用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法
【專利摘要】一種用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法，包括：對SOI片進(jìn)行清洗；淀積二氧化硅層；形成兩個壓阻以及電學(xué)連接線；光刻和刻蝕，形成窗口；刻蝕出局域修飾區(qū)，在雙端固支梁的表面生長金屬薄膜；生長掩膜層；在窗口內(nèi)掩膜層的表面刻蝕；刻蝕，得到雙端固支梁的懸空結(jié)構(gòu)；刻蝕，去除雙端固支梁上的掩膜層；選用一封裝蓋片，將封裝蓋片扣置鍵合在雙端固支梁器件的上面，形成反應(yīng)液體的微流道以及反應(yīng)腔；對雙端固支梁局域修飾區(qū)硅表面采用硅烷化處理。本發(fā)明可以提高雙端固支梁器件的成品率以及質(zhì)量靈敏度，降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】
用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造及工程領(lǐng)域，尤其涉及一種用于高靈敏生化檢 測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] MEMS是一門多學(xué)科交叉的新興學(xué)科，涉及精密機(jī)械、微電子材料科學(xué)、微細(xì)加工、 系統(tǒng)與控制等技術(shù)學(xué)科和物理、化學(xué)、力學(xué)、生物學(xué)等基礎(chǔ)學(xué)科。它將在21世紀(jì)的信息、通 信、航空航天、生物醫(yī)療等多方面獲得重大突破。諧振式梁結(jié)構(gòu)作為MEMS器件中一種重要的 結(jié)構(gòu)近年來已經(jīng)成為生化檢測以及醫(yī)學(xué)應(yīng)用的研究熱點[1]。巴塞爾大學(xué)采用微機(jī)械懸臂 陣列進(jìn)行了選擇性固定真菌和快速增長檢測酵母菌和黑曲霉菌絲體等研究[2-3]。2000年 D.Kashanin等人利用微流體生物芯片進(jìn)行細(xì)胞的指引和分離，研究了 T細(xì)胞與單克隆抗體 修飾后通道壁的相互作用，模擬自然細(xì)胞在毛細(xì)血管中受體與ligand相互作用，芯片的尺 寸只有曲別針大小，流體管道寬60um，深40um[4] 〇
[0003] MEMS生化傳感系統(tǒng)發(fā)展至今，已取得了極大的進(jìn)展，但是一些阻礙其性能提高的 關(guān)鍵性技術(shù)問題仍未解決:如何解決檢測過程中非特異性吸附問題;如何解決修飾及檢測 過程中整梁吸附時造成梁楊氏模量變化而引起的頻率變化;如何選擇密封性好可靠性高的 封裝方式;而造成目前制約MEMS生化傳感器在重大疾病檢測方面應(yīng)用的另一個重要因素是 在液態(tài)環(huán)境下（如血清、血漿等)MEMS器件質(zhì)量因子大幅下降，并且穩(wěn)定性降低。因此，開發(fā) 一種適用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的低成本大規(guī)模制作方法對推動 MEMS生化傳感器的實用化具有重要意義。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于，提供一種用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制 作方法，其可以提高雙端固支梁器件的成品率以及質(zhì)量靈敏度，降低生產(chǎn)成本。
[0005] 本發(fā)明提供一種用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法，該方 法包括：
[0006] 步驟1:對SOI片進(jìn)行清洗，該SOI片包括體硅、埋氧層和頂層硅；
[0007] 步驟2:在SOI片的頂層硅上淀積二氧化硅層，作為離子注入的掩膜層；
[0008] 步驟3:在頂層硅上形成兩個壓阻以及電學(xué)連接線；
[0009] 步驟4:在SOI片的頂層硅上對應(yīng)的兩個壓阻以及電學(xué)連接線的部分，在二氧化硅 層進(jìn)行光刻和刻蝕，形成窗口，刻蝕的深度至埋氧層的表面形成雙端固支梁，刻蝕時保留兩 個壓阻以及電學(xué)連接線，該雙端固支梁的長度大于兩個壓阻之間的距離；
[0010] 步驟5:在雙端固支梁上的二氧化硅層的中間刻蝕出局域修飾區(qū)，刻蝕深度到達(dá)雙 端固支梁內(nèi)；或者刻蝕深度到達(dá)雙端固支梁的表面，再在雙端固支梁的表面生長金屬薄膜；
[0011] 步驟6:在電學(xué)連接線的端部生長金屬薄膜，形成歐姆接觸金屬電極；
[0012] 步驟7:在雙端固支梁及窗口的表面生長一層掩膜層；
[0013] 步驟8:在窗口內(nèi)掩膜層的表面刻蝕，刻蝕深度到達(dá)體硅的表面，形成開口；
[0014] 步驟9:從開口處采用各向同性刻蝕方法得到雙端固支梁的懸空結(jié)構(gòu)，形成諧振 腔;或者在SOI體硅的背面生長掩膜層，再通過濕法腐蝕SOI的體硅至埋氧層的下表面的方 法得到雙端固支梁的懸空結(jié)構(gòu)，形成諧振腔；
[0015] 步驟10:采用濕法腐蝕或是干法刻蝕的方法去除雙端固支梁下表面的埋氧層，并 去除雙端固支梁上的掩膜層，最后得到微型雙端固支梁結(jié)構(gòu)；
[0016] 步驟11:選用一封裝蓋片，在封裝蓋片上制作出與雙端固支梁固定邊框相對應(yīng)的 微流道，以及進(jìn)出樣口；
[0017] 步驟12:將具有微流道和進(jìn)出樣口的封裝蓋片扣置鍵合在雙端固支梁器件的上 面，形成反應(yīng)液體的微流道以及反應(yīng)腔；
[0018] 步驟13:對雙端固支梁局域修飾區(qū)硅表面采用硅烷化處理，并偶聯(lián)氨基或醛基進(jìn) 行功能化修飾，具有金屬薄膜表面的雙端固支梁采用Au-S鍵方法偶聯(lián)氨基或醛基進(jìn)行生物 功能化修飾，沒有金薄膜表面的雙端固支梁采用微噴墨打印方法實現(xiàn)局域修飾，在陣列中 不同梁上局域修飾不同的功能層，并將沒有進(jìn)行生物功能化修飾的雙端固支梁作為參考 梁。
[0019]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明的有益效果是：
[0020] 本發(fā)明提供了用于高靈敏生化檢測的微型諧振式雙端固支梁傳感器的制造方法， 該方法是利用MEMS微納加工技術(shù)制作的雙端固支梁陣列，制作步驟簡單可靠，有利于提高 器件成品率。再經(jīng)過生物化學(xué)方法將敏感層局域制作在雙端固支梁表面，實現(xiàn)高靈敏度生 化傳感器的大規(guī)模制作，并且可適用于其他MEMS器件的大規(guī)模生產(chǎn)，具體包括：
[0021] 1、本發(fā)明對傳感器芯片的制作并未限定于某一種特定的MEMS結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于其它 結(jié)構(gòu)的MEMS器件制作。整個制作步驟所采用的都是常規(guī)的MEMS加工方法，成本低、可靠性 高，大幅提高了器件制作的成品率，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
[0022] 2、本發(fā)明中生物修飾方法也不局限于某一種特定的MEMS結(jié)構(gòu)和生物種類，其修飾 方法可廣泛用于硅表面或者金表面的生物蛋白修飾，整個修飾過程簡單、易操作、成本低且 可應(yīng)用于大規(guī)模修飾，降低了修飾過程中對器件的損傷，保證了器件的成品率。
[0023] 3、本發(fā)明中選用陣列式雙端固支梁結(jié)構(gòu)，通過具有局域特異性反應(yīng)生物敏感層的 工作梁和無特異性反應(yīng)生物敏感層的參考梁測量結(jié)果采取差分處理的方式，有效降低了非 特異性吸附問題而導(dǎo)致的測量誤差。除此之外，設(shè)置不同的梁尺寸，實現(xiàn)跨越兩個數(shù)量級的 檢測范圍。
【附圖說明】
[0024] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照 附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明，其中：
[0025] 圖1為陣列式微型雙端固支梁傳感器單元示意圖；
[0026] 圖2為制作微型雙端固支梁結(jié)構(gòu)生化傳感器實施例的工藝流程示意圖；
[0027] 圖3為制作封裝蓋片工藝流程示意圖；
[0028] 圖4為鍵合后的微型雙端固支梁剖面圖。
[0029] 附圖標(biāo)記說明：
[0030] 1.微型雙端固支梁；2.雙端固支梁局域修飾區(qū)；3.壓阻;4.窗口；5. SOI片頂層硅； 6. SOI片埋氧層;7. SOI片體硅;8.二氧化硅層;9.金屬薄膜；10.金屬電極；11.掩膜層；12.開 口； 13.諧振腔;14.封裝蓋片；15.微流道;16.生化反應(yīng)進(jìn)出樣口。
【具體實施方式】
[0031] 請參閱圖1-圖4,本發(fā)明提供一種用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器 的制作方法，該方法包括：
[0032] 如圖1所示，圖1為本發(fā)明中采用的陣列式雙端固支梁傳感器單元示意圖，具有六 根雙端固支梁1的陣列，兩種不同的尺寸，且每種尺寸有三根雙端固支梁1，其中兩個雙端固 支梁1作為工作梁，第三根雙端固支梁1作為參考梁。通過參考梁可以有效的消除外界環(huán)境 和非特異性吸附帶來的測量誤差，并且采用局域修飾方法，降低生物分子吸附后對雙端固 支梁的精度系數(shù)的改變，提高了傳感器的準(zhǔn)確定和可靠性。
[0033] 如圖2所示，為本發(fā)明提供的制作雙端固支梁結(jié)構(gòu)生化傳感器實施例的工藝流程 示意圖，該方法具體包括以下步驟：
[0034] 步驟1:對SOI片進(jìn)行清洗，如圖2(a)該SOI片包括體硅7厚度為400um、埋氧層6厚度 lum和頂層娃5厚度5um;
[0035]步驟2:在SOI片的頂層硅5上熱氧化生長一層2500埃的二氧化硅層8,作為離子注 入的保護(hù)掩膜層；
[0036] 步驟3:如圖2(b)所示，在頂層硅5上形成兩個壓阻以及電學(xué)連接線：對S0I片頂層 硅5上二氧化硅層8進(jìn)行光刻，并進(jìn)行第一次離子注入在雙端固支梁1根部兩端形成壓阻結(jié) 構(gòu)3;再對S0I片頂層硅5進(jìn)行光刻，進(jìn)行第二次離子注入，在遠(yuǎn)離雙端固支梁1的方向形成電 學(xué)連接線，采用壓阻方式檢出方法，制作工藝簡單，集成度高，利于便攜式應(yīng)用，其壓阻可在 雙端固支梁1任一支撐端，或是兩支撐端對稱同時制作；
[0037] 步驟4:如圖2(c)所示，在S0I片的頂層硅5上對應(yīng)的兩個壓阻以及電學(xué)連接線的部 分，在二氧化硅層8進(jìn)行光刻和刻蝕，形成窗口 4,刻蝕的深度至埋氧層6的表面形成雙端固 支梁1，刻蝕時保留兩個壓阻以及電學(xué)連接線，該雙端固支梁1的長度大于兩個壓阻之間的 距離;其中開口 4的縱向邊長即為雙端固支梁的梁長，橫向邊長即為相鄰兩個雙端固支梁1 之間的間距，為了充分降低相鄰雙端固支梁1間的耦合效應(yīng)，該長度大于十倍雙端固支梁1 的梁寬；最后形成的雙端固支梁1的厚度為S0I頂層硅5的厚度Sum。
[0038] 步驟5:在雙端固支梁1上的二氧化硅層8的中間刻蝕出局域修飾區(qū)2,刻蝕深度到 達(dá)雙端固支梁1內(nèi)，如圖2(d)所示;或者刻蝕深度到達(dá)雙端固支梁1的表面，再在雙端固支梁 1的表面生長金屬薄膜9,通過金屬剝離工藝形成局域修飾區(qū)2,如圖2(e)所示，該金屬薄膜9 的材料為鉻/金，鈦/金或鈦/鉑/金；
[0039] 步驟6:采用電子束蒸發(fā)生長一層鉻/金，鈦/金或鈦/鉑/金的金屬薄膜，通過金屬 剝離工藝在電學(xué)連接線的端部圖形化，形成歐姆接觸金屬電極10;其中步驟5所述的雙端固 支梁1局域修飾區(qū)的金屬薄膜9與步驟6金屬電極10的制作同時完成，簡化了制作工藝，并且 節(jié)約成本；
[0040] 步驟7:如圖2(f)所示在雙端固支梁1及窗口 4的表面采用PECVD(等離子體增強(qiáng)型 化學(xué)氣相沉積)方法生長一層掩膜層11二氧化硅，該掩膜層的作用是在硅刻蝕時對雙端固 支梁的表面以及側(cè)壁形成良好保護(hù)。因此該掩膜層生長時要具有較好的臺階覆蓋性，除此 之外，由于生長掩膜層時已經(jīng)有金屬薄膜，為了獲得更好的金屬電極，該層掩膜層生長時需 要低應(yīng)力條件，且其厚度不僅要大于硅刻蝕時消耗掩膜層的厚度還要與最后埋氧層釋放時 間相匹配，這樣才能得到錨點損耗低、壓膜阻尼小、性能優(yōu)良的雙端固支梁傳感器。
[0041] 步驟8:在窗口 4內(nèi)掩膜層11的表面進(jìn)行光刻圖形化，如圖2(g)，并刻蝕到達(dá)體硅的 表面，形成開口 12,其中開口 12與窗口 4的幾何中心重合，開口 12的橫向尺寸小于窗口 4橫向 尺寸10-20um，開口 12的縱向尺寸《窗口4縱向尺寸-雙端固支梁的梁寬尺寸，且大于0um〇;
[0042] 步驟9:從開口 12處采用各向同性刻蝕方法得到雙端固支梁的懸空結(jié)構(gòu)，形成諧振 腔13,各項同性刻蝕將體硅橫向退至雙端固支梁的根部，如圖2(h)所示;或者在SOI體硅的 背面生長掩膜層11，再通過濕法腐蝕SOI的體硅至埋氧層的下表面的方法得到雙端固支梁1 的懸空結(jié)構(gòu)，如圖2(j)所示，形成諧振腔13;通過各項同性刻蝕方法在雙端固支梁1根部的 刻蝕形貌是一個不規(guī)則三角錐形狀，為了得到更好的根部形貌，通過濕法TMAH(四甲基氫氧 化銨)溶液腐蝕可得到形貌規(guī)則的（110)面，也就是與雙端固支梁1垂直的根部表面。
[0043] 步驟10:采用濕法腐蝕(Β0Ε緩沖溶液)或是干法刻蝕的方法去除雙端固支梁1下表 面的埋氧層6,并去除雙端固支梁1上的掩膜層11，最后得到微型雙端固支梁1結(jié)構(gòu)，如圖2 (i)和圖2(k)，為了使雙端固支梁1上表面的掩膜層11與雙端固支梁1下表面的埋氧層6在濕 法腐蝕時同時腐蝕干凈，需經(jīng)過對比埋氧層6與掩膜層11在Β0Ε緩沖液中的腐蝕速率比，來 確定掩膜層11的厚度，這一步是關(guān)系到雙端固支梁1成品率以及質(zhì)量的關(guān)鍵技術(shù)。
[0044] 步驟11:如圖3(a)所示，選用一與生物兼容的封裝蓋片14,如玻璃片、硅片、石英 片、PDMS等，如圖3(b)所示，在封裝蓋片14上進(jìn)行第一次光刻，并刻蝕深度100um，形成與雙 端固支梁1固定邊框相對應(yīng)的微流道15,再經(jīng)過如圖3(c)所示進(jìn)行第二次光刻，在形成的微 流道15區(qū)域相對應(yīng)的兩端形成進(jìn)出樣口 16,如圖3(d)所示；
[0045] 步驟12:將具有微流道15和進(jìn)出樣口 16的封裝蓋片14扣置鍵合在雙端固支梁器件 的上面，形成反應(yīng)液體的微流道以及反應(yīng)腔；
[0046] 步驟13:對雙端固支梁1局域修飾區(qū)2硅表面采用硅烷化處理，并偶聯(lián)氨基或醛基 進(jìn)行功能化修飾，具有金屬薄膜表面的雙端固支梁采用Au-S鍵方法偶聯(lián)氨基或醛基進(jìn)行生 物功能化修飾，沒有金薄膜表面的雙端固支梁采用微噴墨打印方法實現(xiàn)局域修飾，在陣列 中不同梁上局域修飾不同抗體的功能層，進(jìn)而達(dá)到同時檢測不同物質(zhì)的需求。對于相同尺 寸的最后一個雙端固支梁1均設(shè)置為傳感器的參考梁，其特點是在局域修飾時不結(jié)合與待 測物特異性結(jié)合的卡抗體敏感層。
[0047] 完成抗體修飾后采用牛血清白蛋白或是脫脂牛奶等進(jìn)行其余活性位點的阻斷與 封閉。
[0048] 將阻斷好的雙端固支梁器件與封裝蓋片對準(zhǔn)進(jìn)行鍵合，并形成反應(yīng)液體的微流道 以及生化反應(yīng)腔和進(jìn)出樣口，如圖4(a)和4(b)所示，具有特異性響應(yīng)的高靈敏雙端固支梁 生化傳感器就制作完成了，并且具有低制作成本、高集成度的優(yōu)點。
[0049] 制作完成的雙端固支梁1陣列通過外部PZT(壓電陶瓷)片進(jìn)行驅(qū)動，無需增加雙端 固支梁的制作工藝步驟，且易集成，或采用與雙端固支梁自集成的驅(qū)動方法，該方法包括靜 電驅(qū)動、壓電驅(qū)動、熱驅(qū)動或電磁驅(qū)動。
[0050] 雙端固支梁生化傳感器的檢測原理依據(jù)諧振器的諧振特性，雙端固支梁作為一種 諧振器的結(jié)構(gòu)，其固有諧振頻率f0表達(dá)式為：
[0051]
[0052 ]其中k為雙端固支梁1的剛度，m為雙端固支梁1的有效質(zhì)量，h為雙端固支梁1的厚 度，1為雙端固支梁1的長度，E為雙端固支梁1材料的楊氏模量，P為雙端固支梁1材料的密 度。由此可見雙端固支梁1的固有諧振頻率與其剛度以及有效質(zhì)量有關(guān)系，當(dāng)待檢測物特異 性結(jié)合到雙端固支梁1表面時，不僅會引起雙端固支梁1剛度的變化，還會引起雙端固支梁1 有效質(zhì)量的增加，而對于雙端固支梁1剛度的變化目前還不能給出非常準(zhǔn)確的計算方法，因 此只有盡量減小剛度變化才能得到靈敏度高、精度高、誤差小的傳感器。
[0053] 本發(fā)明采用局域反應(yīng)的方法有效降低了其剛度變化，使得在待測物吸附到雙端固 支梁1表面時只有質(zhì)量變化，從而提高了傳感器的準(zhǔn)確性。通過測量雙端固支梁反應(yīng)待測物 前后的頻率變化，從而得到待測物的質(zhì)量，實現(xiàn)傳感器功能。
[0054] 以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳 細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡 在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法，該方法包括： 步驟1:對SOI片進(jìn)行清洗，該SOI片包括體硅、埋氧層和頂層硅； 步驟2:在SOI片的頂層硅上淀積二氧化硅層，作為離子注入的掩膜層； 步驟3:在頂層硅上形成兩個壓阻以及電學(xué)連接線； 步驟4:在SOI片的頂層硅上對應(yīng)的兩個壓阻以及電學(xué)連接線的部分，在二氧化硅層進(jìn) 行光刻和刻蝕，形成窗口，刻蝕的深度至埋氧層的表面形成雙端固支梁，刻蝕時保留兩個壓 阻以及電學(xué)連接線，該雙端固支梁的長度大于兩個壓阻之間的距離； 步驟5:在雙端固支梁上的二氧化硅層的中間刻蝕出局域修飾區(qū)，刻蝕深度到達(dá)雙端固 支梁內(nèi)；或者刻蝕深度到達(dá)雙端固支梁的表面，再在雙端固支梁的表面生長金屬薄膜； 步驟6:在電學(xué)連接線的端部生長金屬薄膜，形成歐姆接觸金屬電極； 步驟7:在雙端固支梁及窗口的表面生長一層掩膜層； 步驟8:在窗口內(nèi)掩膜層的表面刻蝕，刻蝕深度到達(dá)體硅的表面，形成開口； 步驟9:從開口處采用各向同性刻蝕方法得到雙端固支梁的懸空結(jié)構(gòu)，形成諧振腔;或 者在SOI體硅的背面生長掩膜層，再通過濕法腐蝕SOI的體硅至埋氧層的下表面的方法得到 雙端固支梁的懸空結(jié)構(gòu)，形成諧振腔； 步驟10:采用濕法腐蝕或是干法刻蝕的方法去除雙端固支梁下表面的埋氧層，并去除 雙端固支梁上的掩膜層，最后得到微型雙端固支梁結(jié)構(gòu)； 步驟11:選用一封裝蓋片，在封裝蓋片上制作出與雙端固支梁固定邊框相對應(yīng)的微流 道，以及進(jìn)出樣口； 步驟12:將具有微流道和進(jìn)出樣口的封裝蓋片扣置鍵合在雙端固支梁器件的上面，形 成反應(yīng)液體的微流道以及反應(yīng)腔； 步驟13:對雙端固支梁局域修飾區(qū)硅表面采用硅烷化處理，并偶聯(lián)氨基或醛基進(jìn)行功 能化修飾，具有金屬薄膜表面的雙端固支梁采用Au-S鍵方法偶聯(lián)氨基或醛基進(jìn)行生物功能 化修飾，沒有金薄膜表面的雙端固支梁采用微噴墨打印方法實現(xiàn)局域修飾，在陣列中不同 梁上局域修飾不同的功能層，并將沒有進(jìn)行生物功能化修飾的雙端固支梁作為參考梁。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法， 其所述高靈敏度微型雙端固支梁傳感器采用壓阻式檢出方法，其壓阻在雙端固支梁任一支 撐端，或是兩對稱支撐端同時制作。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法， 其中所述的微型雙端固支梁傳感器的激勵方式是采用外部壓電式驅(qū)動方法，無需增加雙端 固支梁的制作工藝步驟，或采用與雙端固支梁自集成的驅(qū)動方法，該方法包括靜電驅(qū)動、壓 電驅(qū)動、熱驅(qū)動或電磁驅(qū)動。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法， 其中所述的金屬薄膜的材料為鉻/金，鈦/金或鈦/鉑/金。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法， 其中步驟5所述的作為雙端固支梁局域修飾區(qū)的金屬薄膜與步驟6金屬電極的制作同時完 成。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法， 其中所述的掩膜層的材料包括二氧化硅、氮化硅或者光刻膠。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法， 其中所述的開口的縱向邊長即為雙端固支梁的梁長，橫向邊長即為相鄰兩個雙端固支梁之 間的間距。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法， 其中開口橫向邊長的長度大于十倍雙端固支梁的梁寬。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法， 其中所述的開口與窗口的幾何中心重合，開口的橫向尺寸小于窗口橫向尺寸10_20um，開口 的縱向尺寸《窗口縱向尺寸-雙端固支梁的梁寬尺寸，且大于Oum。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高靈敏生化檢測的微型雙端固支梁傳感器的制造方法， 其中所述的微型雙端固支梁的厚度即為SOI片中頂層硅的厚度。
【文檔編號】B81C1/00GK105858593SQ201610206744
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月5日
【發(fā)明人】王晶晶, 楊晉玲, 朱銀芳, 張金英, 楊富華
【申請人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所