本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤控制技術(shù)，特別涉及一種提高固態(tài)硬盤順序讀性能的方法及固態(tài)硬盤。

背景技術(shù)：

常規(guī)技術(shù)中主機(jī)下發(fā)的順序邏輯塊地址lba(logicalblockaddress)是以深度優(yōu)先的方式寫到nandflash的die上。舉例說明，圖1是以深度優(yōu)先的數(shù)據(jù)頁構(gòu)成示意圖。ssd支持4個(gè)并行操作的通道，分別為die0、die1、die2和die3假設(shè)主機(jī)下發(fā)寫lba0～31，則ssd固件會(huì)將lba0～lba7形成page0寫入到die0，lba8～lba15形成page1寫入到die1，lba16～lba23形成page2寫入到die2，lba24～lba31形成page3寫入到die3，以深度優(yōu)先的方式把數(shù)據(jù)寫到die上。后續(xù)主機(jī)再下發(fā)讀lba0～7，則固件發(fā)現(xiàn)這些lba都在die0上，那么只有一個(gè)die出數(shù)據(jù)，其他三個(gè)die空閑著，效率不高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)以上缺陷，本發(fā)明目的如何提高固態(tài)硬盤順序讀操作的速度，提速固態(tài)硬盤性能。

為了解決以上問題本發(fā)明提出了一種提高固態(tài)硬盤順序讀性能的方法，其特征在于將主機(jī)下發(fā)的順序?qū)懖僮靼凑諒V度優(yōu)先的方式將數(shù)據(jù)寫入到各個(gè)通道中，主機(jī)下發(fā)的順序讀操作轉(zhuǎn)換為并行從各個(gè)通道中讀出。

所述的提高固態(tài)硬盤順序讀性能的方法，其特征在于所述的廣度優(yōu)先具體為:邏輯數(shù)據(jù)塊是寫操作的操作單元塊,數(shù)據(jù)頁是固態(tài)硬盤寫入nand的操作單元,多個(gè)邏輯數(shù)據(jù)塊構(gòu)成一個(gè)頁數(shù)據(jù)；固態(tài)硬盤支持n個(gè)通道并行操作；邏輯數(shù)據(jù)塊的序號(hào)順序?yàn)閕,固態(tài)硬盤將接收到的邏輯數(shù)據(jù)塊,將第i號(hào)的邏輯數(shù)據(jù)塊下發(fā)到i％n號(hào)的通道中,每個(gè)通道分別將多個(gè)邏輯數(shù)據(jù)塊拼成數(shù)據(jù)頁后再寫入各個(gè)通道中，一個(gè)數(shù)據(jù)頁包括幾個(gè)邏輯數(shù)據(jù)塊由固態(tài)硬盤的類型確定。

所述的提高固態(tài)硬盤順序讀性能的方法，其特征在于所述的廣度優(yōu)先具體為:將順序?qū)懖僮靼凑諏懖僮黜樞蚍謩e以廣度優(yōu)先方式拼成多個(gè)頁,多個(gè)頁按順序下發(fā)到各個(gè)通道中,各個(gè)通道并行寫入各個(gè)頁數(shù)據(jù)。

一種固態(tài)硬盤，其特征在于采用了權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的提高固態(tài)硬盤順序讀性能的方法提速固態(tài)硬盤的順序讀性能。

本發(fā)明通過將數(shù)據(jù)寫入時(shí)按照廣度優(yōu)先的方式，將順序地址的數(shù)據(jù)塊均勻的分發(fā)寫入到不同的通道中，保證了在順序讀取時(shí)可并行的從各個(gè)通道中并發(fā)的讀取數(shù)據(jù)，讀取速度具有較大的提升。

附圖說明

圖1是以深度優(yōu)先的數(shù)據(jù)頁構(gòu)成示意圖；

圖2是以廣度優(yōu)先的數(shù)據(jù)頁構(gòu)成示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖2是以廣度優(yōu)先的數(shù)據(jù)頁構(gòu)成示意圖。ssd支持4個(gè)并行操作的通道die，分別為die0、die1、die2和die3。假設(shè)一個(gè)數(shù)據(jù)頁page數(shù)據(jù)量是4kb。而主機(jī)下發(fā)數(shù)據(jù)的最小單位是lba，每個(gè)lba的數(shù)據(jù)量是512b。假設(shè)nandflash具有4個(gè)die，每個(gè)通道以page為單位寫入數(shù)據(jù)，通道與通道之間可以并行工作假設(shè)主機(jī)下發(fā)寫邏輯數(shù)據(jù)塊lba0～31。將第i號(hào)的邏輯數(shù)據(jù)塊下發(fā)到i％4號(hào)的通道中,每個(gè)通道分別將多個(gè)邏輯數(shù)據(jù)塊拼成數(shù)據(jù)頁后再寫入各個(gè)通道中，本實(shí)施例一個(gè)數(shù)據(jù)頁包括8個(gè)邏輯數(shù)據(jù)塊。具體為：lba0,lba4,lba8,lba12,lba16,lba20,lba24,lba28形成page0寫入die0；lba1,lba5,lba9,lba13,lba17,lba21,lba25,lba29形成page1寫入die1；lba2,lba6,lba10,lba14,lba18,lba22,lba26,lba30形成page2寫入die2；lba3,lba7,lba11,lba15,lba19,lba23,lba27,lba31形成page3寫入die3，以廣度優(yōu)先的方式把數(shù)據(jù)寫到die上。后續(xù)主機(jī)下發(fā)順序讀lba0～7，固件發(fā)現(xiàn)這些lba平鋪在die0～die3上，則啟用四個(gè)die一起出數(shù)據(jù)，效率大大提升。實(shí)際情況下可根據(jù)page的實(shí)際大小和die的實(shí)際數(shù)目配置lba形成page的方式，原理與上述例子類似。

lba形成page的方式，使寫數(shù)據(jù)以廣度優(yōu)先的方式平鋪在每個(gè)die上，后續(xù)順序讀數(shù)據(jù)時(shí)可充分發(fā)揮die的并行度，大大提升了性能。

以上所揭露的僅為本發(fā)明一種實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于本發(fā)明所涵蓋的范圍。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種提高固態(tài)硬盤順序讀性能的方法及固態(tài)硬盤，其特征在于將主機(jī)下發(fā)的順序?qū)懖僮靼凑諒V度優(yōu)先的方式將數(shù)據(jù)寫入到各個(gè)通道中，主機(jī)下發(fā)的順序讀操作轉(zhuǎn)換為并行從各個(gè)通道中讀出。通過將數(shù)據(jù)寫入時(shí)按照廣度優(yōu)先的方式，將順序地址的數(shù)據(jù)塊均勻的分發(fā)寫入到不同的通道中，保證了在順序讀取時(shí)可并行的從各個(gè)通道中并發(fā)的讀取數(shù)據(jù)，讀取速度具有較大的提升。

技術(shù)研發(fā)人員：許毅;姚蘭;鄭春陽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：記憶科技（深圳）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.24
技術(shù)公布日：2017.10.20