在多個(gè)表面上具有天線觸點(diǎn)的rfid集成電路和標(biāo)簽的制作方法
【專利摘要】實(shí)施例涉及具有電耦合到第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)的第一電路模塊的射頻識(shí)別(RFID)集成電路(IC)。所述第一天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述IC的第一表面上，所述第二天線觸點(diǎn)設(shè)置在不同于所述IC的所述第一表面的第二表面上。所述第一天線觸點(diǎn)與所述第二天線觸點(diǎn)電斷開。
【專利說明】在多個(gè)表面上具有天線觸點(diǎn)的RFID集成電路和標(biāo)簽
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求在2012年4月11日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)系列號(hào)N0.61/623，016的權(quán)益。該臨時(shí)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容整體結(jié)合在此作為參考。
[0003]本申請(qǐng)要求2012年8月9日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)系列號(hào)N0.61/681，305的權(quán)益。該臨時(shí)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容整體結(jié)合在此作為參考。
[0004]可發(fā)現(xiàn)本申請(qǐng)與于2012年5月29日頒證的美國專利N0.8，188，927相關(guān)，該美國專利的整體結(jié)合在此作為參考。
[0005]可發(fā)現(xiàn)本申請(qǐng)與于2012年5月8日頒證的美國專利N0.8，174，367相關(guān)，該美國專利的整體結(jié)合在此作為參考。
[0006]可發(fā)現(xiàn)本申請(qǐng)與于2012年7月24日頒證的美國專利N0.8，228，175相關(guān)，該美國專利的整體結(jié)合在此作為參考。
[0007]可發(fā)現(xiàn)本申請(qǐng)與于2009年I月27日頒證的美國專利N0.7，482，251相關(guān)，該美國專利的整體結(jié)合在此作為參考。

【背景技術(shù)】
[0008]射頻識(shí)別(RFID)系統(tǒng)通常包含RFID讀取器，該讀取器也被稱為RFID讀取/寫入器或RFID詢問器以及RFID標(biāo)簽。RFID系統(tǒng)可用于盤存、定位、識(shí)別、認(rèn)證、配置、啟用/禁用以及監(jiān)測(cè)物品。RFID標(biāo)簽附聯(lián)到上述物品上或嵌入這些物品。RFID系統(tǒng)在零售領(lǐng)域可用于盤存和跟蹤物品；在消費(fèi)工業(yè)電子領(lǐng)域可用于配置、監(jiān)測(cè)物品；在安全領(lǐng)域可用于防止物品損失或失竊；在防偽領(lǐng)域可用于確保物品真實(shí)性；在其他各種領(lǐng)域也有多種應(yīng)用。
[0009]RFID系統(tǒng)通過RFID讀取器使用射頻(RF)波詢問一個(gè)或多個(gè)標(biāo)簽來操作。RF波通常是電磁波，至少在遠(yuǎn)場(chǎng)是電磁波。RF波在近場(chǎng)主要也是電波或磁波。RF波可以編碼一條或多條指示標(biāo)簽執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)動(dòng)作的命令。
[0010]感測(cè)詢問RF波的標(biāo)簽可以通過發(fā)回的響應(yīng)RF波(響應(yīng))進(jìn)行響應(yīng)。標(biāo)簽可以原始地產(chǎn)生響應(yīng)，也可以通過在稱為背向散射的過程中反射回詢問RF波的一部分來產(chǎn)生響應(yīng)。背向散射可以以多種方式發(fā)生。
[0011]讀取器接收、解調(diào)并解碼響應(yīng)。經(jīng)解碼的響應(yīng)可以包含存儲(chǔ)在標(biāo)簽中的數(shù)據(jù)，例如:序列號(hào)、價(jià)格、日期、時(shí)間、目的地、加密消息、電子簽名、其它數(shù)據(jù)、標(biāo)簽數(shù)據(jù)的任意組合等。經(jīng)解碼的響應(yīng)也可以包含關(guān)于標(biāo)簽或物品的狀態(tài)信息或?qū)傩裕T如標(biāo)簽狀態(tài)消息、物品狀態(tài)消息、配置數(shù)據(jù)等。
[0012]RFID標(biāo)簽通常包含天線和RFID集成電路(1C)，該RFID IC含有無線電部分、功率管理部分并通常包含邏輯部分和/或存儲(chǔ)器。在一些RFID IC中，邏輯部分可以包含加密算法，該算法可以依賴存儲(chǔ)于標(biāo)簽存儲(chǔ)器中的一個(gè)或多個(gè)密碼或密鑰。在較早的RFID標(biāo)簽中，功率管理部分通常使用諸如電池那樣的儲(chǔ)能器件。具有儲(chǔ)能器件的RFID標(biāo)簽被稱作電池輔助型標(biāo)簽、半有源標(biāo)簽或有源標(biāo)簽。半導(dǎo)體技術(shù)取得的進(jìn)展大大提高了 IC電子學(xué)的微型化程度，使得RFID標(biāo)簽?zāi)軌騼H由該標(biāo)簽接收的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。不包含儲(chǔ)能器件的RFID標(biāo)簽稱為無源標(biāo)簽。當(dāng)然，無源標(biāo)簽甚至通常也包含諸如電容器和電感器之類的臨時(shí)能量-數(shù)據(jù)/標(biāo)志儲(chǔ)存元件。
[0013]通常的RFID標(biāo)簽中，IC電耦合至天線，該天線進(jìn)而設(shè)置于襯底上。伴隨著技術(shù)不斷進(jìn)步并且IC尺寸不斷收縮，將IC組裝、對(duì)準(zhǔn)并耦合到天線上面臨著挑戰(zhàn)。
[0014]簡(jiǎn)要概述
[0015]提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
以便以簡(jiǎn)化形式介紹將在以下【具體實(shí)施方式】中進(jìn)一步描述的概念的選擇。本概述并不旨在標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。
[0016]通常RFID IC通過位于IC單個(gè)表面上的兩個(gè)或以上天線觸點(diǎn)電耦合至天線，兩個(gè)或以上天線觸點(diǎn)在該IC組裝到天線上時(shí)耦合到該兩個(gè)或以上天線端子。這種耦合可以是面朝下的，即通過將IC面朝下置于天線端子上使得天線觸點(diǎn)電耦合到天線端子。這種面朝下的情形涉及在組裝過程中將天線觸點(diǎn)與天線端子對(duì)準(zhǔn)以及在天線觸點(diǎn)和天線端子之間建立電(直流、容性或感性)連接。電耦合也可以是面朝上的，即通過將IC面朝上置于襯底上并在天線觸點(diǎn)和天線端子之間附連接合線。這種面朝上的情形涉及將接合線從天線觸點(diǎn)附連到天線端子。因?yàn)樘炀€觸點(diǎn)位于IC的單個(gè)表面上，隨著IC尺寸收縮，通常觸點(diǎn)的尺寸(每個(gè)觸點(diǎn)的面積)和觸點(diǎn)的間距(觸點(diǎn)間的距離)也隨之收縮。這種收縮增加了將天線觸點(diǎn)耦合到天線端子的成本，在面朝下的情形中，原因在于對(duì)準(zhǔn)容差；在面朝上的情形中，原因在于接合線附連容差。這兩種情形都涉及成本高昂的復(fù)雜組裝機(jī)器。在IC和天線之間使用諸如帶或內(nèi)插器的中間元件并不能減輕該問題，因?yàn)殡S之產(chǎn)生的IC對(duì)準(zhǔn)到帶的問題成為了瓶頸。
[0017]實(shí)施例涉及將天線觸點(diǎn)置于IC的不同表面，使用天線并將天線端子電耦合到不同表面的組裝方法。例如，一個(gè)觸點(diǎn)可以設(shè)置在IC的一個(gè)表面上，另一個(gè)觸點(diǎn)可以設(shè)置在該IC的相對(duì)表面上。使用多個(gè)IC表面為天線觸點(diǎn)增加了有效面積，并在天線觸點(diǎn)間提供了自然分隔。結(jié)果得以簡(jiǎn)化，并且使將IC組裝到天線上成本也更低。
[0018]實(shí)施例還涉及具有第一天線觸點(diǎn)、第二天線觸點(diǎn)和電耦合在第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)之間的第一電路模塊的RFID 1C。第一天線觸點(diǎn)設(shè)置在IC的第一表面上，第二天線觸點(diǎn)設(shè)置在不同于該IC的第一表面的第二表面上。第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)是彼此電斷開的，盡管在有些實(shí)施例中，第一電路模塊能夠在兩個(gè)天線觸點(diǎn)間實(shí)現(xiàn)電連接和電斷開。兩個(gè)元件間存在低阻抗電路徑時(shí)認(rèn)為它們是電連接的，而不存在這樣的低阻抗電路徑時(shí)認(rèn)為它們是電斷開的。當(dāng)然，在電斷開的天線觸點(diǎn)之間總是不可避免地存在雜散容性耦合或感性耦合，而這種電斷開的目的是相比電連接路徑，將該雜散耦合最小化到可忽略的水平。
[0019]實(shí)施例還涉及制造RFID IC的方法。該方法包括:在IC的第一表面上形成第一天線觸點(diǎn)，在不同于IC的第一表面的第二表面形成第二天線觸點(diǎn)，并將第一電路模塊電耦合到第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)。
[0020]實(shí)施例還涉及從具有設(shè)置在IC第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和設(shè)置在不同于IC第一表面的第二表面上的第二天線觸點(diǎn)的RFID IC生成RF響應(yīng)(響應(yīng)的RF波)的方法。該方法包括:提供在響應(yīng)中被編碼的數(shù)據(jù)，通過導(dǎo)電襯底電連接并電斷開第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)來產(chǎn)生響應(yīng)。
[0021]實(shí)施例還涉及具有RFID IC的RFID標(biāo)簽，該RFID IC具有設(shè)置在IC第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和設(shè)置在不同于IC第一表面上的第二表面上的第二天線觸點(diǎn)。該標(biāo)簽包含具有電耦合到第一天線觸點(diǎn)的第一天線段和電耦合到第二天線觸點(diǎn)的第二天線段的襯底。
[0022]實(shí)施例還涉及包含RFID IC的RFID標(biāo)簽的部分，該RFID IC具有設(shè)置在IC第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和設(shè)置在不同于IC第一表面上的第二表面上的第二天線觸點(diǎn)以及設(shè)置在不導(dǎo)電材料表面上的導(dǎo)電材料層。第一天線觸點(diǎn)電耦合到導(dǎo)電材料層上使得導(dǎo)電材料層和第二天線觸點(diǎn)形成經(jīng)配置用于與天線耦合的天線端口。
[0023]實(shí)施例還涉及制造RFID標(biāo)簽的方法。該方法包括:將具有設(shè)置在IC的第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和設(shè)置在不同于IC第一表面的第二表面上的第二天線觸點(diǎn)的RFID IC分配到標(biāo)簽襯底上，使得第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)中的至少一個(gè)電耦合到襯底上的天線段。
[0024]通過閱讀下面的詳細(xì)描述并參考相關(guān)聯(lián)的附圖，這些及其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見?？梢岳斫?，前述一般描述和以下詳細(xì)描述均僅是說明性的，且不限制所要求保護(hù)的本發(fā)明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]下列詳細(xì)描述參考附圖，其中:
[0026]圖1是RFID系統(tǒng)的組件的框圖。
[0027]圖2是示出諸如可用于圖1所示系統(tǒng)的標(biāo)簽?zāi)菢拥牡臒o源RFID標(biāo)簽的組件的圖。
[0028]圖3是用于解釋圖1所示的RFID系統(tǒng)組件間半雙工模式的概念圖。
[0029]圖4是示出諸如圖2所示的RFID IC那樣的RFID IC細(xì)節(jié)的框圖。
[0030]圖5A和5B示出圖4所示框圖中標(biāo)簽到讀取器及讀取器到標(biāo)簽之間通信的信號(hào)路徑。
[0031]圖6是在兩個(gè)表面上具有天線觸點(diǎn)的IC(雙面IC)的概念圖。
[0032]圖7是根據(jù)實(shí)施例的接觸多個(gè)天線端子的雙面IC的概念圖。
[0033]圖8示出根據(jù)實(shí)施例的使用大天線觸點(diǎn)的IC配置。
[0034]圖9A-B是根據(jù)實(shí)施例的對(duì)準(zhǔn)到襯底上的RFID IC的俯視圖和截面圖。
[0035]圖10A-D示出根據(jù)實(shí)施例的接觸多個(gè)天線端子的雙面IC的不同配置。
[0036]圖1lA-C示出根據(jù)實(shí)施例的接觸多個(gè)天線端子的雙面IC的進(jìn)一步配置。
[0037]圖12A-C示出根據(jù)實(shí)施例的在標(biāo)簽襯底上的雙面IC的不同配置。
[0038]圖13A-C示出根據(jù)實(shí)施例的用于將雙面IC分配到標(biāo)簽襯底上的不同方法。
[0039]圖14示出根據(jù)實(shí)施例的非方形雙面1C。
[0040]圖15A-C示出根據(jù)實(shí)施例的接觸天線端子的雙面IC的側(cè)面剖視圖。
[0041]圖16A-C示出根據(jù)實(shí)施例的電耦合到IC不同表面上的天線觸點(diǎn)的雙面IC中的整流器的側(cè)面剖視圖。
[0042]圖17示出根據(jù)實(shí)施例的用于減少雙面IC和天線端子之間電容變化的穩(wěn)定層。
[0043]圖18A-C示出耦合到IC不同表面上的觸點(diǎn)的雙差分雙面IC中的整流器的側(cè)面剖視圖。
[0044]圖19A-B示出雙面IC晶片測(cè)試系統(tǒng)的概念圖。
[0045]圖20是示出根據(jù)實(shí)施例的來自RFID讀取器的命令及來自大量RFID標(biāo)簽的響應(yīng)以用于讀取標(biāo)簽第一碼和第二碼的組合的時(shí)序圖。
[0046]圖21A-B示出根據(jù)實(shí)施例的包含調(diào)諧電路的RFID標(biāo)簽的前端等效電路。
[0047]圖22是根據(jù)實(shí)施例的RFID標(biāo)簽調(diào)諧過程的流程圖。
[0048]圖23是根據(jù)實(shí)施例的自串行化前后RFID標(biāo)簽的IC狀態(tài)圖。
[0049]圖24是根據(jù)實(shí)施例的標(biāo)簽IC自串行化過程的流程圖。
[0050]圖25是根據(jù)實(shí)施例的在標(biāo)簽IC中形成的電路的組件的框圖。
[0051]圖26是示出根據(jù)實(shí)施例的標(biāo)簽如何能夠處于不同性能狀態(tài)中的一種狀態(tài)的概念圖。
[0052]圖27示出將暴露的標(biāo)簽存儲(chǔ)器從私有狀態(tài)轉(zhuǎn)化為公共狀態(tài)及從公共狀態(tài)轉(zhuǎn)化為私有狀態(tài)。
[0053]圖28是示出根據(jù)實(shí)施例的廣播刷新作為時(shí)間的函數(shù)對(duì)標(biāo)簽標(biāo)志物理參數(shù)的影響。
[0054]詳細(xì)描述
[0055]在以下詳細(xì)描述中，參考了構(gòu)成詳細(xì)描述的一部分并作為說明示出了各【具體實(shí)施方式】或示例的附圖?？山M合這些實(shí)施例或示例，可利用其其他方面，并且可作出結(jié)構(gòu)上的改變而不背離本公開的精神或范圍。因此，以下【具體實(shí)施方式】并不旨在作為限制，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等效方案來限定。
[0056]結(jié)合實(shí)施例，圖1是示出典型RFID系統(tǒng)100的組件的圖。RFID讀取器110發(fā)射查詢RF波112。鄰近讀取器110的RFID標(biāo)簽120可以感測(cè)查詢RF波112并作為響應(yīng)產(chǎn)生波126。RFID讀取器110感測(cè)并解釋波126。
[0057]讀取器110和標(biāo)簽120通過波112和波126通信。在通信過程中，讀取器110和標(biāo)簽120每一個(gè)都向另一個(gè)編碼、調(diào)制、發(fā)射數(shù)據(jù)，也從另一個(gè)接收、解調(diào)、解碼數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)能夠調(diào)制到RF波形上，也能從RF波形上解調(diào)制。通常RF波形在合適的頻率范圍內(nèi)，如接近 900MHz，13.56MHz 等。
[0058]讀取器和標(biāo)簽之間的通信使用碼元，也稱之為RFID碼元。碼元可以是定界符、校準(zhǔn)碼元等。在需要時(shí)，碼元可以通過交換諸如“O”和“I”這樣的二進(jìn)制數(shù)據(jù)來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)碼元在內(nèi)部由讀取器I1和標(biāo)簽120處理后，碼元能夠被作為值、數(shù)字等進(jìn)行處理。
[0059]標(biāo)簽120可以是無源標(biāo)簽，或者是有源標(biāo)簽，或者是電池輔助型標(biāo)簽(例如:有自己的電源)。標(biāo)簽120是無源標(biāo)簽時(shí)，其由波112供電。
[0060]圖2是可如同圖1所示的標(biāo)簽120那樣工作的RFID標(biāo)簽220的代表圖。標(biāo)簽220畫成了無源標(biāo)簽，意味著它沒有自己的電源。當(dāng)然，本文件中的大量描述也適用于有源標(biāo)簽和電池輔助式標(biāo)簽(包含對(duì)標(biāo)簽220的描述)。
[0061]通常(雖然并不一定)標(biāo)簽220形成于基本上平坦的填充物222上，該填充物222能由許多本領(lǐng)域已知技術(shù)制成。標(biāo)簽220包含電路，該電路優(yōu)選被實(shí)現(xiàn)為集成電路(10224。在一些實(shí)施例中，IC 224可以用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)實(shí)現(xiàn)。在其他實(shí)施例中，IC 224可用其他技術(shù)實(shí)現(xiàn)，如:雙極結(jié)型晶體管(BJT)技術(shù)、金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)技術(shù)及其他本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的技術(shù)。IC 224設(shè)置在填充物222上。
[0062]標(biāo)簽220也包含用于與環(huán)境交換無線信號(hào)的天線。天線通常是平的并附接于填充物222。IC 224通過IC 224上合適的天線觸點(diǎn)和天線段227上合適的天線端子電耦合到天線上(圖2中既未示出天線觸點(diǎn)又未示出天線端子)。
[0063]示出IC 224含有單個(gè)天線端口，該天線端口包含兩個(gè)電耦合到在此處顯示為形成偶極的天線段227的天線觸點(diǎn)。許多其他應(yīng)用任何數(shù)量的端口、觸點(diǎn)、天線和/或天線段的實(shí)施例也是可能的。此處顯示的天線段227形成偶極天線，但在其他實(shí)施例中天線段227也可以僅形成天線的一部分。
[0064]在運(yùn)行中，天線接收信號(hào)并以該信號(hào)與IC 224通信，該IC 224基于入射信號(hào)及IC的內(nèi)部狀態(tài)采集電能并在合適時(shí)響應(yīng)。如果IC 224使用背向散射調(diào)制，則它就調(diào)制天線的反射來響應(yīng)，從讀取器發(fā)射的波112產(chǎn)生響應(yīng)波126。電連接并電斷開IC 224的天線觸點(diǎn)能夠調(diào)制天線的反射率，許多其他方法也可以調(diào)制天線的反射率。
[0065]在圖2所示的實(shí)施例中，天線段227與IC 224是分離的。在其他實(shí)施例中，天線段可替代地可以是形成在IC 224上的。根據(jù)實(shí)施例的標(biāo)簽天線可以以任何形式設(shè)計(jì)，并不局限于偶極天線。例如，標(biāo)簽天線可以是貼片天線、狹縫天線、環(huán)面天線、線圈天線、喇叭天線、螺旋天線或其他任何合適的天線。
[0066]如圖1所示的RFID系統(tǒng)的組件可以以多種模式互相通信。其中一種模式稱為全雙工模式。另一種模式稱作半雙工模式，在下文進(jìn)行描述。
[0067]圖3是概念圖300，用于解釋如圖1所示的RFID系統(tǒng)組件之間的半雙工通信模式，尤其是標(biāo)簽120是以圖2所示的無源標(biāo)簽220的形式實(shí)現(xiàn)的情形。對(duì)半雙工通信模式作出解釋要參照時(shí)間軸，并用人與人之間的“說”與“聽”作比喻。現(xiàn)在描述“說”和“聽”的實(shí)際技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
[0068]讀取器110和RFID標(biāo)簽120輪流互相說、互相聽。如時(shí)間軸所示，當(dāng)讀取器110向標(biāo)簽120說的時(shí)候，通信會(huì)話標(biāo)記為“R — T”，當(dāng)標(biāo)簽120向讀取器110說的時(shí)候，通信會(huì)話標(biāo)記為“T — R”。沿著時(shí)間軸，在時(shí)間間隔312期間發(fā)生樣本R — T通信會(huì)話，在時(shí)間間隔326期間發(fā)生接下來的樣本T —R通信會(huì)話。當(dāng)然時(shí)間間隔312通常與時(shí)間間隔326的持續(xù)時(shí)間不同。此處圖中示出兩者的間隔時(shí)間大致相同只作為示意之用。
[0069]根據(jù)塊332和塊336所示的情形，RFID讀取器110在時(shí)間間隔312期間說并在時(shí)間間隔326期間聽。根據(jù)塊342和塊346所示的情形，當(dāng)讀取器110在說時(shí)RFID標(biāo)簽120在聽(在時(shí)間間隔312期間)；當(dāng)讀取器110在聽時(shí)RFID標(biāo)簽120在說(在時(shí)間間隔326期間)。
[0070]就實(shí)際技術(shù)行為而言，在時(shí)間間隔312期間，讀取器110按如下方式對(duì)標(biāo)簽120說。根據(jù)塊352，讀取器110發(fā)射在圖1中首次描述的波112。同時(shí)，根據(jù)塊362，標(biāo)簽120接收并處理波112，以提取數(shù)據(jù)等信息。同時(shí)，根據(jù)塊372，標(biāo)簽120不利用其天線發(fā)生背向散射；并且根據(jù)塊382，讀取器110接收不到來自標(biāo)簽120的波。
[0071]在時(shí)間間隔326期間，標(biāo)簽120按如下方式對(duì)讀取器110說。根據(jù)塊356，讀取器110發(fā)射連續(xù)波(CW)，該連續(xù)波可以認(rèn)為是通常不對(duì)信息進(jìn)行編碼的載波信號(hào)。根據(jù)前文的討論，該載波信號(hào)既提供標(biāo)簽120采集供其內(nèi)部供電所需的電能，又作為標(biāo)簽120能夠背向散射的波。實(shí)際上，在時(shí)間間隔326期間，根據(jù)塊366，標(biāo)簽120不接收用于處理的信號(hào)。實(shí)際上，根據(jù)塊376，標(biāo)簽120調(diào)制根據(jù)塊356發(fā)射的CW來產(chǎn)生背向散射波126。同時(shí)，根據(jù)塊386所示的情形，讀取器110接收并處理背向散射波126。
[0072]圖4是示出諸如圖2所示的RFID IC那樣的RFID IC細(xì)節(jié)的框圖。圖4中的電路424可以在RFID標(biāo)簽的IC中形成，如在圖2所示的IC 224中。電路424具有許多本文件中描述的主要組件。根據(jù)實(shí)際的實(shí)現(xiàn)方式，電路424可以具有許多已示出、描述的附加組件或具有其他不同的組件。
[0073]電路424示出天線觸點(diǎn)432和天線觸點(diǎn)433，這兩個(gè)天線觸點(diǎn)適用于耦合到諸如圖2所示的RFID標(biāo)簽220的天線段227之類的天線段。當(dāng)兩個(gè)天線觸點(diǎn)形成信號(hào)輸入并從/向天線返回信號(hào)時(shí)，通常將這兩個(gè)天線觸點(diǎn)稱為天線端口。天線觸點(diǎn)432、天線觸點(diǎn)433可以以任何合適的方式制成，例如由金屬板等制成。在一些實(shí)施例中，電路424使用兩個(gè)以上天線觸點(diǎn)，尤其是在標(biāo)簽220具有一個(gè)以上天線的時(shí)候。
[0074]電路424還包含信號(hào)路由部分435，其可以包含信號(hào)布線、能選擇性地路由信號(hào)的信號(hào)接收/發(fā)射轉(zhuǎn)換開關(guān)等。
[0075]電路424還包含整流器和PMU (功率管理單元)441，該整流器和PMU 441在任意一個(gè)或兩個(gè)讀取器向標(biāo)簽(R —T)會(huì)話以及標(biāo)簽向讀取器(T —R)會(huì)話期間，從天線227接收的RF波上采集電能來驅(qū)動(dòng)IC電路424。整流器和PMU 441可以以本領(lǐng)域任何已知的方式實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)施例，尤其是標(biāo)簽220包含一個(gè)以上的天線的實(shí)施例中，整流器和PMU441可以包含一個(gè)以上的整流器。
[0076]電路424還包括解調(diào)通過天線觸點(diǎn)432、天線觸點(diǎn)433接收的RF信號(hào)的解調(diào)器442。解調(diào)器442可以以本領(lǐng)域任何已知的方式實(shí)現(xiàn)，例如包含限制器、放大器等。
[0077]電路424還包含處理模塊444，該處理模塊444接收來自解調(diào)器442的輸出并執(zhí)行諸如命令解碼、存儲(chǔ)器對(duì)接等操作。此外，輸出模塊444可以產(chǎn)生用于傳輸?shù)妮敵鲂盘?hào)。處理模塊444可以以本領(lǐng)域任何已知的方式實(shí)現(xiàn)，例如通過處理器、存儲(chǔ)器、解碼器、編碼器中的一個(gè)或多個(gè)的組合來實(shí)現(xiàn)。
[0078]電路424附加包含調(diào)制處理模塊444產(chǎn)生的輸出信號(hào)的調(diào)制器446。通過驅(qū)動(dòng)天線觸點(diǎn)432、天線觸點(diǎn)433，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)由一個(gè)或多個(gè)電耦合天線段形成的負(fù)載，經(jīng)調(diào)制的信號(hào)得以發(fā)射。本文件使用的術(shù)語“電耦合”可以指直接的電連接，也可以指包含一個(gè)或多個(gè)介于中間的電路模塊、元件或器件的連接。本文件中術(shù)語“電耦合”中“電”的部分應(yīng)當(dāng)是指一種或多種形式的歐姆/直流耦合、電容性耦合和/或電感性耦合。解調(diào)器446可以以本領(lǐng)域任何已知的方式實(shí)現(xiàn)，例如包含限制器、放大器等。
[0079]在一個(gè)實(shí)施例中，解調(diào)器442和調(diào)制器446可以組合在單個(gè)收發(fā)機(jī)電路中。在另一實(shí)施例中，調(diào)制器446可以調(diào)制使用背向散射的信號(hào)。在另一實(shí)施例中，調(diào)制器446可以包含有源發(fā)射器。在另一實(shí)施例中，解調(diào)器442和調(diào)制器446可以是處理模塊444的一部分。
[0080]電路424附加包含用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)452的存儲(chǔ)器450。存儲(chǔ)器450的至少一部分優(yōu)選地以非易失性存儲(chǔ)器(NVM)實(shí)現(xiàn)，這樣即便發(fā)生電路424失電這種無源RFID標(biāo)簽中經(jīng)常出現(xiàn)的情形，數(shù)據(jù)452仍然保留。
[0081]就處理信號(hào)而言，電路424在R —T和T —R會(huì)話中的操作方式是不同的。下面以電路424代表RFID標(biāo)簽的IC這種情形描述不同操作。
[0082]圖5A示出如圖4所示的電路424組件的524-A版，該版經(jīng)進(jìn)一步修改以強(qiáng)調(diào)在圖3所示的時(shí)間間隔312期間R — T會(huì)話(操作的接收模式)中的信號(hào)操作。從天線觸點(diǎn)432、天線觸點(diǎn)433接收到的RF波由解調(diào)器442解調(diào)。解調(diào)信號(hào)作為C_IN被提供給處理模塊444。在一個(gè)實(shí)施例中，C_IN可以包含接收到的碼元流。
[0083]524-A版相對(duì)隱去了在R — T會(huì)話期間處理信號(hào)時(shí)不起作用的組件。整流器和PMU441可以是有源的，但通常僅用于轉(zhuǎn)換RF功率。調(diào)制器446在R — T會(huì)話中通常不發(fā)射，且通常不與接收到的RF波進(jìn)行大量交互，因?yàn)閳D4所示的435部分的切換動(dòng)作使調(diào)制器446與RF波電斷開，或者是因?yàn)檎{(diào)制器446設(shè)計(jì)成有合適的阻抗等等。
[0084]盡管在R — T會(huì)話期間調(diào)制器446通常不運(yùn)行，但不必非得如此。例如:R — T會(huì)話期間調(diào)制器446能夠?yàn)閷淼臅?huì)話操作等目的調(diào)節(jié)其自身參數(shù)。
[0085]圖5B示出如圖4所示的電路424組件的524-B版，該版經(jīng)進(jìn)一步修改以強(qiáng)調(diào)在圖3所示的時(shí)間間隔326期間T — R會(huì)話中的信號(hào)操作。處理模塊444輸出信號(hào)C_0UT。在一個(gè)實(shí)施例中，C_0UT可以包含用于傳輸?shù)拇a元流。C_0UT然后由調(diào)制器446調(diào)制，并通過天線觸點(diǎn)432、天線觸點(diǎn)433供于諸如RFID標(biāo)簽220的天線段227那樣的天線段。
[0086]524-B版相對(duì)隱去了在T — R會(huì)話期間處理信號(hào)時(shí)不起作用的組件。整流器和PMU441可以是有源的，但通常僅用于轉(zhuǎn)換RF功率。解調(diào)器442在T — R會(huì)話中通常不發(fā)射，且通常不與接收到的RF波進(jìn)行大量交互，因?yàn)閳D4所示的435部分的切換動(dòng)作使解調(diào)器442與RF波電斷開，或者是因?yàn)檎{(diào)制器442設(shè)計(jì)成有合適的阻抗等等。
[0087]盡管在T —R會(huì)話期間調(diào)制器442通常不活動(dòng)，但不必非得如此。例如:T —R會(huì)話期間調(diào)制器442能夠?yàn)閷淼臅?huì)話操作等目的調(diào)節(jié)其自身參數(shù)。
[0088]在一典型實(shí)施例中，解調(diào)器442和調(diào)制器446根據(jù)協(xié)議操作以解調(diào)并調(diào)制信號(hào)，所依據(jù)的協(xié)議通過引用整體結(jié)合在此，可以是諸如EPCglobal公司發(fā)布的用于860MHz - 960MHz 通信的一類二代超高頻 RFID 協(xié)議(Class-lGenerat1n_2UHF RFIDProtocol) 1.2.0版之類的協(xié)議。在電路424包含多個(gè)解調(diào)器和/或多個(gè)調(diào)制器的實(shí)施例中，解調(diào)器和/或調(diào)制器中的每一個(gè)都可以經(jīng)配置以支持不同協(xié)議或不同的協(xié)議集合。協(xié)議部分地指定了碼元經(jīng)編碼用于通信的方式，也可以包含調(diào)制、編碼、速率、時(shí)序或與數(shù)據(jù)通信有關(guān)的任何參數(shù)。
[0089]實(shí)施例也可以包含如本文件中所描述的標(biāo)簽的制造方法。這些方法可以由一名或多名操作人員協(xié)同執(zhí)行。這些操作人員無需彼此同在一處，而是其每一個(gè)可以僅與執(zhí)行制造的一部分的機(jī)器同在一處。
[0090]本文件中描述的制造標(biāo)簽的實(shí)施例可以附加包含程序和操作該程序的方法。通常定義程序?yàn)橐唤M能達(dá)到所需結(jié)果的步驟或指令的組，這是由這些步驟及其序列中元件的本質(zhì)決定的。
[0091]執(zhí)行程序的步驟或指令需要操控代表信息的物理量。這些物理量可以是電量、磁量、電磁電荷或粒子、物質(zhì)狀態(tài)，或者更一般地說可以是任何物理量。這些物理量通常根據(jù)步驟或指令經(jīng)轉(zhuǎn)換、結(jié)合、比較并得到處理。時(shí)不時(shí)將代表這些物理量狀態(tài)的信息稱作位、數(shù)據(jù)位、樣本、值、碼元、字符、項(xiàng)、數(shù)字等是很方便的。然而，應(yīng)當(dāng)銘記，所有這些術(shù)語及其類似術(shù)語都與適當(dāng)?shù)奈锢砹肯嚓P(guān)聯(lián)，并且僅僅是單獨(dú)或成組應(yīng)用于這些量的方便標(biāo)記。
[0092]執(zhí)行程序步驟或指令可以進(jìn)一步需要存儲(chǔ)有通常以機(jī)器可讀形式存儲(chǔ)的程序指令和/或數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)介質(zhì)。這種存儲(chǔ)介質(zhì)通常稱為存儲(chǔ)器，由處理器或其他機(jī)器元件讀取。在電子器件中，存儲(chǔ)器可以由只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和許多其他本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的存儲(chǔ)器來實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器可以是易失性的；在另一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器可以是非易失性的。
[0093]即便說程序存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚地認(rèn)識(shí)到程序不必駐留在單個(gè)存儲(chǔ)器中或者甚至不必由單個(gè)機(jī)器執(zhí)行。程序的不同部分、模塊、數(shù)據(jù)或特征可以駐留在不同存儲(chǔ)器中，可以由分離的機(jī)器執(zhí)行。
[0094]為方便起見，通常需要將根據(jù)實(shí)施例制造標(biāo)簽的程序以軟件的形式實(shí)現(xiàn)并描述。該軟件可以是單獨(dú)的，也可以認(rèn)為是不同的互聯(lián)軟件模塊。
[0095]本文件中描述的RFID標(biāo)簽實(shí)施例及用于制造RFID標(biāo)簽的程序的實(shí)施例能夠以硬件、軟件、固件或它們的任意組合形式實(shí)現(xiàn)。將該FRID標(biāo)簽劃分成組件或模塊來考慮是有利的。本領(lǐng)域技術(shù)人員都認(rèn)可這些組件或模塊中的某些能夠以硬件形式實(shí)現(xiàn)，某些能夠以軟件形式實(shí)現(xiàn)，某些能夠以固件形式實(shí)現(xiàn)，某些能以上述方式的組合形式實(shí)現(xiàn)。
[0096]如上文描述的那樣，RFID標(biāo)簽可以這樣制造:將RFID IC(例如圖2中的IC 224)置于設(shè)置在襯底(如襯底222)上的天線(如天線227)上，并將IC的天線觸點(diǎn)電耦合到天線端子上。常規(guī)的天線觸點(diǎn)設(shè)置在IC的單一表面上并電耦合到天線端子上，耦合方式要么是將IC面朝下放置到天線端子上使得天線觸點(diǎn)電耦合到天線端子上，要么是將IC面朝上放置，并在天線觸點(diǎn)和天線端子間附接接合線。然而，如上文所描述的那樣，隨著IC尺寸收縮，天線端口在尺寸和相互間距方面都隨之變小。這種收縮增加了將天線觸點(diǎn)耦合到天線端子的成本，在面朝下的情形中，原因在于嚴(yán)格的對(duì)準(zhǔn)容差；在面朝上的情形中，原因在于嚴(yán)格的接合線附連容差。
[0097]在IC的不同表面上設(shè)置天線觸點(diǎn)解決了這個(gè)問題。圖6是在兩個(gè)不同表面具有天線觸點(diǎn)的雙面IC 600的概念圖。在一些實(shí)施例中，雖然該IC的概念不局限于RFID IC,但I(xiàn)C 600可以是與圖2中描述有關(guān)的RFID 1C。IC通常有6個(gè)表面(前表面610、后表面630和四個(gè)側(cè)面)，盡管形狀更復(fù)雜的IC可以有更多或更少的表面。在一典型實(shí)施例中，IC電路660設(shè)置在上述一個(gè)或多個(gè)表面內(nèi)或表面上,并電稱合到設(shè)置在任何兩個(gè)不相同表面上的天線觸點(diǎn)。圖6示出一代表性實(shí)施例，其中有在前表面610上的IC電路、直接耦合到IC電路660的前表面觸點(diǎn)620和通過穿過IC的過孔650耦合到IC電路660的后表面觸點(diǎn)640。在圖6中，前表面觸點(diǎn)620只在前表面610上；后表面觸點(diǎn)640只在后表面630上。然而，在一些實(shí)施例中，前表面觸點(diǎn)620和/或后表面觸點(diǎn)640可以出現(xiàn)在多個(gè)表面上。例如:前表面觸點(diǎn)620可以在前表面610上，也可以在后表面630上且/或在任意其他四個(gè)表面及未標(biāo)記的表面上。類似地，后表面表面觸點(diǎn)640可以在后表面630上，也可以在后表面610上且/或在任意其他四個(gè)表面及未標(biāo)記的表面上。
[0098]圖7是根據(jù)實(shí)施例示出的耦合到天線端子702和天線端子704的雙面IC的俯視圖720和側(cè)視圖740的概念圖。天線端子可以轉(zhuǎn)而耦合到諸如圖2所示的天線段227那樣的天線段上或成為該天線段的一部分，或者可以形成適于連接到天線段的帶或內(nèi)插器，或者更一般的情形可以是允許IC 600附接到天線或附接到另一電組件的任何類型的前體。在圖7中，諸如相對(duì)于圖6描述的IC 600那樣的雙面IC 706配置在端子702和電橋708之間，這樣雙面IC 706的前表面天線觸點(diǎn)(如圖6中的前表面觸點(diǎn)620)電耦合到端子702 ；雙面IC 706的后表面天線觸點(diǎn)(如圖6中的后表面觸點(diǎn)640)電耦合到橋708。橋708轉(zhuǎn)而電耦合到端子704。因?yàn)镮C 706是前后對(duì)稱的，它能夠前后換面夾在端子702和橋708之間，即其后表面天線觸點(diǎn)可以電耦合到端子702并且其前表面天線端子可以耦合到橋708。實(shí)際上，本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于:在許多實(shí)施例中，IC 706可以面朝上或面朝下安裝而不影響其操作。
[0099]在一些實(shí)施例中，介電層710可以設(shè)置在端子702和橋708之間來防止端子702和橋708之間產(chǎn)生不利的短路。
[0100]在一些實(shí)施例中，圖7所示的元件間(如IC 706、端子702、端子704和或橋708之間)的電耦合可以是電容性或電感性的而非歐姆或直流型的，并且該電耦合可以包含配置在上述元件間的介電層。例如:不導(dǎo)電膠(NCP)層或不導(dǎo)電膜層可以設(shè)置在IC 706和端子702之間，或者設(shè)置在IC 706和橋708之間，或者同時(shí)設(shè)置在上述兩處。此時(shí)上述元件間的電耦合可以是電容性的。
[0101]在一些實(shí)施例中，IC 706的前表面觸點(diǎn)和/或后表面觸點(diǎn)可以使用一個(gè)或多個(gè)大接觸焊盤，如2012年4月26日提交的美國專利申請(qǐng)序列號(hào)N0.13/456，653 (律師卷號(hào)N0.5088.0113USD1/IMPJ-0436)所描述的那樣并作為引用整體結(jié)合在此。圖8示出了根據(jù)實(shí)施例使用大接接觸焊盤的IC配置800和IC配置850。在IC配置800中，IC 802具有基本跨越IC 一個(gè)表面范圍的單一大接觸焊盤804。在IC配置850中，IC 802具有兩個(gè)大接觸焊盤806，這兩個(gè)大接觸焊盤806合起來跨越IC表面的范圍。具有兩個(gè)以上大接觸焊盤的實(shí)施例也是可能的。為清楚起見，IC配置800和IC配置850都只示出一個(gè)IC表面(上表面)，但根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1C 802的多個(gè)表面，諸如下表面(圖中不可見)或者側(cè)表面也可以具有一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤(接觸焊盤可大可小)。此外，盡管圖8中示出的接觸焊盤804和接觸焊盤806基本跨越了 IC 802整個(gè)表面的范圍，但在另一些實(shí)施例中，接觸焊盤可以更小并且可以僅跨越IC表面合理部分的范圍。
[0102]在另一些實(shí)施例中，接觸焊盤可以以改善接觸焊盤和天線端子間粘附性的方式成形或形成。這種示例包含但不限于在接觸焊盤中央提供一個(gè)或多個(gè)腔、狹縫、間隙，在這些空間中黏合劑(如導(dǎo)電環(huán)氧樹脂、不導(dǎo)電環(huán)氧樹脂、接觸黏合劑、焊料或其他類似材料)可以在雙面IC和天線端子組裝的時(shí)候流動(dòng)。在這種情形下，腔或間隙起到的作用類似于輪胎中的凹槽可以防止防止打滑，但在本發(fā)明中腔或間隙為黏合劑流動(dòng)并黏合提供路徑。
[0103]在本文件公開的實(shí)施例中，大接觸焊盤電耦合到一個(gè)或多個(gè)天線端子或橋(如圖7中所示的端子702和/或橋708)。由于接觸焊盤面積大，相比具有更小天線觸點(diǎn)的1C，接觸焊盤和天線端子間放置/對(duì)準(zhǔn)的容差可以減小，有利于組裝。在一些實(shí)施例中，接觸焊盤、端子和/或橋可以包含或涂覆有介電材料，該介電材料可以是天然形成的(如天然生長(zhǎng)的或增強(qiáng)的像氧化鋁一樣的氧化層)，也可以是附加形成的(如沉積的介電層)。在這些實(shí)施例中，接觸焊盤和天線端子間的耦合通常會(huì)是電容性或電感性的。
[0104]另一種改善接觸焊盤和天線端子間放置和對(duì)準(zhǔn)的方法是使用對(duì)準(zhǔn)凸塊。圖9A —9B示出了諸如圖6所示雙面IC 600那樣的IC 904的俯視圖(920)和截面圖(930)，根據(jù)實(shí)施例，該IC 904通過對(duì)準(zhǔn)凸塊對(duì)準(zhǔn)到襯底部分902上。襯底部分902可以是填充物(如圖2所示的填充物222)或帶子(具有用于耦合到填充物的互連的內(nèi)插襯底)的一部分。IC904置于襯底902上時(shí)，對(duì)準(zhǔn)凸塊引導(dǎo)IC 904進(jìn)入位置。很顯然端子702和橋708的襯底可以包含對(duì)準(zhǔn)凸塊(圖7中未示出)，以利于將雙面IC 706的上表面天線觸點(diǎn)和下表面天線觸點(diǎn)組裝到端子702和橋708上。
[0105]在一些實(shí)施例中，在襯底902和IC 904之間使用下填料來加強(qiáng)物理結(jié)合且/或改善襯底902和IC 904之間的電耦合。下填料910可以是導(dǎo)電性的(如各向異性導(dǎo)電膠/膜或其他任何合適的導(dǎo)電材料)或不導(dǎo)電性的(如不導(dǎo)電膠、不導(dǎo)電膜、不導(dǎo)電氧化物或其他任何合適的不導(dǎo)電材料)。凸起襯底區(qū)域908在組裝期間可用于容納下填料910。當(dāng)然，對(duì)準(zhǔn)凸塊906和凸起襯底區(qū)域908的形狀取決于具體應(yīng)用，不必局限于小的圓凸塊和細(xì)長(zhǎng)的凸起區(qū)域。在一些實(shí)施例中，類似于凸起襯底區(qū)域908的凸起區(qū)域本身就能用于引導(dǎo)對(duì)準(zhǔn)1C，就和對(duì)準(zhǔn)凸塊用于引導(dǎo)IC對(duì)準(zhǔn)的方式類似。
[0106]圖10、11和12示出根據(jù)實(shí)施例將雙面IC耦合、組裝到天線端子的高級(jí)概念。圖10A-D示出雙面IC f禹合到天線端子的示例。圖1lA-C示出雙面IC組裝到天線端子的示例。圖12A — C示出引導(dǎo)雙面IC組裝到天線端子的標(biāo)簽襯底的示例。在所有實(shí)施例中，包含1C、天線端子和襯底的最終組裝包含某種形式的分層“三明治”結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含諸如鋁或錫一類的一層或多層單種金屬層、諸如紙或塑料或PET這類的介電層以及雙面1C。這些層可以通過粘合、層疊、自粘附或本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何其他方式連接在一起。
[0107]圖1OA示出設(shè)置在環(huán)1002和橋1008之間的雙面IC 1006的配置1020。IC 1006的一個(gè)天線觸點(diǎn)(如圖6所示的前表面觸點(diǎn)620或后表面觸點(diǎn)640)稱合到環(huán)1002的第一天線端子上；IC 1006的另一個(gè)天線觸點(diǎn)耦合到橋1008上，而橋1008進(jìn)而耦合到環(huán)1002的第二天線端子上。環(huán)1002可以用作IC1006的調(diào)諧元件，可以形成天線，并/或可以耦合到諸如圖2所示的天線段227那樣的天線段上。
[0108]圖1OB示出類似圖1OA所示的配置1020的配置1030，兩個(gè)配置的區(qū)別在于，在配置1030中橋1008覆蓋了環(huán)1002的大部分以改善橋1008和環(huán)1002之間的電耦合。在一些實(shí)施例中，橋1008和環(huán)1002之間的電耦合可以是電容性的。在一些實(shí)施例中，天線端子材料的天然介電材料(如鋁端子上的氧化鋁)可以設(shè)置在橋1008和環(huán)1002之間。
[0109]圖1OC示出配置1040，其中橋1008本身就是天線端子。橋1008和端子1002的重疊允許它們互相電耦合，進(jìn)而在IC 1008周圍形成環(huán)。
[0110]圖1OD示出另一配置1050，其中橋1008是天線端子。橋1008和天線端子1002之間的重疊允許它們互相電耦合，形成調(diào)諧元件1010，該元件1010可以是短截線、由橋/襯底/端子層狀結(jié)構(gòu)形成的傳輸線，或者也可以耦合到另一調(diào)諧元件(未在圖1OD中示出)。在這種情形下，調(diào)諧元件1010是圖10A、10BU0C中所示調(diào)諧環(huán)的替代方案。
[0111]圖1lA-C示出根據(jù)實(shí)施例用雙面IC形成的填充物的示例。
[0112]圖1lA示出標(biāo)簽襯底1112的配置1120，該標(biāo)簽襯底1112被折疊線1110劃分為第一部分1116和第二部分1118。標(biāo)簽襯底1112可以由任何合適的可折疊材料制成。標(biāo)簽襯底1112包含設(shè)置在第一部分1116上的第一天線端子1102和第二天線端子1104以及設(shè)置在第二部分1118上的橋1108。設(shè)置在第一部分1116上的雙面IC 1106通過IC的第一表面天線觸點(diǎn)耦合到第一端子1102 ;IC 1106的第二表面天線觸點(diǎn)是暴露的。圖1lA還示出沿折疊線1110折疊的同一標(biāo)簽襯底的配置1122。部分1116和部分1118的表面碰在一起，使橋1108電耦合到IC 1106的第二表面天線觸點(diǎn)和第二端子1104。當(dāng)然，IC 1106同樣能夠在折疊前設(shè)置到橋1108上，在這種情形下，折疊前的配置1120會(huì)不一樣，但是最終結(jié)果(配置1122)相同。
[0113]圖1lB示出類似于圖1lA所示的標(biāo)簽配置1130，兩者區(qū)別在于:圖1lB中橋1108設(shè)置在分離的帶1114上。雙面IC 1106的第一表面天線觸點(diǎn)電耦合到橋1108使得橋1108和雙面IC 1106的第二表面天線觸點(diǎn)形成天線端口。帶1114置于標(biāo)簽襯底1112上時(shí)將天線端口耦合到襯底1112上的端子，形成最終配置1130，其中:IC 1006的第二表面電耦合到端子1102上；橋1108電耦合到端子1104上。當(dāng)然，有許多替代的配置也是可能的，包括使IC 1006初始時(shí)就附接到端子1102、端子1104或橋1108上的那些配置。圖1lC示出IC1006初始時(shí)就附接在端子1102上的實(shí)施例。
[0114]在所有上述實(shí)施例中，橋1108可以形成在標(biāo)簽襯底的折疊處，可以形成在標(biāo)簽襯底的擺動(dòng)、剪切處，可以形成在初始就與標(biāo)簽襯底分離的材料上，可以由印刷、蒸發(fā)或沉積到標(biāo)簽襯底上的導(dǎo)電墨水、聚合物或?qū)有纬?，還可以通過任何對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的技術(shù)來形成。在一些實(shí)施例中，橋1108可以由一個(gè)或多個(gè)橋前體形成，該橋前體沉積在標(biāo)簽襯底上，然后通過應(yīng)用熱、壓力或任何合適的處理方法形成橋1108。橋前體可以簡(jiǎn)單沉積在襯底上，但需要附加的處理以向觸點(diǎn)或端子形成電連接。例如，橋前體可以包含墨水中的金屬粒子，該墨水先經(jīng)沉積再經(jīng)處理，使金屬粒子形成導(dǎo)電路徑。在一些實(shí)施例中，橋1108包含轉(zhuǎn)換并接合到標(biāo)簽襯底上的金屬層或?qū)щ妼?；在另一些?shí)施例中，橋1108及其導(dǎo)電部分可以由兩個(gè)或多個(gè)片狀物形成，這些片狀物接合在一起形成橋。如上文所述，本文件中公開的實(shí)施例中提到的耦合可以是直流型、容性和/或感性的。橋1008可以使用熱、壓力、黏合劑(如環(huán)氧樹脂)、焊料、拼接接合、焊接或本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何其他方法接合到標(biāo)簽襯底上。
[0115]盡管圖1lA — C示出標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，其中橋?qū)㈦p面IC的表面天線觸點(diǎn)耦合到天線端子上，但一些實(shí)施例中并不需要橋。例如:回到圖11A，第二端子1104可以取代橋1108沉積在第二標(biāo)簽部分1118上，這樣，標(biāo)簽襯底1112沿折疊線1110折疊時(shí)，第二天線端子1104耦合到雙面IC 1106暴露的表面天線觸點(diǎn)上。類似地，在圖1lB中，標(biāo)簽帶1114可以取代橋1108包含第二端子1104，這樣，帶子沉積到標(biāo)簽襯底1112上時(shí)，第一端子1102電耦合到雙面IC 1106暴露的表面天線觸點(diǎn)上。在一些實(shí)施例中，第二標(biāo)簽部分1118或帶子1114可以包含一部分或甚至是整個(gè)標(biāo)簽天線而非天線端子。
[0116]在一些實(shí)施例中，具有天線端子的標(biāo)簽襯底可以設(shè)計(jì)成方便實(shí)施并能夠弓I導(dǎo)雙面IC的放置操作。圖12A示出具有用于引導(dǎo)將雙面IC定位到襯底1204上的凹陷或凹坑區(qū)域1206的標(biāo)簽襯底1204的俯視圖(上圖)和截面圖(下圖)。確定凹坑區(qū)域1206的尺寸以適應(yīng)雙面1C，且凹坑區(qū)域1206包含下天線端子1208。雙面IC 1202(例如圖6所示的雙面IC 600)能夠沉積在凹坑區(qū)域1206內(nèi)以便IC 1202的表面天線觸點(diǎn)(例如圖6所示的前表面觸點(diǎn)620或后表面觸點(diǎn)640)耦合到下天線端子1208。在IC 1202沉積在凹坑區(qū)域1206之后，橋1210能夠沉積在IC 1202的頂部，將IC 1202的另一表面天線觸點(diǎn)耦合到第二天線端子上。盡管在圖12A中橋1210示出為與下天線端子1208正交，但實(shí)際情形不限于這種情形。例如，橋1210可以與下天線端子1208方向一致(例如如襯底的俯視圖所示，橋1210可以延伸到下天線端子1208的左邊而不是在其頂部)，或可以朝任意合適方向延伸(例如以任意角度向頂部、底部延伸，或向任意方向延伸，包括向標(biāo)簽襯底1204所在平面之外的方向延伸)。
[0117]在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)孔1212可以形成在凹坑區(qū)域1206的底部并可以用于放置并定位IC 1202，下面參考圖13A將對(duì)此作描述?？?212優(yōu)選為比IC 1202小，以使IC 1202不能夠穿過它。但是孔1212可以提供足夠的面積以便于流體(如液體或氣體或黏合劑或焊料)通過。
[0118]在一些實(shí)施例中，標(biāo)簽襯底中的孔可以引導(dǎo)放置并定位雙面1C。該襯底穿孔可以代替凹坑區(qū)域使用，也可以作為凹坑區(qū)域的附加使用。圖12B示出具有尺寸適合雙面IC1222的孔1226的標(biāo)簽襯底1224的俯視圖(上圖)和截面圖(下圖)。與上文描述的標(biāo)簽襯底1204的凹坑區(qū)域1206對(duì)比，孔1226完全穿過標(biāo)簽襯底1224。為防止IC 1222完全穿過孔1226掉落，同時(shí)為了將IC 1222耦合到其表面天線觸點(diǎn)之一，標(biāo)簽襯底1224包含設(shè)置在標(biāo)簽襯底1224 —面上的下天線端子1228，基本上阻塞了孔1226并與孔1226 —起為IC1222形成袋區(qū)(pocket)。當(dāng)IC 1222沉積在孔1226內(nèi)時(shí)，IC 1222的表面天線觸點(diǎn)(如圖6所示的前表面觸點(diǎn)620或后表面觸點(diǎn)640)耦合到下天線端子1228上。隨后，橋1230可以設(shè)置到IC 1222上，將另一天線端子耦合到IC 1222的另一表面天線觸點(diǎn)。與對(duì)圖12A進(jìn)行的描述類似，橋1230可以沿任何合適的方向延伸，包含可以以薄片的形式圍繞IC 1222朝任何方向延伸。類似地，下天線觸點(diǎn)1228可以沿任何方向延伸或者可以是薄片。在一些實(shí)施例中，與圖12A所示的孔1212類似的一個(gè)或多個(gè)孔1232可以形成在下天線端子1228中，以利于放置并定位IC 1222。
[0119]盡管圖12A所示的凹坑區(qū)域1206和圖12B所示的孔1226示出為方形，但它們不必局限于方形。例如:凹坑區(qū)域1206和/或孔1226可以是矩形、圓形、橢圓形、六邊形或是任意合適的凸形或凹形。在一些實(shí)施例中，凹坑區(qū)域1206/孔1226足夠大以適配整個(gè)IC ；但在另一些實(shí)施例中，凹坑區(qū)域1206/孔1226的大小也可以只容納部分1C。
[0120]圖12C示出根據(jù)實(shí)施例將雙面IC的表面觸點(diǎn)耦合到襯底上的天線端子上的另一種方法。圖1240示出具有第一天線端子1248和第二天線端子1250的標(biāo)簽襯底1244的俯視圖(上圖)和截面圖(下圖)。切入襯底1244的狹縫1246將第一天線端子1248和第二天線端子1250分開。雙面IC 1242置于狹縫1246內(nèi)以便IC 1242的一個(gè)表面觸點(diǎn)耦合到第一天線端子1248且IC1242的另一表面觸點(diǎn)耦合到第二天線端子1250。狹縫1246示出為相對(duì)于襯底1244所在平面傾斜，它可以以任意角度傾斜，或甚至可以與襯底1244所在平面垂直(如在截面圖中方向向下)。在一些實(shí)施例中，端子可以作為單個(gè)端子制成，然后狹縫1246切進(jìn)該單個(gè)端子，將其分為天線端子1248和天線端子1250。在一些實(shí)施例中，狹縫1246可以完全切穿襯底1244，而不是像截面圖所示的僅切入襯底1244的一部分。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)孔(未示出)可以形成于狹縫1246的底部和標(biāo)簽襯底1244的底部之間，用于IC放置和定位。
[0121]使用雙面IC簡(jiǎn)化了標(biāo)簽的組裝。因?yàn)殡p面IC在相對(duì)的面上有表面觸點(diǎn)，所以其任意一面都能夠置于標(biāo)簽襯底上。此外，因?yàn)殡p面IC通常在其最大的面上具有表面觸點(diǎn)，因此雙面IC能夠很容易掉落在標(biāo)簽襯底上并且在大多數(shù)情形下以其表面觸點(diǎn)面對(duì)標(biāo)簽襯底掉落。因此，組裝前IC不一定必須維持在特定位置或特定方向，這使得組裝方法更簡(jiǎn)化、成本更低。例如，與常規(guī)IC必須一個(gè)個(gè)經(jīng)拾取放置到標(biāo)簽襯底上不同，雙面IC能夠大量處理并分配，下文將進(jìn)行描述。但是雙面IC任然可以與常規(guī)的拾取一放置技術(shù)兼容。
[0122]圖13A示出根據(jù)實(shí)施例將雙面IC分配到標(biāo)簽襯底(如圖12A — C所描述的標(biāo)簽襯底)上的方法。圖1300示出包含多個(gè)雙面IC 1304的IC批量分配器1306。注意批量分配器1306中的IC 1304的方向和位置不必嚴(yán)格控制。當(dāng)然在一些實(shí)施例中，可以在某種程度上控制IC 1304的方向以使分配過程流水線化。
[0123]IC批量分配器1306將IC 1304分配到標(biāo)簽襯底1302的網(wǎng)上，該標(biāo)簽襯底1302在一些實(shí)施例中可以與圖12A — C所示的標(biāo)簽襯底1204、標(biāo)簽襯底1224和標(biāo)簽襯底1244類似。在一些實(shí)施例中，分配過程還可以將分配過的IC定位到標(biāo)簽襯底1302上需要的位置。例如:IC分配器1306可以定位在需要的IC位置(如圖12A所示的凹坑區(qū)域1206、圖12B所示的孔1226或圖12C所示的狹縫1246)，然后IC 1304通過重力分配到需要的位置或由機(jī)器放置到需要的位置。
[0124]對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是:有許多技術(shù)可用于將經(jīng)分配的IC對(duì)準(zhǔn)到襯底上合適的位置，無論襯底是否包含圖12A - C所示的凹坑/孔/狹縫，無論襯底是否如圖1OA — D或圖1lA — C所示是平坦的。如上文所述，其中一種方法涉及應(yīng)用重力將IC放置在需要的位置。另一種方法使用定位在標(biāo)簽襯底下方的磁體將磁性IC吸引到需要的位置。另一種方法使用標(biāo)簽襯底上的電荷將帶電荷的IC吸引到需要的位置。圖13B示出根據(jù)實(shí)施例使用電荷將雙面IC定位到襯底上的代表性方法1310。根據(jù)方法1310，激光1312誘導(dǎo)特定極性的電荷定位到襯底1302上需要的目標(biāo)位置1314。隨后，IC批量分配器1306分配具有不同極性電荷的IC 1304，該IC 1304被帶電荷的目標(biāo)1314吸引到達(dá)在襯底1302上的合適位置，填充物1316示意性地示出了這種情形。雖然圖13B中是用激光來誘導(dǎo)電荷的，但在其他實(shí)施例中，也可以使用其他方法在襯底上產(chǎn)生電荷。在一些實(shí)施例中，拓?fù)涮卣?如凸塊906)也能有助于定位1C。
[0125]將分配好的IC對(duì)準(zhǔn)到襯底上合適位置的其他方法包括應(yīng)用振動(dòng)或應(yīng)用流體流動(dòng)將IC移動(dòng)到勢(shì)阱(如襯底中比其他位置具有更低勢(shì)能的位置)中，勢(shì)阱中的重力勢(shì)能、電勢(shì)能、磁勢(shì)能或類似勢(shì)能較低。例如，可以振動(dòng)具有接近凹坑區(qū)域或孔的IC的標(biāo)簽襯底，這樣一旦IC進(jìn)入凹坑區(qū)域或孔中就不會(huì)逃逸。類似地，流體或氣流穿過襯底，可以轉(zhuǎn)移經(jīng)分配的IC直到IC掉入凹陷位置(如圖12A — C分別所示的凹坑區(qū)域1206、孔1226或狹縫1246)。作為另一個(gè)示例，流體或氣體通過位于所需要位置的孔(如圖12A、12B分別示出的孔1222、孔1232)從襯底的頂面被吸引到襯底的背面，可以將IC吸引到需要的位置并將IC保持在該位置待后續(xù)處理。
[0126]在一些實(shí)施例中，應(yīng)用標(biāo)簽襯底兩面的壓差能獲得需要的穿過襯底中孔的流體/氣流。圖13C示出方法1320，其應(yīng)用壓差特別是真空將雙面IC定位到標(biāo)簽襯底上。根據(jù)方法1320，真空1324應(yīng)用于襯底1302的背面，該襯底1302包含至少一個(gè)穿過襯底的孔1322(例如圖12A-B所示的孔1222或孔1232)。隨后，當(dāng)IC 1304被帶到靠近襯底1302前面的位置時(shí),松散的IC 1304中的一個(gè)被穿過孔1322作用的真空1324拉到襯底中，形成填充物1328。方法1320是自限的，因?yàn)橐坏┱婵?324將某個(gè)IC 1304拉到孔1322中，孔1322被該IC 1394堵塞，不再有其他IC被吸引到這個(gè)孔中。如果為多個(gè)襯底和/或多個(gè)孔使用同一個(gè)真空源，則當(dāng)每一個(gè)孔吸引一個(gè)堵塞其的IC后，通過剩下孔的真空會(huì)變得更強(qiáng)，這樣加速了放置過程。在一些實(shí)施例中，靜電力或磁力(如上文圖13B描述的)或拓?fù)涮卣?如凸塊906)也可以用作幫助定位1C。最后，在一些實(shí)施例中，可以從標(biāo)簽襯底的前面應(yīng)用壓差，這樣前面的壓力可用于將IC推進(jìn)孔上的位置，而不是上文描述的那樣由背面的真空將IC拉到相應(yīng)的位置。
[0127]在另一些實(shí)施例中，流體表面張力能用于將IC定位于襯底上。例如:可以將一滴或多滴流體置于襯底上需要的位置。當(dāng)IC被分配到襯底上時(shí)，在表面張力的作用下會(huì)被吸引到流體液滴上。在一些實(shí)施例中，可以將焊料沉積在襯底上(如通過絲網(wǎng)印刷)，然后加熱焊料形成流體液滴。焊料也可以(或只可以)沉積在IC的一個(gè)或多個(gè)表面上。當(dāng)加熱時(shí)，IC上的焊料會(huì)融化，形成容易被吸引到襯底上金屬天線引線上的液滴。
[0128]雖然本文件示出的所有雙面IC都是方形的，但雙面IC也可以是其他形狀的。圖14示出兩個(gè)非方形IC的實(shí)例。IC 1402是八邊形的，IC 1404是六邊形的。非矩形IC可以受益于其內(nèi)應(yīng)力更小，進(jìn)而改善可靠性，其也沒有鋒利的棱角，而這些鋒利的棱角容易使IC在上述批量處理或IC分配過程中損壞。非矩形IC可以通過例如2009年I月27日頒證的美國專利N0.7，482，251中描述的刻蝕工藝來制造，該美國專利的整體結(jié)合在此作為參考。
[0129]圖15A-C示出根據(jù)實(shí)施例電耦合到天線端子的雙面IC的側(cè)面剖視圖。
[0130]圖15A示出類似于上文描述的雙面IC 600、雙面IC 706、雙面IC 1006、雙面IC1106、雙面IC 1202和雙面IC 1222那樣的雙面IC 1506的側(cè)面剖視圖1500。雙面IC 1506包含沉積在其前表面(示出為面朝下)里或前表面上的電路1508。電路1508通過其前表面天線觸點(diǎn)1514電耦合到天線端子1504。雙面IC 1506也包含可以通過多種方式耦合到電路1508的后表面天線觸點(diǎn)1516。圖15A示出一種涉及穿過IC的過孔的方法。在一些實(shí)施例中，該穿過IC的過孔可以電連接到襯底1510 ;在另一些實(shí)施例中，該IC穿通可以與襯底1510電斷開；在另一些實(shí)施例中，根本沒有穿過IC的過孔。在圖15A所示的實(shí)施例中，后表面天線觸點(diǎn)1516耦合到天線端子1502上，示出為通過可選的介電層1518與襯底1510電斷開。當(dāng)然后表面天線觸點(diǎn)1516也可以電連接到襯底1510上。在一些實(shí)施例中，可選的凸塊1520和/或凸塊1522可以改善天線觸點(diǎn)和天線端子之間的耦合。
[0131]圖15B示出類似于圖15A所示的IC 1506那樣的雙面IC 1532的側(cè)面剖視圖1530。與IC 1506類似，IC 1532包含沉積在前表面內(nèi)或前表面上的電路1508，該電路1508通過前表面天線觸點(diǎn)1514電耦合到端子1504。與圖15A不同，IC 1532不包含穿過IC的過孔；作為替代，電路1508通過襯底1510耦合到端子1502。當(dāng)IC 1532接收到穿過前表面天線觸點(diǎn)1514和后表面天線觸點(diǎn)1516的射頻信號(hào)時(shí)，IC 1532上的電勢(shì)差使電流從前表面天線觸點(diǎn)1514流經(jīng)襯底1510，流向后表面天線端子1516，并/或使電流從后表面天線端子1516流經(jīng)襯底1510，流向前表面天線觸點(diǎn)。襯底1510通常是導(dǎo)電的，但在某些情形下也可以是絕緣的，從前表面流向后表面的電流可以流經(jīng)絕緣襯底1510的電容。在其它實(shí)施例中，襯底1510可以呈現(xiàn)感性。在圖15B中，襯底1510形成后表面天線觸點(diǎn)；在其它實(shí)施例中，后表面可以包含金屬層或半金屬層(如圖8所示)，或者可以經(jīng)摻雜獲得高導(dǎo)電率。圖15B也示出了將IC 1532的后表面與端子1502分開的可選介電層1518，因此IC 1532的后表面與端子1502之間的耦合是電容性的，當(dāng)然直流耦合也是可能的。介電層1518可以沉積在襯底1510上，或者可以是襯底1510天然形成的氧化物，例如Si02。類似地，前表面天線觸點(diǎn)1514可以通過可選的介電層1534與端子1504電容性稱合或直流稱合。介電層1534和前表面天線觸點(diǎn)1514的次序可以交換，使得介電層1534沉積在電路1508上，前表面天線觸點(diǎn)1514沉積在介電層1534和端子1504之間。
[0132]圖15C示出類似于圖15B所示的IC 1532那樣的雙面IC 1542的側(cè)面剖視圖1540。與IC 1532類似，IC 1542包含沉積在前表面內(nèi)或前表面上的電路1508、可選的前表面介電層1544、前表面天線觸點(diǎn)1514、直流或電容性耦合襯底1510、可選的后表面介電層1518和后表面天線觸點(diǎn)1516。與圖15B不同，電路1508通過穿過介電層1544的一個(gè)或多個(gè)主觸點(diǎn)1546耦合到前表面天線觸點(diǎn)1514。與圖15B不同，介電層1518可以在IC 1542的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面上。后表面天線觸點(diǎn)1516可以耦合到側(cè)面觸點(diǎn)1550，該側(cè)面觸點(diǎn)1550跨越IC 1542的至少一個(gè)側(cè)面，通過穿過介電層1518的次觸點(diǎn)1548與電路1508耦合。側(cè)面觸點(diǎn)1550基本上在電路1508到后表面觸點(diǎn)1518之間形成導(dǎo)電或直流路徑，該路徑是圖15A所示的穿過IC的過孔的替代方案。在一些實(shí)施例中，電路1508可以與側(cè)面觸點(diǎn)1550容性耦合，而不是通過次觸點(diǎn)1548。在另一些實(shí)施例中，介電層1544不覆蓋IC 1542的前表面、側(cè)表面或后表面中的一個(gè)或多個(gè)。
[0133]介電層1518可以是形成于襯底1510上的天然氧化物，也可以沉積在IC 1542上。氧化物的形成或沉積可以發(fā)生在任何時(shí)候。類似地，側(cè)面觸點(diǎn)1550可以是襯底1510的一個(gè)區(qū)域，該區(qū)域經(jīng)摻雜獲得高于天然襯底1510的電導(dǎo)率。側(cè)面觸點(diǎn)1550也可以沉積在襯底1510上。該摻雜或沉積可以發(fā)生在任何時(shí)候。
[0134]圖16A — C示出根據(jù)實(shí)施例具有至少一個(gè)電路元件的雙面IC的側(cè)面剖視圖，其中該電路元件電耦合到IC的至少兩個(gè)表面上的觸點(diǎn)上。圖16示出的電路元件是整流器，但是該電路元件也可以是任何參考圖4中描述的電路組件那樣的任意電路組件。在一些實(shí)施例中，該整流器可以是電荷泵。本公開文件交替使用術(shù)語“整流器”和“電荷泵”。本文件中描述的整流器耦合到天線，因此在雙面IC中，該整流器耦合到在IC不同表面上的兩個(gè)天線觸點(diǎn)上。圖16A示出類似于圖15所示的雙面IC 1506那樣的雙面IC1600。作為電路1602的一部分，雙面IC 1600包含整流器1604，該整流器1604通過穿過IC的過孔1610電耦合到前表面天線觸點(diǎn)1606和后表面天線觸點(diǎn)1614。和IC 1506類似，介電層1612可選地將后表面天線觸點(diǎn)1614與IC襯底1608分開。
[0135]圖16B示出類似圖16A所示的雙面IC 1600那樣的另一雙面IC 1620。兩者的區(qū)別在于:在圖16B中，整流器1604通過襯底1608與后表面天線觸點(diǎn)1614耦合，而不是像在圖16A中那樣通過穿過IC的過孔，圖16B中示意性地示出為后表面天線觸點(diǎn)1614和整流器端子1616接地(例如:后表面天線觸點(diǎn)1614和整流器端子1616通過導(dǎo)電襯底電耦合到公共電位)。當(dāng)然此處使用的參考地電位只表示公共電位，不需要與真正的接地有任何聯(lián)系。在一些實(shí)施例中，襯底可通過摻雜而導(dǎo)電；在另一些實(shí)施例中，電路1602可以在襯底1608的外延層上制造，該電路1602可以與導(dǎo)電襯底1608電連接或電斷開。在上述后一種情形下，整流器端子1616可以電容性耦合到襯底1608上。
[0136]圖16C示出類似圖16B所示的雙面IC 1620那樣的另一雙面IC 1640。在電路1640中，電路1602也包含電耦合到前表面天線觸點(diǎn)1606和后表面天線觸點(diǎn)1614的調(diào)制器1642。類似于整流器1604，調(diào)制器1642通過襯底1608耦合到后表面天線觸點(diǎn)1614上。IC 1640通過背向散射(如上述圖2所示)響應(yīng)時(shí)，調(diào)制器1642可以調(diào)制前表面天線觸點(diǎn)1606和后表面天線觸點(diǎn)1614之間的阻抗(或?qū)Ъ{)來修正流過襯底1608(如圖上文15B所示)的電流，進(jìn)而產(chǎn)生響應(yīng)。兩個(gè)表面天線觸點(diǎn)間的總阻抗取決于整流器1604、調(diào)制器1642和襯底1608的阻抗。調(diào)制器1642基于需要的回復(fù)信號(hào)調(diào)制自身阻抗，這樣兩個(gè)表面天線觸點(diǎn)間的總阻抗得以調(diào)整，進(jìn)而調(diào)制流過襯底1608的電流。舉一個(gè)具體但不限于此的示例，調(diào)制器1642可以電連接并電斷開(通過開關(guān)動(dòng)作)兩個(gè)表面天線觸點(diǎn)以產(chǎn)生響應(yīng)信號(hào)。
[0137]圖16A、16B和16C不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制了可以耦合雙面IC多個(gè)表面的電路1602的類型或元件。下文將描述其他可以起到類似耦合功能的電路包括調(diào)制器、PMU、天線路由節(jié)點(diǎn)、阻抗匹配電路、ESD電路以及實(shí)際在RFID中存在的任何電路。
[0138]在一些實(shí)施例中，介電層1518、介電層1534、介電層1544可以是或可以包含不導(dǎo)電穩(wěn)定層。穩(wěn)定層可以有助于緩解不同的安裝力導(dǎo)致的安裝電容變化。
[0139]圖1700示出包含襯底1720和天線端子1727的RFID帶或填充物，該RFID帶或填充物通過安裝力Fl (1702)壓在RFID IC 1724上，其中天線端子1727和天線觸點(diǎn)1712通過穩(wěn)定層1710與IC分開。通過穩(wěn)定層1710固定了安裝距離Dl (1704)，也就產(chǎn)生類似的固定安裝電容Cl。
[0140]圖1750示出用大于安裝力Fl的安裝力F2 (1752)壓到RFID IC上的RFID帶或填充物。穩(wěn)定層1710的存在使得盡管安裝力F2更大，但安裝距離D2(1754)與安裝距離(1704)基本相同。因此，安裝電容C2與安裝電容Cl基本接近，有助于確保標(biāo)簽具有類似的調(diào)諧特性進(jìn)而具有類似的性能特性。
[0141]在一些實(shí)施例中，通過穩(wěn)定層1710內(nèi)的開口形成的凸塊將電路1762電連接到天線觸點(diǎn)1712上。穩(wěn)定層1710可以是有機(jī)材料或無機(jī)材料，通常(盡管不一定如此)是低介電常數(shù)、厚度合理即電容小的材料。可選擇將各向異性的導(dǎo)電黏合劑、圖形化導(dǎo)電黏合劑或不導(dǎo)電黏合劑1713以物理方式或電學(xué)方式或物理電學(xué)方式應(yīng)用于IC和帶子/填充物之間以將IC接合到帶/填充物上。如果黏合劑層1713是不導(dǎo)電性的，其通常是非常薄的，則在RFID通信的頻率范圍內(nèi)能在天線端子1727和天線觸點(diǎn)1712間提供低阻抗電容性路徑。
[0142]在一些實(shí)施例中，與圖8所示的接觸焊盤804或接觸焊盤806類似，天線觸點(diǎn)1712基本覆蓋了 RFID IC 1724的表面。為清楚起見，圖17未示出像圖16中觸點(diǎn)1614那樣的后表面天線觸點(diǎn)。顯然該后表面天線觸點(diǎn)可以在存在或不存在穩(wěn)定層的情況下形成，與IC前表面包含或不包含穩(wěn)定層無關(guān)；該后表面穩(wěn)定層可以是或可以包含圖16所示的介電層1612。
[0143]圖18A-C示出耦合到IC的多個(gè)表面上的觸點(diǎn)的雙差分雙面IC中的整流器的側(cè)面剖視圖。雙差分RFID IC包含兩個(gè)或以上電隔離的天線端口，其中一個(gè)天線端口上的奇模激發(fā)基本不在另一個(gè)天線端口上產(chǎn)生激發(fā)。
[0144]雙差分IC通常包含多個(gè)整流器，每個(gè)整流器電耦合到不同的天線端口。圖18A示出包含具有第一整流器1804和第二整流器1806的電路1802的第一雙差分雙面IC 1800。第一整流器1804電耦合到第一前表面天線觸點(diǎn)1808 ;第二整流器1806電耦合到第二前表面天線觸點(diǎn)1810。與圖16B所示的雙面IC 1620類似，這兩個(gè)整流器通過襯底1812耦合到后表面天線觸點(diǎn)1822。與圖16B類似，此處使用的參考地電位只表示公共電位，不需要與真正的接地有任何聯(lián)系。
[0145]圖18B示出包含具有第一整流器1804和第二整流器1806的電路1802的第二雙差分雙面IC 1830。IC 1830與圖18A所示的IC 1800類似，但是IC 1830包含兩個(gè)后表面觸點(diǎn)，第一整流器1804通過襯底1812耦合到后表面天線觸點(diǎn)1822并且第二整流器1802通過穿過芯片的過孔1824耦合到后表面天線觸點(diǎn)1826，其中該穿過芯片的過孔1824通常通過介電層1828與襯底1812電斷開。
[0146]圖18C示出包含具有第一整流器1804和第二整流器1806的電路1802的第三雙差分雙面IC 1860。IC 1860與圖18B所示的IC 1830類似，但是IC 1860包含兩個(gè)穿過IC的過孔，第一整流器1804通過穿過芯片的過孔1834耦合到后表面天線觸點(diǎn)1822并且第二整流器1806通過穿過芯片的過孔1824耦合到后表面天線觸點(diǎn)1826。通常這兩個(gè)穿過IC的過孔中的至少一個(gè),更普遍情形下是兩個(gè)穿過IC的過孔通過介電層1828與襯底1812電斷開。
[0147]除了使天線焊盤更容易對(duì)準(zhǔn)到天線端子外，雙面IC還可以有其他應(yīng)用。例如:半導(dǎo)體晶片上的雙面IC可以有助于晶片級(jí)測(cè)試。圖19A-B不出根據(jù)實(shí)施例所不的雙面IC晶片測(cè)試系統(tǒng)的概念圖。
[0148]圖19A示出用于測(cè)試包含上文所述的一個(gè)或多個(gè)雙面IC的雙面IC晶片1902的晶片測(cè)試系統(tǒng)1900。晶片1902的截面部分示出三個(gè)雙面1C，其中只有一個(gè)做了標(biāo)記(IC1908)。IC 1908包含IC電路(未示出)，該IC電路耦合到前表面觸點(diǎn)1906并通過上文所述方法(如通過穿過晶片的過孔、襯底耦合等)中的一種耦合到后表面觸點(diǎn)1918。探針卡1910將測(cè)試總線1914耦合到多個(gè)探針觸點(diǎn)1912上，這些探針觸點(diǎn)1912通常但不一定總是互相電斷開(在RFID系統(tǒng)中，RFID IC包含單片化算法，探針觸點(diǎn)1912根本不需要電斷開)。第二測(cè)試引線1916電耦合到后表面觸點(diǎn)1920，圖19A所示的第二測(cè)試引線1916跨越多個(gè)芯片(在一些實(shí)施例中也可以跨越整個(gè)晶片)。晶片測(cè)試過程中，對(duì)探針卡1910進(jìn)行定位使得每個(gè)探針觸點(diǎn)1912直流或電容性耦合到IC前表面觸點(diǎn)(例如前表面觸點(diǎn)1906)。通過向測(cè)試總線1914和測(cè)試引線1916提供測(cè)試信號(hào)，可以同時(shí)測(cè)試晶片1902上的多個(gè)雙面1C。如圖19A所示，前表面尺寸大且第二測(cè)試引線耦合到后表面觸點(diǎn)1918上，使得探針卡1910要求的對(duì)準(zhǔn)容差減小了。
[0149]圖19B示出用于測(cè)試雙面IC晶片1902的另一晶片測(cè)試系統(tǒng)1950。與測(cè)試系統(tǒng)1900中探針卡的單個(gè)探針觸點(diǎn)與IC前表面觸點(diǎn)耦合不同，測(cè)試系統(tǒng)1950使用柔性的導(dǎo)電接觸層1920來進(jìn)行耦合。因?yàn)檎麄€(gè)接觸層1920是導(dǎo)電的，晶片測(cè)試系統(tǒng)1950可忽略對(duì)于探針到IC觸點(diǎn)的對(duì)準(zhǔn)要求。柔性的接觸層1920可以是柔性和/或可順應(yīng)的導(dǎo)電材料，諸如導(dǎo)電橡膠或聚合物。要將柔性的接觸層1920耦合到IC前表面觸點(diǎn)上，可以在接觸層1920的背面和/或晶片1902的背面施加力或壓強(qiáng)(例如可以通過氣體、流體或其他方式產(chǎn)生)。替代地，可將高介電常數(shù)或?qū)щ姎怏w或流體置于柔性的接觸層1920和晶片1904之間來促進(jìn)它們之間的電容性或直流耦合。
[0150]在一些實(shí)施例中，后表面觸點(diǎn)1918可以包含導(dǎo)電金屬或半金屬層，例如:金屬、多晶硅和/或能使第二測(cè)試引線1916形成直流連接的摻雜層。在另一些實(shí)施例中，后表面觸點(diǎn)1918可以包含能使測(cè)試引線1916容性連接的介電層或絕緣層。
[0151]本文件中描述的雙面IC可以實(shí)現(xiàn)單面IC的任何已有功能，但還具備本文件中所述的許多優(yōu)勢(shì)和益處。雖然雙面IC的一些功能會(huì)在下文描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚:雙面IC可以實(shí)現(xiàn)未在本文件中明確描述的功能。
[0152]在一些實(shí)施例中，雙面IC可以經(jīng)過配置背向散射碼的組合，如2012年5月8日頒證的美國專利N0.8，174，367，該美國專利結(jié)合在此作為參考。圖20是時(shí)序圖2000，示出根據(jù)實(shí)施例來自RFID讀取器的命令及大量RFID標(biāo)簽的回復(fù)。圖2000未示出讀取器，也未示出標(biāo)簽。在一些實(shí)施例中，標(biāo)簽可以存儲(chǔ)第一碼和第二碼。根據(jù)實(shí)施例，圖2000中的命令能使標(biāo)簽“涌出”包含第一碼和第二碼的組合的回復(fù)，無需任何標(biāo)簽之間的介入式的讀取器命令。
[0153]時(shí)序圖2000沿垂直的時(shí)間軸向下演進(jìn)，讀取器發(fā)射的命令2012和來自標(biāo)簽的回復(fù)2026交替進(jìn)行。在圖2000所示的示例中，讀取器首先通過一個(gè)或多個(gè)可選的“涌出啟用”命令2002和“涌出”命令2003指示標(biāo)簽涌出其回復(fù)。在這期間每個(gè)標(biāo)簽是單片化的，讀取器同單片化的標(biāo)簽交易并接收標(biāo)簽數(shù)據(jù)。圖中是描述了三個(gè)示例交易:交易2030、交易2040和交易2050，這樣的交易或多或少都會(huì)發(fā)生。交易2030、交易2040和交易2050中的每一個(gè)不一定都完全示出，而是僅示出了部分相關(guān)命令。例如:單片化每個(gè)標(biāo)簽用于其自身交易的命令未示出。最后，可選的“禁用涌出”命令可以終止涌出行為。
[0154]在利用第一單片化標(biāo)簽的第一交易2030中，命令CMD32005使第一標(biāo)簽發(fā)送回復(fù)，該回復(fù)包含來自標(biāo)簽存儲(chǔ)器的第一碼的至少部分和第二碼的至少部分的組合2035，無需標(biāo)簽在發(fā)送兩碼部分之間接收讀取器命令。在利用第二單片化標(biāo)簽的交易2040中，重復(fù)的命令CMD32005使第二標(biāo)簽發(fā)出組合2045，同樣沒有介入的命令。在利用第三單片化標(biāo)簽的交易2050中，重復(fù)的命令CMD32005使第三標(biāo)簽發(fā)出組合2055，同樣沒有介入的命令。
[0155]在一些實(shí)施例中，交易2030、交易2040和交易2050可以比涉及分別發(fā)射第一碼和第二碼并在其中具有介入的讀取器命令的交易耗時(shí)更少。
[0156]在一些實(shí)施例中，可以用調(diào)諧電路配置雙面IC以匹配天線和IC的阻抗從而便于從入射的RF波中提取能量。圖21A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，包含調(diào)諧電路和用于存儲(chǔ)調(diào)諧數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽前端等效電路2100。RFID標(biāo)簽前端等效電路2100為RFID標(biāo)簽的不同阻抗進(jìn)行了建模，且包含天線部分2108、IC輸入部分2110以及將天線部分2108耦合到IC輸入部分2110的匹配網(wǎng)絡(luò)。天線部分2108包含電感器2104、電容器2106和電阻器2102，其中:電感器2104和電容器2106是天線阻抗的無功部分的模型；電阻器2102是天線阻抗有功部分的模型。IC輸入部分2110包含作為IC輸入電阻模型的電阻器2112和作為IC輸入電抗模型的電容器2114。匹配網(wǎng)絡(luò)包含電感器2116，該電感器2116是該匹配網(wǎng)絡(luò)的電感的模型。
[0157]等效電路2100還包含電耦合到可變阻抗元件2122的調(diào)諧電路2120。調(diào)諧電路2120可以包含電耦合到處理模塊2126的可選的非易失性存儲(chǔ)器(NVM) 2124。配置NVM 2124以用于即便在失電的情形下也能存儲(chǔ)并保持?jǐn)?shù)據(jù)，該NVM 2124可以包含ROM、EEPROM、閃存、MRAM、熔絲或本領(lǐng)域現(xiàn)有用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的其他類型存儲(chǔ)器中的一個(gè)或多個(gè)，也可以是一次性可編程存儲(chǔ)器或可重復(fù)寫和/或擦的存儲(chǔ)器。NVM 2124存儲(chǔ)關(guān)于標(biāo)簽調(diào)諧的信息，例如用于可變阻抗元件2122的設(shè)置。這些設(shè)置可以在RFID IC集成到RFID標(biāo)簽中去之前或之后預(yù)編程到NVM中。
[0158]在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)在NVM 2124中的設(shè)置可以被動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。例如:在標(biāo)簽調(diào)諧過程(如下文參考圖22描述的過程2200)中，存儲(chǔ)的可變阻抗設(shè)置可以由提供更好阻抗匹配的新設(shè)置覆寫或補(bǔ)充。
[0159]NVM 2124也可以存儲(chǔ)關(guān)于由標(biāo)簽提取的和/或反射的功率的信息。例如:NVM2124可以存儲(chǔ)用于標(biāo)簽調(diào)諧迭代過程的所提取的和/或反射功率的先前值，在此過程中連續(xù)檢測(cè)到的所提取的和/或反射的功率值用于評(píng)價(jià)可變阻抗調(diào)節(jié)的效果。
[0160]在一些實(shí)施例中不需要NVM 2124，這種情形下可以通過預(yù)設(shè)或用算法確定的值將處理模塊2126用于可變阻抗元件2122，以改善功率提取。
[0161]處理模塊2126通常經(jīng)配置以調(diào)諧可變阻抗元件2122來增加IC 424從入射到標(biāo)簽天線上RF波上提取的功率量。處理模塊2126調(diào)節(jié)可變阻抗元件2122可以基于:存儲(chǔ)在NVM 2124內(nèi)的阻抗設(shè)置、存儲(chǔ)在NVM 2124內(nèi)的前一個(gè)提取的/反射的功率數(shù)據(jù)和/或一個(gè)或多個(gè)阻抗調(diào)諧算法。如果新設(shè)置提供更多提取的RF功率，處理模塊2126也可以更新或覆寫存儲(chǔ)的阻抗設(shè)置。在一些實(shí)施例中，處理模塊2126可以根據(jù)來自外部實(shí)體(如RFID讀取器)的命令來調(diào)節(jié)阻抗。在另一些實(shí)施例中，處理模塊2126可以也(或替代地)基于一個(gè)或個(gè)環(huán)境條件來調(diào)節(jié)阻抗。
[0162]圖21B示出根據(jù)實(shí)施例的包含調(diào)諧電路2120的另一 RFID標(biāo)簽的前端等效電路2150。在電路2150中，調(diào)諧電路2120可經(jīng)配置確定所提取的功率量并根據(jù)該功率量調(diào)節(jié)可變阻抗元件2122。在一個(gè)實(shí)施例中，可以集成在調(diào)諧電路2120或集成在IC 424中的另一電路內(nèi)(如在整流器或PMU內(nèi))的功率檢測(cè)器2152檢測(cè)來自標(biāo)簽天線(如圖2所示的標(biāo)簽天線227)并通過IC提取的RF功率量。在一個(gè)示例中，功率檢測(cè)器2152可以只是通過IC 424從入射到標(biāo)簽天線的RF波形成的供電電壓。
[0163]調(diào)諧控制器2156可以調(diào)節(jié)可變阻抗元件2122來改善阻抗匹配，進(jìn)而增加提取的功率。當(dāng)調(diào)諧控制器調(diào)節(jié)可變阻抗元件時(shí)，比較器2154確定提取的功率是增加還是減少了，進(jìn)而使調(diào)諧控制器確定如何改變阻抗值以改善功率轉(zhuǎn)換。
[0164]在一些實(shí)施例中，調(diào)諧電路2120經(jīng)配置能在低于IC 424的提取功率水平下運(yùn)行。在一些實(shí)施例中，在調(diào)諧電路最大化提取的功率和/或提取的功率量足以使IC 424運(yùn)行前，整流器或PMU可以禁用IC 424。
[0165]圖22是根據(jù)實(shí)施例的用于RFID標(biāo)簽調(diào)諧過程2200的流程圖。調(diào)諧過程2200從步驟2210開始。在步驟2210中，具有天線、1C、可變阻抗元件和調(diào)諧電路的RFID標(biāo)簽從入射的RF波提取處于超過“足以調(diào)諧功率”(SPTT)參數(shù)的水平的功率。在一些示例中，提取的功率會(huì)低于“足以使IC運(yùn)行”(SPOI)參數(shù)，在這種情形下，根據(jù)協(xié)議IC沒有足夠的功率運(yùn)行。然而，調(diào)諧電路2120不運(yùn)行，因?yàn)樘崛〉墓β蚀笥赟PTT。在可選步驟2220中，可變阻抗元件重置到初始狀態(tài)。在一些示例中，調(diào)諧電路2120可以通過調(diào)諧算法設(shè)置初始狀態(tài)，或從存儲(chǔ)器(如圖21A所示的NVM 2124)恢復(fù)初始狀態(tài)并將該初始狀態(tài)應(yīng)用于可變阻抗元件，或使用可變阻抗元件的前一狀態(tài)作為其初始狀態(tài)。在另一些示例中，可變阻抗元件會(huì)將自己設(shè)置或重置到初始狀態(tài)。
[0166]在步驟2230中，調(diào)諧電路取樣由RFID標(biāo)簽提取的功率，或用于確定基準(zhǔn)值(在調(diào)諧過程的開始)，或用于評(píng)價(jià)阻抗變化的效果(在調(diào)諧過程期間)。如果是后一種情形(在調(diào)諧過程期間)，步驟2240中的調(diào)諧電路確定新取樣的功率值是否小于一個(gè)或多個(gè)已取樣的功率值。如果以上判斷結(jié)果是否定的，則調(diào)諧過程繼續(xù)。如果以上判斷結(jié)果是肯定的，則調(diào)諧電路假設(shè)功率轉(zhuǎn)化與提取已最大化，過程接著進(jìn)行到步驟2280，在該步驟中調(diào)諧電路暫停調(diào)節(jié)過程。在一些實(shí)施例中，判斷阻抗值是否已優(yōu)化好的準(zhǔn)則非常復(fù)雜，尤其是可變阻抗元件和提取的功率之間的關(guān)系不是單調(diào)的時(shí)候。在這些情形下，即便是新取樣的功率值小于先前樣本，調(diào)諧電路也可以使用查詢算法(在一些情形下包含已有的熟練應(yīng)用于計(jì)算機(jī)科學(xué)和/或機(jī)器學(xué)習(xí)中的技術(shù))來確定功率轉(zhuǎn)換能否進(jìn)一步改善。
[0167]如果新取樣的功率值超過先前的取樣值或者調(diào)諧電路確定功率轉(zhuǎn)換能進(jìn)一步改善，則調(diào)諧電路在步驟2250中確定新的可變阻抗值。調(diào)諧電路可以以多種方式確定可變阻抗值，如:使用固定步驟、二進(jìn)制樹遍歷，與現(xiàn)有改進(jìn)成比例或使用其他為本工程學(xué)科技術(shù)人員熟知的算法。一般新的阻抗值會(huì)基于最新取樣的功率值(在一些實(shí)施例中，也基于幾個(gè)之前的功率樣本)。在步驟2260中，調(diào)諧電路可選地檢查新的阻抗值是否超過可變阻抗范圍的調(diào)諧范圍。如果以上判斷結(jié)果是肯定的，則調(diào)諧電路在步驟2280中停止調(diào)諧過程。
[0168]如果新阻抗值不超過可變阻抗調(diào)諧范圍，則調(diào)諧電路在步驟2270中調(diào)節(jié)可變阻抗元件。然后調(diào)諧過程回到步驟2230，在該步驟中，取樣所提取功率的新樣本以評(píng)價(jià)新調(diào)諧的阻抗的效果。調(diào)諧過程2200通過步驟2230-步驟2270進(jìn)行迭代，直到步驟2240中提取的功率達(dá)到足夠的值或最大值(暗示了阻抗匹配經(jīng)優(yōu)化)或進(jìn)一步調(diào)諧阻抗就會(huì)超過可變阻抗元件的調(diào)諧范圍(如步驟2260所示)為止。
[0169]在調(diào)諧過程2200的最后，即在步驟2280中，最終的可變阻抗設(shè)置可以存儲(chǔ)在標(biāo)簽存儲(chǔ)器(如圖21A所示的NVM 2124)內(nèi)。在一些實(shí)施例中，RFID讀取器能夠從存儲(chǔ)器中讀取最終的阻抗設(shè)置或能夠指示標(biāo)簽IC將最終的阻抗設(shè)置發(fā)射給讀取器。
[0170]在一些實(shí)施例中，提取的功率和反射的功率都可以在步驟2230中取樣并用于步驟2240進(jìn)行的確認(rèn)中。在這些實(shí)施例中，反射功率減少的同時(shí)提取功率增加對(duì)應(yīng)于功率轉(zhuǎn)換改善。反射功率提供的附加信息也可以是有用的。例如:在RFID標(biāo)簽隨著RF功率源移動(dòng)進(jìn)而入射功率是變化的情形下。就提取功率自身而言，其在阻抗調(diào)諧后增加可以是源于標(biāo)簽向功率源移近了而非源自功率轉(zhuǎn)換改善了。但是，通過同時(shí)測(cè)量提取功率和反射功率，調(diào)諧電路就能確定提取功率增加是源于標(biāo)簽的運(yùn)動(dòng)還是源于阻抗調(diào)諧。
[0171]在一些實(shí)施例中，雙面IC可以經(jīng)配置自己產(chǎn)生標(biāo)識(shí)符的一部分來響應(yīng)讀取器信號(hào)。圖23是根據(jù)實(shí)施例的自串行化過程前、后RFID標(biāo)簽的狀態(tài)的圖2300。附接在物品上的RFID標(biāo)簽可以將標(biāo)簽序列號(hào)(TSN) 2310及物品序列號(hào)(ISN) 2320存儲(chǔ)在易失性或非易失性存儲(chǔ)器內(nèi)。TSN 2310可以是唯一的號(hào)碼，可用于標(biāo)識(shí)標(biāo)簽1C，并可以在IC制造過程中寫入IC存儲(chǔ)器。在運(yùn)行環(huán)境下，每個(gè)標(biāo)簽IC優(yōu)選為具有不同TSN 2310，這樣各個(gè)標(biāo)簽IC互相可以區(qū)分開來。ISN 2320是存儲(chǔ)在標(biāo)簽上用于標(biāo)識(shí)標(biāo)簽所附接的物品的號(hào)碼。ISN2320可以在標(biāo)簽和主物品關(guān)聯(lián)的時(shí)候?qū)懭?。在運(yùn)行環(huán)境下，每個(gè)物品優(yōu)選為具有不同ISN2320，這樣各個(gè)物品互相可以區(qū)分開來。例如:TSN 2310可以包含標(biāo)簽標(biāo)識(shí)符(TID)，ISN2320可以包含電子產(chǎn)品代碼(EPC)、通用產(chǎn)品代碼(UPC)或庫存單位(SKU)號(hào)。
[0172]TSN 2310可以劃分為至少一個(gè)標(biāo)簽類標(biāo)識(shí)符(TCI) 2312和標(biāo)簽實(shí)例標(biāo)識(shí)符(ΤΙΙ)2314，其中:TCI 2312可以表示IC的類或型號(hào)且可以是多個(gè)IC共用的；TII 2314通常是唯一的(至少在一段時(shí)間里)，用于通過串行化在IC類中標(biāo)識(shí)特定1C。在一些示例中，具有不同TCI的標(biāo)簽不混合，則TCI2312可以是空的。在另一些示例中，每一個(gè)IC的類、種類或型號(hào)可以有不同的TCI 2312，且類、種類或型號(hào)相同的所有標(biāo)簽可以共享同一個(gè)TCI2312。TH 2314能使每一類、種類或型號(hào)中的各個(gè)標(biāo)簽彼此區(qū)分開來。標(biāo)簽或IC制造商可以在IC制造時(shí)或制造后不久將TCI 2312和TII 2314存儲(chǔ)在標(biāo)簽上。
[0173]ISN 2320至少可以劃分成物品類標(biāo)識(shí)符(ICI) 2322和物品實(shí)例標(biāo)識(shí)符
(111)2324，其中:ICI 2322標(biāo)識(shí)標(biāo)簽附連的物品的類且不同物品的ICI 2322可以是公共的；III 2324可以是空的、未寫入的或無效的(如圖23中方括號(hào)[]示出的那樣)直到其從TSN 2310串行化。一旦III 2324串行化后成為III 2326，其通常是唯一的(至少在一段時(shí)間內(nèi))且根據(jù)其串行化在類中識(shí)別物品。在一些示例中，具有不同ICI的標(biāo)簽不混合，則ICI 2322可以是空的。在另一些示例中每一物品類可以具有一個(gè)不同的ICI 2322，且同一類的所有物品共享相同的ICI 2322。III 2326使同一物品類中的不同物品能夠彼此區(qū)別開。例如:ICI 2322可以將物品類標(biāo)識(shí)為毛巾，而III 2326則可以標(biāo)識(shí)毛巾中的特定一盒。
[0174]在一些實(shí)施例中，ICI 2322和III 2326可以在標(biāo)簽和主物品關(guān)聯(lián)的時(shí)候?qū)懭?。系統(tǒng)集成器或最終用戶可以生成ISN 2320，將其存儲(chǔ)到標(biāo)簽上，并將標(biāo)簽應(yīng)用于主物品。要從零開始產(chǎn)生ISN可能涉及用于產(chǎn)生、分配并追蹤分配的ISN的號(hào)碼管理系統(tǒng)，尤其是每個(gè)III應(yīng)當(dāng)優(yōu)選是唯一的。要確保制造相同類型物品的多個(gè)工廠使用的III的唯一性，又要確保零售商需要為物品替換丟失或損壞的標(biāo)簽并產(chǎn)生新的III時(shí)多個(gè)零售商使用的III的唯一性。即便III的唯一性只需保持一段時(shí)間，這也是個(gè)嚴(yán)峻的任務(wù)，因?yàn)樵摃r(shí)間段通常至少以周計(jì)算，更普遍的情形是以月或年計(jì)。
[0175]根據(jù)實(shí)施例，在系統(tǒng)中，標(biāo)簽可以從其TSN自己生成其III。在一些實(shí)施例中，標(biāo)簽可以在以下時(shí)機(jī)自己產(chǎn)生II1:計(jì)時(shí)器到期、IC上電時(shí)(自動(dòng)進(jìn)行)、響應(yīng)讀取器命令、將ISN背向散射到讀取器之前(自動(dòng)進(jìn)行)或標(biāo)簽處理模塊執(zhí)行使用ISN的操作時(shí)。在一些實(shí)施例中，多個(gè)標(biāo)簽?zāi)軌蚪?jīng)指示同時(shí)由自己產(chǎn)生其III。在一些示例中，III遭到破壞時(shí)，讀取器能夠指示標(biāo)簽從TSN中重新產(chǎn)生III。在一些示例中，標(biāo)簽將自己產(chǎn)生的III存儲(chǔ)在NVM內(nèi)。在另一些示例中標(biāo)簽可以在易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)自己產(chǎn)生的III并在上電時(shí)、收到讀取器命令時(shí)或發(fā)出回應(yīng)之前(自動(dòng)進(jìn)行)產(chǎn)生的III。在一些示例中，標(biāo)簽可以根本不存儲(chǔ)III，而是每當(dāng)需要使用并發(fā)送III時(shí)從TSN中自己產(chǎn)生III。無論使用哪種方法，因?yàn)闃?biāo)簽自身執(zhí)行串行化，對(duì)昂貴的ISN管理系統(tǒng)的需求減少了。
[0176]在圖23中，未串行化的標(biāo)簽處于狀態(tài)O (2302)，在此狀態(tài)下，TSN2310 (包含TCI2312和TII 2314)已存儲(chǔ)于IC中。但是ISN 2320是不完整的。在一些實(shí)施例中，處于狀態(tài)O的標(biāo)簽具有存儲(chǔ)于IC中的ICI 2322而不具有III 2324，該III 2324可以是空的、未寫入的，可以包含“未串行化的”碼，也可以處于對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的未編程狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，標(biāo)簽也可以存儲(chǔ)狀態(tài)位2306，其值示出標(biāo)簽狀態(tài)(例如ISN是否已串行化)。
[0177]發(fā)生觸發(fā)事件時(shí)標(biāo)簽從狀態(tài)O轉(zhuǎn)換到狀態(tài)I (2304)，觸發(fā)事件可以是:讀取器的命令、標(biāo)簽上電、計(jì)時(shí)器到期、處理模塊444事件、請(qǐng)求或需要背向散射ISN、需要在ISN上計(jì)算循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)、需要加密ISN、從讀取器接收到信號(hào)或需要標(biāo)簽處理串行化的ISN的任何事件。在狀態(tài)1，TSN 2310和ICI 2322相對(duì)于在狀態(tài)O時(shí)保持不變，但標(biāo)簽將函數(shù)2330應(yīng)用于TSN 2310的至少一部分，自己產(chǎn)生III 2326。函數(shù)2330可以是簡(jiǎn)單的直接復(fù)制(如將TSN 2310中的一部分復(fù)制到III 2326)，可以是索引復(fù)制(如將開頭復(fù)制到指針位置)，或可以包含用于從TSN 2310中導(dǎo)出或確定III的復(fù)雜算法。在一些實(shí)施例中，函數(shù)2330可以從TII 2314中導(dǎo)出III 2326。在另一些實(shí)施例中，函數(shù)2330可以從整個(gè)TSN2310中導(dǎo)出III 2326。自串行化也會(huì)使標(biāo)簽確定狀態(tài)位2306以指示標(biāo)簽的ISN已串行化。
[0178]圖24是根據(jù)實(shí)施例標(biāo)簽IC自串行化過程2400的流程圖。在步驟2410中，RFID標(biāo)簽接收包含ICI的至少一部分的命令。作為響應(yīng)，在步驟2420中，標(biāo)簽將ICI寫入標(biāo)簽存儲(chǔ)器。在步驟2430中，標(biāo)簽可選地從與步驟2410中相同或不同的讀取器接收信號(hào)。在一些實(shí)施例中，該信號(hào)可以是指示標(biāo)簽自己生成并存儲(chǔ)III的串行化命令。在另一些實(shí)施例中，該信號(hào)可以是用于使標(biāo)簽產(chǎn)生III并作出響應(yīng)的盤存命令或讀取命令。在另一些實(shí)施例中，該信號(hào)可以是諸如CW波那樣的RF功率，該RF功率使標(biāo)簽IC上電并在上電時(shí)自己產(chǎn)生III供其自身使用。在另一些實(shí)施例中，該信號(hào)可以使標(biāo)簽產(chǎn)生不同于現(xiàn)有III的新III，加大跟蹤標(biāo)簽的難度以保護(hù)消費(fèi)者的隱私。
[0179]在步驟2440中，標(biāo)簽通過將算法或函數(shù)應(yīng)用于已存儲(chǔ)在標(biāo)簽上的TSN的至少一部分來產(chǎn)生III。產(chǎn)生該III可以是對(duì)步驟2410中命令的響應(yīng)，可以是對(duì)步驟2430中信號(hào)的響應(yīng)，也可以使對(duì)其他觸發(fā)事件的響應(yīng)。該算法或函數(shù)可以完全或部分包含在命令信號(hào)中，也可以是標(biāo)簽IC已知的。在可選的步驟2450中，標(biāo)簽將產(chǎn)生的III寫入易失性或非易失性的標(biāo)簽存儲(chǔ)器。該寫入步驟是可選的，因?yàn)樵谝恍┦纠校瑯?biāo)簽可以在步驟2440中產(chǎn)生III，在步驟2470(見下文)中發(fā)射III，然后刪除該III。
[0180]在可選步驟2460中，標(biāo)簽鎖住包含ICI和/或III的存儲(chǔ)器以防止隨后的覆寫操作。最后，在步驟2470中，作為對(duì)步驟2410中的命令或步驟2430中的信號(hào)或完全是其他事件的響應(yīng)，標(biāo)簽將包含ICI和自己產(chǎn)生的III的ISN發(fā)射到讀取器。
[0181]在一些實(shí)施例中，雙面IC可以經(jīng)配置示出不同行為或在不同情形下顯示不同的存儲(chǔ)器部分，就如2012年7月24日頒證的美國專利N0.8，228，175描述的那樣，該美國專利結(jié)合在此作為參考。圖25是根據(jù)實(shí)施例形成在RFID IC內(nèi)的電路組件2524的框圖。應(yīng)當(dāng)認(rèn)可組件2524中的一些對(duì)應(yīng)于電路424中的類似組件。組件2524包含與天線觸點(diǎn)432、天線觸點(diǎn)433類似的用于耦合到天線上的天線觸點(diǎn)2532、天線觸點(diǎn)2533。雖然只示出了天線觸點(diǎn)2532和天線觸點(diǎn)2533，但使用更多天線觸點(diǎn)也是可能的。
[0182]組件2524附加包含類似于存儲(chǔ)器450的存儲(chǔ)器2550。存儲(chǔ)器2550可以包含存儲(chǔ)器部分A 2551和存儲(chǔ)器部分B 2558。存儲(chǔ)器部分A 2551具有第一存儲(chǔ)位組；存儲(chǔ)器部分B 2558具有第二存儲(chǔ)位組。應(yīng)當(dāng)記住:在圖25所示的實(shí)施例中，存儲(chǔ)器部分A 2551示出為與存儲(chǔ)器部分B 2558完全不同，但這只是圖25中示例的情形。雖然存儲(chǔ)器部分A 2551自身與存儲(chǔ)器部分B 2558不完全一致，但兩者可以有部分重疊的部分，或一個(gè)存儲(chǔ)器可以是另一個(gè)存儲(chǔ)器的子存儲(chǔ)器。
[0183]存儲(chǔ)器部分A 2551中的第一存儲(chǔ)位組存儲(chǔ)數(shù)據(jù)A 2561 ;存儲(chǔ)器B 2558中的第二存儲(chǔ)位組存儲(chǔ)數(shù)據(jù)B 2568。同樣，數(shù)據(jù)A 2561示出為與數(shù)據(jù)B2568完全不同，但這只是圖25中示例的情形。如果各存儲(chǔ)器中有任何位被共享，則數(shù)據(jù)A 2561可以與數(shù)據(jù)B 2568共享。即便各存儲(chǔ)器中有沒有任何位被共享，數(shù)據(jù)A 2561中的一些也能與數(shù)據(jù)B 2568中的一些相同。
[0184]組件2524還包含根據(jù)實(shí)施例制成的處理模塊2544。處理模塊2544能通過天線觸點(diǎn)2532、天線觸點(diǎn)2533電耦合到標(biāo)簽天線。這樣，處理模塊2544通過天線接收RFID讀取器發(fā)布的命令，并能根據(jù)這些命令執(zhí)行操作，如通信協(xié)議中詳細(xì)說明的那樣。該協(xié)議已在上文進(jìn)行了描述。這些協(xié)議中的一部分為標(biāo)簽、進(jìn)而為處理模塊2544定義了協(xié)議狀態(tài)。
[0185]通常，如果標(biāo)簽處于和某一呼叫協(xié)議狀態(tài)匹配的內(nèi)部標(biāo)簽協(xié)議狀態(tài)，則該協(xié)議要求標(biāo)簽向第一詢問器命令發(fā)送特定響應(yīng)。在一些實(shí)施例中，處理模塊2544確實(shí)能夠處于和某一呼叫協(xié)議狀態(tài)匹配的內(nèi)部標(biāo)簽協(xié)議狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，處理模塊2544能通過單獨(dú)的內(nèi)部標(biāo)簽協(xié)議狀態(tài)執(zhí)行本發(fā)明，該單獨(dú)內(nèi)部協(xié)議狀能與背向散射諸如EPC那樣的I SN (如圖23所示的ISN)的狀態(tài)相匹配。在另一些實(shí)施例中，處理模塊2544也能夠達(dá)到附加的協(xié)議狀態(tài)。就實(shí)現(xiàn)而言，如果存在這樣的附加協(xié)議狀態(tài)，處理模塊2544可以具有協(xié)議狀態(tài)機(jī)，指明該處理模塊處于哪個(gè)內(nèi)部標(biāo)簽協(xié)議狀態(tài)。在微觀層面上，處理模塊2544能夠處于這種或那種內(nèi)部標(biāo)簽協(xié)議狀態(tài)，而在宏觀層面上，可以說該RFID IC或整個(gè)RFID標(biāo)簽處于這種或那種協(xié)議狀態(tài)。
[0186]通常如果標(biāo)簽處于與某一呼叫協(xié)議狀態(tài)兼容狀態(tài)時(shí)，則協(xié)議需要接收第一詢問器命令的標(biāo)簽發(fā)射特定碼以作為響應(yīng)。處理模塊2544或其主控標(biāo)簽可以從該兼容狀態(tài)開始運(yùn)行，或從不同的狀態(tài)開始運(yùn)行再轉(zhuǎn)換到該兼容狀態(tài)。該轉(zhuǎn)換操作可通過多種方式執(zhí)行。在一些實(shí)施例中，轉(zhuǎn)換操作能夠在接收到一個(gè)或多個(gè)預(yù)令時(shí)作為響應(yīng)而執(zhí)行。事實(shí)上，許多協(xié)議需要這種轉(zhuǎn)換操作并明確如何執(zhí)行轉(zhuǎn)換操作。通常當(dāng)部分標(biāo)簽從其他標(biāo)簽單片化出來時(shí)，這種轉(zhuǎn)換操作就執(zhí)行。
[0187]如果處理模塊2544處于與呼叫協(xié)議狀態(tài)匹配的狀態(tài)，它就能夠?qū)⒒貜?fù)碼作為特別碼發(fā)射，以響應(yīng)第一命令。發(fā)射回復(fù)碼能夠與協(xié)議一致。本文件中所稱的協(xié)議狀態(tài)匹配是指回復(fù)碼一致地發(fā)射出去，無論該協(xié)議狀態(tài)僅僅是匹配的協(xié)議狀態(tài)還是確切的協(xié)議狀態(tài)。
[0188]處理模塊2544能夠附加地映射作為存儲(chǔ)器部分A 2551 一部分的第一存儲(chǔ)器位組或映射作為存儲(chǔ)器部分B 2558 —部分的第二存儲(chǔ)器位組。如果處理模塊2544映射在存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器部分A 2551中的第一存儲(chǔ)器位組，則響應(yīng)碼可以是至少部分從映射的第一數(shù)據(jù)導(dǎo)出的第一碼?；蛘呷绻幚砟K2544映射在存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器部分B2558中的第二存儲(chǔ)器位組，則響應(yīng)碼可以是第二碼。該第二碼至少部分從映射的第二數(shù)據(jù)導(dǎo)出，通常不同于第一碼。
[0189]進(jìn)一步可以理解，雖然組件2524中僅示出存儲(chǔ)器部分2551和存儲(chǔ)器部分2558，但本發(fā)明并不局限于這種情形。例如:能夠存在具有第三存儲(chǔ)器位組的第三存儲(chǔ)器部分用于存儲(chǔ)第三數(shù)據(jù)。根據(jù)一些實(shí)施例，處理模塊能夠映射第三存儲(chǔ)器位組(而不是第一或第二存儲(chǔ)器位組)，這樣，如果處理模塊在與呼叫協(xié)議狀態(tài)匹配的狀態(tài)時(shí)接收第一詢問器命令，則返回碼可以是至少部分從第三數(shù)據(jù)導(dǎo)出的第三碼，該第三碼不同于第一碼和第二碼。
[0190]通常按實(shí)施例制成的IC可選地能包含行為指示器。如果提供了該行為指示器，就能指示第一存儲(chǔ)器位組和第二存儲(chǔ)器位組中哪一個(gè)被處理模塊映射了。在圖25所示的示例中，組件2524附加地包含可選的行為指示器2570。如果提供了該行為指示器2570，它就能指示在存儲(chǔ)器部分A 2551中的第一存儲(chǔ)器位組或在存儲(chǔ)器部分B 2558中的第二存儲(chǔ)器位組。進(jìn)而該行為指示器2570(如果已提供)指示數(shù)據(jù)A 2561或數(shù)據(jù)B 2568。
[0191]本發(fā)明不明確要求有行為指示器。在一些實(shí)施例中，行為狀態(tài)替代地由上下文示出。
[0192]如果提供有行為指示器2570，它能夠以任何方式實(shí)現(xiàn)。在一些但不一定是所有的實(shí)施例中，行為指示器被編碼到一個(gè)或多個(gè)值中，該值分別存儲(chǔ)于IC的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器單元中。圖25示出這種情形，其中可選的行為指示器2570以跨越標(biāo)簽存儲(chǔ)器2550邊界的形式示出。如果行為指示器確實(shí)編碼到一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器值，則該值甚至可以是第一數(shù)據(jù)、第二數(shù)據(jù)等值。
[0193]圖26是概念圖2600，示出標(biāo)簽如何能夠處于幾種不同行為狀態(tài)中的一種狀態(tài)。行為狀態(tài)2610是標(biāo)簽易讀的狀態(tài)。行為狀態(tài)2682是模糊/隱私/擾頻行為狀態(tài)，在這種狀態(tài)下，碼被擾亂使未經(jīng)授權(quán)的讀取器更難讀取。行為狀態(tài)2684是模糊/隱私靜態(tài)行為狀態(tài)，在這種狀態(tài)下，標(biāo)簽只能對(duì)信號(hào)足夠強(qiáng)的讀取器產(chǎn)生響應(yīng)。在狀態(tài)2684中，標(biāo)簽只有當(dāng)讀取器靠近時(shí)才能響應(yīng)，如果讀取器離得遠(yuǎn)，即便讀取器的信號(hào)能傳遞足以使標(biāo)簽響應(yīng)的功率，標(biāo)簽也不產(chǎn)生響應(yīng)。在行為狀態(tài)2686中的標(biāo)簽只將擾頻碼回復(fù)給信號(hào)足夠強(qiáng)的讀取器。在一些實(shí)施例中，標(biāo)簽甚至能夠在其靠近讀取器并接收強(qiáng)信號(hào)時(shí)從行為狀態(tài)2610開始回復(fù)，并在標(biāo)簽遠(yuǎn)離讀取器并接收弱信號(hào)時(shí)自動(dòng)轉(zhuǎn)換到行為狀態(tài)2682、行為狀態(tài)2684、行為狀態(tài)2686中的一種。
[0194]在一些實(shí)施例中，雙面IC可以經(jīng)配置在私有配置文件和公共配置文件之間轉(zhuǎn)換。圖27示出根據(jù)實(shí)施例將暴露的標(biāo)簽存儲(chǔ)器從私有配置文件轉(zhuǎn)換到公共配置文件及從公共配置文件到私有配置文件。
[0195]圖2700示出私有配置文件2700和公共配置文件2720之間的轉(zhuǎn)換，其中標(biāo)簽存儲(chǔ)器的不同部分對(duì)讀取器隱藏或可見。在私有配置文件中，標(biāo)簽暴露用戶存儲(chǔ)器；TID存儲(chǔ)器包含標(biāo)簽型號(hào)、標(biāo)簽序列號(hào)及公共EPC ;EPC存儲(chǔ)器包含私有EPC。在一些應(yīng)用中，讀取器將值寫入公共EPC存儲(chǔ)器位置，并用QT命令“公布”標(biāo)簽。在公布標(biāo)簽前，讀取器可選擇將盡量少(包括根本沒有)或盡量多的信息編碼寫入公共EPC字段。
[0196]私有配置文件和公共配置文件的一個(gè)使用模型包含含有在私有EPC存儲(chǔ)器中的私有EPC的標(biāo)簽，該標(biāo)簽示出其所附接的物品。在銷售點(diǎn)，讀取器可以將諸如存儲(chǔ)碼或銷售碼這樣的銷售信息寫入位于TID存儲(chǔ)器中的公共EPC位置，再發(fā)布QT命令以將標(biāo)簽暴露的存儲(chǔ)器配置文件從私有轉(zhuǎn)換為公共。一旦轉(zhuǎn)換，該標(biāo)簽就隱藏用戶存儲(chǔ)器、TID序列號(hào)及私有EPC。替代地，標(biāo)簽暴露公共EPC存儲(chǔ)器中的公共EPC，該公共EPC從TID存儲(chǔ)器中的現(xiàn)有位置中重新映射獲得。在盤存期間，該標(biāo)簽現(xiàn)在會(huì)向讀取器發(fā)射該公共EPC，該公共EPC可以包含銷售碼但通常不包含標(biāo)簽所附接的物品的EPC。注意在本例中，標(biāo)簽的公共存儲(chǔ)器是該標(biāo)簽的私有存儲(chǔ)器的子集——該標(biāo)簽將來自私有狀態(tài)TID存儲(chǔ)器庫的其型號(hào)EPC和公共EPC分別重新映射至位于公共狀態(tài)TID及公共狀態(tài)EPC存儲(chǔ)器庫中的型號(hào)EPC和公共EPC0當(dāng)然，公共存儲(chǔ)器不必是私有存儲(chǔ)器的子集，而可以是完全不同的形式，如可以選擇存儲(chǔ)器的位置將狀態(tài)從私有轉(zhuǎn)換為公共。最后，在一些實(shí)施例中，轉(zhuǎn)換過程是可逆的，能使讀取器指示標(biāo)簽再從暴露其私有存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)換回暴露其公共存儲(chǔ)器。
[0197]在一些實(shí)施例中，可以配置雙面IC來執(zhí)行標(biāo)簽-標(biāo)志刷新。圖28是圖2800，示出根據(jù)實(shí)施例刷新對(duì)作為時(shí)間的函數(shù)的標(biāo)簽-標(biāo)志物理參數(shù)的作用。標(biāo)簽-標(biāo)志物理參數(shù)可以包含電壓、電流、電荷和通量中的一個(gè)或多個(gè)。在一些實(shí)施例中，如果標(biāo)志物理參數(shù)值高于閾值2802，則認(rèn)為該標(biāo)志保持第一值(例如值"B”)；而當(dāng)標(biāo)志物理參數(shù)值低于閾值2820，則認(rèn)為該標(biāo)志保持第二值(例如值” A” )。當(dāng)標(biāo)簽處于盤存操作2806時(shí)，標(biāo)簽-標(biāo)志物理參數(shù)可以被調(diào)整以便轉(zhuǎn)換標(biāo)簽的值。雖然圖28所示的盤存操作將標(biāo)簽標(biāo)志值斷言為從“A”到“B”，但在另一些實(shí)施例中，盤存操作也可以將標(biāo)簽標(biāo)志值斷言為從“B”到“A”。盤存操作調(diào)節(jié)的標(biāo)簽-標(biāo)志物理參數(shù)的量可以是靜態(tài)(如總是以預(yù)設(shè)的量增加/減少)或動(dòng)態(tài)的(如增加/減少的量根據(jù)參數(shù)中的任何數(shù)變化)，只要調(diào)節(jié)量足以改變標(biāo)志值。
[0198]盤存操作2806后，標(biāo)簽-標(biāo)志物理參數(shù)會(huì)隨時(shí)間衰減，如曲線2804所示。在某時(shí)刻2808，標(biāo)簽-標(biāo)志物理參數(shù)會(huì)衰減到閾值2802以下，將標(biāo)志值從B轉(zhuǎn)換到A。時(shí)刻2808和時(shí)刻2806的區(qū)別在于標(biāo)志的持續(xù)時(shí)間不同，且標(biāo)志保持值B的時(shí)間不同。該物理參數(shù)的衰減率可以是一個(gè)或多個(gè)標(biāo)簽和/或環(huán)境條件(諸如標(biāo)簽設(shè)計(jì)或溫度)的函數(shù)。
[0199]如果標(biāo)簽?zāi)軌驁?zhí)行標(biāo)簽-標(biāo)志刷新且讀取器發(fā)射刷新命令2812使標(biāo)簽在時(shí)刻2808前(因此在物理參數(shù)衰減到閾值2802以下之前)接收到該命令，則刷新命令2812調(diào)節(jié)(或指示標(biāo)簽去調(diào)節(jié))物理參數(shù)以增加確定的標(biāo)志值(圖28中所示確定的標(biāo)志值為”B”)的持續(xù)時(shí)間。在一些實(shí)施例中，該刷新命令2812是廣播命令，其中本文件中使用的術(shù)語“廣播”表明命令是引導(dǎo)到多個(gè)標(biāo)簽而不是單片化的標(biāo)簽(這里“單片化”定義為通過讀取器從多個(gè)標(biāo)簽中挑選出來的單個(gè)標(biāo)簽)。如上文所述，調(diào)節(jié)量可以是靜態(tài)或動(dòng)態(tài)的，只要刷新后的參數(shù)值不同于刷新前的參數(shù)值。通過廣播連續(xù)的刷新命令(如刷新命令2814)，產(chǎn)生的衰減曲線得以調(diào)節(jié)，使得有效標(biāo)志持續(xù)時(shí)間(如曲線2810跌落到閾值2802以下的時(shí)間)能夠大大延長(zhǎng)而超過所需要的普通標(biāo)志的持續(xù)時(shí)間。
[0200]根據(jù)一些實(shí)施例，RFID IC可以包含電耦合到第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)的第一電路模塊。第一天線觸點(diǎn)設(shè)置在IC的第一表面上，第二天線觸點(diǎn)設(shè)置在不同于該IC的第一表面的第二表面上。該第一天線觸點(diǎn)可以與該第二天線觸點(diǎn)彼此電斷開。
[0201]在一些實(shí)施例中，第一電路模塊可以包含整流器或電荷泵、調(diào)制器、解調(diào)器、功率管理單元、阻抗匹配電路和/或調(diào)諧電路。該第一電路模塊可以經(jīng)配置利用半雙工通信產(chǎn)生RF響應(yīng)。如果第一電路模塊包含調(diào)制器，則該調(diào)制器可以配置為與第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)電連接再電斷開，從而產(chǎn)生RF回復(fù)信號(hào)。在一些實(shí)施例中，讀取器用連續(xù)的(如未調(diào)制的)RF波照射RFID標(biāo)簽；標(biāo)簽調(diào)制器連接并斷開其天線觸點(diǎn)以改變天線的反射，進(jìn)而產(chǎn)生背向散射的RF回復(fù)信號(hào)。調(diào)制器可以利用穿過IC的過孔和/或側(cè)面觸點(diǎn)經(jīng)導(dǎo)電襯底電耦合到一個(gè)天線觸點(diǎn)上。
[0202]在一些實(shí)施例中，第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)中的至少一個(gè)包含至少一個(gè)基本跨越IC各自整個(gè)表面范圍的導(dǎo)電焊盤。在一些實(shí)施例中，第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)的至少一部分適合稱合到天線端子。在一些實(shí)施例中，第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)稱合到第一電路模塊。在一些實(shí)施例中，在至少一個(gè)天線觸點(diǎn)和第一電路模塊間的稱合是通過IC襯底、穿過IC的過孔和/或側(cè)面觸點(diǎn)的。在一些實(shí)施例中，在第一天線觸點(diǎn)和/或第二天線觸點(diǎn)與其各自的天線端子間的耦合可以是直流或電容性的。如果該耦合是直流的，則第一天線觸點(diǎn)可以包含退火或沉積在襯底上的電金屬層(如包含鋁、銅、金或其他任何合適的金屬)或半金屬層(如包含一種或多種半金屬)。穿過IC的過孔可以與襯底電連接或電斷開。側(cè)面觸點(diǎn)可以沉積在不同于IC第一表面和第二表面的第三表面上。第一電路模塊和第一天線觸點(diǎn)可以通過穿過IC的過孔互相電連接，且第一天線觸點(diǎn)和穿過IC的過孔可以與襯底電斷開。
[0203]在一些實(shí)施例中，IC可以包含用于存儲(chǔ)第一碼和第二碼的存儲(chǔ)器。第一電路模塊可以包含處理模塊，該處理模塊用于:在從RFID讀取器接收到第一命令時(shí)使第一碼背向散射，接收第二命令，并響應(yīng)接收到的第二命令使至少產(chǎn)生于第一碼和第二碼部分的組合背向散射，在所述組合背向散射時(shí)不接收任何命令。第一電路模塊可以經(jīng)配置以第一效率從入射到天線上的RF波提取功率，并在提取功率超過第一值時(shí)根據(jù)協(xié)議開始運(yùn)行，也可以包含電耦合到第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)的可變阻抗元件和調(diào)諧電路，該調(diào)諧電路經(jīng)配置在提取的功率超過小于第一值的第二值時(shí)開始運(yùn)行，并調(diào)節(jié)可變阻抗元件使第一電路模塊以大于第一效率的第二效率從RF波提取功率。
[0204]在另一些實(shí)施例中，IC也可以包含至少一個(gè)電容器，該電容器將第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)中的至少一個(gè)耦合到天線端子。在一些實(shí)施例中，至少一個(gè)電容器包含含有IC覆蓋層和天線覆蓋層中至少一個(gè)的介電材料。第一電路模塊可以包含處理模塊，該處理模塊可以經(jīng)配置接收刷新信號(hào)，并響應(yīng)接收到的刷新信號(hào)刷新盤點(diǎn)標(biāo)志。
[0205]在另一些實(shí)施例中，制造RFID IC的方法可以包含:在IC的第一表面上形成第一天線觸點(diǎn)，在IC不同于第一表面的第二表面上形成第二天線觸點(diǎn)，將IC中的第一電路模塊耦合到第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)，其中:第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)互相電斷開。
[0206]在一些實(shí)施例中，第一電路模塊包含調(diào)制器，相應(yīng)的制造方法可以包含通過導(dǎo)電襯底將該調(diào)制器耦合到第一天線觸點(diǎn)上，使該調(diào)制器能夠通過與第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)電連接再電斷開以產(chǎn)生RF信號(hào)。
[0207]在一些實(shí)施例中，制造方法可以包含將導(dǎo)電層退火或沉積到襯底上。制造方法也可以包含將穿過IC的過孔與襯底電連接或電斷開。制造方法可以包含將側(cè)面觸點(diǎn)退火或沉積到IC不同于第一表面和第二表面的第三表面上，并/或?qū)⒌谝惶炀€觸點(diǎn)、第二天線觸點(diǎn)和側(cè)面觸點(diǎn)電鍍到其各自表面。
[0208]根據(jù)另一些示例，利用含設(shè)置在第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和設(shè)置在不同表面的第二天線觸點(diǎn)的RFID IC產(chǎn)生射頻(RF)信號(hào)的方法可以包含:提供待編碼到RF信號(hào)中的數(shù)據(jù)，并通過導(dǎo)電襯底電連接并電斷開第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)以產(chǎn)生RF信號(hào)。
[0209]根據(jù)一些示例，RFID標(biāo)簽可以包含具有設(shè)置在第一面上的第一天線端子和設(shè)置在不同于第一面的第二面上的第二天線端子的RFID 1C、包含電耦合到第一天線端子的第一天線部分的第一標(biāo)簽部分，并包含電耦合到第二天線端子的第二天線部分的第二標(biāo)簽部分。
[0210]根據(jù)其它示例，RFID帶可以包含不導(dǎo)電層，設(shè)置在不導(dǎo)電層的表面上的導(dǎo)電層、具有設(shè)置在第一面上的第一天線端子和設(shè)置在不同于第一面的第二面上的第二天線端子的RFID 1C。第一天線端子可以附接并電耦合到該導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層和第二天線端子可以形成天線端口，該天線端口經(jīng)配置能與RFID天線f禹合。
[0211]上文的說明、示例和數(shù)據(jù)提供了對(duì)組成、制造和實(shí)施例的應(yīng)用的完整說明。雖然已經(jīng)用結(jié)構(gòu)特征和/或方法論動(dòng)作專屬的語言描述了主題，但應(yīng)當(dāng)理解，所附權(quán)利要求中限定的主題不一定限于上述特定的特征或動(dòng)作。相反，上述具體特征和動(dòng)作是作為實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求和各實(shí)施方式的示例形式而公開的。
【權(quán)利要求】
1.一種射頻識(shí)別(RFID)集成電路(1C)，包括: 電耦合到第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)的第一電路模塊；其中: 所述第一天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述IC的第一表面上； 所述第二天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述IC不同于所述第一表面的第二表面上；以及 所述第一天線觸點(diǎn)與所述第二天線觸點(diǎn)彼此電斷開。
2.如權(quán)利要求1所述的RFIDIC,其特征在于，所述第一天線觸點(diǎn)不設(shè)置在所述第二表面上且所述第二天線觸點(diǎn)不設(shè)置在所述第一表面上。
3.如權(quán)利要求1所述的RFID1C，其特征在于，所述第一電路模塊包括電荷泵、調(diào)制器、解調(diào)器、功率管理單元、阻抗匹配電路、調(diào)諧電路和處理單元中的至少一個(gè)。
4.如權(quán)利要求1所述的RFID1C，其特征在于，所述第一電路模塊包括調(diào)制器且所述調(diào)制器通過導(dǎo)電襯底電耦合到所述第一天線觸點(diǎn)，且所述調(diào)制器經(jīng)配置通過交替電連接并電斷開所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)來產(chǎn)生RF響應(yīng)。
5.如權(quán)利要求1所述的RFID1C，其特征在于，所述第一電路模塊包括電荷泵且該電荷泵通過導(dǎo)電襯底耦合到所述第一天線觸點(diǎn)，使電流在入射RF信號(hào)的第一階段期間通過所述導(dǎo)電襯底從所述第一天線觸點(diǎn)流向所述第二天線觸點(diǎn)，并在入射RF信號(hào)的第二階段期間通過所述導(dǎo)電襯底從所述第二天線觸點(diǎn)流向所述第一天線觸點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求1所述的RFID1C，其特征在于，所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)中的至少一個(gè)包括至少一個(gè)基本跨越所述IC的整個(gè)表面的導(dǎo)電焊盤。
7.如權(quán)利要求1所述的RFID1C，其特征在于，到至少一個(gè)所述天線觸點(diǎn)的所述電耦合: 通過所述IC的導(dǎo)電襯底、穿過襯底的過孔及側(cè)面觸點(diǎn)中的至少一個(gè)；以及 是直流耦合和電容性耦合中的至少一種。
8.如權(quán)利要求6所述的RFID1C，其特征在于，如果所述電耦合是直流耦合，則所述至少一個(gè)天線觸點(diǎn)包括形成于所述襯底上的金屬層或半金屬層。
9.如權(quán)利要求7所述的RFID1C，其特征在于，所述側(cè)面觸點(diǎn)沉積在不同于所述IC的所述第一表面和所述第二表面的第三表面上。
10.如權(quán)利要求1所述的RFID1C，其特征在于，所述第一電路模塊和所述第一天線觸點(diǎn)通過穿過襯底的過孔彼此電連接，且所述第一天線觸點(diǎn)與所述襯底電斷開。
11.如權(quán)利要求1所述的RFID1C，其特征在于，還包括用于存儲(chǔ)第一碼和第二碼的存儲(chǔ)器和處理模塊，所述處理模塊用于: 如果接收到第一命令則發(fā)射所述第一碼； 接收第二命令；以及 作為對(duì)接收所述第二命令的響應(yīng)，發(fā)射由所述第一碼的至少部分和所述第二碼的至少部分形成的組合，在所述組合被發(fā)射時(shí)所述處理模塊不接收任何命令。
12.如權(quán)利要求1所述的RFID1C，其特征在于，所述第一電路模塊經(jīng)配置以第一效率從入射到天線的RF波提取功率，且當(dāng)所述提取功率超過第一值時(shí)根據(jù)協(xié)議開始運(yùn)行，所述第一電路模塊包括: 電耦合到所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)的可變阻抗元件；以及 調(diào)諧電路，所述調(diào)諧電路被配置為: 當(dāng)所述提取功率超過小于所述第一值的第二值時(shí)開始運(yùn)行，以及 調(diào)節(jié)可變阻抗元件以使所述第一電路模塊能以大于所述第一效率的第二效率從所述RF波提取功率。
13.如權(quán)利要求1所述的RFID1C，其特征在于，還包括: 在所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)中至少一個(gè)天線觸點(diǎn)和天線之間的至少一個(gè)電容器，所述至少一個(gè)電容器包括介電材料，其中所述介電材料包括所述IC的覆蓋層和所述天線的覆蓋層中的至少一個(gè)。
14.如權(quán)利要求1所述的RFIDIC,其特征在于，還包括處理模塊，所述處理模塊被配置為: 接收刷新信號(hào)；以及 作為接收刷新信號(hào)的響應(yīng)，刷新盤點(diǎn)標(biāo)志。
15.如權(quán)利要求1所示的RFID1C，其特征在于，還包括不導(dǎo)電穩(wěn)定層，其中所述第一天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述穩(wěn)定層的表面上，且在所述第一電路模塊和所述第一天線觸點(diǎn)之間通過所述穩(wěn)定層中的開口形成電連接。
16.如權(quán)利要求1所示的RFID1C，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面中的至少一個(gè)為六邊形形狀。
17.一種用于制造射頻識(shí)別(RFID)集成電路(IC)的方法，所述方法包括: 在所述IC的第一表面上形成第一天線觸點(diǎn)； 在所述IC不同于所述第一表面的第二表面上形成第二天線觸點(diǎn)；以及 將第一 IC電路模塊電耦合到所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)， 其中所述第一天線觸點(diǎn)與所述第二天線觸點(diǎn)電斷開。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述第一IC電路模塊包括調(diào)制器，且所述方法還包括:將調(diào)制器通過所述IC的導(dǎo)電襯底電耦合到所述第一天線觸點(diǎn)，以使所述調(diào)制器能通過交替電連接并電斷開所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)來產(chǎn)生RF信號(hào)。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)中的一個(gè)包括至少一個(gè)基本跨越所述IC的整個(gè)表面的導(dǎo)電焊盤。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，到所述天線觸點(diǎn)上至少一個(gè)的電耦合是直流耦合和電容性耦合中的至少一種，且所述電耦合包括下列方式中的至少一種: 形成穿過襯底的過孔， 形成側(cè)面觸點(diǎn)，及 通過所述IC的導(dǎo)電襯底進(jìn)行電耦合。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，形成所述第一天線觸點(diǎn)包括:如果所述電耦合是直流耦合，則在所述襯底上形成金屬層或半金屬層。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，還包括在與所述IC的所述第一表面和所述第二表面不同的第三表面上沉積側(cè)面觸點(diǎn)。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，還包括分別在所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面上電鍍所述第一天線觸點(diǎn)、所述第二天線觸點(diǎn)以及所述側(cè)面觸點(diǎn)中的至少一個(gè)。
24.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，還包括通過穿過襯底的過孔電耦合所述第一電路模塊和所述第一天線觸點(diǎn)，并將所述第一天線觸點(diǎn)從所述襯底電斷開。
25.如權(quán)利要求17所示的方法，其特征在于，還包括將所述第一表面和所述第二表面中的至少一個(gè)表面形成為六邊形形狀。
26.一種利用具有設(shè)置在第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和設(shè)置在不同表面上的第二天線觸點(diǎn)的射頻識(shí)別(RFID)集成電路(IC)產(chǎn)生射頻(RF)信號(hào)的方法，所述方法包括: 提供待編碼寫入所述RF信號(hào)的數(shù)據(jù)，以及 通過導(dǎo)電襯底電連接并電斷開所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)以產(chǎn)生包括所述數(shù)據(jù)的所述RF信號(hào)。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)電連接時(shí)通過調(diào)制器將所述數(shù)據(jù)編碼寫入所述RF信號(hào)，以使電流在入射RF信號(hào)的第一階段期間通過所述導(dǎo)電襯底從所述第一天線觸點(diǎn)流向所述第二天線觸點(diǎn)，并在入射RF信號(hào)的第二階段期間通過所述導(dǎo)電襯底從所述第二天線觸點(diǎn)流向所述第一天線觸點(diǎn)。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，在所述IC的公共狀態(tài)提供的所述數(shù)據(jù)與在所述IC的私有狀態(tài)提供的所述數(shù)據(jù)至少部分不同。
29.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，提供的所述數(shù)據(jù)包括至少部分從標(biāo)簽序列號(hào)導(dǎo)出的物品序列號(hào)。
30.一種射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽，包括: 具有第一天線端子和第二天線端子的天線； 具有第一部分和第二部分的襯底；以及 包括電耦合到第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)的第一電路模塊的雙面集成電路(IC)，其中: 所述第一天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述IC的第一表面上， 所述第二天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述IC的不同于所述第一表面的第二表面上， 所述第一天線觸點(diǎn)與所述第二天線觸點(diǎn)電斷開， 所述IC設(shè)置在所述襯底的所述第一部分上； 電連接形成于所述第一天線觸點(diǎn)和所述第一天線端子之間，以及所述襯底的所述第二部分折疊到所述襯底的所述第一部分上，以在所述第二天線觸點(diǎn)和所述第二天線端子之間形成電連接。
31.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于: 所述第一天線端子設(shè)置在所述襯底的所述第一部分上； 所述第二天線端子設(shè)置在所述襯底的所述第一部分上；以及 所述襯底的所述第二部分包括電橋。
32.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述第二天線端子設(shè)置在所述襯底的所述第二部分上。
33.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述襯底包括配置為至少部分地容納所述IC的凹陷部、襯底穿孔和狹縫中的至少一個(gè)。
34.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，: 所述襯底包括襯底穿孔， 所述第一天線端子設(shè)置在所述襯底的背面；且 所述襯底穿孔和所述第一天線端子為所述IC形成袋區(qū)。
35.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述第一電路模塊包括電荷泵、調(diào)制器、解調(diào)器、功率管理單元、阻抗匹配電路、調(diào)諧電路和處理單元中的至少一個(gè)。
36.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述第一電路模塊包括調(diào)制器，所述調(diào)制器通過導(dǎo)電襯底電耦合到所述第一天線觸點(diǎn)，且所述調(diào)制器經(jīng)配置通過交替電連接并電斷開所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)來產(chǎn)生RF響應(yīng)。
37.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述第一電路模塊包括電荷泵且該電荷泵通過導(dǎo)電襯底耦合到所述第一天線觸點(diǎn)，使得電流在入射RF信號(hào)的第一階段期間通過所述導(dǎo)電襯底從所述第一天線觸點(diǎn)流向所述第二天線觸點(diǎn)并在入射RF信號(hào)的第二階段期間通過所述導(dǎo)電襯底從所述第二天線觸點(diǎn)流向所述第一天線觸點(diǎn)。
38.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)中的至少一個(gè)包括至少一個(gè)基本跨越所述IC的整個(gè)表面的導(dǎo)電焊盤。
39.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，到至少一個(gè)所述天線觸點(diǎn)的所述電率禹合: 通過所述IC的導(dǎo)電襯底、穿過襯底的過孔及側(cè)面觸點(diǎn)中的至少一個(gè)；以及 是直流耦合和電容性耦合中的一種。
40.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述IC還包括用于存儲(chǔ)第一碼和第二碼的存儲(chǔ)器和處理模塊，所述處理模塊用于: 如果接收到第一命令則發(fā)射所述第一碼； 接收第二命令；以及 作為對(duì)接收所述第二命令的響應(yīng)，發(fā)射由所述第一碼的至少部分和所述第二碼的至少部分形成的組合，在所述組合發(fā)射時(shí)所述處理模塊不接受任何命令。
41.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述第一電路模塊經(jīng)配置以第一效率從入射到天線的RF波提取功率，且當(dāng)所述提取功率超過第一值時(shí)根據(jù)協(xié)議開始運(yùn)行，所述第一電路模塊包括: 電耦合到所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)的可變阻抗元件；以及 調(diào)節(jié)電路，所述調(diào)節(jié)電路被配置為: 當(dāng)所述提取功率超過小于所述第一值的第二值時(shí)開始運(yùn)行，且 調(diào)節(jié)可變阻抗元件使所述第一電路模塊能以大于所述第一效率的第二效率從所述RF波提取功率。
42.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述IC還包括: 在所述第一天線觸點(diǎn)和所述第一天線端子之間的的至少一個(gè)電容器，所述至少一個(gè)電容器包括介電材料，其中所述介電材料包括所述IC的覆蓋層和所述第一天線端子的覆蓋層中的至少一個(gè)。
43.如權(quán)利要求30所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述IC還包括處理模塊，所述處理模塊配置為: 接收刷新信號(hào)；以及 作為接收刷新信號(hào)的響應(yīng)，刷新盤點(diǎn)標(biāo)志。
44.如權(quán)利要求30所示的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述IC還包括不導(dǎo)電穩(wěn)定層，其中所述第一天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述穩(wěn)定層的表面上，且在所述第一電路模塊和所述第一天線觸點(diǎn)間通過所述穩(wěn)定層中的開口形成電連接。
45.一種射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽，包括: 具有第一天線端子和第二天線端子的天線； 第一襯底； 第二襯底；以及 包括電耦合到第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)的第一電路模塊的雙面集成電路(IC)，其中: 所述第一天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述IC的第一表面上， 所述第二天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述IC不同于所述第一表面的第二表面上， 所述第一天線觸點(diǎn)與所述第二天線觸點(diǎn)電斷開， 所述IC設(shè)置在所述第一襯底上； 電連接形成于所述第一天線觸點(diǎn)和所述第一天線端子之間，以及所述第二襯底設(shè)置在所述第一襯底上以在所述第二天線觸點(diǎn)和所述第二天線端子間形成電連接。
46.如權(quán)利要求45所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述第二天線端子設(shè)置在所述第一襯底上，且所述第二襯底包括電橋。
47.如權(quán)利要求45所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述第二天線端子設(shè)置在所述第二襯底上。
48.如權(quán)利要求45所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述第一襯底包括被配置成至少部分地容納所述IC的凹陷部、襯底穿孔和狹縫中的至少一個(gè)。
49.如權(quán)利要求45所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于: 所述第一襯底包括襯底穿孔， 所述第一天線端子設(shè)置在所述第一襯底的背面，以及 所述襯底穿孔和所述第一天線端子為所述IC形成袋區(qū)。
50.一種射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽，包括: 天線； 襯底；以及 設(shè)置在所述襯底上的雙面集成電路(1C)，所述IC包括電耦合到第一天線觸點(diǎn)和第二天線觸點(diǎn)的第一電路模塊；其中: 所述第一天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述IC的第一表面上； 所述第二天線觸點(diǎn)設(shè)置在所述IC不同于所述第一表面的第二表面上； 所述第一天線觸點(diǎn)與所述第二天線觸點(diǎn)電斷開；以及 所述天線稱合到所述第一天線觸點(diǎn)和所述第二天線觸點(diǎn)。
51.一種制造射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽的方法，包括: 將具有在所述IC第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和在不同于所述IC的所述第一表面的第二表面上的第二天線觸點(diǎn)的雙面射頻識(shí)別(RFID)集成電路(IC)設(shè)置到襯底的第一部分上； 在所述第一天線觸點(diǎn)和第一天線端子間形成電連接；且 將所述襯底的第二部分折疊到所述襯底的所述第一部分上，以在所述第二天線觸點(diǎn)和第二天線端子間形成電連接。
52.如權(quán)利要求51所述的方法，其特征在于，還包括: 將所述第一天線端子設(shè)置在所述襯底的所述第一部分上；以及 將所述第二天線端子設(shè)置在所述襯底的所述第一部分上， 其中所述襯底的所述第二部分包括電橋。
53.如權(quán)利要求51所述的方法，其特征在于，還包括將所述第二天線端子設(shè)置到所述襯底的所述第二部分上。
54.如權(quán)利要求51所述的方法，其特征在于，還包括提供被配置為至少部分地容納所述IC的凹陷部、襯底穿孔和狹縫中的至少一個(gè)。
55.如權(quán)利要求51所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述襯底中提供襯底穿孔，以及 將所述第一天線端子設(shè)置到所述襯底的背面，以使所述襯底穿孔和所述第一天線端子為所述IC形成袋區(qū)。
56.如權(quán)利要求51所述的方法，其特征在于，還包括在所述襯底上提供至少一個(gè)凸起區(qū)域以引導(dǎo)所述IC的定位。
57.一種制造射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽的方法，包括: 在第一襯底上設(shè)置雙面射頻識(shí)別(RFID)集成電路(1C)，所述IC具有在所述IC的第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和在不同于所述IC的所述第一表面的第二表面上的第二天線觸占.在所述第一天線觸點(diǎn)和第一天線端子間形成電連接；以及 將第二襯底設(shè)置在所述第一襯底上，以在所述第二天線觸點(diǎn)和第二天線端子間形成電連接。
58.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一襯底上設(shè)置所述第二天線端子，其中所述第二襯底包括電橋。
59.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，還包括將所述第二天線端子設(shè)置到所述第二襯底上。
60._如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，還包括提供被配置為至少部分地容納所述IC的凹陷部、襯底穿孔和狹縫中的至少一個(gè)。
61.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述第一襯底中提供襯底穿孔，以及 在所述第一襯底的背面設(shè)置所述第一天線端子； 其中所述襯底穿孔和所述第一天線端子為所述IC形成袋區(qū)。
62.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一襯底上提供至少一個(gè)凸起區(qū)域以引導(dǎo)所述IC的定位。
63.一種制造射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽的方法，包括: 在襯底上設(shè)置雙面射頻識(shí)別(RFID)集成電路(1C)，所述IC具有在所述IC第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和在不同于所述IC的所述第一表面的第二表面上的第二天線觸點(diǎn)； 在所述第一天線觸點(diǎn)和第一天線端子間形成電連接；以及 沉積橋，所述橋在所述襯底上的所述第二天線觸點(diǎn)和第二天線端子間形成電連接。
64.如權(quán)利要求63所述的方法，其特征在于，沉積所述橋包括下列方法中的至少一種:將所述橋印刷到所述第二天線觸點(diǎn)上；將橋前體沉積到所述第二天線觸點(diǎn)上。
65.如權(quán)利要求63所述的方法，其特征在于，還包括對(duì)所述沉積的橋使用熱處理或壓力處理中的至少一種來處理所述沉積的橋。
66.如權(quán)利要求63所述的方法，其特征在于，還包括提供被配置為至少部分地容納所述IC的凹陷部、襯底穿孔和狹縫中的至少一個(gè)。
67.如權(quán)利要求63所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述襯底中提供襯底穿孔，以及 在所述襯底的背面設(shè)置所述第一天線端子； 其中所述襯底穿孔和所述第一天線端子為所述IC形成袋區(qū)。
68.如權(quán)利要求63所述的方法，其特征在于，還包括在所述襯底上提供至少一個(gè)凸起區(qū)域以引導(dǎo)所述IC的定位。
69.一種制造射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽的方法，包括: 提供標(biāo)簽襯底； 提供雙面射頻識(shí)別(RFID)集成電路(1C)，所述IC具有在所述IC第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和在不同于所述IC的所述第一表面的第二表面上的第二天線觸點(diǎn)；以及 將所述IC沉積到所述標(biāo)簽襯底上，使所述第一天線觸點(diǎn)電連接到所述襯底上的第一天線端子且所述第二天線觸點(diǎn)是暴露的。
70.如權(quán)利要求69所述的方法，其特征在于，還包括提供被配置為至少部分地容納所述IC的凹陷部、襯底穿孔和狹縫中的至少一個(gè)。
71.如權(quán)利要求69所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述標(biāo)簽襯底中提供襯底穿孔，以及 在所述標(biāo)簽襯底的背面設(shè)置所述第一天線端子， 其中所述襯底穿孔和所述第一天線端子為所述IC形成袋區(qū)。
72.如權(quán)利要求69所述的方法，其特征在于，還包括在所述襯底上提供至少一個(gè)凸起區(qū)域以引導(dǎo)所述IC的沉積。
73.如權(quán)利要求69所述的方法，其特征在于，還包括在所述標(biāo)簽襯底上需要的IC位置處提供比其他位置更低的勢(shì)能。
74.如權(quán)利要求69所述的方法，其特征在于，沉積所述IC包括從批量分配器分配所述1C。
75.如權(quán)利要求69所述的方法，其特征在于，沉積所述IC包括使用流體流、重力和標(biāo)簽襯底振動(dòng)中的至少一種方式來定位所述1C。
76.一種制造射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽的方法，包括: 提供標(biāo)簽襯底； 提供雙面射頻識(shí)別(RFID)集成電路(1C)，所述IC具有在所述IC第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和在不同于所述IC的所述第一表面的第二表面上的第二天線觸點(diǎn)，其中所述IC具有第一極性的電荷； 在所述標(biāo)簽襯底上的位置處誘導(dǎo)具有不同于所述第一極性的第二極性的電荷；以及 將帶電荷的所述IC沉積到所述標(biāo)簽襯底上，使所述IC被電吸引到所述位置。
77.如權(quán)利要求76所述的方法，其特征在于，還包括提供被配置為至少部分地容納所述IC的凹陷部、襯底穿孔和狹縫中的至少一個(gè)。
78.如權(quán)利要求76所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述標(biāo)簽襯底中提供襯底穿孔，以及 在所述標(biāo)簽襯底的背面設(shè)置所述第一天線端子， 其中所述襯底穿孔和所述第一天線端子為所述IC形成袋區(qū)。
79.如權(quán)利要求76所述的方法，其特征在于，還包括使用激光在所述位置處誘導(dǎo)具有所述第二極性的所述電荷。
80.如權(quán)利要求76所述的方法，其特征在于，還包括在所述標(biāo)簽襯底上提供至少一個(gè)凸起區(qū)域以引導(dǎo)所述IC的沉積。
81.如權(quán)利要求76所述的方法，其特征在于，還包括在所述位置提供比所述標(biāo)簽襯底的其他位置更低的勢(shì)能。
82.如權(quán)利要求76所述的方法，其特征在于，沉積所述IC包括從批量分配器分配所述1C。
83.如權(quán)利要求76所述的方法，其特征在于，沉積所述IC包括使用流體流、重力和標(biāo)簽襯底振動(dòng)中的至少一種方式來定位所述1C。
84.一種制造射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽的方法，包括: 提供在一位置處具有孔的標(biāo)簽襯底； 提供雙面射頻識(shí)別(RFID)集成電路(1C)，所述IC具有在所述IC第一表面上的第一天線觸點(diǎn)和在不同于所述IC的所述第一表面的第二表面上的第二天線觸點(diǎn)； 通過所述標(biāo)簽襯底的前面和背面之間的壓差提供穿過所述孔的氣流；且 使用所述氣流將所述IC沉積到所述位置。
85.如權(quán)利要求84所述的方法，其特征在于，還包括提供被配置為至少部分地容納所述IC的凹陷部、襯底穿孔和狹縫中的至少一個(gè)。
86.如權(quán)利要求84所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述位置處提供襯底穿孔， 在所述標(biāo)簽襯底的背面設(shè)置所述第一天線端子，以及 提供穿過所述第一天線端子的所述孔； 其中所述襯底穿孔和所述第一天線端子為所述IC形成袋區(qū)。
87.如權(quán)利要求84所述的方法，其特征在于，還包括在所述標(biāo)簽襯底上提供至少一個(gè)凸起區(qū)域以引導(dǎo)所述IC的定位。
88.如權(quán)利要求84所述的方法，其特征在于，還包括提供所述位置，所述位置具有比所述標(biāo)簽襯底上的其他位置更低的勢(shì)能。
89.如權(quán)利要求84所述的方法，其特征在于，沉積所述IC包括從批量分配器分配所述1C。
【文檔編號(hào)】G05B11/01GK104246630SQ201280072318
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2012年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月11日
【發(fā)明者】C·J·迪奧瑞歐, R·L·柯普, H·K·黑恩瑞奇, T·斯坦福, S·斯里尼瓦斯, R·A·奧利弗 申請(qǐng)人:英頻杰公司