專利名稱：一種高溫三通道磁通門信號處理電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及厚膜混合集成技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及到一種高溫三通道磁通門信號處理電路。
背景技術(shù)：
高溫三通道(即磁通門的X、Y、Z三個方向)磁通門信號處理電路，電路設(shè)計(jì)則由激磁和倍頻、選頻放大、相敏檢波和積分環(huán)節(jié)、反饋環(huán)節(jié)及溫度補(bǔ)償?shù)入娐方M成已成功應(yīng)用于車輛導(dǎo)航系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)地磁信號與電壓信號的轉(zhuǎn)換，電路簡單，易于調(diào)試，處理精度高、可靠性和穩(wěn)定性好。此電路不僅應(yīng)用于磁通門導(dǎo)航系統(tǒng)，且在磁通門鉆井、測斜等應(yīng)用中的信號處理方面具有重要意義。目前，公知的高溫三通道磁通門信號處理電路一般是用分立元件搭建而成，集成度低，尺寸大，在鉆井、測斜方面不利于實(shí)地現(xiàn)場工作。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種能將磁通門的X、Y、Z三個方向信號處理電路、激磁電路、溫度補(bǔ)償電路、單電源工作偏置電路，可單電源工作，厚膜混合集成的方式將電路集成在一個金屬密封腔體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了耐高溫，微型化，從而達(dá)到本實(shí)用新型的目的。本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題可以采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種高溫三通道磁通門信號處理電路，包括金屬密封腔體和基片，所述基片焊接于金屬密封腔體的內(nèi)部，基片上設(shè)置有厚膜電阻、導(dǎo)帶和若干元器件；厚膜電阻以及元器件通過導(dǎo)帶連接構(gòu)成集成電路板。在本實(shí)用新型的一個實(shí)施例中，所述金屬密封腔體設(shè)置有若干絕緣子引出腳。在本實(shí)用新型的一個實(shí)施例中，所述集成電路板上的集成電路包括激磁和倍頻電路、選頻放大電路、相敏檢波和積分環(huán)節(jié)電路、反饋環(huán)節(jié)電路、溫度補(bǔ)償電路，單電源工作偏置電路。在本實(shí)用新型的一個實(shí)施例中，在金屬密封腔體內(nèi)，包括X、Y、Z三個通道子處理電路。在本實(shí)用新型的一個實(shí)施例中，所述金屬密封腔體由金屬雙列外殼封裝。本實(shí)用新型的有益效果在于可以將高溫三通道磁通門信號處理電路集成在一個金屬密封的腔體內(nèi)，從而有效減小體積；再者，單電源工作偏置電路可提供單電源工作偏置，無需外加。

圖I為本實(shí)用新型所述的高溫三通道磁通門信號處理電路的電路原理框圖。圖2為本實(shí)用新型所述的高溫三通道磁通門信號處理電路的管腳排列及引腳功能圖。圖3為本實(shí)用新型所述的高溫三通道磁通門信號處理電路的實(shí)施例連接圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施方式
，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。如圖I和圖2所示，本實(shí)用新型所述的一種高溫三通道磁通門信號處理電路，用厚膜混合集成的方式將高溫三通道磁通門信號處理電路集成在一個氧化鋁基片上，再將該基片焊接在金屬密封腔體內(nèi)，成為一種厚膜混合集成電路高溫三通道磁通門信號處理電路，主要包括帶有絕緣子引出腳的金屬密封腔體和由氧化鋁基片、厚膜電阻、導(dǎo)帶和元器件構(gòu)成的集成電路板，集成電路板上的集成電路設(shè)有激磁和倍頻、選頻放大、相敏檢波和積分環(huán)節(jié)、反饋環(huán)節(jié)、溫度補(bǔ)償，單電源工作偏置電路。如圖3所示，在本實(shí)用新型的一個實(shí)施例中，1#和2#接電阻調(diào)節(jié)激磁頻率，20#BIAS端與XL、YL、ZL相連提供偏執(zhí)工作點(diǎn)。ZH、YH、ZH和XL、YL、ZL與磁通門探頭相連。Vtemp是溫度補(bǔ)償輸出，可對在全溫度下進(jìn)行補(bǔ)償，提高測量精度?？膳c計(jì)算機(jī)直接連接完成數(shù)據(jù)處理。 圖3雙電源應(yīng)用實(shí)施案例中，1#和2#接電阻調(diào)節(jié)激磁頻率，20#BIAS端懸空，ZH、YH、ZH和XL、YL、ZL與磁通門探頭相連。Vtemp是溫度補(bǔ)償輸出，可對在全溫度下進(jìn)行補(bǔ)償，提高測量精度。本集成電路的有益效果是，可以將高溫三通道磁通門信號處理電路集成在一個金屬密封的腔體內(nèi)，從而有效減小體積；再者，單電源工作偏置電路可提供單電源工作偏置，無需外加。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求1.ー種高溫三通道磁通門信號處理電路，包括金屬密封腔體和基片，其特征在于，所述基片焊接于金屬密封腔體的內(nèi)部，基片上設(shè)置有厚膜電阻、導(dǎo)帶和若干元器件；厚膜電阻以及元器件通過導(dǎo)帶連接構(gòu)成集成電路板。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種高溫三通道磁通門信號處理電路，其特征在于，所述金屬密封腔體設(shè)置有若干絕緣子引出腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種高溫三通道磁通門信號處理電路，其特征在于，所述集成電路板上的集成電路包括激磁和倍頻電路、選頻放大電路、相敏檢波和積分環(huán)節(jié)電路、反饋環(huán)節(jié)電路、溫度補(bǔ)償電路，單電源工作偏置電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種高溫三通道磁通門信號處理電路，其特征在于，所述金屬密封腔體由金屬雙列外殼封裝。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種高溫三通道磁通門信號處理電路，其特征在于，在金屬密封腔體內(nèi)，包括X、Y、Z三個通道子處理電路。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高溫三通道磁通門信號處理電路，包括金屬密封腔體和基片，所述基片焊接于金屬密封腔體的內(nèi)部，基片上設(shè)置有厚膜電阻、導(dǎo)帶和若干元器件；厚膜電阻以及元器件通過導(dǎo)帶連接構(gòu)成集成電路板。本實(shí)用新型的有益效果在于可以將高溫三通道磁通門信號處理電路集成在一個金屬密封的腔體內(nèi)，從而有效減小體積；再者，單電源工作偏置電路可提供單電源工作偏置，無需外加。
文檔編號G01R33/04GK202614919SQ20122003054
公開日2012年12月19日 申請日期2012年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月31日
發(fā)明者趙偉紅, 王寬厚, 李翔, 李娜, 沈文娟, 張寶奇 申請人:陜西航晶微電子有限公司