專利名稱：甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)力消除劑及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー類用于芯片、轉(zhuǎn)接板銅互連成形的鍍銅液添加剤，具體涉及ー種甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑及其使用方法。
背景技術(shù)：
芯片大馬士革銅互連電鍍技術(shù)和TSV (through silicon via)垂直銅互連電鍍技術(shù)在芯片制造和電子封裝產(chǎn)業(yè)中已獲得大量應(yīng)用，使集成電路特征尺寸小于O. 13微米成為可能，也促進(jìn)了大規(guī)模集成電路制造向三維集成與系統(tǒng)封裝的進(jìn)ー步發(fā)展。然而，目前的銅互連鍍銅液及エ藝開發(fā)以及大部分相關(guān)專利大都集中在對(duì)互連溝道或通孔如何實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷填充方面，而忽視了其它問(wèn)題。由于銅互連電鍍エ藝是在常溫下進(jìn)行的，沉積出的銅薄膜或銅材料往往存在著很大的內(nèi)應(yīng)力，如果對(duì)電鍍內(nèi)應(yīng)カ不加以控制，會(huì)給高精度芯片制造及其可靠性帶來(lái)許多難以克服的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供ー種甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)力消除劑及其使用方法。通過(guò)在用于芯片、轉(zhuǎn)接板銅互連的甲基磺酸銅鍍銅液中加入ppm量級(jí)的應(yīng)力消除劑，可控制鍍層的內(nèi)應(yīng)カ；其使用方法簡(jiǎn)單實(shí)用，可以在不改變正常的鍍液成分或電鍍エ藝，也不會(huì)造成新的可靠性問(wèn)題的前提下，大大降低甚至可以完全消除鍍層中的內(nèi)應(yīng)力。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明涉及一種甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑，所述應(yīng)カ消除劑為分子中包含有含氮雜環(huán)的雜環(huán)化合物及其衍生物。

優(yōu)選地，所述含氮雜環(huán)為
權(quán)利要求
1.一種甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑，其特征在于，所述應(yīng)カ消除劑為分子中包含有含氮雜環(huán)的雜環(huán)化合物及其衍生物。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑，其特征在于，所述含氮雜環(huán)為U O Γ) D
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑，其特征在于，所述含氮雜環(huán)上含苯環(huán)、烷基、羧基、硝基、巰基、甲氧基、醛基、氨基、甲酸甲酯中的ー種或幾種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑，其特征在于，所述應(yīng)カ消除劑的結(jié)構(gòu)式如式(I)所示
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑，其特征在于，所述應(yīng)カ消除劑的結(jié)構(gòu)式如式(II)所示
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑，其特征在于，所述應(yīng)カ消除劑的結(jié)構(gòu)式如式(III)所示
7.—種如權(quán)利要求I所述的甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑的使用方法，其特征在于，在芯片銅電沉積的電鍍液中，根據(jù)應(yīng)カ目標(biāo)范圍和銅離子濃度，加入所述應(yīng)カ消除劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑的使用方法，其特征在干，所述電鍍液為甲基磺酸銅鍍液，其包含如下各組分Cu2+80 110g/L，C1-30 lOOppm，甲基磺酸5 30g/L,對(duì)硫ニ丙燒磺酸鈉5ppm,聚こニ醇200ppm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)カ消除劑的使用方法，其特征在干，所述應(yīng)カ消除劑在甲基磺酸銅鍍液中的濃度為3 lOOppm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種甲基磺酸銅電鍍液的應(yīng)力消除劑及其使用方法；所述應(yīng)力消除劑為分子中包含有含氮雜環(huán)的雜環(huán)化合物及其衍生物；所述含氮雜環(huán)為其使用方法為在芯片銅電沉積的電鍍液中，根據(jù)應(yīng)力目標(biāo)范圍和銅離子濃度，加入所述應(yīng)力消除劑。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過(guò)在用于芯片、轉(zhuǎn)接板銅互連的甲基磺酸銅鍍銅液中加入ppm量級(jí)的本發(fā)明的應(yīng)力消除劑，可控制鍍層的內(nèi)應(yīng)力；其使用方法簡(jiǎn)單實(shí)用，可以在不改變正常的鍍液成分或電鍍工藝，也不會(huì)造成新的可靠性問(wèn)題的前提下，大大降低甚至可以完全消除鍍層中的內(nèi)應(yīng)力。
文檔編號(hào)C25D3/38GK102703939SQ201210187300
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月7日
發(fā)明者伍慈艷, 馮雪, 凌惠琴, 曹海勇, 李明 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)