專利名稱：：能隙參考電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及能隙電壓(BandgapVoltage)的產(chǎn)生，特別是涉及一種能隙參考電路(BandgapReferenceCircuit)。
背景技術(shù)：
：請參考圖1,圖1為已知的能隙參考電路(BandgapReferenceCircuit)100的示意圖。如圖l所示，能隙參考電路100中的電流Il為與絕對溫度成正比(ProportionalToAbsoluteTemperature,PTAT)的電流(一般通稱為PTAT電流)。電流Il與雙才及結(jié)型晶體管(BipolarJunctionTransistor,BJT)Ql-O、Ql-l、Ql-2.....與Ql-N以及電阻R1相關(guān)，并可通過下列方程式來表示11=VT*ln(N)/Rl;其中熱當(dāng)電壓(ThermalVoltage)VT=(k*T)/q,而k則代表波茲曼常數(shù)(BoltzmannConstant),T代表絕對溫度，以及q代表電荷電量。另外，能隙參考電路100中的電流12可稱為與絕對溫度成互補(ComplementaryToAbsoluteTemperature,CTAT)的電流(一^:通稱為CTAT電流，其具有隨著絕對溫度增加而減少的特性)。電流I2與雙極結(jié)型晶體管Ql-0以及電阻R2相關(guān)，并可通過下列方程式來表示12=VEB0/R2;其中VEBo代表雙極結(jié)型晶體管Ql-0的射極(Emitter)對基極(Base)電壓。能隙參考電路100在其輸出端子所輸出的能隙電壓VREF依據(jù)(Il+12)來產(chǎn)生，能隙電壓VREF可通過下列方程式來表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>.參考圖2，圖2為已知的能隙參考電路200的示意圖，其中P型金屬氧化物半導(dǎo)體(MetalOxideSemiconductor,MOS)晶體管Ml'、M2'、與M3，也可分別采用圖1所示的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml、M2、與M3來實施，放大器210也可采用圖1所示的放大器110來實施，而二極管D2-0、D2-l、D2-2.....與D2-N也可分別采用所述的雙極結(jié)型晶體管Ql-O、Ql-l、Ql-2.....與Q1-N來實施。能隙參考電路200中的電流I1，可通過下列方程式來表示ir=AVEB，/Rl，................................................(1);其中AVeb，在此代表二板管跨圧V則與V組(VD2-2、VD2-3.....V訓(xùn))的差值；二極管跨壓即二極管兩端子之間的電壓。請注意，電壓veb，如果依據(jù)廣義的觀點則可代表二極管(例如二極管D2-0)兩端子之間的電壓，若依據(jù)狹義的觀點則可代表采用上述的雙極結(jié)型晶體管來實施二極管(例如二極管D2-0)時，二極管兩端子之間的電壓。另外，能隙參考電路200中的電流I2，可通過下列方程式來表示12，二(Veb，-VREF，)/R2，.......................................(2);其中VREF，代表能隙參考電路200在其輸出端子所輸出的能隙電壓。能隙電壓VREF，也可通過下列方程式來表示VREF，=(11，+3*12，)*R3，....................................(3)。將方程式(1)與(2)代入方程式(3),可得VREF，=C*((R2，/(3*Rl，))*AVEB，+VEB，)............(4);其中C=(3*R3，)/(R2，+3*R3')。將AVEB，=VT*In(N)代入方程式(4)，可得VREF，=C*((R2，/(3*Rl，))*VT*ln(N)+VEB，)。依據(jù)已知技術(shù)，若想利用如圖2所示的較新框架來產(chǎn)生能隙電壓，通常需要相當(dāng)大的電路面積來實施電阻R2，。尤其是在低電壓條件時，圖2所示的二極管D2-1、D2-2.....D2-N的每一個都需要較大的電路面積，所以其數(shù)量N相當(dāng)受限，不能依據(jù)設(shè)計所需來隨意增加。由于上述的二極管的數(shù)量N不能隨意增加，采用更大的電路面積來實施電阻R2，會成為在某些狀況下必然的結(jié)果；這便會降低批量生產(chǎn)時的經(jīng)濟效益。因此，已知技術(shù)尚有進一步改善的空間。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一在于提供能隙參考電路(BandgapReferenceCircuit)。本發(fā)明的一實施例中提供一種能隙參考電路，用來產(chǎn)生一能隙電壓(BandgapVoltage)。該能隙參考電路包含有一電流產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生一輸出電流，該電流產(chǎn)生器包含多個參考單元，該多個參考單元包含一第一參考單元與多個平行的第二參考單元，該電流產(chǎn)生器可依據(jù)該多個參考單元決定該輸出電流的大小，其中該輸出電流的第一部分為具有負溫度系數(shù)的電流，以及該輸出電流的第二部分為具有正溫度系數(shù)的電流；一第一電阻，耦接于該第一參考單元的一第一端子(Terminal)與一節(jié)點之間，用來傳送(Transmit)—第一電流；一第二電阻，耦接至該節(jié)點與每一個第二參考單元的第一端子，用來傳送一第二電流；一第三電阻，耦接于該節(jié)點與該能隙參考電路的一輸出端子之間，用來傳送一第三電流，該第三電流的大小等于該第一電流的大小與該第二電流的大小的和；以及一電流/電壓轉(zhuǎn)換器(Current-to-voltageConverter),耦接至該第三電阻，用來依據(jù)該輸出電流與該第三電流產(chǎn)生該能隙電壓。本發(fā)明在提供上述的能隙參考電路的同時，也對應(yīng)地提供一種用來產(chǎn)生能隙電壓的方法。該方法包含有提供一電流產(chǎn)生器，該電流產(chǎn)生器包含多個參考單元，用來決定一輸出電流的大小，該多個參考單元包含一第一參考單元與多個平行的第二參考單元；提供一第一電阻、一第二電阻、以及一第三電阻；提供一電流/電壓轉(zhuǎn)換器；將該第一電阻耦接于該第一參考單元的一第一端子與一節(jié)點之間，以傳送一第一電流；將該第二電阻耦接至該節(jié)點與每一第二參考單元的第一端子，以傳送一第二電流；將該第三電阻耦接于該節(jié)點與該能隙參考電路的一輸出端子之間，以傳送一第三電流，該第三電流的大小等于該第一電流的大小與該第二電流的大小的和；利用(Utilize)該電流產(chǎn)生器產(chǎn)生該輸出電流，其中該輸出電流的第一部分為具有負溫度系數(shù)的電流，以及該輸出電流的第二部分為具有正溫度系數(shù)的電流；以及利用該電流/電壓轉(zhuǎn)換器依據(jù)該輸出電流與該第三電流產(chǎn)生該能隙電壓。圖1為已知的能隙參考電路(BandgapReferenceCircuit)的示意圖。圖2為已知的能隙參考電路的示意圖。圖3為本發(fā)明的一實施例中所提供的能隙參考電路的示意圖。圖4為圖2所示的能隙參考電路在PTNT條件下所產(chǎn)生的能隙電壓的示意圖。圖5為圖3所示的能隙參考電路在PTNT條件下所產(chǎn)生的能隙電壓的示意圖。圖6為圖2所示的能隙參考電路在PFNF條件下所產(chǎn)生的能隙電壓的示意圖。圖7為圖3所示的能隙參考電路在PFNF條件下所產(chǎn)生的能隙電壓的示意圖。圖8為圖2所示的能隙參考電路在PSNS條件下所產(chǎn)生的能隙電壓的示意圖。圖9為圖3所示的能隙參考電路在PSNS條件下所產(chǎn)生的能隙電壓的示意圖。圖10為本發(fā)明的一實施例中針對圖3所示的能隙參考電路與圖2所示的能隙參考電路的相對應(yīng)電阻值的比銀表。附圖符號說明<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>VREF,VREP,VREF，，能隙電壓具體實施例方式請參考圖3,圖3為本發(fā)明的第一實施例中所提供的能隙參考電路(BandgapReferenceCircuit)300的示意圖。能隙參考電路300包含有一電流產(chǎn)生器，其中該電流產(chǎn)生器包含多個參考單元，該多個參考單元包含一第一參考單元與多個平行的第二參考單元。在本實施例中，該第一參考單元為二極管D3-0，而該多個第二參考單元為二極管D3-l、D3-2.....與D3-N，其中二極管D3-0、D3-l、D3-2.....與D3-N可分別采用圖2所示的二極管D2-0、D2-l、D2-2.....與D2-N來實施，也可分別采用圖1所示的雙極結(jié)型晶體管(BipolarJunctionTransistor,BJT)Ql-O、Ql-l、Ql-2、…、與Q1-N來實施。依據(jù)圖3所示的實施例，該電流產(chǎn)生器還包含電阻R1"、放大器310、多個P型金屬氧化物半導(dǎo)體(MetalOxideSemiconductor,MOS)晶體管，其中放大器310也可采用上述的放大器210或U0來實施，而P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M1"、M2"、與M3"可分別采用上述的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M1'、M2'、與M3，來實施，也可分別采用上述的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M1、M2、與M3來實施。如圖3所示，P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M1"、M2"、與M3"中每一個的柵極(Gate)都耦接至放大器310的一輸出端子，P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M1"、M2"、與M3"中每一個的源極(Source)都耦接至一操作電壓VCC。另外，P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml"的漏極(Drain)耦接至該第一參考單元，其中本實施例的第一參考單元為二極管D3-0，P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml，，的漏極耦接至二極管D3-0的正端子，且二極管D3-0的負端子耦接至一參考電平(ReferenceLevel),例如圖3所示的接地電平(GroundLevel)。此外，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2"的漏極耦接至電阻Rl"的上方端子，而電阻R1"的下方端子耦接至每一第二參考單元，其中本實施例的第二參考單元為二極管D3-l、D3-2.....與D3-N,每一個二極管D3-l、D3-2.....D3-N的正端子耦接至電阻R1"的下方端子，且每一個二極管D3-1、D3-2.....D3-N的負端子耦接至一參考電平，例如圖3所示的接地電平。依據(jù)本實施例，放大器310包含有一正輸入端子與一負輸入端子，分別耦接至電阻R1"的上方端子以及二極管D3-0的正端子。依據(jù)該第一實施例，能隙參考電路300還包含有三個電阻，彼此耦接于節(jié)點A，其中電阻R2"還耦接至能隙參考電路300右方的輸出端子(即標示能隙電壓VREF"處)。在本實施例中，節(jié)點A左側(cè)電阻的電阻值的大小實質(zhì)上(Substantially)等于節(jié)點A右側(cè)電阻的電阻值的大小，故在此均標示為RA。如圖3所示，能隙參考電路300還包含有一電流/電壓轉(zhuǎn)換器(Current-to-voltageConverter),耦接至能隙參考電路300右方的輸出端子，其中本實施例的電流/電壓轉(zhuǎn)換器為電阻R3",電阻R3"的上方端子耦接至電阻R2"與能隙參考電路300的輸出端子，且電阻R3"的下方端子耦接至一參考電平，例如上述的接地電平。如圖3所示，節(jié)點A左側(cè)電阻耦接于節(jié)點A與二極管D3-0的正端子之間，以將P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml"的漏極所輸出的電流(I1"+IA)中的電流IA傳送(Transmit)至節(jié)點A,其余的電流Il"則被傳送至二極管D3-0的正端子。相似地，節(jié)點A右側(cè)電阻耦接于節(jié)點A與電阻R1"的上方端子之間，以將P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2"的漏極所輸出的電流(I1"+IA)中的電流IA傳送至節(jié)點A,其余的電流I1"則通過電阻R1"傳送至二極管D3-1、D3-2.....與D3-N的正端子。此外，電阻R2"則將電流12"從節(jié)點A傳送至電阻R3"的上方端子，其中電流I2"的大小等于分別通過兩電阻RA所傳送的兩電流IA的大小的和，即12"=2*IA。本實施例的電流產(chǎn)生器產(chǎn)生一輸出電流(11"+IA)，并通過P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管1^3"的漏極將輸出電流(11"+IA)輸出至電阻R3"的上方端子，其中該電流產(chǎn)生器可依據(jù)該多個參考單元決定輸出電流(I1"+IA)的大小。上述的電流/電壓轉(zhuǎn)換器(在本實施例中即為電阻R3")可依據(jù)輸出電流(I1"+IA)與電流I2"產(chǎn)生能隙電壓VREF"。依據(jù)本實施例，該電流/電壓轉(zhuǎn)換器將輸出電流(I1"+IA)與電流12"的總電流(I1"+IA+12")轉(zhuǎn)換為能隙電壓VREF，，，其中12"=2*1八，故該總電流為(I1"+3"A)。請注意，輸出電流(ir，十ia)中的第一部分(即電流n")為具有負溫度系數(shù)的電流，而輸出電流(ir，+iA)的第二部分(即電流iA)為具有正溫度系數(shù)的電流，且本實施例的輸出電流(11"+IA)的該第一部分與該第二部分為同方向的電流。本實施例通過該總電流(11"+3*IA)中的負溫度系數(shù)的電流11"與正溫度系數(shù)的電流(3*IA)的互補特性，使得能隙參考電路300在預(yù)先設(shè)計妥當(dāng)?shù)牟僮鞣秶鷥?nèi)所產(chǎn)生的總電流(ir，+3*iA)對溫度的變化實質(zhì)上不變，藉此產(chǎn)生對溫度的變化實質(zhì)上不變的能隙電壓VREF"。能隙參考電路300的工作原理說明如下能隙參考電路300中的電流I1"可通過下列方程式來表示I1"=AVEB，，/Rr，.............................................(5);其中AVEB，，在本實施例中代表二極管跨壓Vd3-0與Vd3.,(Vd3-2、Vdw、...、Vd3.n)的差植；二極管跨壓即二極管兩端子之間的電壓。請注意，電壓VEB"如果依據(jù)廣義的觀點則可代表二極管(例如二極管D3-0)兩端子之間的電壓，若依據(jù)狹義的觀點則可代表采用上述的雙極結(jié)型晶體管來實施二極管(例如二極管D3-0)時，二極管兩端子之間的電壓。另外，能隙參考電路300中的電流IA可通過下列方程式來表示IA=(VEB"-VA)/RA..........................................(6);其中VA代表節(jié)點A的電壓。此外，能隙參考電路300中的電流I2"可通過下列方程式來表示I2"=(VA-VREF")/R2，，=2*IA...........................(7)。由方程式(6)與(7)可得VA=(2*R2"*Veb，，+RA*VREF")/(RA+2*R2").(8)。將方程式(8)代入方程式(6),可得IA=(Veb"-VREF，，)/(RA+2*R2")........................(9)。另外，能隙電壓VREF"可通過下列方程式來表示VREF"=(n，，+3*IA)*R3"..................................(10)。將方程式(5)與方程式(9)代入方程式(10),可得VREF"=C31*(C32*AVEB"+VEB，，)....................(11);其中C31=(3*R3")/(RA+2*R2，，+3*R3，，)，且C32=(RA+2*R2")/(3*Rl")。以下依據(jù)某些操作條件，對該第一實施例所提供的能隙參考電路300與已知的能隙參考電路200進行比較，其中操作電壓VCC的范圍為0.9V至1.1V，操作接面溫度(OperatingJunctionTemperature)的范圍為-40。C至125°C,且用來制作芯片的制程為卯納米(nm)制程。因此，能隙參考電路300中的二極管D3-0所占的面積與能隙參考電路200中的二極管D2-0所占的面積一致，均為98微米(jim)*.98微米的大小。相似地，能隙參考電路300中的二極管D3-l、D3-2.....D3-N所占的面積與能隙參考電路200中的二極管D2-1、D2-2.....D2-N所占的面積一致。4妻下來用幾項制程變異條件(尤指所謂的「ProcessCorner」)PTNT、PFNF、與PSNS來進一步說明，其中圖4至圖9當(dāng)中的每一圖繪示了電路仿真程序所產(chǎn)生的三條仿真曲線，由上至下的三條曲線分別對應(yīng)于1.1V、1.0V、與0.9V的操作電壓vcc。請參考圖4與圖5，圖4為圖2所示的能隙參考電路200在PTNT條件下所產(chǎn)生的能隙電壓VREF，的示意圖，而圖5則為圖3所示的能隙參考電路300在PTNT條件下所產(chǎn)生的能隙電壓VREF"的示意圖，其中這兩組曲線相似，代表能隙參考電路300可達到與能隙參考電路200相似的效能。請參考圖6與圖7,圖6為圖2所示的能隙參考電路200在PFNF條件下所產(chǎn)生的能隙電壓VREF，的示意圖,'而圖7則為圖3所示的能隙參考電路300在PFNF條件下所產(chǎn)生的能隙電壓VREF"的示意圖，其中這兩組曲線相似，代表能隙參考電路300可達到與能隙參考電路200相似的效能。請參考圖8與圖9，圖8為圖2所示的能隙參考電路200在PSNS條件下所產(chǎn)生的能隙電壓VREF，的示意圖，而圖9則為圖3所示的能隙參考電路300在PSNS條件下所產(chǎn)生的能隙電壓VREF"的示意圖，其中這兩組曲線相似，代表能隙參考電路300可達到與能隙參考電路200相似的效能。以下依據(jù)該第一實施例的一變化例(其為該第一實施例的一特殊狀況)，針對能隙參考電路300中所使用的電阻R1"、RA、R2"、與R3"的總電阻(R1"+2*RA+R2，，+R3，，)以及能隙參考電路200中所使用的電阻R1，、R2'、與R3，的總電阻(R1，+2承R2，+R3，)來進行比較。依據(jù)此變化例，圖3所示的放大器310、P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml"、M2"、與M3"以及二極管D3-0、D3-l、D3-2.....與D3-N分別采用圖2所示的放大器210、P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml'、M2'、與M3，以及二極管D2-0、D2-l、D2-2.....與D2-N來實施。此外，圖3所示的電阻R1"與R3"分別采用圖2所示的電阻R1，與R3，來實施(即R1，，=R1，，且R3，^R3，)。若利用能隙參考電路300來產(chǎn)生與能隙電壓VREF，大小相同的能隙電壓VREF"(即VREF"=VREF，)，則可將方程式(11)與(4)代入VREF，-VREF，并加以化簡，得RA+2*R2，，=R2，。于是，上述的總電阻(R1，+2*R2，+R3，)與總電阻(R1"+2*RA+R2"+R3")兩者之間差值可計算如下(Rl，+2*R2,+R3，)-(Rl，，+2*RA+R2,，+R3")=(Rl"+2*R2，+R3，，)-(Rl，，+2*RA+R2"+R3")=(2*R2，)-(2*RA+R2")=(2*(RA+2*R2"))-(2*RA+R2")=3*R2，，；也就是說，能隙參考電路300相對于能隙參考電路200可節(jié)省相當(dāng)于三倍電阻R2，，所占的電路面積。因此，相對于已知的能隙參考電路200,本發(fā)明提供了提高產(chǎn)量的具體實施方法。圖10為本發(fā)明的一實施例中針對圖3所示的能隙參考電路300與圖2所示的能隙參考電路200的相對應(yīng)電阻值的比較表，其中能隙參考電路300中所使用的電阻R1"、RA、R2"、與R3"的總電阻(Rl"+2*RA+R2，，+R3")約為能隙參考電路200中所使用的電阻R1'、R2'、與R3，的總電阻(Rl，+2承R2，+R3，)的31.35%,代表能隙參考電路300中所使用的電阻R1"、RA、R2"、與R3"的總面積約為能隙參考電路200中所使用的電阻R1'、R2'、與R3，的總面積的31.35%。依據(jù)該第一實施例的變化例，該多個參考單元也可分別采用動態(tài)閾值(DynamicThreshold)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管來實施，其中該變化例的動態(tài)閾值金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管尤其為動態(tài)閾值N型金屬氧化物半導(dǎo)體(PTNMOS)晶體管。依據(jù)該第一實施例的另一變化例，該多個參考單元也可分別采用操作于弱反轉(zhuǎn)(WeakInversion)區(qū)的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管來實施。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。權(quán)利要求1.一種能隙參考電路，用來產(chǎn)生一能隙電壓，該能隙參考電路包含有一電流產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生一輸出電流，該電流產(chǎn)生器包含多個參考單元，該多個參考單元包含一第一參考單元與多個平行的第二參考單元，該電流產(chǎn)生器可依據(jù)該多個參考單元決定該輸出電流的大小，其中該輸出電流的第一部分為具有負溫度系數(shù)的電流，以及該輸出電流的第二部分為具有正溫度系數(shù)的電流；一第一電阻，耦接于該第一參考單元的一第一端子與一節(jié)點之間，用來傳送一第一電流；一第二電阻，耦接至該節(jié)點與每一第二參考單元的一第一端子，用來傳送一第二電流；一第三電阻，耦接于該節(jié)點與該能隙參考電路的一輸出端子之間，用來傳送一第三電流，該第三電流的大小等于該第一電流的大小與該第二電流的大小之和；以及一電流/電壓轉(zhuǎn)換器，耦接至該第三電阻，用來依據(jù)該輸出電流與該第三電流產(chǎn)生該能隙電壓。2.如權(quán)利要求1所述的能隙參考電路，其中該多個參考單元包含有至少一二極管或至少一晶體管。3.如權(quán)利要求2所述的能隙參考電路，其中該多個參考單元包含有該至少一個晶體管，以及該晶體管為雙極結(jié)型晶體管。4.如權(quán)利要求2所述的能隙參考電路，其中該多個參考單元包含該至少一個晶體管，以及該晶體管為動態(tài)域值金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管。5.如權(quán)利要求2所述的能隙參考電路，其中該多個參考單元包含該至少一晶體管，以及該晶體管為操作于弱反轉(zhuǎn)區(qū)的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。6.如權(quán)利要求1所述的能隙參考電路，其中該多個參考單元中的每一個參考單元包含一第二端子，耦接至一參考電平。7.如權(quán)利要求6所述的能隙參考電路，其中該參考電平為接地電平。8.如權(quán)利要求1所述的能隙參考電路，其中該電流產(chǎn)生器還包含有一第四電阻，其包含有一第一端子與一第二端子，該第二端子耦接至每一個第二參考單元的該第一端子；一放大器，其包含有一正輸入端子，耦接至該第四電阻的該第一端子，以及一負輸入端子，耦接至該第一參考單元的該第一端子；以及多個p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其中每一p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極耦接至該放大器的一輸出端子，每一p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極耦接至一操作電壓，以及該多個P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含有一第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其漏極耦接至該第一參考單元的該第一端子；一第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其漏極耦接至該第四電阻的該第一端子；以及一第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其漏極輸出該輸出電流至該電流/電壓轉(zhuǎn)換器。9.如權(quán)利要求1所述的能隙參考電路，其中該第一電阻的電阻值的大小實質(zhì)上等于該第二電阻的電阻值的大小。10.如權(quán)利要求1所述的能隙參考電路，其中該第一電流與該第二電流均為具有正溫度系數(shù)的電流。11.如權(quán)利要求1所迷的能隙參考電路，其中該輸出電流的第一部分與第二部分為同方向的電流。12.如權(quán)利要求1所述的能隙參考電路，其中該輸出電流的第一部分的大小實質(zhì)上等于從該第一端子輸入至該第一參考單元的電流的大小，以及該輸出電流的第二部分的大小實質(zhì)上等于該第一電流的大小或該第二電流的大小。13.如權(quán)利要求1所述的能隙參考電路，其中該電流/電壓轉(zhuǎn)換器將該輸出電流與該第三電流的總電流轉(zhuǎn)換為該能隙電壓。14.如權(quán)利要求1所述的能隙參考電路，其中該電流/電壓轉(zhuǎn)換器包含有一第一端子，耦接至該第三電阻，以及一第二端子，耦接至一參考電平。15.如權(quán)利要求14所述的能隙參考電路，其中該參考電平為接地電平。16.如權(quán)利要求1所述的能隙參考電路，其中該電流/電壓轉(zhuǎn)換器為一電阻。17.—種用來產(chǎn)生一能隙電壓的方法，該方法包含有提供一電流產(chǎn)生器，該電流產(chǎn)生器包含多個參考單元，用來決定一輸出電流的大小，該多個參考單元包含一第一參考單元與多個平行的第二參考單元；提供一第一電阻、一第二電阻、以及一第三電阻；提供一電流/電壓轉(zhuǎn)換器；將該第一電阻耦接于該第一參考單元的一第一端子與一節(jié)點之間，以傳送一第一電流；將該第二電阻耦接至該節(jié)點與每一第二參考單元的一第一端子，以傳送一第二電流；將該第三電阻耦接于該節(jié)點與該能隙參考電路的一輸出端子之間，以傳送一第三電流，該第三電流的大小等于該第一電流的大小與該第二電流的大小的和；利用該電流產(chǎn)生器產(chǎn)生該輸出電流，其中該輸出電流的第一部分為具有負溫度系數(shù)的電流，以及該輸出電流的第二部分為具有正溫度系數(shù)的電流；以及利用該電流/電壓轉(zhuǎn)換器依據(jù)該輸出電流與該第三電流產(chǎn)生該能隙電壓。18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中利用該電流/電壓轉(zhuǎn)換器依據(jù)該輸出電流與該第三電流產(chǎn)生該能隙電壓的步驟還包含有利用該電流/電壓轉(zhuǎn)換器將該輸出電流與該第三電流的總電流轉(zhuǎn)換為該能隙電壓。19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中該多個參考單元包含有至少一二極管或至少一晶體管。20.如權(quán)利要求17所述的方法，其中該第一電阻的電阻值的大小實質(zhì)上等于該第二電阻的電阻值的大小。全文摘要本發(fā)明涉及一種能隙參考電路，其包含一電流產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生一輸出電流，該電流產(chǎn)生器包含一第一參考單元與多個平行的第二參考單元，該電流產(chǎn)生器可依據(jù)該參考單元決定該輸出電流的大??；一第一電阻，耦接于該第一參考單元的一第一端子與一節(jié)點之間，用來傳送一第一電流；一第二電阻，耦接至該節(jié)點與每一個第二參考單元的一第一端子，用來傳送一第二電流；一第三電阻，耦接于該節(jié)點與該能隙參考電路的輸出端子之間，用來傳送一第三電流；與一電流/電壓轉(zhuǎn)換器，耦接至該第三電阻，用來依據(jù)該輸出電流與該第三電流產(chǎn)生一能隙電壓。文檔編號G05F3/08GK101286076SQ20071009600公開日2008年10月15日申請日期2007年4月10日優(yōu)先權(quán)日2007年4月10日發(fā)明者彭彥華,王為善申請人:智原科技股份有限公司