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表面處理電解銅箔及其制造方法以及電路基板的制作方法

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專(zhuān)利名稱(chēng)::表面處理電解銅箔及其制造方法以及電路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及電解銅箔的制造時(shí)不與轉(zhuǎn)鼓(drum)接觸的面(以下稱(chēng)為M面)的Rz、Ra小且表面的凹凸少的表面處理電解銅箔、其制造方法以及使用該表面處理銅箔的電路基板。
背景技術(shù)
:驅(qū)動(dòng)作為個(gè)人電腦、手機(jī)和PDA的顯示部的液晶顯示器的IC安裝基板不斷地高密度化。IC安裝基板因?yàn)镮C直接搭載于基板膜上,所以被稱(chēng)為覆晶薄膜(C0F,ChiponFilm)。覆晶薄膜安裝中,通過(guò)透過(guò)形成了采用銅箔的配線布圖的膜的光檢測(cè)IC位置。作為對(duì)覆晶薄膜的辨認(rèn)性(基于光的IC位置檢測(cè)能力)有較大影響的因素,有銅箔的表面粗糙度。透過(guò)光的膜部為除去了銅電路部以外的不需要的銅箔部的部分,將銅箔貼附于膜上時(shí),銅箔表面的凹凸轉(zhuǎn)印到膜面上而殘留。因此,如果銅箔的表面粗糙,則表面的凹凸增大,光通過(guò)時(shí)可直線通過(guò)的光量由于該凹凸而變少,辨認(rèn)性變差。現(xiàn)在,多數(shù)的電解銅箔考慮到辨認(rèn)性而通過(guò)使用與電解轉(zhuǎn)鼓接觸的面(S面,與前述M面相反側(cè)的面)作為與膜部貼合的面來(lái)解決,但由于S面轉(zhuǎn)印轉(zhuǎn)鼓表面,因此如果轉(zhuǎn)鼓表面變粗,則必須更換轉(zhuǎn)鼓。特別是如果長(zhǎng)時(shí)間使用轉(zhuǎn)鼓,則由于隨著使用產(chǎn)生的轉(zhuǎn)鼓的粗糙度,銅箔表面(S面)產(chǎn)生條紋,該條紋使辨認(rèn)性變差,對(duì)耐彎曲性、伸長(zhǎng)率也產(chǎn)生不良影響,所以轉(zhuǎn)鼓的維持管理費(fèi)用增加,通常制品的制造成本上升,生產(chǎn)能力也下降。此外,品質(zhì)上雖說(shuō)轉(zhuǎn)鼓表面的條紋的Rz小,但轉(zhuǎn)印于銅箔表面,所以在蝕刻等的時(shí)候會(huì)帶來(lái)障礙。
發(fā)明內(nèi)容以往的表面處理銅箔考慮到辨認(rèn)性而使用S面作為貼附膜的面,對(duì)該S面實(shí)施表面處理來(lái)解決。但是,如果轉(zhuǎn)鼓表面變粗,則轉(zhuǎn)印該表面的銅箔表面上出現(xiàn)條紋狀的凹凸,該凹凸使辨認(rèn)性變差。因此,為了維持轉(zhuǎn)鼓表面的平滑度,需要頻繁地更換轉(zhuǎn)鼓,存在不僅使銅箔的生產(chǎn)性下降且導(dǎo)致成本升高的缺點(diǎn)。本發(fā)明的目的在于提供不采用受到自轉(zhuǎn)鼓表面轉(zhuǎn)印的條紋的影響的S面而具有減少了表面凹凸的平滑的M面的表面處理電解銅箔,通過(guò)使用該銅箔,提供可形成精細(xì)布圖的電路、特別是辨認(rèn)性良好的印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜(以下將它們統(tǒng)稱(chēng)為電路基板)用的電解銅箔。本發(fā)明的表面處理銅箔的特征在于,對(duì)作為電解銅箔的與轉(zhuǎn)鼓接觸的面相反側(cè)的面的M面實(shí)施了表面處理,該M面的Rz在1.0iim以下,Ra在0.2um以下。本發(fā)明的表面處理^f箔較好是,在經(jīng)表面處理的前述M面中,面積為50umX50"m的范圍內(nèi)的平均直徑2um以上的大小的銅的突起物在3個(gè)以下。此外,較好是在經(jīng)表面處理的前述M面上貼附膜并通過(guò)蝕刻處理除去了前述銅箔后的前述膜的霧度值在30以下。前述銅箔較好是粒狀結(jié)晶。此外,前述銅箔較好是抗拉強(qiáng)度在400N/mm2以下且伸長(zhǎng)率在3%以上。另外,較好是在經(jīng)表面處理的前述M面附著有Ni、Zn、Cr、Co、Mo、P的單質(zhì)或者它們的合金或水合物中的至少l種以上。本發(fā)明的表面處理銅箔的制造方法具有使用硫酸銅浴以電流密度為2050A/dm2的條件進(jìn)行電解鍍銅而制造銅箔的工序以及對(duì)該銅箔的M面實(shí)施表面處理而使該M面的Rz在1.0um以下、Ra在O.2um以下的工序,所述硫酸銅浴中,銅濃度為5080g/1,硫酸濃度為3070g/1,液溫為3545。C,氯濃度為0.0130卯m,有機(jī)硫類(lèi)化合物、低分子量膠和高分子多糖類(lèi)的總添加濃度為O.l100卯m,T0C(總有機(jī)碳)在400卯m以下。本發(fā)明的電路基板在前述表面處理銅箔的M面貼附膜而成。如果采用本發(fā)明,.可以提供M面的粗糙度達(dá)到Rz在l.Oum以下、Ra在0.2ura以下的平滑的表面處理電解銅箔。因此,本發(fā)明的表面處理電解銅箔由于M面的Rz、Ra小,表面的凹凸少,所以作為使用M面的電路基板(印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜)用銅箔,具有良好的辨認(rèn)性,可以構(gòu)成精細(xì)布圖電路。此外,如果采用本發(fā)明的銅箔制造方法,M面的粗糙度平滑,可以長(zhǎng)時(shí)間使用轉(zhuǎn)鼓,因此可以提供生產(chǎn)性提高、品質(zhì)得到長(zhǎng)時(shí)間維持的制造方法,可以提供成本得到控制的電解銅箔。具體實(shí)施方式本發(fā)明中,表面處理銅箔中使用的電解銅箔的厚度較好是lixm70pm。如果銅箔的厚度小于lnm,則制造時(shí)無(wú)法從電解轉(zhuǎn)鼓上順利地剝離,即使剝離也出現(xiàn)皺紋等,無(wú)法順利地巻取,因此是不現(xiàn)實(shí)的。此外,箔厚超過(guò)70nm時(shí),超出了COF用或FPC用銅箔的規(guī)格,因此是不理想的,但在這些用途之外,如果需要可以不拘泥于上述厚度而采用厚銅箔。本發(fā)明的電解銅箔中,作為M面的粗糙度,Rz在lum以下,而且Ra在0.2um以下。使Rz在l.Oiim以下是因?yàn)橹匾暷さ谋嬲J(rèn)性,Rz在l.Onm以上時(shí),表面粗糙,膜的辨認(rèn)性變得不足。此外,使Ra在0.2um以下是為了抑制銅箔表面的波紋,即使Rz在1.0ura以下,但Ra在0.2um以上時(shí),表面波紋也會(huì)影響膜的辨認(rèn)性。如果Rz在l.Oum以下且Ra在O.20wm以下,可以使貼附于膜上并蝕刻后經(jīng)蝕刻的部分的膜的霧度值在30以下。另外,更好是Rz在0.8um以下且Ra在0.15um以下。本發(fā)明中,制造要對(duì)電解銅箔的M面實(shí)施表面處理的電解銅箔(以下稱(chēng)為未處理電解銅箔)時(shí),使用硫酸銅鍍?cè)∽鳛殂~鍍?cè) 1景l(fā)明與以往的浴相比,降低了硫酸濃度、浴溫、氯濃度,使添加劑的效果增大,提高M(jìn)面的平滑性。以往的硫酸銅鍍?cè)『捅景l(fā)明的浴條件的比較示于表l。[表l]硫酸銅鍍?cè)l件<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>上述制造電解銅箔的硫酸銅鍍?cè)≈?,作為添加劑添加有機(jī)硫類(lèi)化合物以及除此以外的至少l種以上的有機(jī)化合物。作為有機(jī)硫類(lèi)化合物,可以例舉3-巰基-l-丙磺酸、雙(3-磺丙基)二硫化物等。此外,作為其它有機(jī)化合物,可以使用膠、高分子表面活性劑、含氮有機(jī)化合物等。膠特別好是低分子量的。作為高分子表面活性劑,可以例舉羥乙基纖維素、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇二甲醚、聚環(huán)氧乙垸等。作為含氮有機(jī)化合物,可以例舉聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺等。作為添加劑,在O.1100ppra的范圍內(nèi)以不同的量和比例添加有機(jī)硫類(lèi)化合物以及除此以外的至少l種以上的有機(jī)化合物。此外,加入添加劑時(shí)的TOC(TOC二TotalOrganicCarbo『總有機(jī)碳,液體中所含的有機(jī)物中的碳量)的測(cè)定結(jié)果較好是在400ppm以下,如果TOC的數(shù)值過(guò)大,銅箔中混入大量雜質(zhì),對(duì)重結(jié)晶等有較大影響,所以鍍?cè)≈械腡OC的值較好是在400ppm以下。此外,上述電解銅箔較好是常態(tài)下抗拉強(qiáng)度在400N/mm2以下。一般,幾乎不含雜質(zhì)等的電解銅箔經(jīng)歷熱過(guò)程后發(fā)生應(yīng)變的容易軟化。因此,通常抗拉強(qiáng)度高的銅箔表現(xiàn)出容易軟化的傾向。如果熱軟化劇烈,則容易由于將表面處理銅箔與膜貼合時(shí)的熱量而發(fā)生伸長(zhǎng)和皺紋等問(wèn)題,因此較好是維持一定程度的抗拉強(qiáng)度的銅箔。因此,常態(tài)下抗拉強(qiáng)度不高的銅箔更適合于印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜用電路板。因此,抗拉強(qiáng)度較好是在400N/mm2以下。此外,如果伸長(zhǎng)率過(guò)低,則發(fā)生箔破裂或流水線中的處理變得困難的問(wèn)題,因此較好是常態(tài)下具有3%以上的伸長(zhǎng)率的銅箔。這樣將對(duì)M面進(jìn)行了表面處理的銅箔的抗拉強(qiáng)度和伸長(zhǎng)率規(guī)定為常態(tài)下在400N/mm2以下、伸長(zhǎng)率在3%以上是因?yàn)檫@樣的銅箔適合于印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜用電路板。至少對(duì)上述未處理電解銅箔的M面進(jìn)行表面處理。表面處理至少鍍覆l種以上的金屬。該金屬可以例舉Ni、Zn、Cr、Co、Mo、P的單質(zhì)或者它們的合金或水合物。作為鍍覆金屬的處理的一例,鍍覆Ni、Mo、Co、P中的至少l種金屬或含有l(wèi)種金屬的合金后,鍍覆Zn,鍍覆Cr。Ni或Mo等由于蝕刻性變差,因此較好是在3mg/dm2以下。此外,對(duì)于Zn,如果鍍覆量過(guò)多,蝕刻時(shí)會(huì)引起溶解剝離強(qiáng)度的劣化,因此較好是在2mg/din2以下。上述金屬的鍍?cè)『湾兏矖l件的一例如下。Ni鍍?cè)i..............................10100g/lH3B03...........................l50g/lP02..............................l10g/l浴溫...........................1070°C電流密度.....................150A/dm2處理時(shí)間.....................l秒2分鐘pH..............................2.04.0Ni-Mo鍍?cè)i..............................10100g/lMo..............................l30g/l檸檬酸三鈉二水合物……30200g/l浴溫...........................1070°C電流密度.....................l50A/dm2處理時(shí)間.....................l秒2分鐘pH..............................1.04.0Mo-Co鍍?cè)o..............................l20g/lCo..............................l10g/l檸檬酸三鈉二水合物……30200g/l浴溫...........................1070°C電流密度.....................l50A/dm2處理時(shí)間.....................l秒2分鐘Zn鍍?cè)n..............................l30g/lNaOH...........................10300g/l浴溫...........................560°C電流密度.....................0.l10A/dm:處理時(shí)間.....................l秒2分鐘Cr鍍?cè)n..............................0.540g/l浴溫...........................2070°C電流密度.....................0.l10A/dm:處理時(shí)間.....................l秒2分鐘pH..............................3.0以下較好是鍍覆了這些金屬的表面上涂布硅烷。對(duì)于涂布的硅烷,可以例舉一般所使用的氨基類(lèi)、乙烯基類(lèi)、氰基類(lèi)、環(huán)氧類(lèi)。特別是貼附的膜為聚酰亞胺的情況下,氨基類(lèi)或氰基類(lèi)硅垸表現(xiàn)出提高剝離強(qiáng)度的效果。在實(shí)施了這些處理的表面處理銅箔上貼附膜,制成印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜用電路板、柔性電路板。對(duì)上述表面處理銅箔的M面以n二20從上方觀察50umX50um的范圍時(shí),較好是大小為平均直徑2iim以上的突起物在平均3個(gè)以下。如果突起物的數(shù)量多,則不僅對(duì)辨認(rèn)性產(chǎn)生影響,而且不得不延長(zhǎng)蝕刻的處理時(shí)間,可能會(huì)降低精細(xì)布圖性。在上述表面處理銅箔上貼附膜并蝕刻貼附的銅箔后測(cè)定霧度值的情況下,該霧度值較好是在30以下。這是因?yàn)椋绻F度值大于30,則辨認(rèn)性變差,是不理想的。上述表面處理銅箔如果平滑性等得到保持,則結(jié)晶粒的形狀不論是柱狀還是粒狀都沒(méi)有問(wèn)題,如果考慮到彎曲性、蝕刻性等,上述表面處理銅箔較好是粒狀晶。以下,基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明,但本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。<制箔1、實(shí)施例116>將表2所示的組成的硫酸銅鍍液(以下稱(chēng)為電解液)通過(guò)活性炭過(guò)濾器,進(jìn)行凈化處理。本實(shí)施例中使用的添加劑中,有機(jī)硫類(lèi)化合物為3-巰基-l-丙磺酸鈉(MPS),低分子量膠為PBF(株式會(huì)社二、;/匕。制),高分子多糖類(lèi)為羥乙基纖維素(HEC)。將這些添加劑以表3所示的濃度添加到經(jīng)凈化處理的電解液中,調(diào)制實(shí)施例116的制箔用電解液。使用這樣調(diào)制的電解液,陽(yáng)極使用貴金屬氧化物被膜鈦電極,陰極使用鈦制轉(zhuǎn)鼓,在表3所示的條件下通過(guò)電解制箔制造銅箔。<制箔2、比較例118〉將表2所示的組成的電解液通過(guò)活性炭過(guò)濾器,進(jìn)行凈化處理。接著,將表3所示的添加劑按各自的濃度添加到該電解液中,調(diào)制比較例118的制箔用電解液。使用這樣調(diào)制的電解液,與實(shí)施例同樣地,陽(yáng)極使用貴金屬氧化物被膜鈦電極,陰極使用鈦制轉(zhuǎn)鼓,在表3所示的條件下通過(guò)電解制箔制造銅箔?!幢砻嫣幚?、實(shí)施例116>對(duì)前述實(shí)施例116中制得的未處理電解銅箔進(jìn)行表面處理。陽(yáng)極使用不溶性電極,將銅箔通過(guò)以Ni、Zn、Cr的順序排列的各鍍?cè)〉牟?,進(jìn)行鍍覆。鍍覆Ni、Zn、Cr后,涂布氨基類(lèi)硅烷,制成表面處理銅箔。鍍覆條件和硅烷涂布量示于表4、表5?!幢砻嫣幚?、比較例118〉對(duì)前述比較例118中制得的未處理電解銅箔進(jìn)行表面處理。與實(shí)施例同樣地,陽(yáng)極使用不溶性電極,將銅箔通過(guò)以Ni、Zn、Cr的順序排列的各鍍?cè)〉牟?,進(jìn)行鍍覆。鍍覆Ni、Zn、Cr后,涂布氨基類(lèi)硅垸,制成表面處理銅箔。鍍覆條件和硅烷涂布量示于表4、表5。〈表面粗糙度的評(píng)價(jià)〉使用接觸式表面粗糙度儀測(cè)定各實(shí)施例和各比較例中制造的表面處理銅箔的表面粗糙度Rz、Ra。表面粗糙度Rz、Ra是JISB0601-1994"表面粗糙度的定義和表示"所規(guī)定的粗糙度,Rz為"十點(diǎn)平均粗糙度",Ra為"算術(shù)平均粗糙度"?;鶞?zhǔn)長(zhǎng)度以0.8mm進(jìn)行。結(jié)果示于表6?!挫F度值的評(píng)價(jià)〉霧度值由JISK7105-1981"塑料的光學(xué)特性試驗(yàn)方法"規(guī)定,是透明性的評(píng)價(jià)指標(biāo)。值越小,則透明性越高。在實(shí)施例、比較例中制造的前述表面處理銅箔的M面貼附膜后,對(duì)貼附了的銅箔進(jìn)行蝕刻除去,使用霧度計(jì)對(duì)經(jīng)蝕刻除去的膜面進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定結(jié)果一并示于表6?!纯估瓘?qiáng)度、伸長(zhǎng)特性的評(píng)價(jià)〉使用拉伸試驗(yàn)機(jī)對(duì)各實(shí)施例和各比較例中制造的前述表面處理銅箔的常態(tài)和氮?dú)鈿夥罩幸?0(TC加熱處理1小時(shí)后的抗拉強(qiáng)度、伸長(zhǎng)特性進(jìn)行測(cè)定。結(jié)果示于表7。<表面突起物的評(píng)價(jià)>對(duì)各實(shí)施例和各比較例中制造的未處理銅箔,用顯微鏡放大觀察50"mX50um的范圍,通過(guò)肉眼計(jì)數(shù)大小在平均直徑2um以上的銅突起物的數(shù)量。計(jì)數(shù)在銅箔表面隨機(jī)取20點(diǎn)進(jìn)行。結(jié)果示于表8?!次g刻特性的評(píng)價(jià)〉對(duì)各實(shí)施例和各比較例中制造的未處理銅箔進(jìn)行蝕刻特性的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)方法為,對(duì)以L/S(線寬/間距)=10um/10"m、L/S=30um/30um、L/S=50um/50um的條件在M面上設(shè)置了掩模的樣品用氯化銅溶液進(jìn)行一定時(shí)間的蝕刻,評(píng)價(jià)電路布圖的直線性。結(jié)果示于表9。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>抗拉強(qiáng)度、伸長(zhǎng)特性的評(píng)價(jià)<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>[表8]表面突起物的評(píng)價(jià)<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>上述表面粗輝度和霧度值的評(píng)價(jià)中,實(shí)施例l16的M面的Rz在1.0um以下,Ra在0.20um以下,霧度值在30以下。與之相對(duì),比較例118與實(shí)施例116相比,M面的Rz、Ra、霧度值大,Ra在0.20um以上,霧度值在30以上。此外,比較例中,雖然M面的Rz與實(shí)施例同等,但Ra和霧度值大出許多。因此,認(rèn)為實(shí)施例相對(duì)于比較例,不僅M面的粗糙度小,而且表面的大的凹凸少。上述抗拉強(qiáng)度、伸長(zhǎng)特性的評(píng)價(jià)中,實(shí)施例116和比較例114在常態(tài)下抗拉強(qiáng)度為300330N/mra2,氮?dú)庵杏?0(TC加熱處理l小時(shí)后為230250N/mm2,而比較例1518在常態(tài)下抗拉強(qiáng)度為550570N/mm2,氮?dú)庵杏?00。C加熱處理1小時(shí)后為170180N/mm2。貼附膜而用作印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜的情況下,如果熱軟化劇烈,則設(shè)置箔時(shí)容易產(chǎn)生拉伸、鈹紋等問(wèn)題,因此較好是維持一定程度的抗拉強(qiáng)度的銅箔。因此,實(shí)施例116適合用作印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜用銅箔。表面突起物的評(píng)價(jià)中,實(shí)施例l16在50umX50um的范圍內(nèi)的大小為平均直徑2um以上的銅的突起物的數(shù)量都在2個(gè)以下。與之相對(duì),比較例118在50nmX50um的范圍內(nèi)的大小為平均直徑2um以上的銅的突起物的數(shù)量都在3個(gè)以上。因此,認(rèn)為實(shí)施例相對(duì)于比較例,表面的突起物少,平滑性良好。蝕刻特性的評(píng)價(jià)中,實(shí)施例l16在L/S^10um/10um、L/S=30um/30um、L/S二50um/50um的情況下,電路布圖都表現(xiàn)出良好的直線性。與之相對(duì),比較例l14的L/S二10um/10um的電路布圖無(wú)法獲得良好的直線性。另外,比較例1518的L/S二10pm/10um、L/S=30Pm/30um的電路布圖無(wú)法獲得良好的直線性。因此,認(rèn)為實(shí)施例相對(duì)于比較例,蝕刻特性良好。如果采用本發(fā)明,則可以提供使M面的粗糙度為Rz:1.0um以下、Ra:0.2"m以下的平滑的表面處理電解銅箔。因此,本發(fā)明的表面處理電解銅箔的M面的Rz、Ra小,表面的凹凸少,所以作為使用M面的電路基板(印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜)用銅箔,具有良好的辨認(rèn)性,可以構(gòu)成精細(xì)布圖電路。此外,如果采用本發(fā)明的銅箔制造方法,M面的粗糙度平滑,可以長(zhǎng)時(shí)間使用轉(zhuǎn)鼓,因此可以提供生產(chǎn)性提高、品質(zhì)長(zhǎng)時(shí)間得到維持的制造方法,可以提供成本得到控制的電解銅箔。權(quán)利要求1.表面處理電解銅箔,其特征在于,將作為電解銅箔的與轉(zhuǎn)鼓接觸面相反側(cè)的M面實(shí)施表面處理,該M面的Rz在1.0μm以下,Ra在0.2μm以下。2.如權(quán)利要求l所述的表面處理電解銅箔,其特征在于,在經(jīng)表面處理的前述M面中,面積為50nmX50um的范圍內(nèi)具有平均直徑2nm以上大小的銅的突起物在3個(gè)以下。3.如權(quán)利要求l所述的表面處理電解銅箔,其特征在于,在經(jīng)表面處理的前述M面上貼附膜并通過(guò)蝕刻處理除去前述銅箔后的前述膜的霧度值在30以下。4.如權(quán)利要求l所述的表面處理電解銅箔,其特征在于,前述銅箔為粒狀結(jié)晶。5.如權(quán)利要求l所述的表面處理電解銅箔,其特征在于,抗拉強(qiáng)度在400N/mW以下,而且伸長(zhǎng)率在3%以上。6.如權(quán)利要求l所述的表面處理電解銅箔,其特征在于,在經(jīng)表面處理的前述M面附著有Ni、Zn、Cr、Co、Mo、P的單質(zhì)或者它們的合金或水合物的至少l種以上。7.表面處理電解銅箔的制造方法,其特征在于,包括使用硫酸銅浴以電流密度為2050A/dm2的條件進(jìn)行電解鍍銅而制造銅箔的工序以及對(duì)該銅箔的M面實(shí)施表面處理而使該M面的Rz在l.O"m以下、Ra在O.2ym以下的工序'所述硫酸銅浴中,銅濃度為5080g/1,硫酸濃度為3070g/1,液溫為3545。C,氯濃度為0.0130ppm,有機(jī)硫類(lèi)化合物、低分子量膠和高分子多糖類(lèi)的總添加濃度為O.1100ppm,T0C(總有機(jī)碳)在400ppm以下。8.電路基板,其特征在于,在權(quán)利要求1所述的表面處理銅箔的前述M面貼附膜而成。9.電路基板,其特征在于,在通過(guò)權(quán)利要求7所述的表面處理銅箔的制造方法制造的表面處理銅箔的前述M面貼附膜而成。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供不采用受到自轉(zhuǎn)鼓表面轉(zhuǎn)印的條紋的影響的S面而具有減少了表面凹凸的平滑的M面的表面處理電解銅箔。所述表面處理電解銅箔中,對(duì)作為電解銅箔的與轉(zhuǎn)鼓接觸的面相反側(cè)的面的M面實(shí)施了表面處理,該M面的Rz在1.0μm以下,Ra在0.2μm以下。所述表面處理電解銅箔通過(guò)以下的表面處理電解銅箔的制造方法制造使用硫酸銅浴以電流密度為20~50A/dm<sup>2</sup>的條件進(jìn)行電解鍍銅,制造銅箔,對(duì)該銅箔的M面實(shí)施表面處理,使該M面的Rz在1.0μm以下、Ra在0.2μm以下,所述硫酸銅浴中,銅濃度為50~80g/l,硫酸濃度為30~70g/l,液溫為35~45℃,氯濃度為0.01~30ppm,有機(jī)硫類(lèi)化合物、低分子量膠和高分子多糖類(lèi)的總添加濃度為0.1~100ppm,TOC在400ppm以下。文檔編號(hào)C25D5/48GK101126168SQ20071012640公開(kāi)日2008年2月20日申請(qǐng)日期2007年6月6日優(yōu)先權(quán)日2006年6月7日發(fā)明者松本貞雄,鈴木裕二,齋藤貴広申請(qǐng)人:古河電路銅箔株式會(huì)社
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