本公開大體上涉及光學(xué)計(jì)量，且更特定來說，本公開涉及基于光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的高分辨率評估的工藝控制。

背景技術(shù)：

1、光學(xué)計(jì)量可指基于使用光的計(jì)量，所述光通常包含紫外(uv)到紅外(ir)波長中的波長。許多光學(xué)計(jì)量技術(shù)依賴于具有經(jīng)設(shè)計(jì)以促進(jìn)測量的特征的專用計(jì)量目標(biāo)的測量。然而，基于此類目標(biāo)的測量準(zhǔn)確度可響應(yīng)于制造工藝的偏差而變化。因此，需要開發(fā)系統(tǒng)及方法來評估光學(xué)計(jì)量目標(biāo)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開的一或多個(gè)說明性實(shí)施例，公開一種計(jì)量系統(tǒng)。在一個(gè)說明性實(shí)施例中，所述系統(tǒng)包含耦合到光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)及額外計(jì)量子系統(tǒng)的控制器。在另一說明性實(shí)施例中，所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)可根據(jù)第一計(jì)量配方配置以產(chǎn)生一或多個(gè)樣本上的一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的光學(xué)計(jì)量測量，其中所述光學(xué)計(jì)量測量是基于與至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的所述光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的特征。在另一說明性實(shí)施例中，所述額外計(jì)量子系統(tǒng)可根據(jù)第二計(jì)量配方配置以產(chǎn)生所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的額外計(jì)量測量，其中所述額外計(jì)量測量具有高于所述光學(xué)計(jì)量測量的分辨率。在另一說明性實(shí)施例中，所述額外計(jì)量子系統(tǒng)進(jìn)一步測量所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與參考設(shè)計(jì)的偏差，其中所述偏差包含與所述至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的所述特征相對于所述參考設(shè)計(jì)的偏差。在另一說明性實(shí)施例中，所述控制器比較所述光學(xué)計(jì)量測量與所述額外計(jì)量測量以產(chǎn)生所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的準(zhǔn)確度測量。在另一說明性實(shí)施例中，所述控制器基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與所述參考設(shè)計(jì)的所述偏差而識別用于制造所述一或多個(gè)樣本的光刻工藝的變化。在另一說明性實(shí)施例中，所述控制器使所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的所述準(zhǔn)確度測量與基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與所述參考設(shè)計(jì)的所述偏差的所述光刻工藝的所述變化相關(guān)。在另一說明性實(shí)施例中，所述控制器基于所述相關(guān)性調(diào)整所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)、光刻工具或所述參考設(shè)計(jì)中的至少一者。

2、根據(jù)本公開的一或多個(gè)說明性實(shí)施例，公開一種方法。在一個(gè)說明性實(shí)施例中，所述方法包含根據(jù)第一計(jì)量配方使用光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)產(chǎn)生一或多個(gè)樣本上的一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的光學(xué)計(jì)量測量，其中所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)包含與至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的特征，且其中所述光學(xué)計(jì)量測量是基于具有至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距的所述光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的所述特征。在另一說明性實(shí)施例中，所述方法包含使用可根據(jù)第二計(jì)量配方配置的額外計(jì)量子系統(tǒng)產(chǎn)生所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的額外計(jì)量測量，其中所述額外計(jì)量測量具有高于所述光學(xué)計(jì)量測量的分辨率。在另一說明性實(shí)施例中，所述方法包含比較所述光學(xué)計(jì)量測量與所述額外計(jì)量測量以產(chǎn)生所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的準(zhǔn)確度測量。在另一說明性實(shí)施例中，所述方法包含使用所述額外計(jì)量子系統(tǒng)測量所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與參考設(shè)計(jì)的偏差，其中所述偏差包含所述光學(xué)可分辨特征與所述參考設(shè)計(jì)的偏差。在另一說明性實(shí)施例中，所述方法包含基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與所述參考設(shè)計(jì)的所述偏差而識別用于制造所述一或多個(gè)樣本的光刻工藝的變化。在另一說明性實(shí)施例中，所述方法包含使所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的所述準(zhǔn)確度測量與基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與所述參考設(shè)計(jì)的所述偏差的所述光刻工藝的所述變化相關(guān)。在另一說明性實(shí)施例中，所述方法包含基于所述相關(guān)性而調(diào)整所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)、光刻工具或所述參考設(shè)計(jì)中的至少一者。

3、根據(jù)本公開的一或多個(gè)說明性實(shí)施例，公開一種計(jì)量系統(tǒng)。在一個(gè)說明性實(shí)施例中，所述系統(tǒng)包含可根據(jù)第一計(jì)量配方配置以產(chǎn)生一或多個(gè)樣本上的一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的光學(xué)計(jì)量測量的光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計(jì)量測量是基于與至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的所述光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的特征。在另一說明性實(shí)施例中，所述系統(tǒng)包含可根據(jù)第二計(jì)量配方配置以產(chǎn)生所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的額外計(jì)量測量的額外計(jì)量子系統(tǒng)，其中所述額外計(jì)量測量具有高于所述光學(xué)計(jì)量測量的分辨率。在另一說明性實(shí)施例中，所述額外計(jì)量子系統(tǒng)進(jìn)一步測量所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與參考設(shè)計(jì)的偏差，其中所述偏差包含與所述至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的所述特征相對于所述參考設(shè)計(jì)的偏差。在另一說明性實(shí)施例中，所述系統(tǒng)包含控制器。在另一說明性實(shí)施例中，所述控制器比較所述光學(xué)計(jì)量測量與所述額外計(jì)量測量以產(chǎn)生所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的準(zhǔn)確度測量。在另一說明性實(shí)施例中，所述控制器基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與所述參考設(shè)計(jì)的所述偏差而識別用于制造所述一或多個(gè)樣本的光刻工藝的變化。在另一說明性實(shí)施例中，所述控制器使所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的所述準(zhǔn)確度測量與基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與所述參考設(shè)計(jì)的所述偏差的所述光刻工藝的所述變化相關(guān)。在另一說明性實(shí)施例中，所述控制器基于所述相關(guān)性而調(diào)整所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)、光刻工具或所述參考設(shè)計(jì)中的至少一者。

4、應(yīng)理解，前述一般描述及以下詳細(xì)描述兩者均僅為示范性及解釋性且不一定限制所主張的發(fā)明。并入且構(gòu)成說明書的一部分的附圖說明本發(fā)明的實(shí)施例且與一般描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。

技術(shù)特征：

1.一種計(jì)量系統(tǒng)，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中基于所述額外測量來測量所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與參考設(shè)計(jì)的偏差包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)進(jìn)一步包含與小于所述至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距的精細(xì)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的特征，其中基于所述額外測量來測量所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與參考設(shè)計(jì)的偏差包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中基于所述額外測量來測量所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與參考設(shè)計(jì)的偏差包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)包括以一或多個(gè)節(jié)距分布的特征，其中基于所述額外測量來測量所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與參考設(shè)計(jì)的偏差包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與所述參考設(shè)計(jì)的所述偏差來識別用于制造所述一或多個(gè)樣本的所述光刻工藝的變化包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)樣本包含兩個(gè)或更多個(gè)樣本，其中基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與所述參考設(shè)計(jì)的所述偏差來識別用于制造所述一或多個(gè)樣本的所述光刻工藝的變化包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中基于所述相關(guān)性來調(diào)整所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)、所述光刻工具或所述參考設(shè)計(jì)中的至少一者包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中調(diào)整所述第一計(jì)量配方以降低所述光學(xué)計(jì)量測量對偏移的敏感度包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中基于所述相關(guān)性來調(diào)整所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)、所述光刻工具或所述參考設(shè)計(jì)中的至少一者包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中基于所述相關(guān)性來調(diào)整所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)、所述光刻工具或所述參考設(shè)計(jì)中的至少一者包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的一或多個(gè)圖像來產(chǎn)生所述光學(xué)計(jì)量測量。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的一或多個(gè)散射測量測量來產(chǎn)生所述光學(xué)計(jì)量測量。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距包含單個(gè)光學(xué)節(jié)距，其中所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)包含在至少兩個(gè)層上具有所述單個(gè)光學(xué)節(jié)距的特征。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距包含第一光學(xué)節(jié)距及第二光學(xué)節(jié)距。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述第一光學(xué)節(jié)距及所述第二光學(xué)節(jié)距能夠使用所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)來分辨。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)光學(xué)目標(biāo)包含具有第一節(jié)距及第二節(jié)距的特征，其中所述第一節(jié)距或所述第二節(jié)距中的至少一者不能使用所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)來分辨，其中所述光學(xué)節(jié)距包括基于所述第一節(jié)距及所述第二節(jié)距的莫爾節(jié)距且能夠由所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)來分辨。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述額外計(jì)量子系統(tǒng)包括：

19.一種方法，其包括：

20.一種計(jì)量系統(tǒng)，其包括：

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的一或多個(gè)圖像來產(chǎn)生所述光學(xué)計(jì)量測量。

22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)基于所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的一或多個(gè)散射測量測量來產(chǎn)生所述光學(xué)計(jì)量測量。

23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距包含單個(gè)光學(xué)節(jié)距，其中所述一或多個(gè)光學(xué)計(jì)量目標(biāo)包含在至少兩個(gè)層上具有所述單個(gè)光學(xué)節(jié)距的特征。

24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距包含第一光學(xué)節(jié)距及第二光學(xué)節(jié)距。

25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述第一光學(xué)節(jié)距及所述第二光學(xué)節(jié)距能夠使用所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)來分辨。

26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)光學(xué)目標(biāo)包含具有第一節(jié)距及第二節(jié)距的特征，其中所述第一節(jié)距或所述第二節(jié)距中的至少一者不能使用所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)來分辨，其中所述光學(xué)節(jié)距包括基于所述第一節(jié)距及所述第二節(jié)距的莫爾節(jié)距且能夠由所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)來分辨。

27.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計(jì)量系統(tǒng)，其中所述額外計(jì)量子系統(tǒng)包括：

技術(shù)總結(jié)
一種計(jì)量系統(tǒng)可包含：光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)，其用于基于與至少一個(gè)光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的特征來產(chǎn)生光學(xué)計(jì)量的光學(xué)計(jì)量測量；及額外計(jì)量子系統(tǒng)，其用于產(chǎn)生所述光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的額外計(jì)量測量，其中所述額外計(jì)量測量具有高于所述光學(xué)計(jì)量測量的分辨率，且其中所述額外計(jì)量子系統(tǒng)進(jìn)一步測量所述光學(xué)計(jì)量目標(biāo)與參考設(shè)計(jì)的偏差。所述系統(tǒng)可進(jìn)一步包含控制器，以基于所述測量來產(chǎn)生所述光學(xué)計(jì)量目標(biāo)的準(zhǔn)確度測量，基于所述偏差來識別光刻工藝的變化，使所述準(zhǔn)確度測量與所述變化相關(guān)，且基于所述相關(guān)性來調(diào)整所述光學(xué)計(jì)量子系統(tǒng)、光刻工具或所述參考設(shè)計(jì)中的至少一者。

技術(shù)研發(fā)人員：N·古特曼,D·克萊因,S·切爾卡斯,Y·西蒙,F·拉斯克,M·維特克特爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：科磊股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9