一種硬幣面值識(shí)別裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種硬幣面值識(shí)別裝置，所述的硬幣面值識(shí)別裝置由兩組不同頻率的振蕩電路通過(guò)有源整流，低通濾波和AD轉(zhuǎn)換模塊與MCU模塊連接，同時(shí)，所述兩組振蕩電路通過(guò)數(shù)字整形與MCU模塊連接，所述的振蕩電路、有源整流、低通濾波、AD轉(zhuǎn)換模塊、數(shù)字整形分別與電源模塊連接，本實(shí)用新型使用了兩組不同頻率的線圈，使得防偽能力得到大幅提高；本裝置使用有源整流取代傳統(tǒng)的二極管整流，可以最大可能地減少溫度對(duì)整流電路的影響，另外，通過(guò)低通濾波取得硬幣通過(guò)時(shí)振蕩電路振幅的改變，對(duì)AD轉(zhuǎn)換的速度要求降低、MCU處理占用的時(shí)間減少。
【專利說(shuō)明】一種硬幣面值識(shí)別裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子檢測(cè)和自動(dòng)化【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種硬幣器用硬幣面值識(shí)別裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]目前硬幣識(shí)別技術(shù)一般采用光電定位硬幣位置，然后通過(guò)在很短時(shí)間內(nèi)采集硬幣位置對(duì)線圈振蕩頻率的影響范圍，來(lái)確定硬幣的真假。此種方法的問(wèn)題在于:1、光電器件容易臟，導(dǎo)致硬幣無(wú)法定位或者定位出現(xiàn)偏差，造成識(shí)別的精度不高；2、只使用頻率的改變作為檢測(cè)的手段，防偽能力有限；3、元器件沒(méi)有考慮溫度穩(wěn)定性及響應(yīng)速度，在溫度變化的情況下識(shí)別效果也會(huì)隨之有很大的改變；4、采用單一的振蕩頻率，防偽率也受很大的限制；
5、振蕩電路供電電源受溫度影響很大，同樣造成整個(gè)識(shí)別效果在寬溫度范圍下不理想。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種硬幣面值識(shí)別裝置，識(shí)別精度高，防偽能力強(qiáng)，使得硬幣器工作更穩(wěn)定可靠。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為:兩組不同頻率的振蕩電路通過(guò)有源整流、低通濾波和AD轉(zhuǎn)換模塊與MCU模塊連接；同時(shí)，所述兩組振蕩電路又通過(guò)數(shù)字整形電路與MCU模塊連接，所述的振蕩電路、有源整流、低通濾波、AD轉(zhuǎn)換模塊、數(shù)字整形電路分別與電源模塊連接。
[0005]所述的振蕩電路由高溫度穩(wěn)定性的NPO電容、高溫度定性的電阻、高溫度穩(wěn)定性磁罐及高速運(yùn)放組成。
[0006]所述的電源模塊由20ppm的線性穩(wěn)壓基準(zhǔn)源與低噪聲MOS管組成。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是:1、使用了兩組不同頻率的線圈，所以防偽率得到大幅度的提高。2、通過(guò)使用20ppm的線性穩(wěn)壓基準(zhǔn)源與低噪聲MOS管組成電源給振蕩及處理電路供電盡可能的減少溫度改變時(shí)對(duì)電路的影響。3、通過(guò)有源整流取代傳統(tǒng)的二極管整流，可以最大可能的減少溫度對(duì)整流電路的影響；4、通過(guò)低通濾波取得硬幣通過(guò)時(shí)振蕩電路振幅的改變，對(duì)AD轉(zhuǎn)換的速度要求降低、MCU處理占用的時(shí)間減少。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的電路原理框圖。
[0009]圖2是本使用新型的電源模塊。
[0010]圖3是本使用新型的振蕩電路。

【具體實(shí)施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0012]兩組不同頻率的振蕩電路通過(guò)有源整流、低通濾波和AD轉(zhuǎn)換模塊與MCU模塊連接；同時(shí)，所述兩組振蕩電路又通過(guò)數(shù)字整形電路與MCU模塊連接，所述的振蕩電路、有源整流、低通濾波、AD轉(zhuǎn)換模塊、數(shù)字整形電路分別與電源模塊連接。
[0013]所述的振蕩電路由高溫度穩(wěn)定性的NPO電容、高溫度定性的電阻、高溫度穩(wěn)定性磁罐及高速運(yùn)放組成。
[0014]所述的電源模塊由20ppm的線性穩(wěn)壓基準(zhǔn)源與低噪聲MOS管組成。
[0015]不同大小、不同材質(zhì)的硬幣從線圈中通過(guò)時(shí)產(chǎn)生的渦流損耗不一樣，從而對(duì)線圈的振蕩幅度跟頻率都產(chǎn)生影響。如圖1，圖2和圖3所示，硬幣通過(guò)線圈時(shí)，對(duì)兩個(gè)振蕩電路分別形成兩組幅度和頻率，因不同材質(zhì)或者不同大小的硬幣對(duì)不同頻率的振蕩電路的頻率及振幅的影響是不一樣的，進(jìn)而通過(guò)形成的兩組幅度與頻率的對(duì)比分析通過(guò)線圈的硬幣的面值。
[0016]本實(shí)用新型的有益效果是:1、使用了兩組不同頻率的線圈，所以防偽率得到大幅度的提高。2、通過(guò)使用20ppm的線性穩(wěn)壓基準(zhǔn)源與低噪聲MOS管組成電源給振蕩及處理電路供電盡可能的減少溫度改變時(shí)對(duì)電路的影響。3、通過(guò)有源整流取代傳統(tǒng)的二極管整流，可以最大可能的減少溫度對(duì)整流電路的影響；4、通過(guò)低通濾波取得硬幣通過(guò)時(shí)振蕩電路振幅的改變，對(duì)AD轉(zhuǎn)換的速度要求降低、MCU處理占用的時(shí)間減少。
【權(quán)利要求】
1.一種硬幣面值識(shí)別裝置，其特征在于，兩組不同頻率的振蕩電路通過(guò)有源整流、低通濾波和AD轉(zhuǎn)換模塊與MCU模塊連接，同時(shí)，所述兩組振蕩電路又通過(guò)數(shù)字整形電路與MCU模塊連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硬幣面值識(shí)別裝置，其特征在于，所述的振蕩電路、有源整流、低通濾波、AD轉(zhuǎn)換模塊、數(shù)字整形電路分別與電源模塊連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硬幣面值識(shí)別裝置，其特征在于，所述的振蕩電路由高溫度穩(wěn)定性的NPO電容、高溫度定性的電阻、高溫度穩(wěn)定性磁罐及高速運(yùn)放組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硬幣面值識(shí)別裝置，其特征在于，所述的電源模塊由20ppm的線性穩(wěn)壓基準(zhǔn)源與低噪聲MOS管組成。
【文檔編號(hào)】G07D5/08GK203858697SQ201420046269
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年1月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月25日
【發(fā)明者】羅明炬 申請(qǐng)人:湖南中吉科技有限責(zé)任公司