專利名稱：8位位寬和16位位寬內(nèi)存芯片兼容的內(nèi)存設(shè)備設(shè)計(jì)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種內(nèi)存設(shè)備設(shè)計(jì)方法，尤其是應(yīng)用在雙倍數(shù)據(jù)速率2 (DDR2)或者雙倍數(shù)據(jù)速率3 (DDR3)的內(nèi)存設(shè)備設(shè)計(jì)方法，屬于計(jì)算機(jī)內(nèi)存設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，內(nèi)存是ー個(gè)不可或缺的重要組成部分。內(nèi)存是決定系統(tǒng)性能的關(guān)鍵設(shè)備之一，它就像一個(gè)臨時(shí)的倉(cāng)庫(kù)，負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的中轉(zhuǎn)、暫存等。內(nèi)存是ー個(gè)系統(tǒng)概念，內(nèi)存系統(tǒng)包括內(nèi)存控制器與內(nèi)存設(shè)備。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，內(nèi)存控制器與內(nèi)存設(shè)備協(xié)同工作完成計(jì)算機(jī)對(duì)內(nèi)存的讀寫(xiě)等訪存操作。內(nèi)存控制器與內(nèi)存設(shè)備之間的通道叫內(nèi)存通道(Channel)。內(nèi)存通道的位寬指內(nèi)存控制器與內(nèi)存設(shè)備之間的內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)位寬，即內(nèi)存通道內(nèi)數(shù)據(jù)(DQ)線的總數(shù)量。內(nèi)存通道的位寬在業(yè)界比較常見(jiàn)的有8位、16位、32位、64位，其中32位和64位位寬的內(nèi)存通道最為常見(jiàn)。總位寬等于內(nèi)存通道的位寬的內(nèi)存芯片集合，稱為通道位寬集合(Rank)。內(nèi)存芯片也有自己的位寬，內(nèi)存芯片的位寬指內(nèi)存操作中單ー時(shí)刻，單個(gè)內(nèi)存芯片提供的數(shù)據(jù)位數(shù)。內(nèi)存芯片的位寬比較常見(jiàn)的有4位、8位、16位。4位位寬內(nèi)存芯片通常只應(yīng)用在大內(nèi)存，而8位和16位位寬內(nèi)存芯片在業(yè)界應(yīng)用最為常見(jiàn)。內(nèi)存設(shè)備必須要組成ー個(gè)內(nèi)存通道的位寬，整個(gè)內(nèi)存系統(tǒng)才能正常工作，即至少湊夠ー個(gè)通道位寬集合(Rank)。內(nèi)存設(shè)備通常都會(huì)由多個(gè)內(nèi)存芯片組成。ー個(gè)32位位寬的內(nèi)存通道，如果用8位位寬內(nèi)存芯片組成，需要使用4個(gè)來(lái)組成ー個(gè)通道位寬集合；如果用16位位寬內(nèi)存芯片組成，需要使用2個(gè)來(lái)組成ー個(gè)通道位寬集合。ー個(gè)64位位寬的內(nèi)存通道如果用8位位寬內(nèi)存芯片組成，需要使用8個(gè)來(lái)組成ー個(gè)通道位寬集合；如果用16位位寬內(nèi)存芯片組成，需要使用4個(gè)來(lái)組成ー個(gè)通道位寬集合。通常內(nèi)存通道的位寬確定后，使用的內(nèi)存芯片的位寬一旦確定，那么一個(gè)通道位寬集合需要內(nèi)存芯片的數(shù)量也是確定的。但是使用的內(nèi)存芯片的位寬不一樣，需要使用的內(nèi)存芯片的數(shù)量也不一樣。在同一個(gè)內(nèi)存控制器中，雖然可以使用不同的位寬的內(nèi)存芯片來(lái)組成內(nèi)存設(shè)備，但是通常在單個(gè)印制電路板(PCB)設(shè)計(jì)中，不能夠兼容不同位寬的內(nèi)存芯片的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決在單個(gè)印制電路板(PCB)設(shè)計(jì)中，不能夠兼容不同位寬的內(nèi)存芯片的應(yīng)用的問(wèn)題，本發(fā)明提供了ー種8位位寬和16位位寬內(nèi)存芯片兼容的內(nèi)存設(shè)備設(shè)計(jì)方法，采用高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法，讓同時(shí)支持32位和64位位寬內(nèi)存通道應(yīng)用的內(nèi)存控制器，在單個(gè)PCB設(shè)計(jì)中，同時(shí)兼容8位位寬內(nèi)存芯片及16位位寬內(nèi)存芯片的應(yīng)用。本發(fā)明方法主要包括如下步驟
步驟ー在原理圖設(shè)計(jì)中，將內(nèi)存控制器的64位位寬對(duì)應(yīng)的8個(gè)數(shù)據(jù)組對(duì)應(yīng)的信號(hào)線全部引出；步驟ニ 在原理圖設(shè)計(jì)中，ー個(gè)通道位寬集合，內(nèi)存設(shè)備使用4個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片的原理圖封裝；
步驟三在原理圖設(shè)計(jì)中，應(yīng)用高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法，完成內(nèi)存控制器及內(nèi)存設(shè)備之間的原理圖走線；
步驟四在印制電路板設(shè)計(jì)中，完成單個(gè)通道的4個(gè)內(nèi)存芯片布局，根據(jù)原理圖中導(dǎo)出的網(wǎng)表完成印制電路板走線設(shè)計(jì)；
步驟五進(jìn)行內(nèi)存芯片焊接；
步驟六在BIOS開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)中，完成內(nèi)存控制器的內(nèi)存通道的位寬配置。進(jìn)ー步，上述技術(shù)方案中，所述步驟三中高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法是指，每個(gè)內(nèi)存芯片連接兩個(gè)數(shù)據(jù)組，其中ー個(gè)數(shù)據(jù)組來(lái)自內(nèi)存通道的低32位，另外ー個(gè)數(shù)據(jù)組來(lái)自內(nèi)存通道的高32位。 進(jìn)ー步，所述步驟五中焊接內(nèi)存芯片時(shí)，采用8位及16位焊接對(duì)齊方法，即根據(jù)內(nèi)存芯片位寬及內(nèi)存應(yīng)用類型來(lái)決定內(nèi)存芯片焊接的方法，具體步驟為
查看內(nèi)存芯片的位寬，根據(jù)芯片位寬決定對(duì)齊方法
(1)若芯片位寬為16位，將內(nèi)存芯片的引腳與印制電路板封裝上的焊盤一一對(duì)齊焊
接；
(2)若芯片位寬為8位，則查看該內(nèi)存控制器是DDR2還是DDR3
如果是DDR2應(yīng)用，印制電路板封裝上，高位8位位寬對(duì)應(yīng)的ー個(gè)數(shù)據(jù)組的信號(hào)引腳及電源引腳對(duì)應(yīng)的4行焊盤不焊接，再將剩余行的焊盤與內(nèi)存芯片引腳對(duì)齊焊接；
如果是DDR3應(yīng)用，印制電路板封裝上，高位8位位寬對(duì)應(yīng)的ー個(gè)數(shù)據(jù)組的信號(hào)引腳及電源引腳對(duì)應(yīng)的3行焊盤不焊接，再將剩余行焊盤與內(nèi)存芯片引腳對(duì)齊焊接。進(jìn)ー步，所述步驟六中的位寬配置的具體方法為
(1)如果使用4個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片,那么內(nèi)存通道位寬配置為64位；
(2)如果使用4個(gè)8位位寬內(nèi)存芯片，那么內(nèi)存通道位寬配置為32位。本發(fā)明利用了 8位位寬的內(nèi)存芯片的印制電路板封裝(PCB Package)是16位位寬的內(nèi)存芯片的印制電路板封裝的一部分，即16位位寬的內(nèi)存芯片的印制電路板封裝在應(yīng)用中，焊接內(nèi)存芯片時(shí)，可以兼容使用8位及16位位寬的內(nèi)存芯片。印制電路板封裝，16位位寬的內(nèi)存芯片引腳行數(shù)會(huì)比8位位寬內(nèi)存芯片引腳行數(shù)多出若干行，而這多出來(lái)的若干行引腳恰好就是8位位寬對(duì)應(yīng)的ー個(gè)數(shù)據(jù)組(Lane)的信號(hào)引腳及電源引腳。在DDR2中多出的行數(shù)為4，在DDR3中多出的行數(shù)為3。本發(fā)明在內(nèi)存控制器的內(nèi)存通道同時(shí)支持32位和64位位寬應(yīng)用的同時(shí)，在單個(gè)PCB設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)既支持8位位寬內(nèi)存芯片應(yīng)用，又支持16位位寬內(nèi)存芯片應(yīng)用。本方法同時(shí)適用在DDR2與DDR3內(nèi)存設(shè)備設(shè)計(jì)中，且既可以應(yīng)用在單通道位寬集合設(shè)備，也可以應(yīng)用在多通道位寬集合設(shè)備。多通道位寬集合設(shè)備的設(shè)計(jì)方法和單通道位寬集合設(shè)備一祥，均由4個(gè)內(nèi)存芯片組成ー個(gè)通道位寬集合。


圖I是8位位寬和16位位寬內(nèi)存芯片兼容的內(nèi)存設(shè)備設(shè)計(jì)方法過(guò)程示意圖。圖2是64位位寬內(nèi)存通道的數(shù)據(jù)組分組情況示意圖。圖3是高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法示意圖。
圖4是8位及16位焊接對(duì)齊方法示意圖。圖5是DDR2的8位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝示意圖。圖6是DDR2的16位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝示意圖。圖7是DDR3的8位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝示意圖。圖8是DDR3的16位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明方法，在單個(gè)PCB設(shè)計(jì)中，實(shí)現(xiàn)兼容8位位寬內(nèi)存芯片應(yīng)用及16位位寬內(nèi)存芯片應(yīng)用，前提條件是內(nèi)存控制器同時(shí)支持32位和64位位寬內(nèi)存通道應(yīng)用。 目前在內(nèi)存的應(yīng)用中，內(nèi)存控制器中，32位和64位位寬的內(nèi)存通道比較常見(jiàn)；而組成內(nèi)存設(shè)備的內(nèi)存芯片中，8位和16位位寬內(nèi)存芯片在業(yè)界應(yīng)用最為常見(jiàn)。有些64位位寬內(nèi)存控制器在應(yīng)用中，內(nèi)存通道的位寬可以配置為64位使用，也可以設(shè)置為一半位寬的32位位寬使用。滿足這個(gè)條件的內(nèi)存控制器，采用本發(fā)明以后可以在單個(gè)PCB設(shè)計(jì)中，實(shí)現(xiàn)兼容8位位寬內(nèi)存芯片應(yīng)用及16位位寬內(nèi)存芯片應(yīng)用。圖I示出了 8位位寬和16位位寬內(nèi)存芯片兼容的內(nèi)存設(shè)備設(shè)計(jì)方法過(guò)程。如圖I所示，本發(fā)明方法的步驟如下
步驟ー在原理圖設(shè)計(jì)中，將內(nèi)存控制器的64位位寬對(duì)應(yīng)的8個(gè)數(shù)據(jù)組(Lane)對(duì)應(yīng)的信號(hào)線全部引出；
步驟ニ 在原理圖設(shè)計(jì)中，ー個(gè)通道位寬集合(Rank)，內(nèi)存設(shè)備使用4個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片的原理圖封裝；
應(yīng)用本發(fā)明方法設(shè)計(jì)的印制電路板，在應(yīng)用內(nèi)存芯片組成內(nèi)存設(shè)備時(shí)，單個(gè)內(nèi)存通道使用4個(gè)內(nèi)存芯片。如果使用4個(gè)8位位寬的內(nèi)存芯片，那么內(nèi)存控制器與內(nèi)存設(shè)備之間連通的是4個(gè)數(shù)據(jù)組(LaneO、LaneU Lane2、Lane3)，形成32位位寬內(nèi)存通道，此時(shí)將內(nèi)存控制器設(shè)置為32位位寬內(nèi)存通道應(yīng)用。如果使用4個(gè)16位位寬的內(nèi)存芯片，那么內(nèi)存控制器與內(nèi)存設(shè)備之間連通的是8個(gè)數(shù)據(jù)組(LaneO、Lane I、Lane2、Lane3、Lane4、Lane5、Lane6、Lane7)，形成64位位寬內(nèi)存通道，此時(shí)將內(nèi)存控制器設(shè)置為64位位寬內(nèi)存通道應(yīng)用。步驟三在原理圖設(shè)計(jì)中，應(yīng)用高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法，完成內(nèi)存控制器及內(nèi)存設(shè)備之間的原理圖走線。也就是說(shuō)，每個(gè)內(nèi)存芯片連接兩個(gè)數(shù)據(jù)組(Lane)，其中一個(gè)數(shù)據(jù)組來(lái)自內(nèi)存通道的低32位(DQ(TDQ31)，另外ー個(gè)數(shù)據(jù)組來(lái)自內(nèi)存通道的高32位(DQ32 DQ63)；
步驟四在印制電路板(PCB)設(shè)計(jì)中，完成單個(gè)通道的4個(gè)內(nèi)存芯片布局，并根據(jù)原理圖中導(dǎo)出的網(wǎng)表完成印制電路板(PCB)走線設(shè)計(jì)；這里，內(nèi)存芯片的印制電路板封裝使用16位位寬內(nèi)存芯片的印制電路板封裝；
步驟五在焊接內(nèi)存芯片時(shí)，應(yīng)用8位及16位焊接對(duì)齊方法完成內(nèi)存芯片焊接。即根據(jù)內(nèi)存芯片位寬及內(nèi)存應(yīng)用類型(DDR2或DDR3)決定內(nèi)存芯片焊接方法；
步驟六在基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)中，完成內(nèi)存控制器的內(nèi)存通道的位寬配置。本發(fā)明方法針對(duì)支持32位和64位位寬內(nèi)存通道(Channel)應(yīng)用的內(nèi)存控制器，該內(nèi)存控制器本身總位寬為64位。64位位寬對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，包括8個(gè)數(shù)據(jù)組，即LaneO、LaneI、Lane2、Lane^Λ Lane4、Lane5、LaneoΛ LaneZ0圖2示出了 64位位寬內(nèi)存通道的數(shù)據(jù)組分組情況。如圖2所示，每個(gè)數(shù)據(jù)組包括8個(gè)數(shù)據(jù)(DQ)、1個(gè)數(shù)據(jù)選通正(DQS+)、I個(gè)數(shù)據(jù)選通負(fù)(DQS-)、I個(gè)數(shù)據(jù)掩碼(DM )。64位位寬內(nèi)存通道的8個(gè)數(shù)據(jù)組，其中LaneO、Lane I、Lane2、Lane3這4個(gè)數(shù)據(jù)組為低32位(DQO DQ31), Lane4、Lane5、Lane6、Lane7這4個(gè)數(shù)據(jù)組為高32 位(DQ32 DQ63)。原理圖設(shè)計(jì)中，單個(gè)內(nèi)存通道，內(nèi)存設(shè)備使用4個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片的原理圖封裝。原因是本發(fā)明方法是巧妙在64位位寬應(yīng)用的4個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片位置上，也可以放上4個(gè)8位位寬內(nèi)存芯片，組成32位位寬應(yīng)用。圖3是高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法的ー個(gè)示意圖。 如圖3所示，高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法中，每個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片連接控制器連出的兩個(gè)數(shù)據(jù)組，其中一個(gè)數(shù)據(jù)組來(lái)自內(nèi)存通道的低32位(DQ(TDQ31)，另外ー個(gè)數(shù)據(jù)組來(lái)自內(nèi)存通道的高32位(DQ32 DQ63)。在圖3示意圖中
第一個(gè)內(nèi)存芯片連接內(nèi)存控制器連出的數(shù)據(jù)組LaneO、Lane4,
第二個(gè)內(nèi)存芯片連接內(nèi)存控制器連出的數(shù)據(jù)組Lanel、Lane5,
第三個(gè)內(nèi)存芯片連接內(nèi)存控制器連出的數(shù)據(jù)組Lane2、Lane6，
第四個(gè)內(nèi)存芯片連接內(nèi)存控制器連出的數(shù)據(jù)組Lane3、Lane7，
圖3僅僅是示意圖,在高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法中，LaneO、Lanel、Lane2、Lane3之間可以相互對(duì)換，Lane4、Lane5、Lane6、Lane7之間也可以相互對(duì)換。圖4示出了 8位及16位焊接對(duì)齊方法。如圖4所示，應(yīng)用8位及16位焊接對(duì)齊方法，在該焊接方法中，不考慮內(nèi)存芯片的印制電路板封裝中外圍的固定引腳(SupportPad),以及內(nèi)存芯片的外圍的固定引腳(Support Pin),具體對(duì)齊方法如下
查看內(nèi)存芯片的位寬，根據(jù)芯片位寬決定對(duì)齊方法
(1)若芯片位寬為16位，因?yàn)?6位位寬內(nèi)存芯片的引腳與印制電路板封裝上的焊盤(Pad)是對(duì)應(yīng)的，行數(shù)一祥，因此將內(nèi)存芯片的引腳與印制電路板封裝上的焊盤對(duì)齊焊接便可；
(2)若芯片位寬為8位，查看該內(nèi)存控制器是哪種應(yīng)用，是DDR2還是DDR3
如果是DDR2應(yīng)用，印制電路板封裝上，高位8位位寬對(duì)應(yīng)的ー個(gè)數(shù)據(jù)組的信號(hào)引腳及電源引腳對(duì)應(yīng)的4行焊盤不焊接，再將剩余行的焊盤(Pad)與內(nèi)存芯片引腳對(duì)齊焊接；如果是DDR3應(yīng)用，印制電路板封裝上，高位8位位寬對(duì)應(yīng)的ー個(gè)數(shù)據(jù)組的信號(hào)引腳及電源引腳對(duì)應(yīng)的3行焊盤不焊接，再將剩余行焊盤與內(nèi)存芯片引腳對(duì)齊焊接。圖5示出了 DDR2的8位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝。如圖5所示，8位及16位焊接對(duì)齊方法中提及的，DDR2的8位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝，內(nèi)存芯片引腳行數(shù)為11行。圖6示出了 DDR2的16位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝。如圖6所示，8位及16位焊接對(duì)齊方法中提及的，DDR2的16位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝，內(nèi)存芯片引腳行數(shù)為15行，比DDR2的8位位寬內(nèi)存芯片引腳行數(shù)多4。圖6中用方框單獨(dú)框出來(lái)的就是16位位寬內(nèi)存芯片比8位位寬內(nèi)存芯片多出的4行，這4行對(duì)應(yīng)引腳的信號(hào)為來(lái)自高32位位寬的ー個(gè)數(shù)據(jù)組的信號(hào)引腳及電源引腳。圖7示出了 DDR3的8位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝。如圖7所示，8位及16位焊接對(duì)齊方法中提及的，DDR3的8位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝，內(nèi)存芯片引腳行數(shù)為13行。圖8示出了 DDR3的16位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝。如圖8所示，8位及16位焊接對(duì)齊方法中提及的，DDR3的16位位寬內(nèi)存芯片印制電路板封裝，內(nèi)存芯片引腳行數(shù)為16行，比DDR3的8位位寬內(nèi)存芯片引腳行數(shù)多3。圖8中用方框單獨(dú)框出來(lái)的就是16位位寬內(nèi)存芯片比8位位寬內(nèi)存芯片多出的3行。這3行對(duì) 應(yīng)引腳的信號(hào)為來(lái)自高32位位寬的ー個(gè)數(shù)據(jù)組的大部分信號(hào)引腳及電源引腳。需要注意，來(lái)自高32位位寬的ー個(gè)數(shù)據(jù)組中有兩個(gè)信號(hào)引腳DMU、DQUO分布在這3行以外的其他行中，也就是在DDR3的8位位寬內(nèi)存芯片中也有這兩個(gè)引腳，只是在DDR3的8位位寬內(nèi)存芯片中為不連接(NC)。在基本輸入輸出系統(tǒng)(BIOS)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)中，內(nèi)存控制器的內(nèi)存通道位寬配置時(shí)，依據(jù)使用的內(nèi)存芯片的位寬
(I)如果使用4個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片，那么內(nèi)存通道位寬配置為64位。(2)如果使用4個(gè)8位位寬內(nèi)存芯片，那么內(nèi)存通道位寬配置為32位。本發(fā)明方法是針對(duì)單個(gè)的通道位寬集合(Rank)設(shè)備應(yīng)用進(jìn)行描述，但多通道位寬集合設(shè)備也適用本方法。本發(fā)明默認(rèn)單個(gè)通道位寬集合采用同一款內(nèi)存芯片組成，不考慮單個(gè)通道位寬集合中應(yīng)用多種不同位寬的內(nèi)存芯片組合而成的情況。
權(quán)利要求
1.ー種8位位寬和16位位寬內(nèi)存芯片兼容的內(nèi)存設(shè)備設(shè)計(jì)方法，其特征在于，包括如下步驟 步驟ー在原理圖設(shè)計(jì)中，將內(nèi)存控制器的64位位寬對(duì)應(yīng)的8個(gè)數(shù)據(jù)組對(duì)應(yīng)的信號(hào)線全部引出； 步驟ニ在原理圖設(shè)計(jì)中，ー個(gè)通道位寬集合，內(nèi)存設(shè)備使用4個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片的原理圖封裝； 步驟三在原理圖設(shè)計(jì)中，應(yīng)用高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法，完成內(nèi)存控制器及內(nèi)存設(shè)備之間的原理圖走線； 步驟四在印制電路板設(shè)計(jì)中，完成單個(gè)通道的4個(gè)內(nèi)存芯片布局，根據(jù)原理圖中導(dǎo)出的網(wǎng)表完成印制電路板走線設(shè)計(jì)； 步驟五進(jìn)行內(nèi)存芯片焊接； 步驟六在BIOS開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)中，完成內(nèi)存控制器的內(nèi)存通道的位寬配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征是，所述步驟三中高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法是指，每個(gè)內(nèi)存芯片連接兩個(gè)數(shù)據(jù)組，其中一個(gè)數(shù)據(jù)組來(lái)自內(nèi)存通道的低32位，另外ー個(gè)數(shù)據(jù)組來(lái)自內(nèi)存通道的高32位。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征是，所述步驟五中焊接內(nèi)存芯片時(shí)，采用8位及16位焊接對(duì)齊方法，即根據(jù)內(nèi)存芯片位寬及內(nèi)存應(yīng)用類型來(lái)決定內(nèi)存芯片焊接的方法，具體步驟為 查看內(nèi)存芯片的位寬，根據(jù)芯片位寬決定對(duì)齊方法 (1)若芯片位寬為16位，將內(nèi)存芯片的引腳與印制電路板封裝上的焊盤——對(duì)齊焊接； (2)若芯片位寬為8位，則查看該內(nèi)存控制器是DDR2還是DDR3 如果是DDR2應(yīng)用，印制電路板封裝上，高位8位位寬對(duì)應(yīng)的ー個(gè)數(shù)據(jù)組的信號(hào)引腳及電源引腳對(duì)應(yīng)的4行焊盤不焊接，再將剩余行的焊盤與內(nèi)存芯片引腳對(duì)齊焊接； 如果是DDR3應(yīng)用，印制電路板封裝上，高位8位位寬對(duì)應(yīng)的ー個(gè)數(shù)據(jù)組的信號(hào)引腳及電源引腳對(duì)應(yīng)的3行焊盤不焊接，再將剩余行焊盤與內(nèi)存芯片引腳對(duì)齊焊接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征是，所述步驟六中的位寬配置的具體方法為 (1)如果使用4個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片,那么內(nèi)存通道位寬配置為64位； (2)如果使用4個(gè)8位位寬內(nèi)存芯片，那么內(nèi)存通道位寬配置為32位。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種8位位寬和16位位寬內(nèi)存芯片兼容的內(nèi)存設(shè)備設(shè)計(jì)方法，主要包含以下幾步首先在原理圖設(shè)計(jì)中，將內(nèi)存控制器的64位位寬對(duì)應(yīng)的8個(gè)數(shù)據(jù)組的信號(hào)線全部引出；對(duì)于一個(gè)通道位寬集合，內(nèi)存設(shè)備使用4個(gè)16位位寬內(nèi)存芯片的原理圖封裝；應(yīng)用高低位數(shù)據(jù)組結(jié)合的連線方法，完成內(nèi)存控制器及內(nèi)存設(shè)備之間的原理圖走線；在PCB設(shè)計(jì)中完成單個(gè)通道的4個(gè)內(nèi)存芯片布局；完成內(nèi)存芯片焊接；在BIOS設(shè)計(jì)中，完成內(nèi)存控制器的內(nèi)存通道的位寬配置。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在內(nèi)存控制器的內(nèi)存通道同時(shí)支持32位和64位位寬應(yīng)用的同時(shí)，在單個(gè)PCB設(shè)計(jì)中同時(shí)支持8位與16位位寬內(nèi)存芯片的應(yīng)用。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102693337SQ20121014445
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月11日
發(fā)明者吳少剛, 周國(guó)強(qiáng), 張斌, 張福新, 鄧銘 申請(qǐng)人:江蘇中科夢(mèng)蘭電子科技有限公司