本申請(qǐng)涉及晶圓加工，尤其涉及一種晶圓腔體制備方法及晶圓。

背景技術(shù)：

1、目前，微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)器件的芯片生產(chǎn)工藝中需要用到各種腔體結(jié)構(gòu)。例如腔體濾波器為采用諧振腔體結(jié)構(gòu)的微波濾波器，腔體能夠等效成電感并聯(lián)電容，從而形成一個(gè)諧振級(jí)，實(shí)現(xiàn)微波鋁箔功能。

2、空腔的制作需要一個(gè)臨時(shí)填充材料，支撐上層覆蓋材料不坍塌，之后采用濕法刻蝕溶液將臨時(shí)填充材料去除干凈，然后進(jìn)行干燥工藝，形成空腔結(jié)構(gòu)。

3、然而，空腔的干燥過程中，空腔中具有氣體和液體，氣體易于揮發(fā)至環(huán)境，而空腔中的液體去除緩慢，容易造成空腔結(jié)構(gòu)產(chǎn)生形變，甚至導(dǎo)致器件的破損。

4、綜上，空腔干燥過程中，晶圓容易受作用力而產(chǎn)生變形或損壞是亟需解決的問題

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種晶圓腔體制備方法及晶圓，能夠避免腔體干燥過程中晶圓的變形或損壞。

2、本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供一種晶圓腔體制備方法，包括：

3、利用腐蝕液去除犧牲層，以在晶圓上形成腔體；

4、利用去離子水和異丙醇清洗腔體，以去除腔體中的腐蝕液；

5、將晶圓置入干燥裝置，干燥裝置用于向腔體中注入呈液態(tài)的超臨界流體；

6、將超臨界流體加熱增壓至超臨界狀態(tài)；

7、控制干燥裝置停止加熱和釋放壓力，以使超臨界流體至少以氣態(tài)的形式逸出至腔體外。

8、在一些實(shí)施方式中，利用去離子水和異丙醇清洗腔體，包括：

9、利用去離子水清洗腔體，腔體中包括混合液，混合液包括殘留的腐蝕液和去離子水；

10、將異丙醇注入至腔體中，以浸泡腔體；

11、其中，異丙醇用于與混合液中的水分子結(jié)合。

12、在一些實(shí)施方式中，注入異丙醇至腔體的次數(shù)為至少兩次。

13、在一些實(shí)施方式中，將異丙醇注入至腔體中，以浸泡腔體，包括：

14、對(duì)腔體進(jìn)行第一次通入異丙醇，腔體的第一次浸泡時(shí)間為第一時(shí)間；

15、對(duì)腔體進(jìn)行第二次通入異丙醇，腔體的第二次浸泡時(shí)間為第二時(shí)間。

16、在一些實(shí)施方式中，第一時(shí)間和第二時(shí)間的范圍均為5-10min。

17、在一些實(shí)施方式中，注入去離子水至腔體的次數(shù)為至少兩次；

18、其中，去離子水的單次注入時(shí)間范圍為5-10min。

19、在一些實(shí)施方式中，腐蝕液包括氫氟酸；和/或

20、超臨界流體包括液態(tài)二氧化碳。

21、在一些實(shí)施方式中，將超臨界流體加熱增壓至超臨界狀態(tài)，包括：

22、控制干燥裝置將超臨界流體的溫度加熱至所述超臨界流體對(duì)應(yīng)的超臨界溫度和超臨界壓力。

23、在一些實(shí)施方式中，腔體的深度小于或等于1μm；和/或

24、干燥裝置為超臨界干燥機(jī)；和/或

25、犧牲層的材料包括二氧化硅。

26、本申請(qǐng)實(shí)施例的第二方面，提供一種晶圓，是應(yīng)用上述任一的晶圓腔體制備方法制備得到的。

27、本申請(qǐng)的有益效果為：

28、超臨界流體使得腔體中不存在表面張力，從而腔體對(duì)應(yīng)的壁面不會(huì)受表面張力的作用而產(chǎn)生形變，也即不會(huì)損傷器件。待腔體中的流體排盡后，即完成了晶圓腔體的干燥工藝。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓腔體制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述利用去離子水和異丙醇清洗所述腔體，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，注入異丙醇至所述腔體的次數(shù)為至少兩次。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述將異丙醇注入至所述腔體中，以浸泡腔體，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述第一時(shí)間和所述第二時(shí)間的范圍均為5-10min。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，注入去離子水至所述腔體的次數(shù)為至少兩次；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述將所述超臨界流體加熱增壓至超臨界狀態(tài)，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體制備方法，其特征在于，所述腔體的深度小于或等于1μm；和/或

10.一種晶圓，其特征在于，應(yīng)用如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶圓腔體制備方法制備得到。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開一種晶圓腔體制備方法及晶圓，涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，能夠避免腔體干燥過程中晶圓的變形或損壞。本申請(qǐng)的晶圓腔體制備方法包括利用腐蝕液去除犧牲層，以在晶圓上形成腔體；利用去離子水和異丙醇清洗所述腔體，以去除所述腔體中的所述腐蝕液；將所述晶圓置入干燥裝置，所述干燥裝置用于向所述腔體中注入呈液態(tài)的超臨界流體；將所述超臨界流體加熱增壓至超臨界狀態(tài)；控制所述干燥裝置停止加熱和釋放壓力，以使所述超臨界流體至少以氣態(tài)的形式逸出至所述腔體外。本申請(qǐng)的晶圓是通過晶圓腔體制備方法制備的。

技術(shù)研發(fā)人員：卜德沖,范坤,郭大飛,秦若涵,張興龍,耿峰磊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23