專利名稱：雙斜換能器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及超聲波探頭領(lǐng)域，尤其是一種容易檢測工件缺陷的雙斜換能器。
背景技術(shù)：
目前，在化工、核電行業(yè)中，對各種工件的質(zhì)量要求很高，需要對各工件
進(jìn)行檢測，現(xiàn)有技術(shù)中有x光檢測，其對環(huán)境的污染很大，也很不方便，只能
用超聲波來檢測缺陷，故而對其的要求越來越高。在工件的使用中，不銹鋼工 件的使用量非常大，尤其是不銹鋼分為鐵氏體、馬氏體、奧氏體、鎳基合金， 加上材料的加工時(shí)又分為鍛壓、扳材、離心鑄、手工焊、自動(dòng)焊等形成各種材 料的聲速不同、界面反射不同，產(chǎn)生散射為主，晶界面散射衍射等，解決檢測 材料中的缺陷多是采用橫波單晶或雙晶，其靈敏度低、信噪比差，難以辨別缺 陷，尤其是對厚件進(jìn)行探傷時(shí)，焊接部位的探傷難度更大，其探傷的深度不夠， 導(dǎo)致探傷不全面，還有就是選用接觸的方法檢測，探傷時(shí)與工件的接觸面會(huì)有 磨損，影響探頭的屬性值，同時(shí)接觸的可靠性差，在探傷過程中容易造成誤報(bào)，
造成損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種容易檢測管子缺陷的雙斜換能器。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是雙斜換能器，具有一端開口 的中空外殼，外殼開口端設(shè)置有楔塊，外殼內(nèi)設(shè)置有至少兩個(gè)晶片，晶片的正 反面分別連接有導(dǎo)線，導(dǎo)線連接到插座上，兩個(gè)晶片由發(fā)射晶片與接收晶片組 成，發(fā)射晶片、接收晶片與開口端面呈入射角，發(fā)射晶片與接收晶片具有偏向角，發(fā)射晶片與接收晶片之間設(shè)置有隔聲板，楔塊與發(fā)射晶片、接收晶片貼合 連接，楔塊與外殼間連接處用填充料固定，通過發(fā)射晶片發(fā)出超聲波到工件中， 再通過接收晶片接收返回的超聲波，送到超聲波檢測儀上，通過對超聲波檢測 儀的觀察分析，可檢測出有無缺陷。
進(jìn)一步晶片、楔塊與外殼間填充有阻尼，外殼為不銹鋼材料制成的方形體，
發(fā)射晶片與接收晶片具有的偏向角在0.3° 8°之間，晶片面積大小在6miX 10m 15mmX30皿之間，楔塊為透明或半透明材料制成的，連接在同一個(gè)晶片 上的兩根引線間設(shè)置有電感線圈，發(fā)射晶片、接收晶片與開口端面間的入射角 角度在33° 70。之間，發(fā)射晶片發(fā)出的超聲波頻率在1MHZ 4MHZ之間，根據(jù) 不同的工件材料選取合適的超聲波頻率，這樣可對整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行更好的設(shè)置， 更有效地對工件進(jìn)行探傷。
本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明的雙斜換能器，探傷的靈敏度高、信噪比強(qiáng)， 可靠性好，探傷的深度大，準(zhǔn)確率高，對于在不同溫度下進(jìn)行探傷時(shí)，K值變化 小，容易對其進(jìn)行辨別，大大提高了檢測的可靠性。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。 圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的雙斜換能器的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是圖1的A-A剖視圖； 圖3是圖1的B-B 剖視圖； 圖4是圖1的俯視圖的一種實(shí)施例； 圖5是圖1的俯視圖的一種實(shí)施例；圖6是圖1的左視圖的一種實(shí)施例； 圖7是圖1的左視圖的一種實(shí)施例。
圖中l(wèi).外殼，2.隔聲板，3.晶片，4.引線，5.楔塊，6.電感線圈。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為 簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明 有關(guān)的構(gòu)成。
如圖l、圖2、圖3所示的雙斜換能器，具有一端開口的中空外殼l，外殼 1開口端設(shè)置有楔塊5，外殼1內(nèi)設(shè)置有至少兩個(gè)晶片3,晶片3的正反面分別 連接有導(dǎo)線4，導(dǎo)線4連接到插座上，兩個(gè)晶片3由發(fā)射晶片與接收晶片組成， 發(fā)射晶片、接收晶片與外殼1開口端面呈入射角，發(fā)射晶片與接收晶片具有偏 向角，發(fā)射晶片與接收晶片之間設(shè)置有隔聲板2，用于隔離發(fā)射晶片和與接收晶 片間超聲波的干擾，這樣發(fā)射出的信號與接收到的信號不會(huì)發(fā)生混亂，探傷時(shí) 容易辨別，晶片3表面設(shè)置有消聲材料，楔塊5與發(fā)射晶片、接收晶片貼合連 接，斜塊5與外殼1間連接處用填充料固定。
其優(yōu)選實(shí)施例為，如上所述，其發(fā)射晶片發(fā)出的超聲波頻率在1MHZ 4MHZ 之間，根據(jù)不同工件材料選取合適的超聲波頻率，提高了探傷的性能，發(fā)射晶 片與接收晶片具有的偏向角角度在0.3° 8°之間，發(fā)射晶片、接收晶片與外 殼l開口端面間的入射角角度在33。 70°之間，連接在同一個(gè)晶片3上的兩 根導(dǎo)線4間設(shè)置有電感線圈6，晶片3、楔塊5和外殼1間填充有阻尼，楔塊5 與發(fā)射晶片、接收晶片貼合連接，外殼1為不銹鋼材料制成的方形體，晶片3 面積大小在6mmX10mm 15咖X30mm之間，在探傷時(shí)的探傷面積合理，使得整體結(jié)構(gòu)在探傷時(shí)更方便，楔塊5為透明或半透明材料制成的，其穿透力好。
在進(jìn)行探傷時(shí)，換能器通過其上的插座連接在超聲波探測儀上，然后將換 能器放置在工件上，其開口端面與工件外表面通過耦合劑相吻合，探傷時(shí)的穩(wěn) 定性好，通過換能器的工作使得發(fā)射晶片發(fā)出超聲波，進(jìn)入到工件后，再經(jīng)過 接收晶片接收返回的超聲波，然后通過換能器的工作將接收到的信號反饋到超 聲波探測儀上，通過對超聲波探測儀上的波形觀察分析，就可以判定工件有無 缺陷。
如圖4所示的另一種實(shí)施例，其外殼與楔塊的外端面形成凸形弧面，進(jìn)行 探傷時(shí)，將其放置在圓形工件內(nèi)圓面上，原理與上述一致。
如圖5所示的另一種實(shí)施例，其外殼與楔塊的外端面形成凹形弧面，進(jìn)行 探傷時(shí)，將其放置在圓形工件外圓面上，原理與上述一致。
如圖6所示的另一種實(shí)施例，其外殼與楔塊的外端面形成凸形弧面，進(jìn)行 探傷時(shí)，將其放置于圓形工件內(nèi)圓面上，原理與上述一致。
如圖7所示的另一種實(shí)施例，其外殼與楔塊的外端面形成凹形弧面，進(jìn)行 探傷時(shí)，將其放置于圓形工件外圓面上，原理與上述一致。
上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人 員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。 本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍 來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求
1. 一種雙斜換能器，具有一端開口的中空外殼(1)，外殼(1)開口端設(shè)置有楔塊(5)，外殼(1)內(nèi)設(shè)置有至少兩個(gè)晶片(3)，晶片(3)的正反面分別連接有導(dǎo)線(4)，導(dǎo)線(4)連接到插座上，其特征是所述的兩個(gè)晶片(3)由發(fā)射晶片與接收晶片組成，發(fā)射晶片、接收晶片與外殼(1)開口端面呈角度為入射角，發(fā)射晶片與接收晶片具有偏向角，發(fā)射晶片與接收晶片之間設(shè)置有隔聲板(2)，晶片(3)表面設(shè)置有消聲材料，楔塊(5)與發(fā)射晶片、接收晶片貼合連接，斜塊(5)與外殼(1)間連接處用填充料固定。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙斜換能器，其特征是所述的晶片(3)、 楔塊(5)與外殼(1)間填充有阻尼。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙斜換能器，其特征是所述的外殼(1) 為不銹鋼材料制成的方形體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙斜換能器，其特征是；所述的發(fā)射晶片與 接收晶片的偏向角角度設(shè)置在0.3。 8°之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙斜換能器，其特征是所述的晶片(3) 面積大小在6mmX 10mm 15咖X 30mm之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙斜換能器，其特征是所述的楔塊(5) 為透明或半透明材料制成的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙斜換能器，其特征是所述的導(dǎo)線(4) 之間設(shè)置有電感線圈(6)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙斜換能器，其特征是發(fā)射晶片、接收晶 片與外殼(1)的開口端面間的入射角角度在33。 70°之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙斜換能器，其特征是所述的發(fā)射晶片所 發(fā)出的超聲波頻率在1MHZ 4MHZ之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及超聲波探頭技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種用于檢測工件缺陷的一種雙斜換能器，具有一端開口的中空外殼，外殼開口端設(shè)置有楔塊，外殼內(nèi)設(shè)置有至少兩個(gè)晶片，晶片的正反面分別連接有導(dǎo)線，導(dǎo)線連接到插座上，兩個(gè)晶片由發(fā)射晶片與接收晶片組成，發(fā)射晶片、接收晶片與外殼開口端面呈入射角在33°～70°之間，發(fā)射晶片與接收晶片之間具有偏向角角度在0.3°～8°之間，發(fā)射晶片與接收晶片之間設(shè)置有隔聲板，發(fā)射晶片所發(fā)出的超聲波頻率在1MHz～4MHz之間，晶片表面設(shè)置有消聲材料，晶片面積大小在6mm×10mm～15mm×30mm之間，探傷的深度大，準(zhǔn)確度高。
文檔編號G01N29/04GK101413927SQ200810195808
公開日2009年4月22日 申請日期2008年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月2日
發(fā)明者周南岐 申請人:周南岐