專(zhuān)利名稱(chēng)：多路數(shù)據(jù)采集模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種數(shù)據(jù)采集電路，特別涉及數(shù)據(jù)采集電路中的多通道采樣模塊。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，控制系統(tǒng)中通常需要數(shù)據(jù)采集，特別是多路數(shù)據(jù)采集，例如在電動(dòng)車(chē)中要采樣每節(jié)動(dòng)力電池的電壓和溫度，采樣的電壓點(diǎn)數(shù)在80點(diǎn)以上，采樣的溫度也在80點(diǎn)以上，一般要使用多個(gè)多路開(kāi)關(guān)，如選擇開(kāi)關(guān)為8選1(CD4051)、16選1(CD4067)，這樣在80點(diǎn)電壓和80溫度的采樣中需要用到的4051為160/8＝20個(gè)，另加譯碼器器件。如果采用CD4067則為10個(gè)，而且，譯碼器邏輯要復(fù)雜些。因此器件較多，導(dǎo)致PCB板面積較大，不利于電路的集成化、小型化，且成本高。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是為克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種簡(jiǎn)單可靠、成本低的多通道數(shù)據(jù)采集模塊。
為此本實(shí)用新型提出了一種多路數(shù)據(jù)采集模塊，包括可編程邏輯器件、傳輸電路，所述傳輸電路的控制端連接所述可編程邏輯器件的讀寫(xiě)口，所述傳輸電路具備用于采集信號(hào)的輸入端和用于輸出采集信號(hào)的輸出端。
上述的多路數(shù)據(jù)采集模塊，所述傳輸電路是開(kāi)關(guān)電路。所述開(kāi)關(guān)電路優(yōu)選單通道開(kāi)關(guān)電路。所述單通道開(kāi)關(guān)電路包括第一光MOS管Q1、第二光MOS管Q2、電容C，所述第一光MOS管、第二光MOS管控制端串聯(lián)連接于所述可編程邏輯器件的讀寫(xiě)口，所述電容跨接于所述第一光MOS管、第二光MOS管的輸入端。所述單通道開(kāi)關(guān)電路另一結(jié)構(gòu)包括上拉電阻R、MOS管Q，所述MOS管的柵極連接于所述可編程邏輯器件的讀寫(xiě)口，漏極連接所述上拉電阻的一端，源極用于采樣并輸出采樣信號(hào)。
上述的多路數(shù)據(jù)采集模塊，所述可編程邏輯器件優(yōu)選復(fù)雜可編程邏輯器件CPLD。
由于采用以上的技術(shù)方案，帶來(lái)了以下的有益效果1、直接采用可編程邏輯器件的I/O口對(duì)數(shù)據(jù)采集通道進(jìn)行控制，減少了多路信號(hào)采集模塊所需器件，減小PCB板面積，降低成本；2.、邏輯電路簡(jiǎn)單，由每一I/O口控制每一單路開(kāi)關(guān)電路，可靠性提高；3、適用性、通用性強(qiáng)，可以在任何需要多種、多路數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的多通道數(shù)據(jù)采集模塊；圖2是本實(shí)用新型的電路原理框圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一的傳輸電路原理圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例二的傳輸電路原理圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型詳細(xì)描述如圖2所示，本實(shí)用新型的多通道數(shù)據(jù)采集模塊，采用CPLD復(fù)雜可編程邏輯器件，利用CPLD的多IO口，具體、直接控制每一個(gè)采樣通道的選擇。用CPLD器件可實(shí)現(xiàn)譯碼邏輯和多路開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)，傳輸電路可以是用光MOS管、MOS管或晶體管等組成的開(kāi)關(guān)電路，用CPLD的輸出信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)傳輸電路的控制。而且一個(gè)控制段Cx可以控制不同信號(hào)的傳輸電路的控制端。這樣可以用一個(gè)CPLD和簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)電路實(shí)現(xiàn)對(duì)多路、多種信號(hào)的采集，如多路電壓信號(hào)、溫度信號(hào)等測(cè)量。實(shí)現(xiàn)減少器件、降低成本的目的。
實(shí)施例一如圖3所示，本實(shí)用新型中的傳輸電路采用光MOS開(kāi)關(guān)，光MOS開(kāi)關(guān)管Q1、Q2的控制端串聯(lián)連接CPLD的I/O口，Q1、Q2的輸入端之間跨接電容C，作為傳輸電路的采樣輸入端，Q1、Q2的輸出端構(gòu)成采樣信號(hào)輸出端。本例可適用于電壓采樣。
實(shí)施例二如圖4所示，本例的傳輸電路為MOS開(kāi)關(guān)電路，適用于測(cè)量用熱敏電阻作為感溫元件測(cè)量溫度的數(shù)據(jù)采集模塊中，MOS管的控制極即柵極連接CPLD的I/O口，上拉電阻R一端接入電壓源Vref，另一端連接MOS管的漏極，熱敏電阻Rt一端連接MOS管源極，另一端接地。從MOS管源極同時(shí)引出傳輸電路的信號(hào)輸出端。
權(quán)利要求1.一種多路數(shù)據(jù)采集模塊，其特征是包括可編程邏輯器件、傳輸電路，所述傳輸電路的控制端連接所述可編程邏輯器件的讀寫(xiě)口，所述傳輸電路具備用于采集信號(hào)的輸入端和用于輸出采集信號(hào)的輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的多路數(shù)據(jù)采集模塊，其特征是所述傳輸電路是開(kāi)關(guān)電路。
3.如權(quán)利要求2所述的多路數(shù)據(jù)采集模塊，其特征是所述開(kāi)關(guān)電路是單通道開(kāi)關(guān)電路。
4.如權(quán)利要求3所述的多路數(shù)據(jù)采集模塊，其特征是所述單通道開(kāi)關(guān)電路包括第一光MOS管(Q1)、第二光MOS管(Q2)、電容(C)，所述第一光MOS管、第二光MOS管控制端串聯(lián)連接于所述可編程邏輯器件的讀寫(xiě)口，所述電容跨接于所述第一光MOS管、第二光MOS管的輸入端。
5.如權(quán)利要求3所述的多路數(shù)據(jù)采集模塊，其特征是所述單通道開(kāi)關(guān)電路包括上拉電阻(R)、MOS管(Q)，所述MOS管的柵極連接于所述可編程邏輯器件的讀寫(xiě)口，漏極連接所述上拉電阻的一端，源極用于采樣并輸出采樣信號(hào)。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的多路數(shù)據(jù)采集模塊，其特征是所述可編程邏輯器件是復(fù)雜可編程邏輯器件CPLD。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多路數(shù)據(jù)采集模塊，包括可編程邏輯器件、傳輸電路，傳輸電路的控制端連接可編程邏輯器件的讀寫(xiě)口，傳輸電路具備用于采集信號(hào)的輸入端和用于輸出采集信號(hào)的輸出端，傳輸電路為單通道開(kāi)關(guān)電路；直接采用可編程邏輯器件的I/O口對(duì)數(shù)據(jù)采集通道進(jìn)行控制，減少了多路信號(hào)采集模塊所需器件，減小PCB板面積，降低成本；邏輯電路簡(jiǎn)單，由每一I/O口控制每一單路開(kāi)關(guān)電路，可靠性提高；適用性、通用性強(qiáng)，可以在任何需要多種、多路數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中。
文檔編號(hào)G08C19/30GK2754168SQ200420105488
公開(kāi)日2006年1月25日 申請(qǐng)日期2004年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月3日
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