專利名稱：用于井筒的集成測(cè)井儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及一種測(cè)量地層特性的裝置和方法，其中所述測(cè)量可在鉆井時(shí)或測(cè)井電纜測(cè)量時(shí)進(jìn)行。
背景技術(shù)：
隨鉆測(cè)井裝置(LWD)通常用于在井筒中進(jìn)行測(cè)量。已知的隨鉆測(cè)井裝置可包括允許僅使用一個(gè)裝置就能獲得若干不同測(cè)量的測(cè)量裝置的組合。例如，通常在稱為三組合(triple combo)的裝置中采用三個(gè)測(cè)量裝置的組合。該已知的三組合可對(duì)電阻率，中子測(cè)井孔隙度，地層體積密度，地層光電因子，和天然γ射線進(jìn)行測(cè)量?？蛇x擇地，組合測(cè)量裝置也可以在其它測(cè)井配置中使用，例如在電纜測(cè)井裝置中。
由于技術(shù)限制，當(dāng)在單個(gè)LWD裝置中安裝所述三個(gè)測(cè)量裝置時(shí)，所述三組合必須具有通常約為18米的最小長(zhǎng)度。三組合的所述長(zhǎng)度可能限制其進(jìn)入某些環(huán)境，例如井筒限定了一個(gè)曲線的環(huán)境。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一個(gè)方面提供一種測(cè)量井筒周圍地層特性的儀器。所述儀器包括具有多個(gè)在所述儀器的縱向上彼此間隔的天線的電阻率測(cè)量裝置。所述儀器還包括具有至少一個(gè)中子源和至少一個(gè)中子探測(cè)器的中子測(cè)量裝置，每個(gè)中子探測(cè)器在所述儀器的縱向上與中子源間隔一定距離。所述多個(gè)天線與所述中子探測(cè)器交錯(cuò)，以便減少裝置的總長(zhǎng)度，并且以便允許使用所述中子探測(cè)器和所述電阻率測(cè)量裝置對(duì)所述地層的已確定區(qū)域同時(shí)進(jìn)行測(cè)量，。
在第一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述裝置還包括與中子測(cè)量裝置交錯(cuò)的第一多個(gè)γ射線探測(cè)器，第一多個(gè)γ射線探測(cè)器的每一個(gè)在所述儀器的縱向上與所述中子源間隔一距離。
在第二個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述裝置包括天然γ射線探測(cè)器，其中所述天然γ射線探測(cè)器在所述儀器的縱向上與所述中子源間隔。
在第三個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述中子測(cè)量裝置相對(duì)于天然γ射線探測(cè)器縱向定位于所述儀器的尾側(cè)，該尾側(cè)相對(duì)于所述儀器在井筒的運(yùn)動(dòng)而被限定。
在第四個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述儀器還包括具有至少一個(gè)γ射線源和第二多個(gè)γ射線探測(cè)器的γ射線測(cè)量裝置，第二多個(gè)γ射線探測(cè)器的每一個(gè)在所述儀器的縱向上與所述γ射線源間隔一距離。
在第五個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述中子測(cè)量裝置相對(duì)于γ射線測(cè)量裝置縱向地定位在所述所述的尾側(cè)。
在第六個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述中子測(cè)量裝置包括脈沖中子源。
在第七個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述儀器還包括測(cè)量中子源輸出的中子監(jiān)測(cè)器。
在第八個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述中子測(cè)量裝置包括化學(xué)中子源。
在第九個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述儀器還包括X-射線測(cè)量裝置，所述X-射線測(cè)量包括至少一個(gè)X-射線源和X-射線探測(cè)器，所述X-射線探測(cè)器在所述儀器的縱向上與該X-射線源間隔一距離。
在第十個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述儀器還包括超聲波測(cè)量裝置。
在第十一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述儀器還包括泥漿壓力傳感器。
在第十二個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述儀器還包括至少一個(gè)電的電阻率傳感器(galvanic resistivity sensor)。
在第十三個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述儀器還包括至少一個(gè)傾斜的天線線圈，以實(shí)現(xiàn)具有方向敏感性的電磁測(cè)量。
在第十四個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述儀器被安裝在隨鉆測(cè)井儀上。
在第十五個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述儀器被安裝在電纜測(cè)井儀上。
本發(fā)明的第二個(gè)方面提供一種測(cè)量井筒周圍地層參數(shù)的儀器。該儀器包括具有多個(gè)在所述儀器的縱向上彼此間隔的天線的電阻率測(cè)定裝置，和具有至少一個(gè)γ射線源和多個(gè)γ射線探測(cè)器的γ射線測(cè)量裝置，多個(gè)γ射線探測(cè)器的每一個(gè)在所述儀器的縱向上與所述γ射線源間隔一距離。所述多個(gè)天線與所述中子探測(cè)器交錯(cuò)，以便減少所述儀器的總長(zhǎng)度，并且以便允許使用所述中子探測(cè)器和所述電阻率測(cè)量裝置對(duì)所述地層的已確定區(qū)域同時(shí)進(jìn)行測(cè)量，。
本發(fā)明的第三個(gè)方面提供一種處理來(lái)自于攜帶至少一個(gè)中子源，中子探測(cè)器和γ射線探測(cè)器的測(cè)井儀的數(shù)據(jù)的方法。所述方法包括對(duì)分別來(lái)自每個(gè)探測(cè)器的輸出信號(hào)計(jì)數(shù)，作為測(cè)井儀的方位位置的函數(shù)；分別為每個(gè)探測(cè)器對(duì)用于方位位置的已計(jì)數(shù)的輸出信號(hào)計(jì)數(shù)，作為輸出信號(hào)到達(dá)時(shí)間的函數(shù)；和分別為每個(gè)γ射線探測(cè)器對(duì)用于方位位置的已計(jì)數(shù)的輸出信號(hào)計(jì)數(shù)，作為輸出信號(hào)脈沖幅度的函數(shù)。
通過(guò)下面的描述和本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)很明顯。


現(xiàn)在將參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中圖1說(shuō)明了現(xiàn)有技術(shù)的隨鉆測(cè)井儀；圖2包含了根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)例子的裝置的示意圖；圖3包含了根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)例子的裝置的示意圖；圖4包含了一個(gè)γ射線裝置實(shí)施例的截面圖；圖5包含了一個(gè)中子測(cè)井孔隙度裝置實(shí)施例的截面圖；圖6包含了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)信號(hào)處理裝置實(shí)施例的示意圖；和圖7包含了根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的裝置的示意圖；具體實(shí)施方式
現(xiàn)有技術(shù)的總的概述已知的三組合裝置可進(jìn)行如將在下面所描述的測(cè)量的多種測(cè)量。某些測(cè)量對(duì)于在測(cè)井電纜上或在LWD上實(shí)現(xiàn)的三組合裝置來(lái)說(shuō)是特殊的?？梢栽O(shè)想所描述的測(cè)量是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的，因此這里不對(duì)每個(gè)測(cè)量做詳細(xì)的解釋。
可根據(jù)下述的一種或幾種方法對(duì)地層電阻率進(jìn)行測(cè)量直接電阻率測(cè)量(通常為測(cè)井電纜)；感應(yīng)測(cè)量(通常為測(cè)井電纜)；傳播電阻率(通常為L(zhǎng)WD)。
可以采用下面的一種或幾種方法獲得中子測(cè)井孔隙度的測(cè)量。利用中子探測(cè)器根據(jù)對(duì)散射中子的探測(cè)獲得測(cè)量?？梢詼y(cè)量?jī)煞N典型的孔隙度熱孔隙度和超熱孔隙度。熱孔隙度和超熱孔隙度之間的區(qū)別可根據(jù)所使用的探測(cè)器作出。熱探測(cè)器既可探測(cè)熱中子也可探測(cè)超熱中子，后者通常比前者更豐富。超熱探測(cè)器僅可探測(cè)超熱中子。所述測(cè)量方法如下使用化學(xué)中子源的熱中子測(cè)井孔隙度測(cè)量；使用化學(xué)中子源的超熱中子測(cè)井孔隙度測(cè)量；使用脈沖中子發(fā)生器的超熱中子測(cè)井孔隙度測(cè)量；使用脈沖中子發(fā)生器的熱中子測(cè)井孔隙度測(cè)量。
中子測(cè)井孔隙度測(cè)量可通過(guò)使用中子源，例如化學(xué)中子源或脈沖中子源和通過(guò)使用一個(gè)或多個(gè)γ射線探測(cè)器測(cè)量γ射線誘導(dǎo)的中子的計(jì)數(shù)率選擇性地獲得。
地層體積密度測(cè)量可通過(guò)γ射線的康普頓散射獲得。
地層光電因子PEF測(cè)量可通過(guò)散射的γ射線的光譜分析獲得。該P(yáng)EF測(cè)量可使用與地層體積密度測(cè)量相同的設(shè)備進(jìn)行。PEF可允許地層巖性的識(shí)別。其依賴康普頓散射的γ射線的光電吸收，該吸收對(duì)于地層中元素的有效電子序數(shù)非常敏感。
天然的γ射線測(cè)量圖1說(shuō)明了具有一個(gè)用于本領(lǐng)域熟知的LWD的示例性裝置的典型的旋轉(zhuǎn)鉆機(jī)系統(tǒng)5，其允許進(jìn)行電阻率，中子測(cè)井孔隙度，地層體積密度，地層光電因子和天然γ射線測(cè)量。為了更好地理解本發(fā)明，該圖說(shuō)明了鉆機(jī)部件的不同部分并且在不同部分之間采用了不同的比例。井眼底部的測(cè)量通過(guò)放置于鉆挺(collar)20內(nèi)和/或放置在鉆挺20上的測(cè)量裝置進(jìn)行。這些測(cè)量結(jié)果可儲(chǔ)存于井底測(cè)量裝置的存儲(chǔ)裝置，或通過(guò)常規(guī)的LWD遙測(cè)裝置和方法遙測(cè)傳送至地面。為了這個(gè)目的，一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)射裝置模塊23接收來(lái)自鉆挺20的測(cè)量裝置的信號(hào)，并且通過(guò)鉆柱6的泥漿路徑將其發(fā)射，最后通過(guò)管柱15內(nèi)的壓力傳感器21到達(dá)地面裝置7。
鉆機(jī)5包括一個(gè)通過(guò)轉(zhuǎn)盤(pán)4旋轉(zhuǎn)方鉆桿3的馬達(dá)2。鉆柱6包括端對(duì)端連接于方鉆桿并因此旋轉(zhuǎn)的鉆桿段。象其它的常規(guī)鉆挺和其它的LWD工具一樣，本發(fā)明的鉆挺20連接于鉆柱6。這樣的鉆挺和工具在鉆柱6和鉆頭30之間形成了一個(gè)底部鉆具組合。
當(dāng)鉆柱6和底部鉆具組合旋轉(zhuǎn)時(shí)，鉆頭30鉆出一個(gè)穿過(guò)地層32的井筒9。在包括底部鉆具組合的鉆柱6的外部和地層32之間限定了作為井筒9的一部分的環(huán)空10。
鉆井液或“泥漿”借助泵11經(jīng)由管柱15和旋轉(zhuǎn)注入頭17并通過(guò)方鉆桿3和鉆柱6的空心被壓入鉆頭30。泥漿起到潤(rùn)滑鉆頭30的作用并且通過(guò)環(huán)空10將井筒內(nèi)的鉆屑攜帶到地面。所述泥漿返回泥漿池13，在這里將泥漿與井筒切屑等分離，脫氣，并且再次返回鉆柱應(yīng)用。
鉆挺20，也就是所述工具包括實(shí)現(xiàn)傳播電阻率測(cè)量并確定地層電阻率的電阻率天線40。
中子測(cè)井孔隙度可通過(guò)測(cè)定從中子源41發(fā)射的和散射回中子探測(cè)器42的中子來(lái)確定。
地層體積密度可從γ射線康普頓散射獲得。所述γ射線通過(guò)γ射線源43發(fā)射并由γ射線探測(cè)器44探測(cè)。
地層光電因子可使用相同的γ射線源43和γ射線探測(cè)器44通過(guò)查看反向反射的γ射線的光譜分析獲得。
所述光電因子可用于識(shí)別地層巖性。天然γ射線探測(cè)器45可用于測(cè)量井筒內(nèi)的天然γ射線。
為了在井筒內(nèi)保持工具的中心，可選擇的扶正器46可設(shè)置于工具的外緣。
重疊的中子和電阻率測(cè)定裝置圖2說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的工具205的一個(gè)例子。所述工具205使用化學(xué)源，也就是化學(xué)中子源200和化學(xué)γ射線源201。
中子測(cè)井孔隙度部分所述化學(xué)中子源200產(chǎn)生最終反射回中子探測(cè)器202的中子。中子探測(cè)器202的測(cè)量結(jié)果可用于確定中子測(cè)井孔隙度。
通常的化學(xué)源為241AmBe源，其通過(guò)241Am與9Be衰變發(fā)射的α粒子的核反應(yīng)產(chǎn)生了高能中子光譜，如下面反應(yīng)所說(shuō)明的
也可以使用可替換的252Cf源。所述后面的源由于252Cf重核的自發(fā)裂變產(chǎn)生中子。
γ密度部分該工具205的γ密度部分，所述化學(xué)γ射線源201產(chǎn)生反射回γ射線探測(cè)器203的γ射線。盡管在圖2中說(shuō)明了2個(gè)γ射線探測(cè)器203，但是可以理解這僅僅是一個(gè)例子并且γ射線探測(cè)器203的數(shù)量可以有很大的不同。另外，可以理解，在圖2中位于γ射線源203“下部”的γ射線探測(cè)器203的位置相對(duì)于γ射線源201可以變化，即，至“高于”所述γ射線源203的位置。當(dāng)在應(yīng)用中時(shí)，術(shù)語(yǔ)“低于”和“高于”在這里僅用于圖形的框架內(nèi)并不想給出工具的絕對(duì)方向，即，術(shù)語(yǔ)“低于”和“高于”不必企圖涉及由重力給定的方向或其它方向。來(lái)自γ射線探測(cè)器203的測(cè)量結(jié)果可用于確定地層體積密度和地層光電因子。
應(yīng)該注意，中子源激活地層導(dǎo)致γ射線延遲發(fā)射。為了避免延遲的γ射線發(fā)射被工具的γ射線探測(cè)器記錄，所述γ射線探測(cè)器必須設(shè)置在工具的主導(dǎo)位置，例如，當(dāng)工具在測(cè)井操作期間移動(dòng)時(shí)，其位于工具的前部位置。LWD測(cè)井通常在鉆進(jìn)時(shí)進(jìn)行，即，為了在工具上第一個(gè)“看到”被鉆地層的給定區(qū)域，所述探測(cè)器應(yīng)該設(shè)置在井眼底部一側(cè)。
在大多數(shù)情況下，當(dāng)從井底巖井孔向上移動(dòng)工具時(shí)，進(jìn)行電纜測(cè)井，即，首先將工具下放到井筒并且當(dāng)將工具提出井筒時(shí)進(jìn)行測(cè)井。假如這樣的話，任何通過(guò)地層的激活對(duì)其它測(cè)量產(chǎn)生間接影響的測(cè)量最好位于井眼底部一側(cè)，即，在工具的尾部以使其影響最小化。
然而，或許還有其它的需要改變測(cè)量順序的理由。
用于化學(xué)γ射線源201的典型元素為137Cs。
γ射線探測(cè)器203最好位于裝備有γ射線窗口的可選扶正器207的后面。當(dāng)將γ射線在扶正器207內(nèi)的吸收降低到最小時(shí)，這提供了最好的地層聯(lián)系。
當(dāng)γ射線探測(cè)器203相對(duì)靠近γ射線源201時(shí)，兩個(gè)γ射線探測(cè)器203與γ射線源201之間的通常距離通常分別在0.12m和0.24m之間變化，當(dāng)γ射線探測(cè)器203離γ射線源201較遠(yuǎn)時(shí)，在0.30m和0.55m之間變化。
圖4說(shuō)明了γ密度部分的詳細(xì)實(shí)施例，例如，密度測(cè)井儀400位于穿過(guò)地層402的井筒401內(nèi)。該密度測(cè)井儀400包括鉆挺403。鉆挺403包括限定了泥漿管路405的底盤(pán)404。扶正器406和407設(shè)置于鉆挺上并且在密度測(cè)井儀400與地層402之間提供了改善的聯(lián)系。該改善的聯(lián)系可減少γ射線在流經(jīng)窗口與地層之間的井筒的泥漿中傳輸?shù)挠绊?。γ射線源408設(shè)置在鉆挺403內(nèi)?？梢岳斫?，γ射線源408也可以設(shè)置在底盤(pán)404內(nèi)而不是在鉆挺403內(nèi)。
從γ射線源408發(fā)射的γ射線通過(guò)朝向地層407的低密度窗口409。可以選擇的是，如果用合適的材料制作扶正器407以允許γ射線從所述γ射線源408傳送到地層402，那么窗口409的使用也可能是選擇性的。γ射線散射在地層上并且通過(guò)至少2個(gè)設(shè)置在窗口412和413后的探測(cè)器410和411探測(cè)，或者可選擇的是位于由允許γ射線通過(guò)的適當(dāng)材料制成的扶正器407后部。γ射線從射線源408到探測(cè)器410和411兩者之間任何一個(gè)的直接通道可通過(guò)具有高密度材料414的屏蔽阻止，例如該高密度材料為鎢。
可選擇的是，該γ射線源可被X射線電子源(electronic source)代替。如果它們具有相同的能量，那么X射線和γ射線是難以辨別的。X射線可以由連接于高壓電源的常規(guī)X射線管產(chǎn)生?？商鎿Q的是，X射線可由一裝置產(chǎn)生，例如直線性電子加速器或類似電子感應(yīng)加速器的環(huán)形加速器。雖然當(dāng)使用不同的裝置時(shí)所述測(cè)量(屏蔽，探測(cè)器間隔，窗口等)需要適應(yīng)，但是基本的測(cè)量保持相同。
電阻率部分電阻率天線204至少部分地與中子探測(cè)器202重疊地設(shè)置在工具205上。所述電阻率天線用于實(shí)現(xiàn)傳播電阻率測(cè)量。通常的測(cè)量頻率為400KHz和200KHz，但是其它更高和/或更低的頻率也可以用于獲得不同的測(cè)量特性。
天然γ射線部分天然γ射線探測(cè)器206定位為朝向工具205的一端，所述工具205的一端與工具205的攜帶中子測(cè)量裝置200和202以及電阻率天線204的一端相對(duì)。
為了減少來(lái)自由中子源200發(fā)射的中子產(chǎn)生的γ射線的γ射線探測(cè)，天然γ射線探測(cè)器206最好定位為離開(kāi)中子源200足夠的距離。
優(yōu)選的是，在測(cè)量期間，所述γ射線探測(cè)器設(shè)置于超前中子源的位置，例如，在工具上位于一個(gè)引導(dǎo)工具運(yùn)動(dòng)的位置，這樣其不會(huì)受到地層中材料活化以及中子源200引起的向下流動(dòng)的泥漿的影響。
另外，為了避免測(cè)量從γ射線源200發(fā)射的γ射線，天然γ射線探測(cè)器也應(yīng)該離開(kāi)γ射線源201足夠的距離。
中子測(cè)量裝置200和201的重疊，與電阻率天線204一起允許獲得一種比圖1中現(xiàn)有技術(shù)中的工具20明顯短的工具205。
耐磨帶208可設(shè)置于靠近電阻率天線204的位置，以阻止通過(guò)與地層的接觸或摩擦對(duì)電阻率天線204造成損害。
圖3說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的工具300的另一個(gè)實(shí)施例。
一些在圖3和圖2中已經(jīng)使用的附圖標(biāo)記涉及相同的部件。
γ射線密度部分和天然γ射線部分與圖2中說(shuō)明的各自相應(yīng)部分相同?，F(xiàn)在將描述圖2中說(shuō)明的工具不同于工具300的特定特征。
在工具300中，化學(xué)中子源200被脈沖中子源301替代，例如，一個(gè)利用d-T反應(yīng)的中子發(fā)生器。所述脈沖中子源301包括高壓電源，通常在70至100kv范圍內(nèi)，和一種真空管，該真空管首先產(chǎn)生氘和氚離子，然后在一個(gè)包含氚和氘的目標(biāo)上加速。氚核和氘核之間的反應(yīng)導(dǎo)致具有約14MeV能量的中子的發(fā)射。
工具300的中子測(cè)井孔隙度部分與電阻率部分交錯(cuò)。中子測(cè)井孔隙度部分與γ射線密度部分間隔一定距離設(shè)置，該距離足以阻止脈沖中子源301發(fā)射的中子引起的輻射到達(dá)γ射線密度部分。相似地，中子部分和γ射線部分兩者之間的距離阻止γ射線源發(fā)射的γ射線引起的輻射到達(dá)中子部分。中子部分和γ射線部分間隔的距離通?？蔀?，2米并且需要與所使用的源的長(zhǎng)度適合。
優(yōu)選地，該中子測(cè)井孔隙度部分設(shè)置在工具300上，這樣當(dāng)將工具300插入井筒時(shí)，在中子測(cè)井孔隙度測(cè)量之前，可首先對(duì)γ射線密度進(jìn)行測(cè)量。這可阻止密度測(cè)量被地層和從中子測(cè)井孔隙度部分發(fā)射的中子產(chǎn)生的鉆井液活化所偏移(bias)。倘若在γ射線密度測(cè)量之前需要依次進(jìn)行中子測(cè)井孔隙度測(cè)量，那么必須矯正密度測(cè)量。
中子測(cè)量裝置202位于遠(yuǎn)離脈沖中子源301的兩個(gè)不同距離。該中子探測(cè)器202為熱中子探測(cè)器和/或超熱中子探測(cè)器，例如，3He正比例探測(cè)器。工具300還包括兩個(gè)與中子測(cè)井孔隙度部分交錯(cuò)的γ射線探測(cè)器302。不同的屏蔽裝置可用于使從源301到探測(cè)器202的直接通道最小化，并且加強(qiáng)方位響應(yīng)。所述屏蔽裝置還允許減少γ射線探測(cè)器302對(duì)由工具300的γ射線源201產(chǎn)生的γ射線的探測(cè)。當(dāng)靠近中子發(fā)生器301或靠近γ射線探測(cè)器302使用時(shí)，所述屏蔽材料通常可為鎢(未在圖3中示出)，當(dāng)靠近中子探測(cè)器202使用時(shí)，可為10B(硼10)(未在圖3中示出).
中子監(jiān)測(cè)器303設(shè)置在靠近中子源301處以便于確定或監(jiān)測(cè)中子源的輸出。中子源輸出的測(cè)量可用于在中子探測(cè)器202或γ射線探測(cè)器302測(cè)量的計(jì)數(shù)率的標(biāo)準(zhǔn)化。它也可以用于調(diào)節(jié)中子源輸出。中子源監(jiān)測(cè)器303通?？膳c探測(cè)反沖質(zhì)子的塑料閃爍體一起實(shí)現(xiàn)。
γ射線探測(cè)器302最好使用閃爍探測(cè)器，例如，NaI(Th)，BGO，CsI，GSO等。每個(gè)γ射線探測(cè)器302設(shè)置在距離中子源301不同的距離。距離所述源301最近的探測(cè)器302可用于通過(guò)測(cè)量和分析捕獲的γ射線光譜確定地層的元素組成。此外，為了減少地層和井筒的中子俘獲截面，后面的探測(cè)器302可用于測(cè)量熱γ射線的衰減。另外，后面的探測(cè)器302可用于測(cè)量高能中子非彈性反應(yīng)(inelastic reactions)的γ射線光譜。為了增加地層元素組成的測(cè)量和/或用于補(bǔ)償密度測(cè)量，這些γ射線光譜可用于分析。
距離所述源301最遠(yuǎn)的一個(gè)特殊的探測(cè)器302可用于測(cè)量非彈性γ射線光譜和計(jì)數(shù)率，這些反過(guò)來(lái)可用于推測(cè)地層體積密度。另外，即使具有非常少的統(tǒng)計(jì)量，該探測(cè)器也可測(cè)量俘獲γ射線光譜和熱γ射線衰減。
與圖2中的工具相似，電阻率天線204與中子源301和探測(cè)器202重疊。電阻率天線204可用作發(fā)射天線和接收天線。為了在中子測(cè)井孔隙度部分獲得改進(jìn)的原子核測(cè)量性能，孔隙度天線204的定位可以不同。
優(yōu)選的是，中子源301與最接近源的中子探測(cè)器202之間的距離可在20cm到40cm之間。距離所述源更遠(yuǎn)的中子探測(cè)器202與源之間的距離可為50cm到80cm。
優(yōu)選的是，中子源301與離源最近的γ射線探測(cè)器302之間的距離可在20cm到50cm之間，盡管所述源301與距離該源最遠(yuǎn)的探測(cè)器302之間的距離可在60cm到100cm之間或者根據(jù)中子源301的長(zhǎng)度可以更遠(yuǎn)。
圖3說(shuō)明了中子探測(cè)器202和γ射線探測(cè)器302處于交替的位置，可以理解，這僅僅是一個(gè)示例，也可以設(shè)想其它的位置。例如，為了同時(shí)進(jìn)行中子和γ射線測(cè)量，中子探測(cè)器202和γ射線探測(cè)器302可距離所述源301相同的距離，彼此鄰接或結(jié)合。也可以設(shè)想，γ射線探測(cè)器位于中子源上部和中子探測(cè)器位于中子源下部。
圖5說(shuō)明了與電阻率部分重疊的中子測(cè)井孔隙度部分的一個(gè)實(shí)施例在縱向和橫向的工具截面圖。所述中子測(cè)井孔隙度部分測(cè)量裝置位于鉆挺500內(nèi)部，安裝在底盤(pán)501內(nèi)。底盤(pán)501限定了允許泥漿流經(jīng)工具的泥漿通道502。中子測(cè)井孔隙度部分測(cè)量裝置包括脈沖中子源503和中子探測(cè)器504。為了在鉆井時(shí)探測(cè)器504超前所述源，當(dāng)工具被插入井筒時(shí)，中子源503所位于的工具一側(cè)通常位于朝向井口位置。
靠近所述源503設(shè)置的鎢塊505，例如，位于圖5中所述源503的右側(cè)，阻擋γ射線的傳送和減少?gòu)脑?03朝向探測(cè)器504的中子的直接流量。
最接近源503的中子探測(cè)器504，在一個(gè)密度中性位置(density neutralposition)，實(shí)際上可以為一套包括超熱中子探測(cè)器和熱中子探測(cè)器的中子探測(cè)器，并且可用于執(zhí)行近計(jì)數(shù)率測(cè)定，從而獲得直接的含氫指數(shù)測(cè)量。概念“密度中性”表示在該位置中子計(jì)數(shù)率為地層含氫指數(shù)和其它環(huán)境變量的函數(shù)。然而，該中子計(jì)數(shù)率不受地層體積密度的影響，其不伴有地層含氫指數(shù)的變化。距離源503最遠(yuǎn)的中子探測(cè)器504實(shí)際上可為一套熱中子探測(cè)器，和可用于遠(yuǎn)計(jì)數(shù)率測(cè)量。該中子測(cè)井孔隙度的確定基于遠(yuǎn)近計(jì)數(shù)率的比率。
為了減少通過(guò)井筒或通過(guò)泥漿管路移動(dòng)的中子信號(hào)，中子探測(cè)器利用中子擋板來(lái)屏蔽，例如10B擋板。
第一γ射線探測(cè)器507位于兩套中子探測(cè)器506之間。該第一γ射線探測(cè)器507可主要用于俘獲γ射線光譜的測(cè)量和一個(gè)∑(sigma)測(cè)定?！茷榈貙拥暮暧^俘獲截面?！葡喾吹厣婕盁嶂凶铀プ儠r(shí)間。
第二γ射線探測(cè)器508可產(chǎn)生測(cè)量，該測(cè)量可結(jié)合來(lái)自第一γ射線探測(cè)器507的測(cè)量進(jìn)行分析以便獲得脈沖中子密度測(cè)量。另外，該探測(cè)器可用于獲得具有更深入研究的∑測(cè)量。
設(shè)置在鉆挺500表面的擋板509將鉆挺與可被鉆挺俘獲并導(dǎo)致強(qiáng)的γ射線背景輻射的熱中子屏蔽，該背景輻射增加了來(lái)自井筒和地層的信號(hào)。擋板509減少了γ射線探測(cè)器507和508內(nèi)由于鉆挺500和底盤(pán)501內(nèi)中子俘獲所產(chǎn)生的背景信號(hào)。
電阻率天線510設(shè)置于工具的外緣。電阻率天線510的位置可以被優(yōu)化為相對(duì)于探測(cè)器506相適合從而改善中子探測(cè)?？蛇x擇的是，該天線可與鉆挺一體安裝或可安裝于鉆挺內(nèi)部或安裝于底盤(pán)上，在這種情況下，槽(slots)必須做在鉆挺內(nèi)部從而確保其足以透過(guò)電磁場(chǎng)。
中子探測(cè)器504的輸出響應(yīng)可作為相對(duì)于脈沖中子源503產(chǎn)生的中子爆發(fā)的時(shí)間的函數(shù)被記錄，另外，對(duì)于每次儲(chǔ)存還作為方位的函數(shù)。更精確的是，超熱探測(cè)器輸出響應(yīng)涉及的時(shí)間可在中子爆發(fā)后幾十微秒期間，以確定超熱中子衰減現(xiàn)象，即，減速時(shí)間SDT。利用熱中子衰減引起的熱中子探測(cè)器的輸出響應(yīng)，可減小地層俘獲截面(∑)。
第一γ射線探測(cè)器507的輸出響應(yīng)作為下列參數(shù)的函數(shù)得到記錄時(shí)間，沉積在探測(cè)器中的γ射線能量，以及方位。后者的輸出響應(yīng)可用于確定非彈性的和俘獲γ射線光譜以及∑。
第二γ射線探測(cè)器508的輸出響應(yīng)以與γ射線探測(cè)器507相似的方式被記錄，并且通常用于確定γ射線誘導(dǎo)的中子密度和光譜學(xué)，和∑信息，如果統(tǒng)計(jì)精度足夠。
如先前在圖3中所述的，輸出響應(yīng)，即，在探測(cè)器獲得的計(jì)數(shù)率，通過(guò)計(jì)數(shù)率除以如中子監(jiān)測(cè)器600測(cè)定的源503發(fā)射的中子速率實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。因此，根據(jù)單個(gè)中子探測(cè)器506確定孔隙度響應(yīng)成為可能。單套探測(cè)器506的超熱響應(yīng)和熱響應(yīng)之間的差別可作為熱中子吸收者存在的指示，并與∑相關(guān)。
其它的傳感器可加在鉆挺上而不會(huì)增加其長(zhǎng)度。這些傳感器可為測(cè)量工具偏離(tool stand off)的超聲裝置，確定井筒內(nèi)壓力的壓力傳感器或確定泥漿特性的附加的小裝置。這還可以包括直接的局部電阻率測(cè)量裝置。
作為確定工具偏離井壁的手段的超聲測(cè)量在本行業(yè)中是熟知的。通過(guò)從工具發(fā)射超聲波脈沖并且確定發(fā)射和在工具內(nèi)測(cè)定到反射信號(hào)(回聲)之間的時(shí)間延遲來(lái)確定所述工具偏離。如果在泥漿中的傳播速度是已知的，那么離開(kāi)地層的工具偏離就可以得到計(jì)算。
壓力傳感器通常用于LWD和MWD工具上。壓力傳感器通常為應(yīng)變計(jì)。鉆進(jìn)時(shí)，壓力測(cè)量有很多應(yīng)用。例如，壓力測(cè)量可用于確保井底壓力既不會(huì)過(guò)低也不會(huì)過(guò)高，或用于如循環(huán)液漏失的鉆井問(wèn)題的早期探測(cè)。壓力測(cè)量也使估計(jì)泥漿比重成為可能，并因此獲得對(duì)泥漿中聲波傳播速度的更好的估計(jì)。
局部電阻率測(cè)量可增加到使用電傳感器測(cè)量地層電阻率的工具上。這樣的電傳感器(galvanic sensor)通過(guò)穿過(guò)工具的各個(gè)部分施加能夠使電流從工具流到地層的電壓差來(lái)測(cè)量電阻率。例如，該電壓差可通過(guò)感應(yīng)方式產(chǎn)生，例如，通過(guò)使用環(huán)形線圈，或通過(guò)使用電極。該形成的電流可通過(guò)相同的方式測(cè)量。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，電阻率部分還包括傾斜的天線。這允許電阻率的方位感應(yīng)測(cè)量。方位靈敏度在如地質(zhì)導(dǎo)向應(yīng)用中很重要，而且也用于通過(guò)確定地層傾角更好地進(jìn)行地質(zhì)評(píng)價(jià)。
數(shù)據(jù)處理圖6示意性地說(shuō)明了圖5中所示工具的作為時(shí)間、方位和能量函數(shù)的數(shù)據(jù)采集過(guò)程。
從每個(gè)探測(cè)器506、507和508獲得信號(hào)。圖6中說(shuō)明的探測(cè)器506N1和506N2與最靠近中子源503設(shè)置的該套中子探測(cè)器一致。探測(cè)器506F1和506F2與距離中子源503最遠(yuǎn)設(shè)置的該套探測(cè)器一致。
中子監(jiān)測(cè)器600靠近中子源503設(shè)置從而說(shuō)明脈沖中子爆發(fā)受到監(jiān)測(cè)。
探測(cè)器506、507和508的信號(hào)被作為部分601在井筒內(nèi)的工具方位的函數(shù)記錄。根據(jù)測(cè)量的方位分辨率，方位扇形的間隔尺寸(granularity)可以不同。例如，可選擇4象限(4quadrant)的間隔尺寸。
在部分603，測(cè)量的計(jì)數(shù)作為中子或γ射線到達(dá)探測(cè)器的時(shí)間的函數(shù)被儲(chǔ)存(bin)。到達(dá)時(shí)間可相對(duì)于脈沖中子源503產(chǎn)生的中子脈沖循環(huán)得到測(cè)量。
時(shí)間倉(cāng)(time bin)的寬度和時(shí)間倉(cāng)的數(shù)目可以從一個(gè)探測(cè)器到另一個(gè)探測(cè)器不同，甚至對(duì)于一個(gè)探測(cè)器也可以不同。
在部分604，光譜數(shù)據(jù)可由γ射線探測(cè)器507和508獲得。信號(hào)根據(jù)在探測(cè)器輸出處的所測(cè)量的信號(hào)的脈沖高度而被儲(chǔ)存(bin)。
為了獲得可用于進(jìn)一步處理從探測(cè)器506、507和508獲得的數(shù)據(jù)的中子的絕對(duì)計(jì)數(shù)，可利用中子監(jiān)測(cè)器600和計(jì)數(shù)設(shè)備602對(duì)中子源503的輸出進(jìn)行測(cè)量。
為了避免從一個(gè)工具到另一個(gè)工具的測(cè)量結(jié)果的不同，可使用校準(zhǔn)605對(duì)計(jì)數(shù)率進(jìn)行校準(zhǔn)。
在部分601、602和603獲得的數(shù)據(jù)被標(biāo)準(zhǔn)化(606)并且有利于數(shù)據(jù)處理607。數(shù)據(jù)處理607可以實(shí)時(shí)進(jìn)行，例如，數(shù)據(jù)可被實(shí)時(shí)向井上輸送，或者數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)于工具的存儲(chǔ)器內(nèi)用于以后處理，例如，當(dāng)工具返回地面時(shí)進(jìn)行處理。
圖7說(shuō)明了本發(fā)明的工具的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例。圖7中的工具包括與中子測(cè)井孔隙度部分(301、303、202、302)重疊的電阻率部分(204)，和與圖3中說(shuō)明的工具相似的天然γ射線探測(cè)器206。與圖3中的工具的不同點(diǎn)在于圖7中的工具沒(méi)有包含任何γ密度部分。天然γ射線探測(cè)器206與脈沖中子源間隔的距離通常超過(guò)1、2米。
作為省略γ密度部分的結(jié)果，圖7中的工具通常比圖3中的工具短。
本發(fā)明的工具具有不同的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明工具的第一個(gè)優(yōu)點(diǎn)可以從工具長(zhǎng)度的減少上看到。本發(fā)明的三組合的長(zhǎng)度減少到小于10米。在圖7的實(shí)施例中長(zhǎng)度可以減少到更少。較少的長(zhǎng)度可以使本發(fā)明的工具在現(xiàn)有技術(shù)的三組合不能夠進(jìn)入的困難環(huán)境中使用，在這種困難的環(huán)境中，所述測(cè)量不得不使用多個(gè)工具，并可能在井中多次起下管柱(multiple trips)。本發(fā)明的工具能夠集成現(xiàn)有技術(shù)中使用2到4種不同工具達(dá)到的多個(gè)測(cè)量。本發(fā)明的工具能夠在比現(xiàn)有技術(shù)更短和集成更高的單個(gè)工具中進(jìn)行全部所述測(cè)量。
本發(fā)明的工具的第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)可從降低的成本上看到?？梢钥闯?，本發(fā)明的工具可以比現(xiàn)有技術(shù)的三組合更便宜地生產(chǎn)。
本發(fā)明的第三個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，本發(fā)明三組合的更短的長(zhǎng)度允許對(duì)測(cè)量裝置的測(cè)量采用更簡(jiǎn)單和更精確的分析。尤其是，電阻率測(cè)量裝置和中子測(cè)量裝置的重疊允許對(duì)兩種測(cè)量，彼此相對(duì)靠近的測(cè)量點(diǎn)或相同的點(diǎn)獲得同時(shí)的或類似同時(shí)的測(cè)量。因此，電阻率和中子測(cè)量可以很容易地被關(guān)聯(lián)，產(chǎn)生對(duì)測(cè)量更精確的解釋和對(duì)地層更精確的理解。
集成的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，本發(fā)明的工具的探測(cè)器比在現(xiàn)有技術(shù)的工具中更靠近鉆頭設(shè)置，在穿過(guò)地層后提供更早時(shí)間的測(cè)量。這或許具有重要的應(yīng)用，例如，在地質(zhì)導(dǎo)向中。
本發(fā)明的不同實(shí)施例已經(jīng)利用LWD工具進(jìn)行了解釋?？梢岳斫猓景l(fā)明也可以用在通常用于在鉆井后調(diào)查井筒的電纜測(cè)井中。
在一個(gè)可替換的優(yōu)選實(shí)施例中，在密度測(cè)量下交錯(cuò)電阻率天線是可能的。
在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述天線可與中子部分和密度測(cè)量部分重疊。
雖然本發(fā)明已經(jīng)相對(duì)于有限的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是從該公開(kāi)中獲益的本領(lǐng)域的技術(shù)人員，將會(huì)理解在沒(méi)有脫離在此所公開(kāi)的本發(fā)明范圍的情況可設(shè)計(jì)出其它實(shí)施例。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)僅由權(quán)利要求書(shū)所限制。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)量井筒周圍地層特性的儀器，包括具有多個(gè)在所述儀器縱向上彼此間隔的天線的電阻率測(cè)量裝置；包括至少一個(gè)中子源和至少一個(gè)中子探測(cè)器的中子測(cè)量裝置，每個(gè)所述中子測(cè)量裝置在所述儀器縱向上與所述中子源間隔一距離；其中，所述多個(gè)天線與所述中子測(cè)量裝置交錯(cuò)，以便減少所述儀器的總長(zhǎng)度，并以便允許使用所述中子測(cè)量裝置和所述電阻率測(cè)量裝置同時(shí)對(duì)地層的確定區(qū)域進(jìn)行測(cè)量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，還包括與所述中子測(cè)量裝置交錯(cuò)的第一多個(gè)γ射線探測(cè)器，所述第一多個(gè)γ射線探測(cè)器中的每一個(gè)在所述儀器的縱向上與所述中子源間隔一距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的儀器，其中，還包括天然γ射線探測(cè)器，其中所述天然γ射線探測(cè)器在所述儀器的縱向上與所述中子源間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的儀器，其中，所述中子測(cè)量裝置相對(duì)于所述天然γ射線探測(cè)器縱向地設(shè)置在所述儀器的尾側(cè)，所述尾側(cè)相對(duì)于所述儀器在井筒的運(yùn)動(dòng)而被限定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，還包括包括至少一個(gè)γ射線源和第二多個(gè)γ射線探測(cè)器的γ射線測(cè)量裝置，所述第二多個(gè)γ射線探測(cè)器的每一個(gè)在所述儀器的縱向上與所述γ射線源間隔一距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的儀器，其中，所述中子測(cè)量裝置相對(duì)于所述γ射線測(cè)量裝置縱向地設(shè)置在所述儀器的尾側(cè)，所述尾側(cè)相對(duì)于所述儀器在井筒的運(yùn)動(dòng)而被限定。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的儀器，其中，還包括X射線測(cè)量裝置，所述X射線測(cè)量裝置包括至少一個(gè)X射線源和X射線探測(cè)器，所述X射線探測(cè)器在所述儀器的縱向上與所述X射線源間隔一距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，還包括天然γ射線探測(cè)器，其中所述天然γ射線探測(cè)器在所述儀器的縱向上與所述中子源間隔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的儀器，其中，所述中子測(cè)量裝置相對(duì)于所述天然γ射線探測(cè)器縱向地設(shè)置在所述儀器的尾側(cè)，所述尾側(cè)相對(duì)于所述儀器在井筒的運(yùn)動(dòng)而被限定。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的儀器，其中，還包括包括至少一個(gè)γ射線源和第二多個(gè)γ射線探測(cè)器的γ射線測(cè)量裝置，所述第二多個(gè)γ射線探測(cè)器的每一個(gè)在所述儀器的縱向上與所述γ射線源間隔一距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的儀器，其中，所述中子測(cè)量裝置相對(duì)于所述γ射線測(cè)量裝置縱向地設(shè)置在所述儀器的尾側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的儀器，其中，還包括X射線測(cè)量裝置，所述X射線測(cè)量裝置包括至少一個(gè)X射線源和X射線探測(cè)器，所述X射線探測(cè)器在所述儀器的縱向上與所述X射線源間隔一距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，所述中子測(cè)量裝置包括脈沖中子源。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的儀器，其中，還包括與所述中子測(cè)量裝置交錯(cuò)的第一多個(gè)γ射線探測(cè)器，所述第一多個(gè)γ射線探測(cè)器的每一個(gè)在所述儀器的縱向上與所述中子源間隔一距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的儀器，其中，還包括測(cè)量所述中子源輸出的中子監(jiān)測(cè)器。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，所述中子測(cè)量裝置包括化學(xué)中子源。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，還包括超聲測(cè)量裝置。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，還包括泥漿壓力傳感器。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，還包括至少一個(gè)電的電阻率傳感器。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，還包括傾斜的天線線圈，以實(shí)現(xiàn)具有方向敏感性的電磁測(cè)量。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，所述儀器安裝于隨鉆測(cè)井儀上。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中，所述儀器安裝于電纜測(cè)井儀上。
23.一種用于測(cè)量井筒周圍地層特性的儀器，包括具有多個(gè)在所述儀器的縱向上彼此間隔的天線的電阻率測(cè)量裝置；包括至少一個(gè)γ射線源和多個(gè)γ射線探測(cè)器的γ射線測(cè)量裝置，所述多個(gè)γ射線探測(cè)器中的每一個(gè)在所述儀器的縱向上與所述γ射線源間隔一距離；其中，所述多個(gè)天線與所述γ射線測(cè)量裝置交錯(cuò)，以便減少所述儀器的總長(zhǎng)度，并且以便允許使用所述γ射線測(cè)量裝置和所述電阻率測(cè)量裝置對(duì)所述地層的確定區(qū)域同時(shí)測(cè)量。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的儀器，其中，還包括X射線測(cè)量裝置，所述X射線測(cè)量裝置包括至少一個(gè)X射線源和X射線探測(cè)器，所述X射線探測(cè)器在所述儀器的縱向上與所述X射線源間隔一距離。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的儀器，其中，還包括超聲測(cè)量裝置。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的儀器，其中，還包括泥漿壓力傳感器。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的儀器，其中，還包括至少一個(gè)電的電阻率傳感器。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的儀器，其中，還包括傾斜的天線線圈，以實(shí)現(xiàn)具有方向敏感性的電磁測(cè)量。
29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的儀器，其中，所述儀器安裝于隨鉆測(cè)井儀上。
30.根據(jù)權(quán)利要求23所述儀器，其中，所述裝置安裝于電纜測(cè)井儀上。
31.一種處理來(lái)自于攜帶至少一個(gè)中子源，中子探測(cè)器和γ射線探測(cè)器的測(cè)井儀的數(shù)據(jù)的方法，包括對(duì)分別來(lái)自每個(gè)探測(cè)器的輸出信號(hào)計(jì)數(shù)，作為所述測(cè)井儀方位位置的函數(shù)；分別為每個(gè)探測(cè)器對(duì)用于方位位置的已計(jì)數(shù)的輸出信號(hào)計(jì)數(shù)，作為所述輸出信號(hào)的到達(dá)時(shí)間的函數(shù)；分別為每個(gè)γ射線探測(cè)器對(duì)用于方位位置的已計(jì)數(shù)的輸出信號(hào)計(jì)數(shù)，作為所述輸出信號(hào)的脈沖高度的函數(shù)。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中，利用所述中子源輸出的絕對(duì)值對(duì)所述已計(jì)數(shù)的信號(hào)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，所述絕對(duì)值來(lái)自于中子監(jiān)測(cè)裝置。
全文摘要
一種用于測(cè)量井筒周圍地層特性的儀器，包括具有多個(gè)在儀器縱向彼此間隔的天線的電阻測(cè)量裝置。所述儀器的中子測(cè)量裝置包括至少一個(gè)中子源和至少一個(gè)中子探測(cè)器，每個(gè)中子探測(cè)器在儀器縱向上與所述中子源相距一定距離。所述多個(gè)天線與所述中子探測(cè)器交錯(cuò)，以便減少儀器的總長(zhǎng)度，并且以便允許使用所述中子探測(cè)器和所述電阻率測(cè)量裝置對(duì)所述地層的已確定區(qū)域同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
文檔編號(hào)G01V5/12GK1864081SQ200480028656
公開(kāi)日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2004年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月7日
發(fā)明者簡(jiǎn)·W·斯米茨, 克里斯琴·斯托勒, 邁克爾·伊萬(wàn)斯, 帕特里克·菲斯勒, 羅伯特·阿道夫 申請(qǐng)人:普拉德研究及發(fā)展公司