本發(fā)明涉及絕緣子制造，尤其涉及一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法、裝置、介質(zhì)和設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、如圖2所示，支柱絕緣子由絕緣子瓷件和包覆在瓷件表面的硅橡膠構(gòu)成，由于瓷器在制造過程中有較大的隨機(jī)性，且絕緣子瓷件形狀不均勻，在燒制過程中可能有較大變形而導(dǎo)致尺寸不準(zhǔn)確，故而絕緣子瓷件在澆注硅橡膠之前要進(jìn)行尺寸檢測。目前，通常會采用卡尺、三坐標(biāo)測量儀等量具對支柱絕緣子瓷件的進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)測量，以淘汰掉偏差不在允許范圍內(nèi)的支柱絕緣子瓷件，從而保證支柱絕緣子瓷件的產(chǎn)品性能和加工效率符合設(shè)計要求，進(jìn)而保證架空輸電線路的安全性能達(dá)到設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。但絕緣子瓷件形狀不規(guī)范，不易測量準(zhǔn)確，測量時操作較繁瑣，工作效率較低，因此，有必要對此進(jìn)行改進(jìn)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法、裝置、介質(zhì)和設(shè)備，解決了以上所述的技術(shù)問題。

2、本發(fā)明實施例的第一方面提供了一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法，包括如下步驟：

3、s1，獲取待測瓷件的表面點(diǎn)云數(shù)據(jù)，對所述表面點(diǎn)云數(shù)據(jù)進(jìn)行網(wǎng)格化處理，得到所述待測瓷件的三角化模型；

4、s2，獲取待測瓷件對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)3d模型，對所述三角化模型和所述標(biāo)準(zhǔn)3d模型進(jìn)行對齊處理，以將所述三角化模型變換到所述標(biāo)準(zhǔn)3d模型的參考坐標(biāo)系，并得到所述待測瓷件的對齊模型；

5、s3，對所述對齊模型進(jìn)行表面偏差計算，得到待測瓷件的表面偏差值；

6、s4，判斷所述表面偏差值是否在對應(yīng)的預(yù)設(shè)公差范圍內(nèi)，若是，則所述待測瓷件為合格，若否，則所述待測瓷件為不合格。

7、本發(fā)明實施例的第二方面提供了一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，存儲有計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)以上所述的支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法。

8、本發(fā)明實施例的第三方面提供了一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量設(shè)備，包括計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)和處理器，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上的計算機(jī)程序時實現(xiàn)以上所述支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法的步驟。

9、本發(fā)明實施例的第四方面提供了一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量裝置，包括數(shù)據(jù)處理模塊、對齊模塊、計算模塊和判斷模塊，

10、所述數(shù)據(jù)處理模塊用于獲取待測瓷件的表面點(diǎn)云數(shù)據(jù)，對所述表面點(diǎn)云數(shù)據(jù)進(jìn)行網(wǎng)格化處理，得到所述待測瓷件的三角化模型；

11、所述對齊模塊用于獲取待測瓷件對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)3d模型，對所述三角化模型和所述標(biāo)準(zhǔn)3d模型進(jìn)行對齊處理，以將所述三角化模型變換到所述標(biāo)準(zhǔn)3d模型的參考坐標(biāo)系，并得到所述待測瓷件的對齊模型；

12、所述計算模塊用于對所述對齊模型進(jìn)行表面偏差計算，得到待測瓷件的表面偏差值；

13、所述判斷模塊用于判斷所述表面偏差值是否在對應(yīng)的預(yù)設(shè)公差范圍內(nèi)，若是，則所述待測瓷件為合格，若否，則所述待測瓷件為不合格。

14、本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明提供了一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法、裝置、介質(zhì)和設(shè)備，先用三維掃描儀掃描并構(gòu)建待測瓷件的三角化模型，接著對三角化模型和標(biāo)準(zhǔn)3d模型進(jìn)行對齊處理(結(jié)合pca主成分分析法、icp算法等現(xiàn)有算法)，然后再計算對齊模型和標(biāo)準(zhǔn)3d模型中每個對應(yīng)點(diǎn)處的歐氏距離，從而得到支柱絕緣子瓷件表面偏差值，最后根據(jù)該表面偏差值判斷待測瓷件是否合格，實現(xiàn)支柱絕緣子瓷件表面偏差的計算。本發(fā)明不需要采用卡尺、三坐標(biāo)測量儀等量具，即可完成對待測瓷件進(jìn)行測量，其操作較簡單，工作效率較高，同時本發(fā)明可以方便地在注塑前將偏差較大的瓷件予以剔除，避免不合格的瓷件進(jìn)入注塑工藝流程，提高帶有硫化硅橡膠保護(hù)層的支柱絕緣子瓷件成品良率，節(jié)約成本。

15、為使發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。

技術(shù)特征：

1.一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法，其特征在于，其包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法，其特征在于，s2步驟中，對所述三角化模型和所述標(biāo)準(zhǔn)3d模型進(jìn)行對齊處理的方法包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)幾何特征包括支柱絕緣子瓷件兩端圓柱面以及傘裙上下部的平面或圓錐面；

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法，其特征在于，所述點(diǎn)云配準(zhǔn)處理的方法包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法，其特征在于：步驟s3對所述對齊模型進(jìn)行表面偏差計算包括：逐點(diǎn)計算所述對齊模型和所述標(biāo)準(zhǔn)3d模型在每個對應(yīng)點(diǎn)處的歐氏距離，并生成所述待測瓷件的表面偏差值；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法，其特征在于：所述s1中獲取待測瓷件的表面點(diǎn)云數(shù)據(jù)，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法，其特征在于：所述s1中對所述表面點(diǎn)云數(shù)據(jù)進(jìn)行網(wǎng)格化處理前，還包括：對所述待測瓷件的表面點(diǎn)云數(shù)據(jù)進(jìn)行濾波、去噪和/或拼接處理。

8.一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量裝置，基于權(quán)利要求1-7任一所述支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法，其特征在于，包括數(shù)據(jù)處理模塊、對齊模塊、計算模塊和判斷模塊，

9.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，存儲有計算機(jī)程序，其特征在于，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)以上權(quán)利要求1-7任一所述支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法。

10.一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量設(shè)備，包括計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)和處理器，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上的計算機(jī)程序時實現(xiàn)以上權(quán)利要求1-7任一所述支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種支柱絕緣子瓷件表面偏差的測量方法、裝置、介質(zhì)和設(shè)備，方法包括：生成待測瓷件的三角化模型；對三角化模型和待測瓷件對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)3D模型進(jìn)行對齊處理，生成待測瓷件的對齊模型；對所述對齊模型進(jìn)行表面偏差計算，得到待測瓷件的表面偏差值；判斷表面偏差值是否在對應(yīng)的預(yù)設(shè)公差范圍內(nèi)，若是，則待測瓷件合格，若否，則待測瓷件不合格。本發(fā)明不需要采用卡尺、三坐標(biāo)測量儀等量具，即可完成對待測瓷件進(jìn)行測量，其操作較簡單，工作效率較高，同時本發(fā)明可以方便地在注塑前將偏差較大的瓷件予以剔除，避免不合格的瓷件進(jìn)入注塑工藝流程，提高帶有硫化硅橡膠保護(hù)層的支柱絕緣子瓷件成品良率，節(jié)約成本。

技術(shù)研發(fā)人員：劉輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江易格銳德電力科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9