一種近場吸波材料反射率的測試裝置及其測試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種近場吸波材料反射率的測試裝置，包括矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀通過同軸電纜與同軸法蘭夾具連接，同軸法蘭夾具置于支架上，同軸法蘭夾具頂部設(shè)有隔離板，隔離板與同軸法蘭夾具之間為樣品放置部。本發(fā)明還公開了一種近場吸波材料反射率的測試裝置的測試方法。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單、造價便宜、可以實現(xiàn)低頻段(30MHz?3GHz)測量、操作簡便、準(zhǔn)確度高及重復(fù)性好等特點(diǎn)。
【專利說明】
-種近場吸波材料反射率的測試裝置及其測試方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及材料測試技術(shù)，具體來說是一種近場吸波材料反射率的測試裝置及其 測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 吸波材料是一類能夠?qū)㈦姶拍苻D(zhuǎn)化成熱能或其他形式能量的功能材料，其最早應(yīng) 用于軍事領(lǐng)域，如隱形戰(zhàn)機(jī)、隱身裝備等。近年來，隨著電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品 朝著微型化、集成化、功能化方向發(fā)展，隨之而來的電磁干擾和電磁福射污染問題也越來越 突出。民用吸波材料(如薄片、薄膜類)可W在一定程度上解決上述問題，市場需求量越來越 大。
[0003] 吸波材料在軍事和民品方面均有重要的應(yīng)用，如何準(zhǔn)確衡量吸波材料的吸收性能 是吸波材料研究的基礎(chǔ)和關(guān)鍵。評價吸波材料性能優(yōu)劣的最為關(guān)鍵指標(biāo)是反射率，其反映 了材料對入射電磁波的損耗能力。目前，測量反射率的常用方法包括：弓形法，遠(yuǎn)場RCS法， 樣板空間平移法等，其中，弓形法應(yīng)用的最為普遍。
[0004] 弓形法測試原理，大體過程如下：首先在未放置吸波材料樣品之前對整個系統(tǒng)進(jìn) 行校準(zhǔn)歸零，然后將平面型吸波材料樣品放置在全反射金屬板上面，由矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的 一個端口發(fā)出電磁信號，經(jīng)由線纜傳送至卿趴天線處，再由卿趴天線向樣品發(fā)射電磁信號， 電磁波穿透樣品后，在全反射金屬板表面實現(xiàn)全反射，反射后的電磁波再次穿透吸波材料 樣品后進(jìn)入卿趴天線中，再經(jīng)由線纜傳回至矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中。計算接收和發(fā)射電磁信號 功率的比值，再經(jīng)轉(zhuǎn)化獲得反射率。
[0005] 弓形法是使用最為普遍的反射率測試方法，主要用于遠(yuǎn)場雷達(dá)吸波材料的性能評 價，GJB2038-2011等標(biāo)準(zhǔn)對運(yùn)種測試方法進(jìn)行了規(guī)范。然而，弓形法也存在運(yùn)自身的缺點(diǎn)和 局限性：1.弓形法測試屬于自由空間法的一種，為了避免外界電磁波對測試產(chǎn)生干擾，需要 在標(biāo)準(zhǔn)的微波暗室中進(jìn)行測試，微波暗室中需安放大量的吸波材料W消除外界的電磁波。 因此，弓形法測試需要的成本較高。2.發(fā)射天線和接收天線與樣品表面的角度理論上要求 相同，但在實際測試的過程中，很難精確定位，最終導(dǎo)致測量誤差較大。3.弓形法主要用于 遠(yuǎn)場雷達(dá)吸波材料性能的測試，更加適合軍工領(lǐng)域，如測試隱身涂層，結(jié)構(gòu)型隱身材料等， 而對于近場吸波材料(如電子設(shè)備中使用的吸波薄片材料)并不適用，主要由于運(yùn)類材料通 常貼附在元器件的表面，使用環(huán)境與弓形法測試條件相差較大。4.根據(jù)弓形法測試要求，接 收和發(fā)射天線之間經(jīng)由材料反射路徑的距離R應(yīng)滿足
其中：D為卿趴天線口徑的 最大尺寸，Amin為測試最高頻率對應(yīng)的波長。測試頻率越低，要求卿趴天線的口徑越大，最終 導(dǎo)致R越大。因此，當(dāng)測試頻率越低，需要的微波暗室空間越大。而在實際測試的過程中，由 于受到場地和成本的限制，微波暗室很難做到非常大。一般弓形法測試頻率在IGHzW上，通 常無法對材料在IG化W下頻段的反射率進(jìn)行測試。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于克服W上現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供了一種結(jié)構(gòu)簡單、造價便 宜、可W實現(xiàn)低頻段(30MHZ-3G化)測量、操作簡便、準(zhǔn)確度高及重復(fù)性好的近場吸波材料反 射率的測試裝置。
[0007] 本發(fā)明另一目的在于提供一種近場吸波材料反射率的測試裝置的測試方法。
[0008] 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用W下技術(shù)方案:一種近場吸波材料反射率的測試 裝置，包括矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀通過同軸電纜與同軸法蘭夾具連接，同軸法蘭 夾具置于支架上，同軸法蘭夾具頂部設(shè)有隔離板，隔離板與同軸法蘭夾具之間為樣品放置 部。
[0009] 所述矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀包括一個W上端口。
[0010] 所述同軸法蘭夾具包括夾具本體，夾具本體呈圓柱叮"形結(jié)構(gòu)，夾具本體中間為內(nèi) 導(dǎo)體，內(nèi)導(dǎo)體四周為中空結(jié)構(gòu)。
[0011] 所述內(nèi)導(dǎo)體為下細(xì)上粗結(jié)構(gòu)。
[0012] 所述支架中間設(shè)有通孔，夾具本體下部穿過通孔固定。
[0013] 所述隔離板四周為下延伸部，下延伸部與夾具本體頂部靠接。
[0014] 所述隔離板為圓環(huán)結(jié)構(gòu)，隔離板的內(nèi)徑比同軸法蘭夾具頂部直徑大0.5~2mm。
[0015] 所述下延伸部的高度比隔離板整體高度小5mmW上。
[0016] 上述的近場吸波材料反射率的測試裝置的測試方法，包括W下步驟：
[0017] (1 )、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀開啟；
[0018] (2)、測量開始前，對矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行校準(zhǔn)，將矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀端口與測量電 纜相連，用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀校準(zhǔn)件對其進(jìn)行單端口校準(zhǔn)；
[0019] (3)、連接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀與同軸法蘭夾具，設(shè)置測試頻段、測量點(diǎn)數(shù)、中頻帶寬、 輸出功率參數(shù)，在沒有放入試樣的情況下，對整個系統(tǒng)進(jìn)行校準(zhǔn)歸零；
[0020] (4)、將樣品放入樣品放置部，由矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的一個端口發(fā)射電磁波信號，經(jīng) 由同軸電纜、同軸法蘭夾具傳輸至樣品處，電磁波穿透樣品后在隔離板的作用下實現(xiàn)全反 射，被反射回來的電磁波再次穿透樣品，最后經(jīng)由同軸法蘭夾具和同軸電纜返回至發(fā)射端 口處，計算接收和發(fā)射電磁波信號功率的比值，即測試Sll或S22參數(shù)，將單位轉(zhuǎn)化成地，即 測得樣品的反射率。
[0021] 所述步驟（1)中矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀開啟余熱30分鐘W上，其頻率范圍至少包含 30MHZ-3G化；所述步驟(3)中同軸法蘭夾具為黃銅制成或表面鍛金、鍛銅處理；隔離板為黃 銅制成或表面鍛金、鍛銅處理，隔離板下延伸部的高度比隔離板整體高度小5mmW上。
[0022] 本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)，具有如下的優(yōu)點(diǎn)及效果：
[0023] 1、本發(fā)明包括矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀通過同軸電纜與同軸法蘭夾具連 接，同軸法蘭夾具置于支架上，同軸法蘭夾具頂部設(shè)有隔離板，隔離板與同軸法蘭夾具之間 為樣品放置部，具有結(jié)構(gòu)簡單、造價便宜、可W實現(xiàn)低頻段(30MHZ-3GHZ)現(xiàn)慢、操作簡便、準(zhǔn) 確度高及重復(fù)性好等特點(diǎn)。
[0024] 2、本發(fā)明中的同軸法蘭夾具包括夾具本體，夾具本體呈圓柱T'形結(jié)構(gòu)，夾具本體 中間為內(nèi)導(dǎo)體，內(nèi)導(dǎo)體四周為中空結(jié)構(gòu);特殊的設(shè)計和隔離板相配合，準(zhǔn)確性及實用性好。
[0025] 3、本發(fā)明中的隔離板為圓環(huán)結(jié)構(gòu)，隔離板的內(nèi)徑比同軸法蘭夾具頂部直徑大0.5 ~2mm;便于測試，測試效果好。
[0026] 4、本發(fā)明中的成本低廉，測試條件要求低。測試無需在微波暗室中進(jìn)行，大大降低 了系統(tǒng)的搭建成本。同時系統(tǒng)占用空間小，無需大的場地進(jìn)行測試。
[0027] 5、本發(fā)明的裝置構(gòu)造簡單，操作便捷。弓形法測試系統(tǒng)中需要較為復(fù)雜、較多的裝 置及部件，如矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，射頻電纜，弓形架，樣品臺，卿趴天線(多個），微波暗室，吸波 錐體，鐵氧體板，驅(qū)動電機(jī)裝置等，而同軸法蘭隔離板法僅需矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，射頻電纜，同 軸法蘭夾具，及隔離板，構(gòu)造非常簡單。此外，在利用弓形法進(jìn)行測試的過程中，需要在微波 暗室中更換樣品，操作不便;而采用同軸法蘭隔離板法測試，僅需取下隔離板，即可完成樣 品的更換，操作更加簡單。
[0028] 6、本發(fā)明測試頻段更低，適合于近場吸波材料的測試。傳統(tǒng)的弓形法主要適用于 遠(yuǎn)場雷達(dá)吸波材料的測試，如雷達(dá)隱身涂層等，而無法對近場吸波材料進(jìn)行精確評價。同時 受到場地和成本的限制，弓形法的測試頻段通常在IG化W上。而同軸法蘭隔離板法可W測 試30MHZ-3G化頻段內(nèi)的反射率，適用于近場吸波材料的測試，如電子設(shè)備用柔性吸波貼片 材料等，更加適合于民用吸波材料性能的評價。
[0029] 7、本發(fā)明準(zhǔn)確度高，重復(fù)性好。弓形法測試系統(tǒng)需要多個組件的精確搭配，然而在 實際的過程中許多偏差避免不了，如卿趴天線與樣品之間的角度很難精確定位，電磁波在 長的射頻電纜中的損耗，非標(biāo)準(zhǔn)暗室中的雜波干擾，多個(至少4個)轉(zhuǎn)接頭引起的損耗等。 同時導(dǎo)致系統(tǒng)的重復(fù)性差，一般不確定度會超過10%。而本發(fā)明提供的測試方法簡單，組件 較少，射頻電纜非常短，轉(zhuǎn)接頭較少(2)，引起測試誤差的因素少，因此準(zhǔn)確度更高，重復(fù)性 更好，不確定度可W控制在10% W內(nèi)。
【附圖說明】
[0030] 圖1為一種近場吸波材料反射率的測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖2為本發(fā)明中同軸法蘭夾具的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖3為本發(fā)明中隔離板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033] 圖中標(biāo)號與名稱如下：
[0034]

【具體實施方式】
[0035] 為便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說 明。
[0036] 實施例1:
[0037] 如圖1~3所示，一種近場吸波材料反射率的測試裝置，包括矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，矢量 網(wǎng)絡(luò)分析儀通過同軸電纜與同軸法蘭夾具連接，同軸法蘭夾具置于支架上，同軸法蘭夾具 頂部設(shè)有隔離板，隔離板與同軸法蘭夾具之間為樣品放置部。
[0038] 本實施例中的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀為兩個端口；同軸法蘭夾具包括夾具本體，夾具本 體呈圓柱"T"形結(jié)構(gòu)，夾具本體中間為內(nèi)導(dǎo)體，內(nèi)導(dǎo)體四周為中空結(jié)構(gòu)；內(nèi)導(dǎo)體為下細(xì)上粗 結(jié)構(gòu)。
[0039] 本實施例中的支架中間設(shè)有通孔，夾具本體下部穿過通孔固定；隔離板四周為下 延伸部，下延伸部與夾具本體頂部靠接;隔離板為圓環(huán)結(jié)構(gòu)，隔離板的內(nèi)徑比同軸法蘭夾具 頂部直徑大0.5~2mm;下延伸部的高度比隔離板整體高度小5mmW上。隔離板材質(zhì)要求具有 低的表面電阻率，采用黃銅或者鍛金材料，鍛層厚度不小于1mm，表面光滑無劃痕，尺寸要 求：
[0040] D0+0.5mm《D2《D0+2mm [0041 ] Dl 別 2+lOmm
[0042] h2^20mm
[0043] hl>h2 巧 mm。
[0044] 樣品要求厚度《10mm，表明平整，厚度均勻。
[0045] 為了保證測量準(zhǔn)確性，技術(shù)參數(shù)要求:測試系統(tǒng)在所測試頻段內(nèi)電壓駐波比需< 2;測試系統(tǒng)插入損耗需<0.5地。
[0046] 上述的近場吸波材料反射率的測試裝置的測試方法，包括W下步驟：
[0047] (1)、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀開啟；
[0048] (2)、測量開始前，對矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行校準(zhǔn)，將矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀端口與測量電 纜相連，用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀校準(zhǔn)件對其進(jìn)行單端口校準(zhǔn)；
[0049] (3)、連接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀與同軸法蘭夾具，設(shè)置測試頻段、測量點(diǎn)數(shù)、中頻帶寬、 輸出功率參數(shù)，在沒有放入試樣的情況下，對整個系統(tǒng)進(jìn)行校準(zhǔn)歸零；
[0050] (4)、將樣品放入樣品放置部，由矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的一個端口發(fā)射電磁波信號，經(jīng) 由同軸電纜、同軸法蘭夾具傳輸至樣品處，電磁波穿透吸波材料后在隔離板的作用下實現(xiàn) 全反射，被反射回來的電磁波再次穿透吸波材料，最后經(jīng)由同軸法蘭夾具和同軸電纜返回 至發(fā)射端口處，計算接收和發(fā)射電磁波信號功率的比值，即測試Sll或S22參數(shù)，將單位轉(zhuǎn)化 成地，即測得吸波材料的反射率。
[0051] 所述步驟（1)中矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀開啟余熱30分鐘W上，其頻率范圍至少包含 30MHZ-3G化；所述步驟(3)中同軸法蘭夾具為黃銅制成或表面鍛金、鍛銅處理；隔離板為黃 銅制成或表面鍛金、鍛銅處理，隔離板下延伸部的高度比隔離板整體高度小5mmW上。
[0化2]實施例2:
[0化3] 選用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀Keysight N5232A，頻率范圍300曲Z-20GHz，包含兩個端口， 選用鼎容電子DR-SOl屏蔽效能測試裝置(符合GB/T 25471-2010標(biāo)準(zhǔn)）的法蘭裝置的下半部 分改裝為同軸法蘭夾具，D0 = 133mm，隔離板材質(zhì)為黃銅，表面光滑無劃痕，具體尺寸為： [0化4] D2 = 134mm [0化5] Dl = 154mm
[0056] h2 = 25mm
[0057] hi = 35mm
[0化引經(jīng)檢測，系統(tǒng)在30MHZ-3G化范圍內(nèi)電壓駐波比小于1.8，插入損耗小于0.3地，待測 樣品為高分子材料與軟磁合金粉復(fù)合而成柔性吸波薄片材料，厚度為0.5 ±0.02mm，材質(zhì)均 勻，表明平整。
[0059] 利用該系統(tǒng)對材料反射率測量，測量頻率范圍為30MHz-3G化，樣品測試5次，每次 測量分別采集樣品在30MHz，0.5G化，IGHz，2G化，3GHz頻點(diǎn)上的反射率化i (單位:地），其中i 為次數(shù)，計算5次測量樣品在同一頻點(diǎn)上的反射率的平均值化曰，最大偏差值為IRLi-RLaI中 的最大值，而最大偏離度為最大偏差值/ I化a I。測試結(jié)果如表1所示。由表1可W看出，測量 的最大偏差值僅為0.16地，最大偏離度僅為6.9%，顯現(xiàn)出良好的重復(fù)性。
[0060] 表1實施例2磁片反射率測試數(shù)據(jù)
[0OA11 [(
[0063] 實施例3:
[0064] 選用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀Keysight N5232A，頻率范圍300曲Z-20GHz，包含兩個端口， 選用鼎容電子DR-SOl屏蔽效能測試裝置(符合GB/T 25471-2010標(biāo)準(zhǔn)）的法蘭裝置的下半部 分改裝為同軸法蘭夾具，D0 = 133mm，隔離板材質(zhì)為黃銅，表明鍛金，鍛層厚度為1.5mm，表面 光滑無劃痕，具體尺寸為：
[00化]D2 = 133.5mm
[0066] Dl = 143.5mm
[0067] h2 = 20mm
[006引 hi = 25mm
[0069] 經(jīng)檢測，系統(tǒng)在30MHZ-3G化范圍內(nèi)電壓駐波比小于1.8，插入損耗小于0.3地，待測 樣品為高分子材料與軟磁合金粉復(fù)合而成柔性吸波薄片材料，厚度為0.5 ±0.02mm，材質(zhì)均 勻，表明平整。
[0070] 利用該系統(tǒng)對材料反射率測量，測量頻率范圍為30MHz-3G化，樣品測試5次，每次 測量分別采集樣品在30MHz，0.5G化，IGHz，2G化，3GHz頻點(diǎn)上的反射率化i (單位:地），其中i 為次數(shù)，計算5次測量樣品在同一頻點(diǎn)上的反射率的平均值化曰，最大偏差值為IRLi-RLaI中 的最大值，而最大偏離度為最大偏差值/ I化a I。測試結(jié)果如表2所示。由表2可W看出，測量 的最大偏差值僅為0.1地，最大偏離度僅為7.3%，顯現(xiàn)出良好的重復(fù)性。
[0071 ]表2實施例3磁片反射率測試數(shù)據(jù)
[0072]
[0073] 實施例4:
[0074] 選用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀Keysight N5232A，頻率范圍300曲Z-20GHz，包含兩個端口， 選用鼎容電子DR-SOl屏蔽效能測試裝置(符合GB/T 25471-2010標(biāo)準(zhǔn)）的法蘭裝置的下半部 分改裝為同軸法蘭夾具，D0 = 133mm，隔離板材質(zhì)為黃銅，表面光滑無劃痕，具體尺寸為：
[0075] D2 = 135mm
[0076] Dl = 154mm
[0077] h2 = 40mm [007引 hi = 55mm
[0079]經(jīng)檢測，系統(tǒng)在30MHZ-3G化范圍內(nèi)電壓駐波比小于2,插入損耗小于0.4地，待測樣 品為高分子材料與軟磁合金粉復(fù)合而成柔性吸波薄片材料，厚度為1±〇.05mm，材質(zhì)均勻， 表明平整。
[0080] 利用該系統(tǒng)對材料反射率測量，測量頻率范圍為30MHz-3G化，樣品測試5次，每次 測量分別采集樣品在30MHz，0.5G化，IGHz，2G化，3GHz頻點(diǎn)上的反射率化i (單位:地），其中i 為次數(shù)，計算5次測量樣品在同一頻點(diǎn)上的反射率的平均值化曰，最大偏差值為IRLi-RLaI中 的最大值，而最大偏離度為最大偏差值/ I化a I。測試結(jié)果如表3所示。由表3可W看出，測量 的最大偏差值僅為0.17地，最大偏離度僅為7.5%，顯現(xiàn)出良好的重復(fù)性。
[0081 ]表3實施例4磁片反射率測試數(shù)據(jù)
[0082]
[0083]上述【具體實施方式】為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并不能對本發(fā)明進(jìn)行限定，其他的任 何未背離本發(fā)明的技術(shù)方案而所做的改變或其它等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù) 范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種近場吸波材料反射率的測試裝置，其特征在于:包括矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，矢量網(wǎng)絡(luò) 分析儀通過同軸電纜與同軸法蘭夾具連接，同軸法蘭夾具置于支架上，同軸法蘭夾具頂部 設(shè)有隔離板，隔離板與同軸法蘭夾具之間為樣品放置部。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的近場吸波材料反射率的測試裝置，其特征在于:所述矢量網(wǎng)絡(luò) 分析儀包括一個以上端口。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的近場吸波材料反射率的測試裝置，其特征在于:所述同軸法蘭 夾具包括夾具本體，夾具本體呈圓柱"T"形結(jié)構(gòu)，夾具本體中間為內(nèi)導(dǎo)體，內(nèi)導(dǎo)體四周為中 空結(jié)構(gòu)。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的近場吸波材料反射率的測試裝置，其特征在于:所述內(nèi)導(dǎo)體為 下細(xì)上粗結(jié)構(gòu)。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的近場吸波材料反射率的測試裝置，其特征在于:所述支架中間 設(shè)有通孔，夾具本體下部穿過通孔固定。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的近場吸波材料反射率的測試裝置，其特征在于:所述隔離板四 周為下延伸部，下延伸部與夾具本體頂部靠接。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的近場吸波材料反射率的測試裝置，其特征在于:所述隔離板為 圓環(huán)結(jié)構(gòu)，隔離板的內(nèi)徑比同軸法蘭夾具頂部直徑大〇. 5~2mm。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的近場吸波材料反射率的測試裝置，其特征在于:所述下延伸部 的高度比隔離板整體高度小5mm以上。9. 根據(jù)權(quán)利要求1~8任一項所述的近場吸波材料反射率的測試裝置的測試方法，其特 征在于，包括以下步驟： (1) 、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀開啟； (2) 、測量開始前，對矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行校準(zhǔn)，將矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀端口與測量電纜相 連，用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀校準(zhǔn)件對其進(jìn)行單端口校準(zhǔn)； (3) 、連接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀與同軸法蘭夾具，設(shè)置測試頻段、測量點(diǎn)數(shù)、中頻帶寬、輸出 功率參數(shù)，在沒有放入試樣的情況下，對整個系統(tǒng)進(jìn)行校準(zhǔn)歸零； (4) 、將樣品放入樣品放置部，由矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的一個端口發(fā)射電磁波信號，經(jīng)由同 軸電纜、同軸法蘭夾具傳輸至樣品處，電磁波穿透樣品后在隔離板的作用下實現(xiàn)全反射，被 反射回來的電磁波再次穿透樣品，最后經(jīng)由同軸法蘭夾具和同軸電纜返回至發(fā)射端口處， 計算接收和發(fā)射電磁波信號功率的比值，即測試Sll或S22參數(shù)，將單位轉(zhuǎn)化成dB，即測得樣 品的反射率。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的近場吸波材料反射率的測試裝置的測試方法，其特征在于： 所述步驟（1)中矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀開啟余熱30分鐘以上，其頻率范圍至少包含30MHz-3GHz ;所 述步驟(3)中同軸法蘭夾具為黃銅制成或表面鍍金、鍍銅處理;隔離板為黃銅制成或表面鍍 金、鍍銅處理，隔離板下延伸部的高度比隔離板整體高度小5mm以上。
【文檔編號】G01N22/00GK105954302SQ201610556320
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年7月12日
【發(fā)明人】劉立東, 葉怡婷, 郝斌, 劉克霞
【申請人】橫店集團(tuán)東磁股份有限公司