專利名稱：用于印刷電路板的鍍鉻的銅的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及處理銅的工藝，更具體地說，涉及在銅箔的至少一個(gè)側(cè)面上鍍覆金屬的工藝。
背景技術(shù)：
銅箔用于印刷電路板的制造。在印刷電路板的制造中，通常需要將銅箔粘接到介質(zhì)基片上，以提供具有尺寸和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的箔。盡管銅箔是良好的電導(dǎo)體，但在銅箔的使用中存在一些固有的問題。例如，銅很容易氧化和腐蝕，并且銅本身，不管是平板狀的還是卷饒的，都不能很好地粘接到這種基片上。還知道銅加速或催化介質(zhì)基片的分解。由于這些原因，通常銷售的銅箔表面帶有一個(gè)或多個(gè)保護(hù)層。
已知淀積在銅箔上的薄鉻層大量應(yīng)用于印刷電路板。有兩種方法在銅表面淀積薄鉻層，一個(gè)是電沉積工藝，另一個(gè)是真空淀積工藝。
電沉積工藝有幾個(gè)不利的方面。首先，該工藝需用對(duì)環(huán)境有害的材料，該材料很難和要花很大的代價(jià)來處理和處置。此外，這種工藝不精密，效率也不高。
關(guān)于真空淀積工藝，為了保證鍍覆的鉻和銅之間滿意的附著，需要對(duì)銅進(jìn)行徹底的和嚴(yán)格的預(yù)處理，以便在真空淀積鉻之前從銅的表面除去氧化銅。
本發(fā)明克服了這些和其它的問題，并提供了一種不需要徹底嚴(yán)格的預(yù)處理工藝，就能通過真空淀積工藝形成鍍覆了金屬的銅的方法。
發(fā)明概述根據(jù)本發(fā)明，提供有一種在銅層上鍍覆電阻性材料的方法，包括步驟通過在銅層表面鍍覆穩(wěn)定層來穩(wěn)定銅層的表面，所述穩(wěn)定層由氧化鋅、氧化鉻、鎳、氧化鎳或其組合構(gòu)成，并具有大約5-70的厚度；和在所述銅層的穩(wěn)定表面上汽相淀積導(dǎo)電的電阻性材料。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供有一種片材，由反處理銅箔(reverse treated copper foil)構(gòu)成，該反處理銅箔具有不光滑面和進(jìn)行了處理在其上形成了微瘤(micronodule)的光亮面。在銅箔的處理了的光亮面上設(shè)置有穩(wěn)定層。該穩(wěn)定層由氧化鋅、氧化鉻或其組合構(gòu)成，并具有大約5-70的厚度。在所述穩(wěn)定層上淀積有汽相淀積的電阻性材料。
本發(fā)明的目的之一是提供一種用于制造印刷電路板的鍍鉻的銅層。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種通過真空淀積工藝形成如上所屬鍍鉻銅層的方法，所述工藝在淀積鉻之前不需要對(duì)銅表面進(jìn)行徹底、嚴(yán)格的預(yù)清洗。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種在銅表面上真空淀積金屬的方法。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供如上所述的、總的、連續(xù)的工藝。
本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供一種其上具有電阻性材料層的銅部件，由于制造印刷電路板。
從下面結(jié)合附圖和附加的權(quán)利要求對(duì)最佳實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述和其他目的將變得一目了然。


在某些部件和部件的排列中，本發(fā)明可以采用物理形式，在說明書中將詳細(xì)描述和在附圖中說明本發(fā)明的最佳實(shí)施例。在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明，在銅箔表面上鍍覆金屬的工藝示意圖；圖2是沿圖1的2-2線得到的擴(kuò)大的截面圖，顯示了銅箔片；圖3是沿圖1的3-3線得到的擴(kuò)大的截面圖，顯示了圖2的其上具有穩(wěn)定層的銅箔片；圖4沿圖1的3-3線得到的擴(kuò)大的截面圖，顯示了在其不光滑面上具有汽相淀積金屬的銅片；圖5是反處理銅箔片的放大的截面圖，在其光亮面上具有微瘤；圖6是圖5所示的在其相對(duì)的表面上帶有穩(wěn)定層的銅箔的擴(kuò)大的截面；圖7是圖6所示的在其不光滑面上帶有汽相淀積電阻層的銅箔的擴(kuò)大的截面；圖8是由圖7所示的電阻箔形成的電阻元件的頂透視圖；圖9是對(duì)于兩個(gè)電阻合金，片阻與厚度的關(guān)系圖；圖10反處理銅箔的擴(kuò)大的截面圖，在其光亮面上具有微瘤，在微瘤上汽相淀積電阻層；圖11是傳統(tǒng)的電沉積(electroform)的銅箔片的擴(kuò)大截面圖，在其光亮面上具有汽相淀積電阻層；圖12是傳統(tǒng)銅箔片的不光滑面的擴(kuò)大的截面圖，該不光滑面上具有微瘤，在微瘤上汽相淀積電阻層；和圖12A是圖12的區(qū)域12A的擴(kuò)大圖。
最佳實(shí)施例的詳細(xì)描述本發(fā)明涉及在銅的表面鍍覆金屬的工藝，這里所用的術(shù)語“金屬”是指通過本文所公開的方法能夠進(jìn)行真空淀積的金屬和合金。本發(fā)明特別適用于在銅箔上鍍鉻，并用其作為特例來描述本發(fā)明，然而應(yīng)當(dāng)理解所公開的方法也可以用于在銅箔上鍍覆金屬如鋁、鎳、銅、鐵、銦、鋅、鉭、錫、釩、鎢、鋯、鉬及其合金。
本發(fā)明所用的銅箔可以采用兩種工藝制造。通過例如軋制工藝，用機(jī)械方法減小銅或銅合金帶或錠的厚度來制造鍛制的或軋制的銅箔。通過在旋轉(zhuǎn)的陰極筒上電化學(xué)沉積銅離子，然后從陰極上剝離所淀積的箔來制造電鍍箔。本發(fā)明用電鍍銅箔更有利。
銅箔一般具有大約0.0002英寸到大約0.02英寸的標(biāo)稱厚度。銅箔的厚度有時(shí)用銅箔的重量表示，一般本發(fā)明的箔具有從大約1/8到大約14盎司每平方英尺(oz/ft2)的重量或厚度。特別適用的銅箔是那些具有1/3、1/2、1或2 oz/ft2重量的銅箔。
電鍍的銅箔具有光滑或光亮(筒)面和粗糙或不光滑面(銅淀積生長(zhǎng)的表面)。通過本發(fā)明的工藝鍍覆的穩(wěn)定層可以加到箔的任何一面，有時(shí)加到兩面上。在一個(gè)實(shí)施例中，通過本發(fā)明的工藝鍍覆的層加到箔的光亮一面。
在其表面覆蓋了通過本發(fā)明的工藝鍍覆的層的箔可以是“標(biāo)準(zhǔn)輪廓表面”、“低輪廓表面”或“非常低的輪廓表面”。實(shí)用的例子包含用具有低頁面或非常低的頁面的箔。這里所用的術(shù)語“標(biāo)準(zhǔn)頁面”是指Rtm(IPC-MF-150F)大于10.2微米的箔表面。術(shù)語“低頁面”是指Rtm(IPC-MF-150F)小于10.2微米的箔表面，“非常低的頁面”是指Rtm(IPC-MF-150F)小于5.1微米的箔表面。Rtm(IPC-MF-150F)是從每五個(gè)連續(xù)采樣測(cè)量結(jié)果得出的最大峰-谷垂直測(cè)量結(jié)果的平均值，可以利用英國(guó)累斯特城Rank Taylor Hobson公司出售的SURTRONIC3輪廓儀來測(cè)定。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，本發(fā)明并不只是應(yīng)用于在其表面具有穩(wěn)定層的銅箔，還應(yīng)用于已經(jīng)淀積或粘接到其它的基片上、以及在淀積之后或粘接到其它基片之前或之后在其表面加了穩(wěn)定層的銅層。這種基片包含(但并不限于)聚酰亞胺(見美國(guó)專利Nos.5,685,970和5,681,443，這里引入作為參考)、其它的聚合基片、有機(jī)基片、鋁(見美國(guó)專利No.5,153,050，這里引入作為參考)、金屬基片(見美國(guó)專利No.5,674,596，這里引入作為參考)或銅和INVAR的疊層。
現(xiàn)在參考附圖，其中附圖只是為了說明本發(fā)明的最佳實(shí)施例，并不是限制必須一樣，圖1是用于在銅表面鍍覆金屬的總的制造工藝10的示意圖，說明本發(fā)明的最佳實(shí)施例。在所示的實(shí)施例中，卷11提供了普通的連續(xù)銅箔帶12。圖2是放大的銅箔12的截面圖。銅箔12具有光亮面14和粗糙面16。(在圖中，為了說明，夸張地示出了銅箔12的粗糙面16)。
銅箔12最好經(jīng)過第一清洗工序，圖中用20表示，以清除其表面上的氧化物膜。在所示的實(shí)施例中，銅箔12通過導(dǎo)向滾輪被傳送到圍繞著導(dǎo)向輥24的桶22中。桶22含有清洗溶液，以便從銅箔12的表面移去銅氧化膜。為了清洗銅箔12，一般可以用包含10-80g/LH2SO4的酸溶液。在一個(gè)實(shí)施例中，用50g/l H2SO4以移去銅箔12上的銅氧化層。
清洗工序20之后，銅箔12進(jìn)行漂洗工序，標(biāo)號(hào)為30，其中噴射部件32放在銅箔12的上方和下方，用水噴射銅箔12的表面。桶34方在噴射部件32的下方，收集噴射的水。
清洗工序20和漂洗工序30之后，銅箔12進(jìn)行穩(wěn)定化工序，標(biāo)號(hào)為40。銅箔12被引到圍繞導(dǎo)向輥44的桶42中，桶42含有電解溶液。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，電解溶液含有鋅離子和鉻離子。為電解溶液提供鋅離子的可以是任何鋅鹽，例如ZnSO4、ZnCO3、ZnCr5O4等。為電解液提供鉻離子的可以是任何六價(jià)的鉻鹽或化合物，例如ZNCrO4、CrO3等。
電解液中鋅離子的濃度通常在大約0.1-2g/l的范圍內(nèi)，較好的是在大約0.3-0.6g/l的范圍內(nèi)，更好的是在大約0.4-0.5g/l的范圍內(nèi)。電解液中鉻離子的濃度通常在大約0.3-5g/l的范圍內(nèi)，較好的是在大約0.5-3g/l的范圍內(nèi)，更好的是在大約0.5-1.0g/l的范圍內(nèi)。
在另一個(gè)實(shí)施例中，還可以通過自淀積或者通過與氧化鋅或與氧化鉻或與二者一起共淀積氧化鎳或鎳金屬來形成穩(wěn)定層。為電解液提供鎳離子的可以是下列任何單獨(dú)的或相結(jié)合的材料Ni2SO4、NiCO3等。
電解液中的鎳離子的濃度通常在大約0.2g/l至大約1.2g/l的范圍內(nèi)。
在另一個(gè)實(shí)施例中，可以采用其它的穩(wěn)定層例如在美國(guó)專利No.5,908,544中所公開那些含磷的層，這里引入該專利文獻(xiàn)作為參考。
該電解液可以包含其它傳統(tǒng)的添加劑，例如濃度在大約1-50g/l范圍內(nèi)的Na2SO4，較好的是濃度在大約10-20g/l，更好的是大約12-18g/l。電解液的PH值通常在大約3-6的范圍內(nèi)，較好的是大約4-5，更好的是大約4.8-5.0。
電解液的溫度通常為大約20-100℃，較好的是大約25-45℃，更好的是大約26-44℃。
如圖1所示，陽極48放在與銅箔12的每個(gè)表面臨近的位置，對(duì)銅箔12施加電流密度。導(dǎo)向滾輪46是陰極滾輪，其中當(dāng)通過電源(未示出)給陽極48供電時(shí)，在暴露的銅箔12的光亮面14和不光滑面16上淀積了由氧化鋅和氧化鉻組成的穩(wěn)定層49。圖3是截面圖，顯示了在光亮面14和不光滑面16上具有穩(wěn)定層49的銅箔12。
電流密度通常在大約1-100安培/英尺2的范圍內(nèi)，較好的是大約25-50安培/英尺2，更好的是大約30安培/英尺2。當(dāng)采用多個(gè)陽極時(shí)，電流密度可以在陽極之間變化。
所用的電鍍時(shí)間通常在大約1-30秒的范圍內(nèi)，較好的是大約5-20秒，更好的是大約15秒。在一個(gè)實(shí)施例中，光亮面或光滑面的總處理時(shí)間大約是3-10秒，不光滑面的總處理時(shí)間大約是1-5秒。
在一個(gè)實(shí)施例中，電解液中鉻離子與鋅離子的摩爾比大約在0.2-10的范圍內(nèi)，較好的是大約1-5，更好的是大約1.4。
根據(jù)本發(fā)明，鍍覆到銅箔12上的穩(wěn)定層49的厚度大約為5-70，較好的是大約20-50。
在至此所描述的實(shí)施例中，穩(wěn)定層49由氧化鉻和氧化鋅組成。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，穩(wěn)定層49只由氧化鉻組成。用于鍍覆氧化鉻穩(wěn)定層的電解液的組成和化學(xué)性質(zhì)以及工藝條件如下1-10g/l的CrO3溶液5g/l的CrO3比較好PH-2
電解液溫度25℃10-30安培/英尺2加5-10秒或浸泡處理10秒穩(wěn)定工序40之后，帶有穩(wěn)定層49的銅箔12進(jìn)行漂洗工序，圖中用50表示。放在銅箔12上面和下面的噴射部件52往銅箔12(帶有穩(wěn)定層)的表面上噴射水，以漂洗和清潔銅箔的表面，沖去任何遺留的電解液。噴嘴52的下面放有桶54，收集漂洗液。
其上帶有穩(wěn)定層49的銅箔12進(jìn)行示意于圖1的烘干工序60。在所示的實(shí)施例中，加壓空氣干燥器放在銅箔12的上面和下面，將空氣吹到銅箔12上，以干燥銅箔表面。
根據(jù)本發(fā)明，鍍覆了穩(wěn)定層之后，在銅箔12的一個(gè)或兩個(gè)穩(wěn)定表面上真空淀積金屬。在圖1所示實(shí)施例中，在銅箔12的不光滑面16上鍍覆金屬。上述金屬可以是任何能夠真空淀積的金屬，包含那些選自由鋁、鎳、鉻、銅、鐵、銦、鋅、鉭、錫、釩、鎢、鋯、鉬及其合金。根據(jù)本發(fā)明，不需要其它的清潔或表面準(zhǔn)備，將金屬真空淀積到銅箔12上穩(wěn)定層49上。通過真空淀積技術(shù)例如濺射、化學(xué)汽相淀積、電子束淀積、熱蒸發(fā)、離子鍍覆(通過基片)或這些工藝的結(jié)合將金屬直接鍍覆到穩(wěn)定層49上，在所示的實(shí)施例中，示意性地說明了濺射工序70。如圖1所示，將其上具有穩(wěn)定層49的銅箔12傳送到由72所代表的淀積室，電子束槍74向靶76發(fā)射電子束，靶76由金屬構(gòu)成，使得金屬物質(zhì)被轟擊并淀積到銅箔12的表面上。在所示的實(shí)施例中，淀積工序在銅箔12的不光滑面鍍覆金屬。所鍍覆的金屬最好具有大約50-5000的厚度。在所示的實(shí)施例中，說明了單個(gè)的靶76，應(yīng)當(dāng)理解，如果需要也可以采用多個(gè)靶，可以將金屬鍍覆到箔12的不光滑面16和光亮面14兩個(gè)面上。
在本發(fā)明的最佳實(shí)施例中，鉻被濺射淀積到銅箔12的不光滑面16上，作為粘附層來加強(qiáng)銅箔與基片的附著力。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)前述工藝提供了具有好的粘附性能的鍍鉻的銅箔。
為了說明本發(fā)明，下面提供了一些例子。除非另外有說明，在下面的例子以及整個(gè)說明書和權(quán)利要求書中，所有的份和百分比都是指重量，所有的溫度都是攝氏度，所有的壓力都是常壓。
例1用穩(wěn)定層按如下方式預(yù)處理原材料電沉積銅箔(1/3oz/ft2)的兩個(gè)面穩(wěn)定化處理0.53g/l的鋅，如ZnSO4，0.6g/l的Cr，如CrO3，11g/l的Na2SO4電解液的PH5.0電解液的溫度42℃電流密度對(duì)于不光滑面為8-15amps/ft2對(duì)于光亮面為2-2.5amps/ft2鍍覆時(shí)間光亮面6-8s不光滑面3-4s然后將鉻鍍覆到穩(wěn)定層上濺射鉻
14”濺射設(shè)備功率5-8kw線性速度1.4-2.2ft/min鉻的厚度不光滑面1200光亮面1300例2用銅鍍覆聚酰亞胺膜的兩面(18μ銅/50μ聚酰亞胺膜/5μ銅/該產(chǎn)品是由Gould Electronics Inc.制造Gouldflex產(chǎn)品系列之一)，處理如下穩(wěn)定化處理0.53g/l的鋅，如ZnSO4，0.6g/l的Cr，如CrO3，11g/l的Na2SO4電解液的PH5.0電解液的溫度42℃電流密度對(duì)于兩面25amps/ft2鍍覆時(shí)間對(duì)于任何一面或兩面3-8s然后將鉻鍍覆到穩(wěn)定層上濺射鉻14”濺射設(shè)備功率5-8kw線性速度1.8-2.8ft/min鉻的厚度對(duì)于18μ銅表面10005μ的銅表面沒有鍍鉻例3用銅鍍覆聚酰亞胺膜的兩面(18μ銅/50μ聚酰亞胺膜/5μ銅/該產(chǎn)品是由Gould Electronics Inc.制造Gouldflex產(chǎn)品系列之一)，處理如下穩(wěn)定化處理5g/l的Cr，如CrO3電解液的PH2.0電解液的溫度25℃浸泡處理然后將鉻鍍覆到穩(wěn)定層上濺射鉻14”濺射設(shè)備功率5-8kw線性速度1.8-2.8ft/min鉻的厚度對(duì)于18μ銅表面1000例4用穩(wěn)定層預(yù)處理INVAR上電鍍8μ銅的兩面(8μCu/1.5milINVAR/8μCu)如下穩(wěn)定化處理0.53g/l的鋅，如ZnSO4，0.6g/l的Cr，如CrO3，11g/l的Na2SO4電解液的PH5.0電解液的溫度42℃
電流密度25amps/ft2鍍覆時(shí)間3-4s然后將鉻鍍覆到穩(wěn)定層上濺射鉻14”濺射設(shè)備功率5-8kw線性速度1.8-2.8ft/min鉻的厚度對(duì)于8μ銅表面1000上文和例子公開了在傳統(tǒng)的銅箔片上鍍覆金屬粘附鍍層。本發(fā)明還發(fā)現(xiàn)在銅箔上鍍覆電阻性材料層，用做印刷電路板的電阻箔是有利的。
圖5是反處理銅箔的截面圖，術(shù)語“反處理銅箔”通常用于該技術(shù)領(lǐng)域，指的是在銅箔的光亮面生成銅的微瘤后的銅箔，所提供的微瘤作為附著-加強(qiáng)層，在銅箔的光亮面或不光滑面形成作為附著加強(qiáng)層的瘤狀物是眾所周知的，本身不構(gòu)成本發(fā)明的任何部分。
在圖5-7所示的實(shí)施例中，處理具有不光滑面116和光亮面114的銅箔基材，以便在光亮面114上添加微瘤115。反處理銅箔112經(jīng)過與圖l所示相同的工藝，在這方面，銅箔112經(jīng)過如上所述的清洗工序20和漂洗工序30，以便從銅箔112的表面除去銅氧化物層。清洗工序20和漂洗工序30之后，銅箔112經(jīng)過穩(wěn)定工序40，其中在銅箔112的每個(gè)面上鍍覆了穩(wěn)定層149。
然后其上具有穩(wěn)定層149的銅箔112經(jīng)過干燥工序60如圖1所示。鍍覆了穩(wěn)定層149后，在銅箔112的一個(gè)穩(wěn)定表面上，真空淀積電阻性金屬179。在圖7所示的實(shí)施例中，將電阻性金屬179鍍覆到了銅箔112的穩(wěn)定的、不光滑的表面116上。形成的電阻性銅箔，已知可以是鎳和鉻的合金，或用鋁和硅作為摻雜物的鎳和鉻。其他的金屬和導(dǎo)電材料也可以用于形成電阻層179，最好其體電阻率大于銅。作為舉例而不是限制，鉑、鉭、鉻、硅化鉻、氮化鉭和氧化鉭可以用于形成電阻層179。
根據(jù)本發(fā)明，通過真空淀積技術(shù)例如濺射、化學(xué)汽相淀積、電子束淀積、熱蒸發(fā)、離子鍍覆(通過基片)或這些工藝的組合，在穩(wěn)定層149上直接鍍覆電阻材料179。在圖1所示的實(shí)施例中，示意性地示出了濺射工序70。較好的是，淀積工序70在銅箔112的不光滑面116上鍍覆電阻性合金層179，厚度在大約50和1000之間，更好的是在大約100和500之間。
為了說明本發(fā)明，提供了下列例子。除了另有說明，在下列例子以及整個(gè)說明書和權(quán)利要求中，所有的份和百分比都是指重量，所有的溫度都是攝式度，所有的壓力都是大氣壓。
例5用穩(wěn)定層預(yù)處理反處理電鍍的12μm銅箔的兩面，處理如下穩(wěn)定化處理0.53g/l的鋅，如ZnSO4，O.6g/l的Cr，如CrO3，11g/l的Na2SO4電解液的PH5.0電解液的溫度42℃電流密度對(duì)于不光滑面為8-15amps/ft2對(duì)于光亮面為2-2.5amps/ft2鍍覆時(shí)間光亮面6-8s不光滑面3-4s然后將包括80％鎳(Ni)和20％鉻(Cr)的合金鍍覆到穩(wěn)定層上濺射Ni/Cr合金14”濺射設(shè)備功率5-8kw線性速度1.4-2.2ft/minNi/Cr合金的厚度不光滑面大約為100片(sheet)阻大約160Ω/方例6用穩(wěn)定層預(yù)處理反處理電鍍銅箔12μm的兩面，處理如下穩(wěn)定化處理0.53g/l的鋅，如ZnSO4，0.6g/l的Cr，如CrO3，11g/l的Na2SO4電解液的PH5.0電解液的溫度42℃電流密度對(duì)于不光滑面為8-15amps/ft2對(duì)于光亮面為2-2.5amps/ft2鍍覆時(shí)間光亮面6-8s不光滑面3-4s然后將包括56％鎳(Ni)和38％鉻(Cr)，并且具有2％鋁(Al)和4％硅(Si)的摻雜物的合金鍍覆到穩(wěn)定層上濺射Ni/Cr/Al/Si合金14”濺射設(shè)備功率5-8kw線性速度1.4-2.2ft/minNi/Cr/Al/Si合金的厚度不光滑面大約為100片阻大約290Ω/方圖8是由圖7所示的電阻箔形成的電阻元件200的示意圖。為了清楚地說明，夸大了電阻元件200的各個(gè)部件。將圖7所示的電阻箔的不光滑面通過慣常已知的層疊技術(shù)接合到襯底202上。利用慣常已知的掩膜和蝕刻技術(shù)，沿著襯底202的表面部分形成了軌跡線212。移去軌跡線212的部分銅層112，只留下襯底202上的電阻層179。電阻層179的暴露部分在銅層112的分開的端部之間形成電導(dǎo)體。由于形成電阻層179的金屬一般具有比銅層112低的電導(dǎo)率，它主要作為銅層112的分開的端部之間的電阻器。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，電阻層179的厚度和寬度以及銅層112的端部之間的距離即在軌跡線212中形成的間隙的長(zhǎng)度，將影響電阻元件200的電阻。
圖9是顯示電阻層179和對(duì)于上述鎳(Ni)和鉻(Cr)合金的銅箔部件的電阻率之間關(guān)系曲線圖。如圖所示，當(dāng)電阻層179的厚度增加時(shí)，總的來說片阻下降。
圖5-7顯示了在其不光滑面上具有電阻層的反處理銅箔。圖10-12A顯示了可以由其它類型的穩(wěn)定銅箔形成的其它類型電阻箔。
與圖7類似，圖10顯示了由反處理銅箔形成的電阻箔，具有汽相淀積在銅箔112的光亮面114上的微瘤115上的電阻層179。
圖11顯示了沒有進(jìn)行微瘤表面處理的傳統(tǒng)的、電沉積的銅箔112。銅箔被穩(wěn)定化(層149)并且具有在其光亮面汽相淀積的電阻層179。
圖12和12A顯示了在其不光滑面116上進(jìn)行了微瘤表面處理的傳統(tǒng)的、電沉積的銅箔112。該銅箔被如上所述的穩(wěn)定化，并且在穩(wěn)定的不光滑面116上汽相淀積電阻層179。
上面描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解所描述的實(shí)施例只是為了說明，在不離開本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以作出各種變化和修改。例如，如果工序10是電沉積工序的延伸，其中新形成的銅直接進(jìn)入工序線10，可以不需要清洗工序。此外，描述了上面關(guān)于銅箔的工藝，可以用該工藝將金屬例如鉻鍍覆到包銅聚合物的部分上。這些修改和變化都應(yīng)包含在如或其等同物的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種在銅層上鍍覆電阻性材料的方法，包括步驟通過在銅層表面鍍覆穩(wěn)定層來穩(wěn)定銅層的表面，所述穩(wěn)定層由氧化鋅、氧化鉻、鎳、氧化鎳或其組合，并具有大約5-70的厚度；和在所述銅層的穩(wěn)定表面上汽相淀積導(dǎo)電的電阻性材料。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電阻性材料是從由鉻(Cr)/鎳(Ni)合金、鉑、硅化鉻、鉭、氮化鉭和氧化鉭構(gòu)成的阻中選出的。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述電阻性材料由基本上由鉻(Cr)和鎳(Ni)形成的合金構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述穩(wěn)定層由氧化鋅和氧化鉻的組合構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，電沉積所述銅箔，并且所述銅箔具有不光滑面和光亮面。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述銅箔是具有光亮面和不光滑面的反處理銅箔，所述光亮面具有鍍覆到其上的微瘤處理；所述鉻(Cr)/鎳(Ni)合金鍍覆到所述暗淡面。
7.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述穩(wěn)定層由氧化鉻構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述合金由重量百分比為大約80％的鎳(Ni)和大約20％的鉻(Cr)構(gòu)成的。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述合金由重量百分比為大約56％的鎳(Ni)、大約38％的鉻(Cr)和摻雜物構(gòu)成的，所述摻雜物由重量百分比為大約2％的鋁(Al)和大約4％的硅(Si)構(gòu)成的。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述銅箔具有光滑表面和鍍覆到所述光滑表面的所述電阻性材料。
11.一種片材，其構(gòu)成為反處理銅箔，具有不光滑面和進(jìn)行了處理在其上形成了微瘤的光亮面；在所述銅的一面上的穩(wěn)定層，所述穩(wěn)定層由氧化鋅、氧化鉻或其組合構(gòu)成，并具有大約5-70的厚度；在所述穩(wěn)定層上汽相淀積的電阻性材料。
12.如權(quán)利要求11所述的片材，其特征在于，所述穩(wěn)定層在所述銅的所述不光滑面上。
13.如權(quán)利要求11所述的片材，其特征在于，所述穩(wěn)定層在所述銅的所述光亮面上。
14.如權(quán)利要求11所述的片材，其特征在于，所述電阻性材料是從由鉻(Cr)/鎳(Ni)合金、鉑、硅化鉻、鉭、氮化鉭和氧化鉭構(gòu)成的組中選出的。
15.如權(quán)利要求14所述的片材，其特征在于，所述電阻性材料是基本上由鉻(Cr)和鎳(Ni)構(gòu)成的合金。
16.如權(quán)利要求15所述的片材，其特征在于，所述穩(wěn)定層由氧化鋅和氧化鉻構(gòu)成。
17.如權(quán)利要求15所述的片材，其特征在于，所述穩(wěn)定層由氧化鉻構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求14所述的片材，其特征在于，所述氧化鉻具有大約50-1000的厚度。
19.如權(quán)利要求14所述的片材，其特征在于，所述合金由重量百分比為大約80％的鎳(Ni)和大約20％的鉻(Cr)構(gòu)成的。
20.如權(quán)利要求14所述的片材，其特征在于，所述合金由重量百分比為大約56％的鎳(Ni)、大約38％的鉻(Cr)和摻雜物構(gòu)成的，所述摻雜物由重量百分比為大約2％的鋁(Al)和大約4％的硅(Si)構(gòu)成的。
全文摘要
一種片材,由處理后在其上具有穩(wěn)定層的銅箔構(gòu)成。該穩(wěn)定層由氧化鋅、氧化鉻或其組合構(gòu)成,具有5－70A的厚度。在穩(wěn)定層上提供汽相淀積的電阻性材料。
文檔編號(hào)C25D7/00GK1362538SQ0112353
公開日2002年8月7日 申請(qǐng)日期2001年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月31日
發(fā)明者王江濤, 約翰·卡拉漢, 丹·利利 申請(qǐng)人:Ga－Tek公司(商業(yè)活動(dòng)中稱為哥德電子公司)