專利名稱：一種軟啟動的電壓調(diào)整電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及模擬電源技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種軟啟動的電壓調(diào)整電路。
背景技術(shù)：
在一般的電壓穩(wěn)定電路中，經(jīng)常采用PMOS管作為驅(qū)動電路，如圖1所示，在驅(qū)動相同電流的情況下，其電路面積是NMOS管的2.5倍以上，同時，采用PMOS管時，電路中還需要包含有基準電壓源和誤差放大器，其電路穩(wěn)定性和啟動的可靠性較差，輸出電壓不穩(wěn)定，需要加入用以穩(wěn)定電壓的電路，增加了電路面積，同時在超過12V以上的高壓應(yīng)用中，必然需要使用后柵樣的器件和工藝，從而導(dǎo)致面積的進一步增加和工件更加復(fù)雜化，整個電路面積大，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，制作成本高
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其電路面積小，結(jié)構(gòu)較簡單，降低了成本的同時輸出電壓穩(wěn)定性高、啟動可靠性好。其技術(shù)方案是這樣的:一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其包括電源VDD，電阻R1，其特征在于，其還包括第一鉗位電路、第二鉗位電路、第一 NMOS管、反饋電路，所述第一鉗位電路包括第二 NMOS管和電阻R2，所述第二鉗位電路包括第三NMOS管和電阻R3，所述第二NMOS管的漏端分別連接所述電阻R3 —端和所述電阻R2 —端、柵端分別連接所述電阻R2另一端和所述電阻Rl —端，所述電阻Rl另一端分別連接所述電源VDD和所述第一 NMOS管的漏端，所述第一 NMOS管的源端連接電壓輸出端、柵端分別連接所述電阻R3另一端和所述第三NMOS管的漏端，所述第二鉗位電路包括柵端與漏端相連的NMOS管，所述NMOS管的漏端分別連接所述第二 NMOS管的源端和所述第三NMOS管的柵端、源端與所述第三NMOS管的源端共同接地。其進一步特征在于，所述第二鉗位電路的NMOS管和所述第一鉗位電路的第二NMOS管之間還包括PMOS管，所述PMOS管的柵端和漏端相連，所述PMOS管的源端與所述第二 NMOS管的源端相連、漏端與所述第二鉗位電路中的NMOS管的漏端相連，所述NMOS管的源端接地；所述第二鉗位電路中可以包括多個所述PMOS管串聯(lián)；所述第二鉗位電路中可以包括多個所述NMOS管串聯(lián)；所述第二鉗位電路包括兩個串聯(lián)的第四、第五PMOS管，四個串聯(lián)的第六、第七、第八、第九NMOS管，所述第四PMOS管的源端與所述第二 NMOS管的源端相連，所述第五PMOS管的漏端與所述第六NMOS管的漏端相連，所述第九NMOS管的源端接地；所述第二鉗位電路的NMOS管、PMOS管分別最多為十個串聯(lián)。采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)后，通過設(shè)置有第一 NMOS管、第一鉗位電路、第二鉗位電路，采用NMOS管后無需使用基準電壓源和誤差放大器，結(jié)構(gòu)簡單，大大減小了電路的面積，降低了成本，同時在第一 NMOS管和第一鉗位電路、第二鉗位電路之間設(shè)置包括電阻R3和第二NMOS管組成的反饋電路，可以大大提高電路中電壓的穩(wěn)定性，啟動過程中可靠性好。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)電路 圖2為本發(fā)明第一實施例電路 圖3為本發(fā)明第二實施例電路圖。
具體實施例方式如圖2所示，一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其包括電源VDD，電阻R1，其還包括第一鉗位電路、第二鉗位電路、第一 NMOS管、反饋電路，第一鉗位電路包括第二 NMOS管麗2和電阻R2，第二鉗位電路包括第三NMOS管麗3和電阻R3，第二 NMOS管麗2的漏端分別連接電阻R3—端和電阻R2 —端、柵端分別連接電阻R2另一端和電阻Rl —端，電阻Rl另一端分別連接電源VDD和第一 NMOS管麗I的漏端，第一 NMOS管麗I的源端連接電壓輸出端Vout、柵端分別連接電阻R3另一端和第三NMOS管MN3的漏端，第二鉗位電路包括柵端與漏端相連的第六NMOS管MN6，第六NMOS管MN6的漏端分別連接第二 NMOS管MN2的源端和第三NMOS管MN3的柵端、源端與第三NMOS管MN3的源端共同接地GND。第二鉗位電路的第六NMOS管MN6和第一鉗位電路的第二 NMOS管麗2之間還包括PMOS管，PMOS管的柵端和漏端相連，PMOS管的源端與第二 NMOS管MN2的源端相連、漏端與第二鉗位電路中的第六NMOS管MN6的漏端相連，第二鉗位電路中可以包括多個PMOS管串聯(lián)，第二鉗位電路中可以包括多個NMOS管串聯(lián)。見圖3所示，第二鉗位電路包括兩個串聯(lián)的第四、第五PMOS管MP4、MP5，四個串聯(lián)的第六、第七、第八、第九NMOS管MN6、MN7、MN8、MN9，第四PMOS管MP4的源端與第二 NMOS管MN2的源端相連，第五PMOS管MP5的漏端與第六NMOS管MN6的漏端相連，第九NMOS管MN9的漏端連接第三NMOS管MN3的柵端，第九NMOS管MN9的源端和第三NMOS管MN3的源端共同接地GND，第二鉗位電路的NMOS管、PMOS管分別最多為十個串聯(lián)，第二鉗位電路中串聯(lián)多個NMOS管或PMOS管，可以增加電路的穩(wěn)定性，但串聯(lián)過多時容易使 電路面積過大，電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。
權(quán)利要求
1.一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其包括電源VDD，電阻Rl，其特征在于，其還包括第一鉗位電路、第二鉗位電路、第一 NMOS管、反饋電路，所述第一鉗位電路包括第二 NMOS管和電阻R2，所述第二鉗位電路包括第三NMOS管和電阻R3，所述第二 NMOS管的漏端分別連接所述電阻R3 —端和所述電阻R2 —端、柵端分別連接所述電阻R2另一端和所述電阻Rl —端，所述電阻Rl另一端分別連接所述電源VDD和所述第一 NMOS管的漏端，所述第一 NMOS管的源端連接電壓輸出端、柵端分別連接所述電阻R3另一端和所述第三NMOS管的漏端，所述第二鉗位電路包括柵端與漏端相連的NMOS管，所述NMOS管的漏端分別連接所述第二 NMOS管的源端和所述第三NMOS管的柵端、源端與所述第三NMOS管的源端共同接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其特征在于，所述第二鉗位電路的NMOS管和所述第一鉗位電路的第二 NMOS管之間還包括PMOS管，所述PMOS管的柵端和漏端相連，所述PMOS管的源端與所述第二 NMOS管的源端相連、漏端與所述第二鉗位電路中的NMOS管的漏端相連，所述NMOS管的源端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其特征在于，所述第二鉗位電路中可以包括多個所述PMOS管串聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其特征在于，所述第二鉗位電路中可以包括多個所述NMOS管串聯(lián)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其特征在于，所述第二鉗位電路包括兩個串聯(lián)的第四、第五PMOS管，四個串聯(lián)的第六、第七、第八、第九NMOS管，所述第四PMOS管的源端與所述第二 NMOS管的源端相連，所述第五PMOS管的漏端與所述第六NMOS管的漏端相連，所述第九NMOS管的源端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其特征在于，所述第二鉗位電路的NMOS管、PMOS管分別最 多為十個串聯(lián)。
全文摘要
本發(fā)明涉及模擬電源技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種軟啟動的電壓調(diào)整電路，其電路面積小，結(jié)構(gòu)較簡單，降低了成本的同時輸出電壓穩(wěn)定性高、啟動可靠性好，其包括電源VDD，電阻R1，其還包括第一鉗位電路、第二鉗位電路、第一NMOS管、反饋電路，第一鉗位電路包括第二NMOS管和電阻R2，第二鉗位電路包括第三NMOS管和電阻R3，第二NMOS管的漏端分別連接電阻R3一端和電阻R2一端、柵端分別連接電阻R2另一端和電阻R1一端，電阻R1另一端分別連接電源VDD和第一NMOS管的漏端，第一NMOS管的源端連接電壓輸出端、柵端分別連接電阻R3另一端和第三NMOS管的漏端，第二鉗位電路包括柵端與漏端相連的NMOS管，NMOS管的漏端分別連接第二NMOS管的源端和第三NMOS管的柵端、源端與第三NMOS管的源端共同接地。
文檔編號G05F1/56GK103218001SQ20131012900
公開日2013年7月24日 申請日期2013年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月15日
發(fā)明者李兆桂 申請人:無錫普雅半導(dǎo)體有限公司