專利名稱：一種用于失效分析的芯片背面減薄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種操作保護(hù)裝置，尤其涉及一種用于失效分析的芯片背面減薄
>J-U ρ α裝直。
背景技術(shù)：
在失效分析中，光子顯微鏡(EMMI)是一種相當(dāng)有用且效率極高的分析工具。當(dāng)器件故障是由于柵氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)、撞擊游離及飽和的晶體管時(shí)，將會(huì)產(chǎn)生過(guò)量的電子-空穴對(duì)，而伴隨因電子-空穴躍遷產(chǎn)生的光子，可被光子顯微鏡偵測(cè)到并精確地定位出此種故障位置。激光束引生的電阻變化異常檢驗(yàn)(Optical Beam Induced Resistance Change,OBIRCH)，是一種利用鐳射掃描技術(shù)的半導(dǎo)體故障定位儀器。芯片在功能與直流測(cè)試期間，OBIRCH利用鐳射掃描芯片內(nèi)部連接位置，如果金屬互連線存在缺陷，缺陷處溫度將無(wú)法迅速通過(guò)金屬線傳導(dǎo)散開(kāi)導(dǎo)致溫度累計(jì)升高，并進(jìn)一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過(guò)變化區(qū)域與激光束掃描位置的對(duì)應(yīng)，定位缺陷位置。OBIRCH功能與EMMI常集成在一個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)，合稱PEM (Photo EmissionMicroscope)，兩者互為補(bǔ)充，能夠很好的應(yīng)對(duì)絕大多數(shù)失效模式。當(dāng)故障上的金屬互連層較多時(shí)，EMMI將很難偵測(cè)到亮點(diǎn)，例如一枚芯片有7層金屬互連線，柵氧化層異常產(chǎn)生的紅外光子由于被多層金屬阻擋，光子顯微鏡從正面收集到的紅外光子信號(hào)會(huì)非常微弱，這種情況就必需采用backside模式，需要對(duì)待分析芯片進(jìn)行背面減薄及拋光處理。傳統(tǒng)的背面減薄方式`是將現(xiàn)有載玻片4用熱熔膠與芯片5的正面粘合起來(lái)，然后將芯片背面朝下(如圖1中所示)，用手指摁住載玻片在研磨盤(pán)6上研磨，依次使用不同型號(hào)的水砂紙研磨減薄。實(shí)際操作時(shí)由于現(xiàn)有載玻片4面積較大，手指用力的均勻性有差異，現(xiàn)有載玻片4受力程度不一致，研磨過(guò)程中常常會(huì)導(dǎo)致芯片5某一側(cè)過(guò)薄。如果減薄后的芯片厚度不均勻，則會(huì)導(dǎo)致EMMI/0BIRCH時(shí)顯微鏡很難聚焦清楚，后續(xù)操作很難進(jìn)行，影響故障的檢測(cè)定位。因此本領(lǐng)域的技術(shù)人員致力于開(kāi)發(fā)一種有效的用于失效分析的芯片背面減薄裝置。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有的技術(shù)缺乏有效的用于失效分析的芯片背面減薄裝置。本實(shí)用新型的一種用于失效分析的芯片背面減薄裝置，包括殼體，載玻片和擋塊，所述殼體中空且一端開(kāi)口，所述載玻片設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述載玻片可在所述殼體內(nèi)滑動(dòng)，所述擋塊設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述載玻片上設(shè)有與所述擋塊相配合的凹槽。在本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述殼體的另一端開(kāi)口。[0011]在本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施方式中，所述載玻片可在所述殼體內(nèi)上下滑動(dòng)，所述殼體的一端開(kāi)口所處的平面與所述載玻片平行。在本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施方式中，所述殼體的一端上設(shè)有通孔。在本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施方式中，所述殼體的一端的形狀呈鋸齒狀。在本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施方式中，所述載玻片上還設(shè)有操作桿。在本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施方式中，所述殼體的形狀為圓柱體形。在本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施方式中，所述殼體由耐磨材料制成。在本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施方式中，所述擋塊的數(shù)量至少為4個(gè)。在本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施方式中，所述載玻片上的凹槽的數(shù)量至少為4個(gè)。本實(shí)用新型的用于失效分析的芯片背面減薄裝置有效的提高了芯片背面減薄后厚度的均勻性、減少返工時(shí)間；提高了芯片背面減薄的效率和成功率。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的減薄示意圖；圖2是本實(shí)用新型的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做具體闡釋。如圖2所示的本實(shí)用新型的實(shí)施例的一種用于失效分析的芯片背面減薄裝置，包括殼體I，載玻片2和擋塊3。殼體I中空且一端11開(kāi)口，載玻片2設(shè)于殼體I內(nèi)，載玻片2可在殼體I內(nèi)滑動(dòng)，擋塊3設(shè)于殼體I內(nèi)，載玻片2上設(shè)有與擋塊3相配合的凹槽。本實(shí)用新型利用一個(gè)保護(hù)殼保護(hù)并利用擋塊固定住載玻片的位置，從而達(dá)到預(yù)定減薄的厚度。本實(shí)用新型有效的提高了芯片背面減薄后厚度的均勻性、減少返工時(shí)間；提高了芯片背面減薄的效率和成功率。另如圖2中所示，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，殼體I的另一端12也開(kāi)口，方便載玻片2進(jìn)入。載玻片2可在殼體I內(nèi)上下滑動(dòng)，殼體I的一端11開(kāi)口所處的平面與載玻片2平行。提高載玻片上的芯片厚度的均勻性。優(yōu)選殼體I的一端11上設(shè)有通孔。并優(yōu)選殼體I的一端11的形狀呈鋸齒狀。以使得研磨過(guò)程中水和被芯片碎屑可以通過(guò)鋸齒形下緣流出。如圖2中所示，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，載玻片2上還設(shè)有操作桿21。方便放入取出載玻片。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，殼體的形狀為圓柱體形。優(yōu)選殼體由耐磨材料制成。由耐磨材料制成的圓柱形殼體起到保護(hù)和終止研磨的作用，當(dāng)圓柱形殼體的下邊緣全部接觸到研磨盤(pán)時(shí)，背面減薄即可終止。此外，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，擋塊的數(shù)量至少為4個(gè)。并優(yōu)選載玻片上的凹槽的數(shù)量至少為4個(gè)。以利用載玻片的平衡。在本實(shí)用新型的實(shí)施例的實(shí)際工作中，如需要對(duì)一厚度為O. 78mm的芯片做背面EMMI，背面減薄的目標(biāo)厚度為O. 4mm左右，載玻片的厚度為1. 08_，將芯片與載玻片粘接后的厚度為1. 95mm，則背減后整體厚度約為1.57mm。按此需求設(shè)計(jì)圓柱型殼體，殼體內(nèi)的擋塊下表面高度為1. 57_。將粘有芯片的圓形載玻片插入圓柱形殼體，通過(guò)擋塊后用力將載玻片旋轉(zhuǎn)過(guò)一定的角度，使載玻片被擋塊阻擋且固定，不能向上移動(dòng)，此時(shí)超過(guò)圓柱形殼體下表面的厚度，即為該芯片需要減去的厚度O. 38mm。將此裝置摁在研磨盤(pán)上進(jìn)行研磨，減薄過(guò)程中即使出現(xiàn)芯片某一側(cè)較薄，圓柱形殼體的邊緣也會(huì)起到保護(hù)作用，使芯片不會(huì)被過(guò)份研磨，芯片厚度始終不低于目標(biāo)值。研磨過(guò)程中水和被芯片碎屑可以通過(guò)鋸齒形下緣流出。由耐磨材料制成的圓柱形殼體起到保護(hù)和終止研磨的作用，當(dāng)圓柱形殼體的下邊緣全部接觸到研磨盤(pán)時(shí)，背面減薄即可終止。以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只作為范例，本實(shí)用新型并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)該實(shí)用進(jìn)行的等同修改和替代也都在本實(shí)用新型的范疇之中。因此，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于失效分析的芯片背面減薄裝置，其特征在于，包括殼體，載玻片和擋塊，所述殼體中空且一端開(kāi)口，所述載玻片設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述載玻片可在所述殼體內(nèi)滑動(dòng)，所述擋塊設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述載玻片上設(shè)有與所述擋塊相配合的凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片背面減薄裝置，其特征在于，所述殼體的另一端開(kāi)口。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片背面減薄裝置，其特征在于，所述載玻片可在所述殼體內(nèi)上下滑動(dòng)，所述殼體的一端開(kāi)口所處的平面與所述載玻片平行。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片背面減薄裝置，其特征在于，所述殼體的一端上設(shè)有通孔。
5.如權(quán)利要求4所述的芯片背面減薄裝置，其特征在于，所述殼體的一端的形狀呈鋸齒狀。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片背面減薄裝置，其特征在于，所述載玻片上還設(shè)有操作桿。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片背面減薄裝置，其特征在于，所述殼體的形狀為圓柱體形。
8.如權(quán)利要求1所述的芯片背面減薄裝置，其特征在于，所述殼體由耐磨材料制成。
9.如權(quán)利要求1所述的芯片背面減薄裝置，其特征在于，所述擋塊的數(shù)量至少為4個(gè)。
10.如權(quán)利要求9所述的芯片背面減薄裝置，其特征在于，所述載玻片上的凹槽的數(shù)量至少為4個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型的一種用于失效分析的芯片背面減薄裝置，包括殼體，載玻片和擋塊，所述殼體中空且一端開(kāi)口，所述載玻片設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述載玻片可在所述殼體內(nèi)滑動(dòng)，所述擋塊設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述載玻片上設(shè)有與所述擋塊相配合的凹槽。本實(shí)用新型的用于失效分析的芯片背面減薄裝置有效的提高了芯片背面減薄后厚度的均勻性、減少返工時(shí)間；提高了芯片背面減薄的效率和成功率。
文檔編號(hào)G01R31/26GK202870249SQ20122047249
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月17日
發(fā)明者白月, 李劍 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司