本申請涉及熱管理，具體涉及一種電子元器件的溫度檢測方法、裝置、電子設(shè)備、以及計算機可讀存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、隨著汽車電子化的深入發(fā)展，ecu內(nèi)部的芯片和硬件集成度越來越高，功耗也隨之增加，高溫環(huán)境會對芯片和硬件的性能產(chǎn)生負面影響，甚至導(dǎo)致故障，因此，熱管理模塊的效率與精度直接關(guān)系到ecu的可靠性和使用壽命。

2、但是在現(xiàn)有的電子設(shè)備熱管理系統(tǒng)中，為了防止某個芯片如soc，mcu芯片等和某些硬件如攝像頭屏幕等過熱而發(fā)生損壞，通常需要監(jiān)控各個芯片和硬件的溫度，并通過應(yīng)用層軟件按照一定的頻率周期性地通過api接口讀取所有溫度數(shù)據(jù),當所監(jiān)控的某一個芯片或者硬件溫度過熱后采取相應(yīng)的措施，然而，由于不同材料間的導(dǎo)熱性能存在顯著差異，每個被監(jiān)控對象的溫度變化范圍和過熱區(qū)間各不相同，傳統(tǒng)的固定頻率api調(diào)用方式不能無法精準快速反映各部件的實際溫度狀態(tài)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為解決上述技術(shù)問題，本申請的實施例提供了一種電子元器件的溫度檢測方法及裝置、電子設(shè)備、計算機可讀存儲介質(zhì)以及計算機程序產(chǎn)品。

2、根據(jù)本申請實施例的一個方面，提供了一種電子元器件的溫度檢測方法，包括：獲取電子元器件的歷史溫度數(shù)據(jù)，并基于所述歷史溫度數(shù)據(jù)構(gòu)建所述電子元器件的溫度分布模型；獲取所述溫度分布模型中所述電子元器件的平均溫度，并基于所述平均溫度確定所述電子元器件在不同溫度情況下對應(yīng)的溫度檢測頻率；獲取所述電子元器件對應(yīng)的材料特性以及實時環(huán)境特征，基于所述材料特性以及所述實時環(huán)境特征修正所述溫度檢測頻率，得到目標溫度檢測頻率；基于所述目標檢測頻率對所述電子元器件進行溫度檢測得到對應(yīng)的溫度檢測結(jié)果，并基于溫度檢測的結(jié)果更新所述溫度分布模型。

3、根據(jù)本申請實施例的一個方面，所述基于所述平均溫度確定所述電子元器件在不同溫度情況下的溫度檢測頻率，包括：確定所述電子元器件的材料特性對應(yīng)的導(dǎo)熱率；基于所述導(dǎo)熱率確定所述電子元器件在所述平均溫度下對應(yīng)的初始溫度檢測頻率；基于所述平均溫度與所述電子元器件的實時溫度之間的關(guān)系，確定所述電子元器件在不同溫度情況下的溫度檢測頻率。

4、根據(jù)本申請實施例的一個方面，所述基于所述平均溫度與所述電子元器件的實時溫度之間的關(guān)系，確定所述電子元器件在不同溫度情況下的溫度檢測效率，包括：若所述電子元器件的實時溫度大于所述平均溫度，則基于第一調(diào)整速率系數(shù)調(diào)整所述初始溫度檢測頻率，得到所述電子元器件對應(yīng)的第一目標溫度檢測頻率；若所述電子元器件的實時溫度小于所述平均溫度，則基于第二調(diào)整速率系數(shù)調(diào)整所述初始溫度檢測頻率，得到所述電子元器件對應(yīng)的第二目標溫度檢測頻率，其中，所述第二調(diào)整速率系數(shù)小于所述第一調(diào)整速率系數(shù)。

5、根據(jù)本申請實施例的一個方面，所述方法還包括；基于所述溫度分布模型確定所述電子元器件在預(yù)設(shè)時長內(nèi)的溫度變化差值；基于所述溫度變化差值確定所述第一調(diào)整速率系數(shù)以及所述第二調(diào)整速率系數(shù)。

6、根據(jù)本申請實施例的一個方面，所述方法還包括：獲取當前時刻所述電子元器件對應(yīng)的環(huán)境特征，所述環(huán)境特征包括環(huán)境溫度和環(huán)境濕度；基于所述環(huán)境溫度、所述環(huán)境濕度以及所述導(dǎo)熱率確定所述第一調(diào)整速率系數(shù)以及所述第二調(diào)整速率系數(shù)。

7、根據(jù)本申請實施例的一個方面，所述獲取電子元器件的歷史溫度數(shù)據(jù)，并基于所述歷史溫度數(shù)據(jù)構(gòu)建所述電子元器件的溫度分布模型，包括：獲取預(yù)設(shè)時長內(nèi)所述電子元器件的歷史溫度數(shù)據(jù)以及歷史環(huán)境數(shù)據(jù)；基于所述歷史溫度數(shù)據(jù)計算所述電子元器件溫度對應(yīng)的正態(tài)分布模型，所述正態(tài)分布模型包括所述電子元器件對應(yīng)的溫度均值以及溫度標準差；基于所述歷史環(huán)境數(shù)據(jù)修正所述正態(tài)分布模型，以得到所述電子元器件對應(yīng)的溫度分布模型。

8、根據(jù)本申請實施例的一個方面，所述方法還包括：獲取預(yù)設(shè)時長內(nèi)所述電子元器件的歷史溫度數(shù)據(jù)；通過目標隨機函數(shù)從所述歷史溫度數(shù)據(jù)中提取出多個不同時間點對應(yīng)的目標歷史溫度數(shù)據(jù)；基于所述目標歷史溫度數(shù)據(jù)計算所述電子元器件溫度對應(yīng)的正態(tài)分布模型。

9、根據(jù)本申請實施例的一個方面，提供了一種電子元器件的溫度檢測裝置，所述裝置包括：第一獲取模塊，用于獲取電子元器件的歷史溫度數(shù)據(jù)，并基于所述歷史溫度數(shù)據(jù)構(gòu)建所述電子元器件的溫度分布模型；第二獲取模塊，用于獲取所述溫度分布模型中所述電子元器件的平均溫度，并基于所述平均溫度確定所述電子元器件在不同溫度情況下的溫度檢測頻率；第三獲取模塊，用于獲取所述電子元器件對應(yīng)的材料特性以及所處的環(huán)境特征，基于所述材料特性以及所述環(huán)境特征修正所述溫度檢測頻率，得到目標溫度檢測頻率；檢測模塊，用于基于所述目標檢測頻率對所述電子元器件進行溫度檢測得到對應(yīng)的溫度檢測結(jié)果，并基于溫度檢測的結(jié)果更新所述溫度分布模型。

10、根據(jù)本申請實施例的一個方面，提供了一種電子設(shè)備，包括：一個或多個處理器；存儲裝置，用于存儲一個或多個程序，當所述一個或多個程序被所述一個或多個處理器執(zhí)行時，使得所述電子設(shè)備實現(xiàn)如前所述的電子元器件的溫度檢測方法。

11、根據(jù)本申請實施例的一個方面，提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機可讀指令，當所述計算機可讀指令被計算機的處理器執(zhí)行時，使計算機執(zhí)行如上所述的電子元器件的溫度檢測方法。

12、根據(jù)本申請實施例的一個方面，還提供了一種計算機程序產(chǎn)品，包括計算機程序，該計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上所述的電子元器件的溫度檢測方法中的步驟。

13、在本申請的實施例所提供的技術(shù)方案中，通過獲取電子元器件的歷史溫度數(shù)據(jù)，并通過構(gòu)建電子元器件的溫度分布模型，能夠更精確地了解電子元器件在不同時間段、不同工作條件下的溫度分布情況，這種精細化的溫度管理有助于及時發(fā)現(xiàn)潛在的過熱風險，避免因溫度過高導(dǎo)致的性能下降或損壞。通過考慮電子元器件的材料特性和實時環(huán)境特征來修正溫度檢測頻率，使得溫度檢測策略更加符合實際工況，這種動態(tài)調(diào)整能力使得在面對不同工作環(huán)境和條件時，能夠保持高效的溫度監(jiān)控效果，并通過實時的溫度檢測與溫度分布模型的更新形成了一個閉環(huán)反饋，通過不斷獲取新的溫度數(shù)據(jù)并更新模型，使得對電子元器件的溫度檢測更加準確有效。

14、應(yīng)當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請。

技術(shù)特征：

1.一種電子元器件的溫度檢測方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述基于所述平均溫度確定所述電子元器件在不同溫度情況下的溫度檢測頻率，包括：

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述平均溫度與所述電子元器件的實時溫度之間的關(guān)系，確定所述電子元器件在不同溫度情況下的溫度檢測效率，包括：

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括；

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取電子元器件的歷史溫度數(shù)據(jù)，并基于所述歷史溫度數(shù)據(jù)構(gòu)建所述電子元器件的溫度分布模型，包括：

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

8.一種電子元器件的溫度檢測裝置，其特征在于，所述裝置包括：

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

10.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，其上存儲有計算機可讀指令，當所述計算機可讀指令被計算機的處理器執(zhí)行時，使計算機執(zhí)行權(quán)利要求1至7中任一項所述的電子元器件的溫度檢測方法。

技術(shù)總結(jié)
本申請的實施例揭示了一種電子元器件的溫度檢測方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。該方法包括：獲取電子元器件的歷史溫度數(shù)據(jù)，并基于歷史溫度數(shù)據(jù)構(gòu)建電子元器件的溫度分布模型；獲取溫度分布模型中電子元器件的平均溫度，并基于平均溫度確定電子元器件在不同溫度情況下對應(yīng)的溫度檢測頻率；獲取電子元器件對應(yīng)的材料特性以及實時環(huán)境特征，基于材料特性以及實時環(huán)境特征修正溫度檢測頻率，得到目標溫度檢測頻率；基于目標檢測頻率對電子元器件進行溫度檢測得到對應(yīng)的溫度檢測結(jié)果，并基于溫度檢測的結(jié)果更新溫度分布模型。本申請的實施例提高了電子元器件的溫度檢測的合理性和準確性。

技術(shù)研發(fā)人員：馬丁立,吳友鵬,蘇星溢
受保護的技術(shù)使用者：重慶賽力斯鳳凰智創(chuàng)科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6