制作全波段對(duì)比晶粒的方法及校正芯片測(cè)試機(jī)的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種制作全波段對(duì)比晶粒的方法，包括以下步驟：步驟A、確定波段數(shù)量和全波段對(duì)比晶粒的份數(shù)；步驟B、選取包含全波段的多個(gè)方片產(chǎn)品；步驟C、將第一個(gè)波段和最后一個(gè)波段的方片產(chǎn)品通過(guò)包括外圍晶粒的方法進(jìn)行分檔，將第二個(gè)波段至倒數(shù)第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品通過(guò)不包括外圍晶粒的方法進(jìn)行分檔；步驟D、轉(zhuǎn)換為分選機(jī)識(shí)別的檔；步驟E、采用分選機(jī)從多個(gè)方片產(chǎn)品上選取同一bin的晶粒放入新的方片上得到多份具有全波段晶粒的方片產(chǎn)品。本發(fā)明方法工藝精簡(jiǎn)，能快速、準(zhǔn)確獲得多份全波段對(duì)比晶粒。本發(fā)明還提供一種采用上述全波段對(duì)比晶粒進(jìn)行校正芯片測(cè)試機(jī)的方法，步驟精簡(jiǎn)，能夠確保校正后的芯片測(cè)試機(jī)具有一致性對(duì)比效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
制作全波段對(duì)比晶粒的方法及校正芯片測(cè)試機(jī)的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及LED加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種制作全波段對(duì)比晶粒的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LED的電特性參數(shù)主要包括電壓(VF)、亮度(LOP)、波長(zhǎng)(WD)、逆向電流(IR)、抗靜電能力(ESD)、半波寬(Hff)、逆向電壓(VRD)等等，產(chǎn)品的這一系列電性參數(shù)需要利用當(dāng)前先進(jìn)的芯片測(cè)試機(jī)測(cè)試得來(lái)。
[0003]因芯片測(cè)試機(jī)之間均存在一定的誤差，如果誤差偏大，那么同一批產(chǎn)品測(cè)試得到的結(jié)果不一，從而導(dǎo)致產(chǎn)品的電性異常。因此，LED行業(yè)需要芯片機(jī)測(cè)試機(jī)之間的誤差越小越好，這樣才能得到最準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，為了盡可能地降低芯片測(cè)試機(jī)之間各個(gè)波段的數(shù)據(jù)誤差，需要對(duì)各個(gè)芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行對(duì)比，具體方法是采用每一波段分別進(jìn)行校正的方法，校正速度慢，且準(zhǔn)確度低。
[0005]綜上所述，急需一種能夠制作出全波段晶粒的方法用于校正芯片測(cè)試機(jī)以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的第一目的在于提供一種快速、準(zhǔn)確的制作用于LED芯片測(cè)試機(jī)校正的全波段對(duì)比晶粒的方法，具體技術(shù)方案如下:
[0007]—種制作全波段對(duì)比晶粒的方法，包括以下步驟:
[0008]步驟A、確定全波段對(duì)比晶粒包括N個(gè)波段，需要制作M份全波段對(duì)比晶粒，其中:N為5-18，M為2-20;
[0009]步驟B、選取與波段數(shù)量相同的N個(gè)方片產(chǎn)品，一個(gè)方片產(chǎn)品包括一個(gè)波段的晶粒，且第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第N個(gè)波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列，其中:第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品和第N個(gè)波段的方片產(chǎn)品均至少包括600顆晶粒，第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第N-1個(gè)波段的方片產(chǎn)品均至少包括200顆晶粒；
[0010]步驟C、將第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品和第N個(gè)波段的方片產(chǎn)品通過(guò)包括外圍晶粒的方法進(jìn)行分檔，將第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第N-1個(gè)波段的方片產(chǎn)品通過(guò)不包括外圍晶粒的方法進(jìn)行分檔;所述包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的三倍的數(shù)量為單位依次分為binl至binM;所述不包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的數(shù)量為單位依次分為bin I至binM;其中:P為每行所排列的晶粒的數(shù)量，取值為10-30顆；
[0011]步驟D、將第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品或第N個(gè)波段的方片產(chǎn)品以及第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第N-1個(gè)波段的方片產(chǎn)品中的任意一個(gè)轉(zhuǎn)換為分選機(jī)識(shí)別的檔；
[0012]步驟E、采用分選機(jī)從N個(gè)方片產(chǎn)品上選取同一bin的晶粒放入新的方片上得到M份具有全波段晶粒的方片產(chǎn)品。
[0013]以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述步驟D中轉(zhuǎn)換為分選機(jī)識(shí)別的檔的方法是采用表達(dá)式I)和表達(dá)式2):
[0014]X = y I);
[0015]Y=Max(x)-x+l 2)；
[0016]其中:x為轉(zhuǎn)換前晶粒的橫坐標(biāo)，y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標(biāo)，X為轉(zhuǎn)換后晶粒的橫坐標(biāo)，Y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標(biāo)。
[0017]以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述波段的獲得以2.5nm為跨度進(jìn)行分段。
[0018]以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述分選機(jī)為威控LS-368分選機(jī)。
[0019]應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，具有以下效果:
[0020](I)本發(fā)明全波段對(duì)比晶粒的制作方法簡(jiǎn)單，且采用先分檔再轉(zhuǎn)檔的方式，便于分選機(jī)進(jìn)行分選，一次能準(zhǔn)確地制作多份全波段對(duì)比晶粒；(2)采用本發(fā)明的全波段對(duì)比晶粒，一次可以實(shí)現(xiàn)一臺(tái)芯片測(cè)試機(jī)全波段校正，與現(xiàn)有技術(shù)采用單波段進(jìn)行校正的方法比較，大大縮短芯片測(cè)試機(jī)的校正時(shí)間；(3)多份全波段對(duì)比晶粒的制作，既可一次性完成多臺(tái)待校正芯片測(cè)試機(jī)的校正，又可留有足夠的全波段對(duì)比晶粒來(lái)作為備用。
[0021]本發(fā)明的第二目的在于提供一種校正芯片測(cè)試機(jī)的方法，包括以下步驟:
[0022]第一步、采用標(biāo)準(zhǔn)芯片測(cè)試機(jī)測(cè)試權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所得全波段對(duì)比晶粒，得到標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)；
[0023]第二步、采用待校正的新測(cè)試機(jī)測(cè)試權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所得全波段對(duì)比晶粒，得到各個(gè)待校正芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試數(shù)據(jù)；
[0024]第三步、比較各個(gè)待校正芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)，分別對(duì)各個(gè)待校正芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行調(diào)整;采用校正后的各芯片測(cè)試機(jī)再次測(cè)試權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所得全波段對(duì)比晶粒，得到再次測(cè)試數(shù)據(jù)；
[0025]第四步、判斷校正是否完成，具體是:若再次測(cè)試數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)相同，則完成校正;若再次測(cè)試數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)不同，則返回第三步。
[0026]采用本發(fā)明的校正方法，具體是:將制作好的全波段對(duì)比晶粒在最標(biāo)準(zhǔn)的芯片測(cè)試機(jī)上得出標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，再利用該產(chǎn)品協(xié)同標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)對(duì)其它芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行對(duì)比，使其他芯片測(cè)試機(jī)測(cè)試全波段對(duì)比晶粒的數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)一致，這樣在生產(chǎn)過(guò)程中就能大大減小各個(gè)芯片測(cè)試機(jī)之間的誤差，從而保證產(chǎn)品的數(shù)據(jù)正常，提升LED行業(yè)芯片測(cè)試機(jī)一致性對(duì)比效率。
[0027]除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明可以根據(jù)權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。
[0029]實(shí)施例1:
[0030]制作10份08mil*12mil芯片的全波段對(duì)比晶粒，要求:波段(WD)為447.5-470nm(以2.511111差值分為9檔)，11^(亮度)為11-19服(以2服差值分檔)，電壓(￥?)為2.8-3.6￥(以0.2￥
差值分檔)。
[0031 ]制作全波段對(duì)比晶粒的方法具體包括以下步驟:
[0032]步驟A、確定全波段對(duì)比晶粒包括9個(gè)波段(波段的數(shù)量取決于不同產(chǎn)品的波長(zhǎng)范圍，一般以2.5nm為跨度進(jìn)行分段)，需要制作10份全波段對(duì)比晶粒(全波段對(duì)比晶粒的份數(shù)取決于生產(chǎn)需求來(lái)定，假如機(jī)臺(tái)多，那么所需要的份數(shù)也就越多)；
[0033]步驟B、選取9個(gè)方片產(chǎn)品，一個(gè)方片產(chǎn)品包括一個(gè)波段的晶粒，且第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第N個(gè)波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列(如第一方片產(chǎn)品中所有晶粒的波段均為447.5-450nm，第二方片產(chǎn)品中所有晶粒的波段均為450-452.5nm等等)，第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品和第9個(gè)波段的方片產(chǎn)品均包括600顆晶粒，第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第8個(gè)波段的方片產(chǎn)品均包括200顆晶粒；
[0034]步驟C、將第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品和第9個(gè)波段的方片產(chǎn)品通過(guò)包括外圍晶粒的方法進(jìn)行分檔，將第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第8個(gè)波段的方片產(chǎn)品通過(guò)不包括外圍晶粒的方法進(jìn)行分檔;所述包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的三倍的數(shù)量(即60顆)為單位依次分為binl至binlO;所述不包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的數(shù)量為單位依次分為binl至binl0(即分為10個(gè)檔)；其中:P為每行所排列的晶粒的數(shù)量，取值為20顆(也可以根據(jù)實(shí)際情況采用其他的數(shù)量，如25顆、30顆等等)；
[0035]步驟D、將第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品和第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品轉(zhuǎn)換為分選機(jī)識(shí)別的檔，具體是:轉(zhuǎn)換為分選機(jī)識(shí)別的檔的方法是采用表達(dá)式I)和表達(dá)式2)(將晶粒的坐標(biāo)逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°):
[0036]X = y I);
[0037]Y=Max(x)-x+l 2);
[0038]其中:x為轉(zhuǎn)換前晶粒的橫坐標(biāo)，y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標(biāo)，X為轉(zhuǎn)換后晶粒的橫坐標(biāo)，Y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標(biāo)；
[0039 ] 步驟E、采用分選機(jī)從9個(gè)方片產(chǎn)品上選取同一b in (如均選b in I的晶粒至一個(gè)新的方片上，均選bin2的晶粒至另一個(gè)新的方片上，bin指檔))的晶粒放入新的方片上得到10份具有全波段晶粒的方片產(chǎn)品。
[0040]應(yīng)用本發(fā)明的全波段對(duì)比晶粒時(shí)，新的方片產(chǎn)品上最前和最后兩個(gè)波段均有兩排作為外圍晶粒，而其左右兩側(cè)可以除去位于兩端的兩顆(或其他數(shù)量)的晶粒作為外圍晶粒不用，確保不會(huì)出現(xiàn)邊緣晶粒因遮光不同而導(dǎo)致的電性不準(zhǔn)確的現(xiàn)象發(fā)生，提高標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)的可靠性。
[0041]應(yīng)用本發(fā)明所得包含全波段對(duì)比晶粒的方片產(chǎn)品進(jìn)行芯片測(cè)試機(jī)校正，具體是:
[0042]第一步、采用最標(biāo)準(zhǔn)的芯片測(cè)試機(jī)測(cè)試方片產(chǎn)品得出標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)；
[0043]第二步、再采用其他待校正的芯片測(cè)試機(jī)測(cè)試方片產(chǎn)品得出各待校正的芯片測(cè)試機(jī)測(cè)量數(shù)據(jù)；
[0044]第三步、將標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)和測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，對(duì)待校正的芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行校正，采用校正后的芯片測(cè)試機(jī)再次測(cè)試方片產(chǎn)品，得到再次測(cè)試數(shù)據(jù)；
[0045]第四步、判斷校正是否完成，具體是:若再次測(cè)試數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)相同，則完成校正;若再次測(cè)試數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)不同，則返回第三步重新測(cè)試，從而使得校正后的芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)一致(此處，也可以根據(jù)實(shí)際情況確認(rèn)無(wú)需要對(duì)芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行參數(shù)微調(diào)，如誤差在一定允許的范圍之內(nèi)，即可不需再次微調(diào))。
[0046]采用本發(fā)明方法的校正方法能一次性將多個(gè)波段對(duì)比完成，無(wú)需目前單個(gè)波段一一對(duì)比，只需要現(xiàn)有技術(shù)中一個(gè)波段對(duì)比所有時(shí)間，提升了生產(chǎn)效率，并確保其他芯片測(cè)試機(jī)測(cè)試該全波段產(chǎn)品的數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)一致，大大減小各個(gè)芯片測(cè)試機(jī)之間的誤差，提升LED行業(yè)芯片測(cè)試機(jī)一致性對(duì)比效率。
[0047]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制作全波段對(duì)比晶粒的方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟A、確定全波段對(duì)比晶粒包括N個(gè)波段，需要制作M份全波段對(duì)比晶粒，其中:N為5-18，M為2-20; 步驟B、選取與波段數(shù)量相同的N個(gè)方片產(chǎn)品，一個(gè)方片產(chǎn)品包括一個(gè)波段的晶粒，且第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第N個(gè)波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列，其中:第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品和第N個(gè)波段的方片產(chǎn)品均至少包括600顆晶粒，第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第N-1個(gè)波段的方片產(chǎn)品均至少包括200顆晶粒； 步驟C、將第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品和第N個(gè)波段的方片產(chǎn)品通過(guò)包括外圍晶粒的方法進(jìn)行分檔，將第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第N-1個(gè)波段的方片產(chǎn)品通過(guò)不包括外圍晶粒的方法進(jìn)行分檔;所述包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的三倍的數(shù)量為單位依次分為binl至binM;所述不包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的數(shù)量為單位依次分為binl至binM;其中:P為每行所排列的晶粒的數(shù)量，取值為10-30顆； 步驟D、將第一個(gè)波段的方片產(chǎn)品或第N個(gè)波段的方片產(chǎn)品以及第二個(gè)波段的方片產(chǎn)品至第N-1個(gè)波段的方片產(chǎn)品中的任意一個(gè)轉(zhuǎn)換為分選機(jī)識(shí)別的檔； 步驟E、采用分選機(jī)從N個(gè)方片產(chǎn)品上選取同一 bin的晶粒放入新的方片上得到M份具有全波段晶粒的方片產(chǎn)品。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作全波段對(duì)比晶粒的方法，其特征在于，所述步驟D中轉(zhuǎn)換為分選機(jī)識(shí)別的檔的方法是采用表達(dá)式I)和表達(dá)式2): X=y I); Y=Max(x)-x+l 2); 其中:X為轉(zhuǎn)換前晶粒的橫坐標(biāo)，y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標(biāo)，X為轉(zhuǎn)換后晶粒的橫坐標(biāo)，Y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標(biāo)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作全波段對(duì)比晶粒的方法，其特征在于，所述波段的獲得以2.5nm為跨度進(jìn)行分段。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作全波段對(duì)比晶粒的方法，其特征在于，所述分選機(jī)為威控LS-368分選機(jī)。5.一種校正芯片測(cè)試機(jī)的方法，其特征在于:包括以下步驟: 第一步、采用標(biāo)準(zhǔn)芯片測(cè)試機(jī)測(cè)試權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所得全波段對(duì)比晶粒，得到標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)； 第二步、采用待校正的新測(cè)試機(jī)測(cè)試權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所得全波段對(duì)比晶粒，得到各個(gè)待校正芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試數(shù)據(jù)； 第三步、比較各個(gè)待校正芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)，分別對(duì)各個(gè)待校正芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行調(diào)整;采用校正后的各芯片測(cè)試機(jī)再次測(cè)試權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所得全波段對(duì)比晶粒，得到再次測(cè)試數(shù)據(jù)； 第四步、判斷校正是否完成，具體是:若再次測(cè)試數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)相同，則完成校正;若再次測(cè)試數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)數(shù)據(jù)不同，則返回第三步。
【文檔編號(hào)】G01R35/00GK106093819SQ201610364520
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年5月28日
【發(fā)明人】郭組福
【申請(qǐng)人】湘能華磊光電股份有限公司