射頻率，周期寄存器140可以在兩倍2500主時鐘周期和三倍2501主時鐘周期之間來回高頻顫動。對于實例中的2500主時鐘周期部分，一旦計數器152已經計數2500個時鐘周期，監(jiān)視計數器152和周期寄存器140輸出的比較邏輯電路160輸出信號162。信號162可以用于復位計數器152，也可以施加到PWM輸出邏輯電路164。脈沖寬度控制信號146和比較寄存器142配置成控制PWM輸出端166的占空因數。
為了控制占空因數，計數器152的輸出和比較寄存器142的輸出可以通過比較邏輯電路168進行比較。比較邏輯電路168的輸出170也可以輸入到PWM輸出邏輯電路164作為設置和清零信號。接著以上實例，對于25％占空因數的PWM輸出，脈沖寬度控制信號可以設置比較寄存器142，以使在625時鐘周期后，比較邏輯電路168的輸出170改變狀態(tài)(設置PWM輸出邏輯電路164)，并維持在該改變的狀態(tài)直到計數器152復位(清零PWM輸出邏輯電路164)。換句話說，功率放大器驅動信號(輸出166)的寬度可以通過調節(jié)比較寄存器142進行控制。
為了提供在天線元件40和42之間的任意相位天線模式，在每一個振蕩器130和132里的計數器(例如計數器152)可以被初始化為彼此具有偏移量。例如，如果振蕩器130的周期等于1000主時鐘156周期，則執(zhí)行45度的相移會需要振蕩器中一個以零計數值初始化，而另一個振蕩器以計數值125初始化。值125是除以360度的分數的周期或1000×(360/45)＝125?；谔炀€元件40和42之間調諧的不匹配和放大器114和116與相應天線元件40和42之間長度的變化，可以降低或增加偏移值125。
基于偏移值，來自每一振蕩器130和132的比較邏輯電路的輸出信號162可以彼此偏移。類似地，來自每一振蕩器130和132的比較邏輯電路168的輸出信號170可以偏移。這些輸出信號162和170可以分別在振蕩器130和132內應用，以控制脈沖寬度調制器輸出邏輯電路164。因此，振蕩器130和132產生相應的偏移脈沖調制信號脈沖。然后，由每一振蕩器130和132產生的偏移脈沖調制信號脈沖由各放大器114和116放大，以驅動每一相應的天線元件40和42。
這些不同實施例為EAS發(fā)射器的工作帶來極大的好處，可以在多發(fā)射信道驅動之間，例如天線基座的天線元件40和42之間提供任意相移。一個實施方式允許天線元件40和42之間的相移在從大約0度到大約180度的范圍內。天線元件40和42之間的大約180度相位差有效降低了放射，但在從天線元件40和42發(fā)射的電磁場中產生特定的零區(qū)組。天線元件40和42之間的大約0度相位差產生空間上不同的并通常較小的零區(qū)組，然而放射較高。因此，在0度和180度之間的某些位置天線元件40和42之間相移的選擇，可以產生小于180度相移產生的零區(qū)的零區(qū)組，同時仍然具有ETSI標準之內的放射級。
在小于180度相移的情況下，EAS發(fā)射器110的性能可以得到提高，因為EAS標簽30的激發(fā)更少地依賴于產生的電磁場和EAS標簽30方向之間的相關性。換句話說，天線元件40和42之間的任意相位差可以用來消除或至少降低所產生的電磁場中的零區(qū)。可以使用的EAS發(fā)射器的一個實施例是天線元件40和42之間具有90度相移的正交發(fā)射器。這樣的實施例可以省去在一些已知的應用中所進行的發(fā)射相位翻轉(在輔助和8字形結構之間來回轉換)。省去EAS發(fā)射器的相位翻轉也減少了EAS發(fā)射器的控制器的內存要求。
圖7是流程圖200，表示實現(xiàn)上述EAS發(fā)射器內任意相移的發(fā)射器100所包括的步驟。首先。在202，PWM 112中每一振蕩器130和132的周期寄存器140可以使用與所期望的頻率對應的系統(tǒng)參數來設置。以導致來自PWM 112的期望頻率輸出的系統(tǒng)參數來設置周期寄存器140，可包括確定將在比較邏輯電路160內計數的主時鐘156的周期數。如果主時鐘156的周期數不是主時鐘頻率的精確倍數，設置周期寄存器140可以包括高頻顫動周期寄存器140內設置的數值，以使PWN 112的平均頻率輸出位于所期望的頻率。一旦主時鐘156周期的計數等于設置值，每一振蕩器130和132內的計數器可以復位，計數器152可以重新開始計數設置值，其可以與以前的設置相同或如上所述已經高頻顫動到新的數值在204，可以用一個數值配置振蕩器130和132內的比較寄存器142，以使PWM的輸出處于所期望的占空因數。該配置可以基于所期望的PWM頻率中時鐘周期數。例如，對于50％占空因數，比較寄存器142在204以在202中在周期寄存器內設置的計數值的一半來配置。
在206，可以在振蕩器130和132內初始化計數器，在208，計數可以被輸出到每一相應振蕩器130和132的周期寄存器140和比較寄存器142。為了移動各天線之間的發(fā)射相位，如上所述述，在206可以不同的數值初始化計數器。然后計數器152可以啟動。
這里所描述的實施例通過時不同發(fā)射信道使用兩個或多個獨立發(fā)射器振蕩器來提供EAS發(fā)射器天線之間的任意相移。該獨立的發(fā)射器振蕩器允許信道之間的任意相移，同時仍然在相同的頻率下運行和發(fā)射。因為周期寄存器是可編程的，所以發(fā)射器振蕩器也可以配置成允許發(fā)射器信道之間的任意相移。
在上述示例實施例里，發(fā)射器振蕩器可以被數字實現(xiàn)為數控振蕩器(NCOs)，數控振蕩器作為包含在某些數字信號處理中的脈沖寬度調制器控制電路的一部分。如上所述，相移可以通過以彼此相對的偏移初始化兩個分離的振蕩器的計數寄存器來實施。發(fā)射頻率也可以通過改變振蕩器的周期寄存器來為每一振蕩器編程。同時，盡管按照數字信號處理器進行描述，但上述實施例也可以以其它可編程設備和離散電路而實現(xiàn)。
應該認識到可以對本發(fā)明作改動和修改而不脫離本發(fā)明的范圍。也應該認識到當根據前面的公開內容理解本發(fā)明時，本發(fā)明的范圍不應被認為是限于這里所公開的特定實施例，而應該只根據本文所附的權利要求理解。
權利要求
1.一種用于控制電子物品監(jiān)視(EAS)發(fā)射的方法，所述方法包括計算與所期望的頻率、所期望的占空因數和發(fā)射器天線之間所期望的相位差中的一個或多個相聯(lián)系的系統(tǒng)參數；用基于所述系統(tǒng)參數的數值初始化計數器；比較來自所述計數器的計數和所述系統(tǒng)參數；和基于所述計數和所述系統(tǒng)參數之間的比較調制EAS發(fā)射信號。
2.根據權利要求1的方法，其中計算系統(tǒng)參數包括以至少一個基于主時鐘的時鐘周期確定所期望的平均頻率輸出的數值來設置周期寄存器；和以至少一個確定所期望的占空因數輸出的數值來配置比較寄存器。
3.根據權利要求1的方法，其中計算系統(tǒng)參數包括以至少一個基于平均頻率確定所期望的占空因數輸出的數值來設置比較寄存器。
4.根據權利要求1的方法，其中初始化計數器包括基于主時鐘的時鐘周期確定至少一個計數值。
5.根據權利要求1的方法，其中計算系統(tǒng)參數包括在基于主時鐘的時鐘周期提供所期望的平均頻率的兩個或更多數值之間高頻顫動寄存器數值。
6.根據權利要求1的方法，其中比較計數包括當所述計數等于與所期望的頻率相關的系統(tǒng)參數時復位所述計數器。
7.一種用于EAS系統(tǒng)的發(fā)射器，所述EAS系統(tǒng)包含多個天線，所述發(fā)射器包含多個放大器，每一天線被配置為發(fā)射來自于相應的一個所述放大器的信號；和配置為基于接收的數值調節(jié)所述放大器輸出之間相移的處理器。
8.根據權利要求7的發(fā)射器，其中所述處理器包含多個計數器，所述計數器配置為接收確定所述放大器輸出之間的相位調節(jié)的偏移值。
9.根據權利要求7的發(fā)射器，其中所述處理器包含具有至少一個脈沖寬度調制器的數字信號處理器。
10.根據權利要求7的發(fā)射器，其中所述處理器包含具有至少一個脈沖寬度調制器的數字信號處理器，每一所述脈沖寬度調制器中包含至少兩個振蕩器電路，所述振蕩器電路配置為輸出其間具有可選擇的相位的信號。
11.根據權利要求7的發(fā)射器，其中所述處理器包含至少一個脈沖寬度調制器和主時鐘，每一所述脈沖寬度調制器包含至少兩個振蕩器電路，其中每一所述振蕩器電路包含周期寄存器，所述周期寄存器可用基于所述主時鐘的時鐘周期提供所期望的平均頻率輸出的一個或更多個數值來配置。
12.根據權利要求7的發(fā)射器，其中所述處理器包含至少一個脈沖寬度調制器和主時鐘，每一所述脈沖寬度調制器中包含至少兩個振蕩器電路，其中每一所述振蕩器電路包含可以一個或多個設置占空因數的數值配置的比較寄存器，每一所述振蕩器電路配置為結合周期值與所述占空因數，所述結合配置為輸入到相應一個所述放大器。
13.根據權利要求7的發(fā)射器，其中所述處理器包含至少一個脈沖寬度調制器和主時鐘，每一所述脈沖寬度調制器中包含至少兩個振蕩器電路，其中每一所述振蕩器電路包括配置為以基于所述天線之間的所期望的相位差的數值進行初始化的計數器，所述計數器配置為向所述振蕩器提供計數信號。
14.根據權利要求7的發(fā)射器，其中所述處理器包含多個相應的寄存器和計數器，所述寄存器配置成接收輸入值，所述輸入值為所述放大器的輸出確定周期，所述計數器配置成在計數器的計數值等于輸入值時復位。
15.一種電子物品監(jiān)視(EAS)系統(tǒng)，包含至少一個EAS標簽(tag)；多個天線；至少一個接收器，配置成使用所述天線接收來自所述標簽的發(fā)射；和至少一個發(fā)射器，配置成發(fā)射來自所述天線的信號，以便當所述標簽接近所述發(fā)射器時使所述標簽產生共振，每一所述發(fā)射器包含多個放大器，每一所述天線被配置成接收來自相應一個放大器的輸出，所述發(fā)射器可以配置為調節(jié)所述放大器輸出之間的相位。
16.根據權利要求15的EAS系統(tǒng)，其中所述發(fā)射器包含多個計數器，所述計數器配置成接收確定所述放大器輸出之間的相位調節(jié)的偏移值。
17.根據權利要求15的EAS系統(tǒng)，其中所述發(fā)射器包含具有至少一個脈沖寬度調制器的數字信號處理器，每一所述脈沖寬度調制器可配置成輸出其間具有可選擇相位的信號。
18.根據權利要求15的EAS系統(tǒng)，其中所述發(fā)射器包含至少一個脈沖寬度調制器和主時鐘，每一所述脈沖寬度調制器中包含至少兩個振蕩器電路，其中每一所述振蕩器電路包含周期寄存器，所述周期寄存器可以一個或多個基于所述主時鐘的時鐘周期提供所期望的平均頻率輸出的數值來配置。
19.根據權利要求15的EAS系統(tǒng)，其中所述發(fā)射器包含至少一個脈沖寬度調制器和主時鐘，每一所述脈沖寬度調制器中包含至少兩個振蕩器電路，其中每一所述振蕩器電路包含比較寄存器，所述比較寄存器可以一個或多個設置占空因數的數值配置，每一所述振蕩器電路配置為結合周期值與所述占空因數，所述結合配置成輸入到相應一個所述放大器。
20.根據權利要求15的EAS系統(tǒng)，其中所述發(fā)射器包含多個相應的寄存器和計數器，所述寄存器配置成接收為對應一個所述放大器的輸出確定周期的輸入值，所述計數器配置成在計數值等于輸入值時復位。
全文摘要
描述了一種用于控制電子物品監(jiān)視(EAS)發(fā)射的方法。該方法包括計算與所期望的頻率、所期望的占空因數和所期望的發(fā)射器的天線之間相位差中的一個或多個相聯(lián)系的系統(tǒng)參數，和以基于系統(tǒng)參數的值初始化計數器。該方法還包括比較來自計數器的計數和系統(tǒng)參數，并基于該計數和系統(tǒng)參數之間的比較來調制EAS發(fā)射信號。同時還描述了一種EAS發(fā)射器和一種EAS系統(tǒng)。
文檔編號G08B13/24GK1783583SQ20051008783
公開日2006年6月7日 申請日期2005年5月11日 優(yōu)先權日2004年5月11日
發(fā)明者杰弗里·T·奧克斯, 托馬斯·J·弗雷德里克, 理查德·L·赫林 申請人:傳感電子公司