檢測(cè)放大器31也可以是電壓放大器。
[0054]比較器32用以比較檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout與參考信號(hào)Vref，所述參考信號(hào)Vref可以是對(duì)應(yīng)于所需求設(shè)計(jì)的檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout的一個(gè)臨界值Th。例如:當(dāng)檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout是電壓形式時(shí)，參考信號(hào)Vref也是電壓形式，參考信號(hào)Vref的電位可以等于圖2所述的臨界值Th。然而，本發(fā)明并不限定比較器32的實(shí)現(xiàn)方式，也不限定參考信號(hào)Vref內(nèi)容。
[0055]校正單元33受控于比較信號(hào)Kf lag，例如:校正單元33是可以是一個(gè)觸發(fā)電路，受控于比較信號(hào)Kflag的觸發(fā)(例如比較信號(hào)Kflag由一低電位改變?yōu)橐桓唠娢?，而產(chǎn)生控制信號(hào)CK?？刂菩盘?hào)CK用以使檢測(cè)放大器31將電容基線檢測(cè)信號(hào)SS與一個(gè)校正信號(hào)(圖3未示出)相減，使得檢測(cè)放大器31的輸入端(連接電極E的端點(diǎn))所接收到的信號(hào)由原本的電容基線檢測(cè)信號(hào)SS改變?yōu)槭Ｏ码娙莼€檢測(cè)信號(hào)SS減去一個(gè)校正信號(hào)。由于檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout隨著電容基線檢測(cè)信號(hào)SS而改變(例如:檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout與電容基線檢測(cè)信號(hào)SS成正比)，因此，當(dāng)電容基線檢測(cè)信號(hào)SS減去一個(gè)校正信號(hào)時(shí)，檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout也會(huì)減少，藉此達(dá)到使檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout低于臨界值Th的目的。
[0056]換句話說，當(dāng)檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout大于參考信號(hào)Vref時(shí)，檢測(cè)放大器31依據(jù)校正單元33的控制信號(hào)CK而將電容基線檢測(cè)信號(hào)SS減去校正信號(hào)，以使檢測(cè)放大器31產(chǎn)生的檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout低于一個(gè)所設(shè)定臨界值。電容基線檢測(cè)信號(hào)SS與校正信號(hào)的相減可以是實(shí)時(shí)的，隨著檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout而適應(yīng)性改變的。
[0057]另外，在一實(shí)施例中，當(dāng)檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout大于參考信號(hào)Vref時(shí)，檢測(cè)放大器31可以依據(jù)控制信號(hào)CK而在一個(gè)預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)使電容基線檢測(cè)信號(hào)SS與校正信號(hào)彼此相減。所述預(yù)設(shè)時(shí)間可以依據(jù)電容基線檢測(cè)信號(hào)SS的信號(hào)變化幅度(波形的平緩或陡峭)來調(diào)整，藉此，電容基線檢測(cè)信號(hào)SS與校正信號(hào)的相減也可以是持續(xù)的維持一段所設(shè)定的預(yù)設(shè)時(shí)間。
[0058]為了達(dá)到信號(hào)校正的目的，當(dāng)檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout大于參考信號(hào)Vref時(shí)，校正信號(hào)可以為第一電平Va，如圖2所示。當(dāng)檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout不大于參考信號(hào)Vref時(shí)，校正信號(hào)為第二電平Vb。與傳統(tǒng)的做法不同的是，本發(fā)明實(shí)施例的面板時(shí)間延遲檢測(cè)電路3是針對(duì)每一個(gè)被檢測(cè)的電極的電容基線檢測(cè)信號(hào)SS作實(shí)時(shí)的、適應(yīng)性的基線校正。本實(shí)施例所提供的校正信號(hào)在電容基線檢測(cè)信號(hào)SS大于臨界值Th時(shí)，立即產(chǎn)生校正信號(hào)，不會(huì)有校正信號(hào)與電容基線檢測(cè)信號(hào)SS位于時(shí)間軸上的不同位置的問題。值得一提的是，所述校正信號(hào)是依據(jù)檢測(cè)放大器31的設(shè)計(jì)而有所不同，請(qǐng)參見后續(xù)實(shí)施例的說明。
[0059]〔應(yīng)用于觸控面板基線校正的面板時(shí)間延遲檢測(cè)電路的另一實(shí)施例〕
[0060]請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的應(yīng)用于觸控面板基線校正的面板時(shí)間延遲檢測(cè)電路的電路圖。面板時(shí)間延遲檢測(cè)電路4包括檢測(cè)放大器41、比較器42與校正單元43,在本實(shí)施例中校正單元43也可以稱為基線校正控制器(Baseline Calibrat1nController).圖4提供了將一種檢測(cè)放大器41應(yīng)用于面板時(shí)間延遲檢測(cè)電路4。
[0061]如圖4所示，檢測(cè)放大器41連接觸控面板的電極E，在本實(shí)施例中電極E以電路的節(jié)點(diǎn)表示。電容Cm的一端接收驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vdrv,另一端連接電極E,此電容Cm代表互容,接收驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vdrv的電極與所極E之間的互容為電容Cm。面板時(shí)間延遲檢測(cè)電路4是用于連接至電極E以檢測(cè)其互容的電容值。
[0062]比較器42耦接檢測(cè)放大器41，校正單元43耦接檢測(cè)放大器41以及比較器42。當(dāng)檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout大于參考信號(hào)Vref時(shí)，檢測(cè)放大器41依據(jù)校正單元43的控制信號(hào)CK而將電容基線檢測(cè)信號(hào)SS減去校正信號(hào)，以使檢測(cè)放大器41產(chǎn)生的檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout低于一個(gè)所設(shè)定臨界值Th。所述校正信號(hào)可以是圖4中的電流Il或電流12。
[0063]檢測(cè)放大器41的細(xì)部電路請(qǐng)參照下面的說明。在本實(shí)施例中，檢測(cè)放大器41包括至少一電流源(411或412)、至少一開關(guān)單元413或414、電流鏡單元415與電容Cint。本發(fā)明并不限定電流源與開關(guān)單元的數(shù)目與連接關(guān)系。電流源(411或412)用以產(chǎn)生電流(II或12)，電流(II或12)代表所述校正信號(hào)。開關(guān)單元耦接電流源(411或412)以及校正單元43，接收校正單元43的控制信號(hào)CK，并依據(jù)控制信號(hào)CK控制電流源(411或412)是否耦接觸控面板的電極E。
[0064]電流鏡單元415具有第一端A與第二端B，第一端A用以耦接于電極E，電流鏡單元415對(duì)由電極E所接收的電容基線檢測(cè)信號(hào)SS做相位反轉(zhuǎn)，并于電流鏡單元415的該第二端B產(chǎn)生檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout，其中檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout與電容基線檢測(cè)信號(hào)SS的相位相反。電容的第一端連接電流鏡單元415的第二端B，電容的第二端連接接地GND。當(dāng)檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout大于參考信號(hào)Vref時(shí)，開關(guān)單元(413或414)依據(jù)控制信號(hào)CK而將電容基線檢測(cè)信號(hào)SS減去電流源(411或412)的電流(II或12)。本實(shí)施例的圖4僅是檢測(cè)放大器41的一種實(shí)現(xiàn)方式，本發(fā)明也不限定電流源(411或412)、開關(guān)單元(413或414)以及電流鏡單元415的實(shí)現(xiàn)方式。
[0065]更詳細(xì)地說，如圖4所示檢測(cè)放大器41包括第一電流源411、第二電流源412、第一開關(guān)單元413、第二開關(guān)單元414、電流鏡單元415與電容Cint。第一電流源411耦接供應(yīng)電壓VDD，產(chǎn)生第一電流II。第二電流源412耦接接地GND，產(chǎn)生第二電流12，所述第一電流Il以及第二電流12代表校正信號(hào)。第一開關(guān)單元413耦接第一電流源411以及校正單元43，并受控于校正單元43的控制信號(hào)CK，并依據(jù)控制信號(hào)CK控制第一電流源411是否耦接觸控面板的電極E。換句話說，第一開關(guān)單元413控制第一電流源411的第一電流Il是否流入電極E，因此第一電流Il可以作為校正信號(hào)。
[0066]第二開關(guān)單元414耦接第二電流源412以及校正單元43，并受控于校正單元43的控制信號(hào)CK，并依據(jù)控制信號(hào)CK控制第二電流源412是否耦接觸控面板的電極E。換句話說，第二開關(guān)單元414控制第二電流源412的第二電流12是否流入電極E，因此第二電流12可以作為校正信號(hào)。
[0067]更進(jìn)一步，電流鏡單元415包括P型晶體管P1、P2、P3與N型晶體管N1、N2、N3。電流鏡單元415由兩個(gè)電流鏡所組成，兩個(gè)電流鏡的兩端彼此連接，且兩個(gè)電流鏡的另外兩端分別連接供應(yīng)電壓VDD與接地GND。上述其中一個(gè)電流鏡由P型晶體管P1、P2與N型晶體管NI所組成且被施加偏壓biasa，而上述另一個(gè)電流鏡則由P型晶體管P3與N型晶體管N2、N3所組成且被施加偏壓biasb。
[0068]接著，進(jìn)一步地說明電流鏡單元415的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。P型晶體管P1、P2的源極連接供應(yīng)電壓VDD，且P型晶體管P1、P2的柵極彼此連接。N型晶體管NI的漏極連接P型晶體管Pl的柵極與漏極，且N型晶體管NI的源極與P型晶體管P2的漏極分別連接第一端A與第二端B，其中第一端A用以接收代表電容基線檢測(cè)信號(hào)SS的輸入電流，且第二端B用以將檢測(cè)結(jié)果信號(hào)Vout輸出至后續(xù)的信號(hào)取樣電路(例如:圖3的模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器34)。
[0069]N型晶體管N2、N3的源極連接接地GND，且N型晶體管N2、N3的柵極彼此連接。P型晶體管P3的漏極連接N型晶體管N2的柵極與漏極，且P型晶體管P3的源極與N型晶體管N3的漏極分別連接第一端A與第二端B。電容的Cint的第一端連接電流鏡單元415的第二端B，電容Cint的第二端連接接地GND。
[0070]簡(jiǎn)單地說，電流鏡單元415的電路結(jié)構(gòu)可以敘述如下。電流鏡單元415具有第一電流鏡(由P型晶體管PU P2所組成)、第一偏壓晶體管(即N型晶體管NI)、第二偏壓晶體管(即P型晶體管P3)以及第二電流鏡(由N型晶體管N2、N3所組成)。第一電流鏡以及第二電流鏡分別連接至高電壓VDD以及接地GND