雙晶直探頭的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種雙晶直探頭，包括外殼及設(shè)置在外殼內(nèi)的探頭本體，所述探頭本體包括壓電晶片和兩塊相同的半圓柱形楔塊，兩楔塊的頂面均為傾斜面，所述兩楔塊中間設(shè)置有隔聲塊，兩楔塊相對(duì)于隔聲塊對(duì)稱，且兩楔塊的頂面均由靠近隔聲塊的一端向另一端向下傾斜，兩楔塊的頂面均設(shè)有壓電晶片，所述探頭本體外側(cè)面包覆有一圈軟木層，所述軟木層由探頭本體底部向上延伸，且軟木層相對(duì)于探頭本體底部的高度H大于所述壓電晶片相對(duì)于探頭本體的高度h。該雙晶直探頭通過在探頭本體外側(cè)增設(shè)軟木層，吸收了繞道波，增加了檢測(cè)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，同時(shí)也方便了對(duì)外殼的便捷和快速安裝。
【專利說(shuō)明】
雙晶直探頭

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種超聲波探頭，特別是一種雙晶直探頭。

【背景技術(shù)】
[0002]超聲波技術(shù)在工業(yè)生產(chǎn)中運(yùn)用相當(dāng)廣泛，尤以超聲波探傷為代表，利用超聲波的反射和衍射效果，對(duì)工件內(nèi)部的傷痕進(jìn)行探測(cè)，且精度較高。
[0003]雙晶直探頭是超聲波探頭中較為常見的一種，一般都是生產(chǎn)成圓柱形較多，即內(nèi)部的楔塊為圓柱體狀，這種楔塊的造型卻存在一個(gè)不可忽略的缺陷，超聲波通過楔塊入射到工件內(nèi)部，而在經(jīng)過楔塊的時(shí)候，由于楔塊外圈為圓形，所以會(huì)存在繞道波，從而影響檢測(cè)效果。
[0004]而在雙晶直探頭外殼安裝時(shí)，需要根據(jù)入射點(diǎn)及前沿長(zhǎng)度，對(duì)外殼進(jìn)行位置校準(zhǔn)，操作起來(lái)比較麻煩。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能夠去除繞道波且安裝快捷方便的雙晶直探頭。
[0006]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種雙晶直探頭，包括外殼及設(shè)置在外殼內(nèi)的探頭本體，所述探頭本體包括壓電晶片和兩塊相同的半圓柱形楔塊，兩楔塊的頂面均為傾斜面，所述兩楔塊中間設(shè)置有隔聲塊，兩楔塊相對(duì)于隔聲塊對(duì)稱，且兩楔塊的頂面均由靠近隔聲塊的一端向另一端向下傾斜，兩楔塊的頂面均設(shè)有壓電晶片，所述探頭本體外側(cè)面包覆有一圈軟木層，所述軟木層由探頭本體底部向上延伸，且軟木層相對(duì)于探頭本體底部的高度H大于所述壓電晶片相對(duì)于探頭本體的高度h。
[0007]為了提升探頭性能，所述楔塊為有機(jī)玻璃，隔聲塊為軟木。
[0008]本實(shí)用新型的有益效果是:該雙晶直探頭通過在探頭本體外側(cè)增設(shè)軟木層，吸收了繞道波，增加了檢測(cè)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，同時(shí)也方便了對(duì)外殼的便捷和快速安裝。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
[0010]圖1是本實(shí)用新型雙晶直探頭的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2是本實(shí)用新型雙晶直探頭的外部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖中:1.外殼,2.壓電晶片，3.軟木層，4.隔聲塊，5.楔塊。
[0013]

【具體實(shí)施方式】
[0014]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0015]如圖1、圖2所示，一種雙晶直探頭，包括外殼I及設(shè)置在外殼I內(nèi)的探頭本體，所述探頭本體包括壓電晶片2和兩塊相同的半圓柱形楔塊5，兩楔塊5的頂面均為傾斜面，所述兩楔塊5中間設(shè)置有隔聲塊4,兩楔塊5相對(duì)于隔聲塊4對(duì)稱,且兩楔塊5的頂面均由靠近隔聲塊4的一端向另一端向下傾斜，兩楔塊5的頂面均設(shè)有壓電晶片2，所述探頭本體外側(cè)面包覆有一圈軟木層3，所述軟木層3由探頭本體底部向上延伸，且軟木層3相對(duì)于探頭本體底部的高度H大于所述壓電晶片2相對(duì)于探頭本體的高度h。
[0016]為了提升探頭性能，所述楔塊5為有機(jī)玻璃，隔聲塊4為軟木。
[0017]雙晶直探頭內(nèi)部分為入射探頭和接收探頭，入射探頭的聲束與接收探頭的聲束到工件的交匯區(qū)為菱形，探頭在使用前和使用過程中需要測(cè)定交匯區(qū)的位置，以便對(duì)缺陷進(jìn)行準(zhǔn)確定位。
[0018]探頭實(shí)際主聲束與其理論幾何中心軸線的偏離程度常用偏離角來(lái)表示,而偏離角除直接影響缺陷定位和指示長(zhǎng)度的測(cè)量精度外，還會(huì)導(dǎo)致探傷者對(duì)缺陷方向產(chǎn)生誤判，從而影響對(duì)探傷結(jié)果的分析。
[0019]所以在外殼安裝時(shí)，對(duì)外殼與楔塊的安裝指向性要求較高。因此現(xiàn)有技術(shù)中，安裝時(shí)進(jìn)行位置校準(zhǔn)，操作比較麻煩，本實(shí)用新型增設(shè)了軟木層3之后，只需要根據(jù)具體的前沿長(zhǎng)度值，確定軟木層3四周的厚度，然后將外殼I直接罩在軟木層3外側(cè)，不需要預(yù)先進(jìn)行位置校準(zhǔn)，而軟木層3的厚度變化其實(shí)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了該步驟，所以安裝起來(lái)比較方便。
[0020]因?yàn)樾▔K5為半圓柱形，所以當(dāng)入射探頭發(fā)出超聲波進(jìn)入到楔塊5時(shí)，會(huì)產(chǎn)生繞道波，直接被接收探頭接收，從而影響檢測(cè)效果，造成誤判，當(dāng)在楔塊5外側(cè)四周設(shè)置軟木層3，則該軟木層3會(huì)對(duì)繞道波進(jìn)行吸收，使得檢測(cè)更加準(zhǔn)確。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，該雙晶直探頭通過在探頭本體外側(cè)增設(shè)軟木層3，吸收了繞道波，增加了檢測(cè)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，同時(shí)也方便了對(duì)外殼I的便捷和快速安裝。
[0022]以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說(shuō)明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種雙晶直探頭，其特征在于，包括外殼及設(shè)置在外殼內(nèi)的探頭本體，所述探頭本體包括壓電晶片和兩塊相同的半圓柱形楔塊，兩楔塊的頂面均為傾斜面，所述兩楔塊中間設(shè)置有隔聲塊，兩楔塊相對(duì)于隔聲塊對(duì)稱，且兩楔塊的頂面均由靠近隔聲塊的一端向另一端向下傾斜，兩楔塊的頂面均設(shè)有壓電晶片，所述探頭本體外側(cè)面包覆有一圈軟木層，所述軟木層由探頭本體底部向上延伸，且軟木層相對(duì)于探頭本體底部的高度H大于所述壓電晶片相對(duì)于探頭本體的高度h。
2.如權(quán)利要求1所述的雙晶直探頭，其特征在于，所述楔塊為有機(jī)玻璃，隔聲塊為軟木。
【文檔編號(hào)】G01N29/24GK204065027SQ201420285535
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
【發(fā)明者】周南岐 申請(qǐng)人:常州市常超電子研究所有限公司