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微流控裝置的制作方法

文檔序號:40610702發(fā)布日期:2025-01-07 20:53閱讀:5來源:國知局
微流控裝置的制作方法

本公開涉及微流控,尤其涉及一種微流控裝置。


背景技術(shù):

1、微流控(micro-fluidic)技術(shù)是一種以在微米或更小尺度空間對流體進(jìn)行操控為主要特征的技術(shù)。該技術(shù)已經(jīng)與化學(xué)、生物學(xué)、工程學(xué)和物理學(xué)等諸學(xué)科形成交叉,展示出了廣泛的應(yīng)用前景。液滴微流控技術(shù),因其具有流體操作簡便、高單分散性、小型化、低成本、高靈敏度、高通量等優(yōu)點,目前已受到廣泛的關(guān)注。微流控技術(shù)主要是利用介電潤濕的原理,通過調(diào)整微流控芯片的上基板與下基板之間的電場,改變液滴表面與固體之間的表面張力,從而改變兩者之間的接觸角,從而實現(xiàn)液滴的操作與控制。

2、現(xiàn)有技術(shù)中,微流控裝置存在高通量與高精度注樣的需求難以同時滿足的問題。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問題或者至少部分地解決上述技術(shù)問題,本公開提供了一種微流控裝置,可兼容實現(xiàn)高通量與高精度注樣的需求。

2、本公開提供了一種微流控裝置,包括:層疊設(shè)置的第一基板、第二基板和第三基板,第二基板位于第一基板和第三基板之間;沿垂直于第一基板所在平面的方向,第一基板和第二基板之間包括第一間隔,第二基板與第三基板之間包括第二間隔;第二基板包括至少一個第一通孔,沿垂直于第二基板所在平面的方向,第一通孔貫穿第二基板;第一間隔與第二間隔通過第一通孔連通。

3、本公開提供的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點:

4、本公開提供的微流控裝置包括層疊設(shè)置的第一基板、第二基板和第三基板。其中,沿垂直于第一基板所在平面的方向,第一基板和第二基板之間包括第一間隔,第二基板與第三基板之間包括第二間隔。第二基板包括至少一個第一通孔,沿垂直于第二基板所在平面的方向,第一通孔貫穿第二基板,第一間隔與第二間隔可通過第一通孔實現(xiàn)連通,從而液滴可通過第一通孔在第一間隔和第二間隔之間移動,且第一間隔和第二間隔均可用于容納液滴,從而可實現(xiàn)高通量液滴注液存儲。同時,可在第一間隔中進(jìn)行樣本和試劑溶液的初級分離和混合等處理,然后再驅(qū)動處理完成后的液滴進(jìn)入第二間隔進(jìn)行后續(xù)的操作,即可在第二間隔實現(xiàn)高精度液滴樣本處理。即本公開實施例提供的微流控裝置可兼容實現(xiàn)高通量與高精度注樣的需求。



技術(shù)特征:

1.一種微流控裝置,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置,其特征在于,

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置,其特征在于,

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控裝置,其特征在于,

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微流控裝置,其特征在于,

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微流控裝置,其特征在于,

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控裝置,其特征在于,

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置,其特征在于,

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置,其特征在于,

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置,其特征在于,

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微流控裝置,其特征在于,

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置,其特征在于,

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置,其特征在于,

14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置,其特征在于,

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微流控裝置,其特征在于,

16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置,其特征在于,

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置,其特征在于,

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置,其特征在于,

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的微流控裝置,其特征在于,

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置,其特征在于,


技術(shù)總結(jié)
本公開涉及微流控技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種微流控裝置。微流控裝置包括:層疊設(shè)置的第一基板、第二基板和第三基板,第二基板位于第一基板和第三基板之間;沿垂直于第一基板所在平面的方向,第一基板和第二基板之間包括第一間隔,第二基板與第三基板之間包括第二間隔;第二基板包括至少一個第一通孔,沿垂直于第二基板所在平面的方向,第一通孔貫穿第二基板;第一間隔與第二間隔通過第一通孔連通。本公開可兼容實現(xiàn)高通量與高精度注樣的需求。

技術(shù)研發(fā)人員:章凱迪,林柏全,張東莉,朱清三,潘俊濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者:上海天馬微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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