本發(fā)明涉及絮凝沉淀池，特別指一種深度處理的絮凝沉淀池及方法。

背景技術(shù)：

1、絮凝沉淀池是一種利用絮凝和沉淀原理去除水中懸浮物的設(shè)備，通常由密集的斜管或斜板組成，水中的懸浮雜質(zhì)在重力作用下沿斜管或斜板向下滑至池底，再集中排出。絮凝沉淀池的設(shè)計基于淺池沉淀理論，通過增加紊流湍動度，形成高比例、高強度、高密度的小渦旋，從而促進絮凝效果。

2、絮凝沉淀池在長期工作的過程中，會產(chǎn)生大量的污泥，活性污泥容易粘附到斜管或斜板上，影響沉淀效果甚至可能產(chǎn)生堵塞，同時，在厭氧的情況下，經(jīng)厭氧消化產(chǎn)生的氣體上升時會干擾污泥的沉淀，并把板上脫落下來的污泥帶至水面結(jié)成浮泥層，即這些污泥如果未及時清理，不僅會產(chǎn)生堵塞，還會影響水質(zhì)，因此需要定期對污泥進行清理。針對絮凝沉淀池的污泥的清理，傳統(tǒng)上采取人工清理的方法，不僅清理效率低下，而且部分死角無法觸及，導(dǎo)致清理質(zhì)量也不佳，部分死角的污泥長期累積。

3、因此，如何提供一種深度處理的絮凝沉淀池及方法，實現(xiàn)提升絮凝沉淀池清理的效率以及質(zhì)量，成為一個亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問題，在于提供一種深度處理的絮凝沉淀池及方法，實現(xiàn)提升絮凝沉淀池清理的效率以及質(zhì)量。

2、第一方面，本發(fā)明提供了一種深度處理的絮凝沉淀池，包括：

3、至少一個網(wǎng)格式絮凝槽，內(nèi)部設(shè)有若干塊豎板，通過各所述豎板將網(wǎng)格式絮凝槽分隔為若干個第一絮凝子槽；各所述第一絮凝子槽順序連通，讓各所述第一絮凝子槽內(nèi)的水流沿預(yù)設(shè)路徑流動，且第一個所述第一絮凝子槽設(shè)有一個進水口，最后一個所述第一絮凝子槽設(shè)有一個出水口；各所述第一絮凝子槽的內(nèi)部均設(shè)有一個沉淀組件，底部均設(shè)有一個第一排泥閥；

4、至少一個整體式絮凝槽，包括一個進水槽以及一個二級絮凝槽；所述進水槽的一端與出水口連通，另一端與二級絮凝槽連通；所述二級絮凝槽的內(nèi)部設(shè)有若干塊橫板，通過各所述橫板將二級絮凝槽分隔為若干個第二絮凝子槽，相鄰的各所述第二絮凝子槽相互連通；各所述進水槽以及第二絮凝子槽的底部均設(shè)有若干個并排的排泥斗，各所述排泥斗的中部均設(shè)有一個第二排泥閥；所述整體式絮凝槽與網(wǎng)格式絮凝槽并排設(shè)置；

5、若干條集水小槽，通過鎖附件鎖附在所述二級絮凝槽內(nèi)，架設(shè)在各所述橫板上，與所述橫板垂直，且一端延伸出所述整體式絮凝槽；

6、一條集水大槽，設(shè)于所述整體式絮凝槽的外側(cè)壁，高度低于所述集水小槽，用于承接各所述集水小槽流出的水；

7、兩條污泥槽，對稱設(shè)于所述網(wǎng)格式絮凝槽和整體式絮凝槽的側(cè)邊；

8、若干根排泥管，相互并排設(shè)置，且一端與對應(yīng)的各所述第一排泥閥或者第二排泥閥連通，另一端延伸至所述污泥槽；

9、若干個排泥泵，分別與一所述排泥管的末端連通；

10、若干根氣管，分別與一所述第一排泥閥或者第二排泥閥連通；

11、若干根水管，分別與一所述第一排泥閥或者第二排泥閥連通。

12、進一步的，還包括：

13、一個移動沖洗機構(gòu)，設(shè)于所述整體式絮凝槽的頂端。

14、進一步的，所述移動沖洗機構(gòu)包括：

15、兩條導(dǎo)軌，平行設(shè)于所述整體式絮凝槽的頂端；

16、一個清洗架，兩端分別與一所述導(dǎo)軌滑動連接；

17、一個氣缸，動力輸出端與所述清洗架連接；

18、若干個清洗噴頭，并排設(shè)于所述清洗架上，清洗方向朝下；

19、一根清洗管，與各所述清洗噴頭連通。

20、進一步的，所述沉淀組件包括：

21、一個沉淀架，設(shè)于所述第一絮凝子槽內(nèi)；

22、若干塊沉淀板，傾斜設(shè)于所述沉淀架上。

23、進一步的，所述第一絮凝子槽的底部為漏斗狀。

24、進一步的，所述排泥斗的底部為漏斗狀。

25、進一步的，所述排泥管設(shè)有一定的傾角。

26、進一步的，所述第一排泥閥以及第二排泥閥均為電磁閥。

27、進一步的，還包括：

28、一個plc，分別與所述第一排泥閥、第二排泥閥、排泥泵以及移動沖洗機構(gòu)連接；

29、若干個流量傳感器，分別設(shè)于一所述第一排泥閥或者第二排泥閥內(nèi)，并與所述plc連接；

30、若干個水位傳感器，分別設(shè)于所述網(wǎng)格式絮凝槽以及整體式絮凝槽內(nèi)，并與所述plc連接。

31、第二方面，本發(fā)明提供了一種深度處理的絮凝沉淀方法，包括如下步驟：

32、步驟s1、待凈化的原水從出水口流入網(wǎng)格式絮凝槽的第一絮凝子槽，在網(wǎng)格式絮凝槽的各第一絮凝子槽內(nèi)沿預(yù)設(shè)路徑流動，原水流動過程中通過沉淀組件進行絮凝沉淀，沉淀下來的污泥通過第一排泥閥排放到排泥管；

33、步驟s2、最后一個第一絮凝子槽的水通過出水口流入整體式絮凝槽的進水槽，通過進水槽的排泥斗繼續(xù)絮凝沉淀，沉淀下來的污泥通過進水槽的第二排泥閥排放到排泥管；

34、步驟s3、進水槽的水流入二級絮凝槽，通過二級絮凝槽的排泥斗繼續(xù)絮凝沉淀，沉淀下來的污泥通過二級絮凝槽的第二排泥閥排放到排泥管；

35、步驟s4、plc通過流量傳感器以及水位傳感器實時采集水質(zhì)數(shù)據(jù)，通過大數(shù)據(jù)分析技術(shù)對所述水質(zhì)數(shù)據(jù)進行分析，基于分析結(jié)果動態(tài)控制排泥泵以及移動沖洗機構(gòu)的工作，以自動對絮凝沉淀池進行排污和清洗。

36、本發(fā)明的優(yōu)點在于：

37、1、通過在網(wǎng)格式絮凝槽的各第一絮凝子槽的底部設(shè)置第一排泥閥，在整體式絮凝槽的各排泥斗的中部設(shè)置第二排泥閥，各第一排泥閥以及第二排泥閥均通過傾斜的排泥管連通至污泥槽，且排泥管的末端連通有排泥泵，第一排泥閥和第二排泥閥均連通有氣管和水管，通過排泥泵即可對排泥管內(nèi)的污泥進行自動清洗，通過氣管和水管還可對第一排泥閥和第二排泥閥進行反沖洗，結(jié)合正反沖洗能有效提升清洗質(zhì)量；且在整體式絮凝槽的頂端設(shè)置包括導(dǎo)軌、清洗架、氣缸、清洗噴頭、清洗管的移動沖洗機構(gòu)，氣缸驅(qū)動清洗架在導(dǎo)軌上位移，進而聯(lián)動清洗噴頭位移，以將清洗管接入的高壓水通過清洗噴頭進行高壓噴淋，對下方的排泥斗進行自動沖洗，最終極大的提升了絮凝沉淀池清理的效率以及質(zhì)量。

38、2、通過設(shè)置流量傳感器和水位傳感器，當(dāng)產(chǎn)生大量污泥未及時清洗時，流量會變小，水位會變高，水質(zhì)會下降，即通過流量傳感器和水位傳感器可采集水質(zhì)數(shù)據(jù)，通過大數(shù)據(jù)分析技術(shù)對水質(zhì)數(shù)據(jù)進行分析后，可基于分析結(jié)果動態(tài)控制排泥泵以及移動沖洗機構(gòu)的工作，以自動對絮凝沉淀池進行排污和清洗，極大的提升了絮凝沉淀池工作的自動化程度，清理無需人工介入，極大的提升了絮凝沉淀池清理的效率。

技術(shù)特征：

1.一種深度處理的絮凝沉淀池，其特征在于：包括：

2.如權(quán)利要求1所述的一種深度處理的絮凝沉淀池，其特征在于：還包括：

3.如權(quán)利要求2所述的一種深度處理的絮凝沉淀池，其特征在于：所述移動沖洗機構(gòu)包括：

4.如權(quán)利要求1所述的一種深度處理的絮凝沉淀池，其特征在于：所述沉淀組件包括：

5.如權(quán)利要求1所述的一種深度處理的絮凝沉淀池，其特征在于：所述第一絮凝子槽的底部為漏斗狀。

6.如權(quán)利要求1所述的一種深度處理的絮凝沉淀池，其特征在于：所述排泥斗的底部為漏斗狀。

7.如權(quán)利要求1所述的一種深度處理的絮凝沉淀池，其特征在于：所述排泥管設(shè)有一定的傾角。

8.如權(quán)利要求1所述的一種深度處理的絮凝沉淀池，其特征在于：所述第一排泥閥以及第二排泥閥均為電磁閥。

9.如權(quán)利要求2所述的一種深度處理的絮凝沉淀池，其特征在于：還包括：

10.一種深度處理的絮凝沉淀方法，其特征在于：所述方法需使用如權(quán)利要求1至9任一項所述的絮凝沉淀池，包括如下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了絮凝沉淀池技術(shù)領(lǐng)域的一種深度處理的絮凝沉淀池及方法，絮凝沉淀池包括：網(wǎng)格式絮凝槽，分隔為若干個第一絮凝子槽；最后一個第一絮凝子槽設(shè)有出水口；第一絮凝子槽底部設(shè)有第一排泥閥；整體式絮凝槽，包括進水槽、二級絮凝槽；進水槽與出水口、二級絮凝槽連通；二級絮凝槽分隔為若干個第二絮凝子槽；進水槽、第二絮凝子槽的底部設(shè)有排泥斗，排泥斗設(shè)有第二排泥閥；集水小槽，架設(shè)在各橫板上，一端延伸出整體式絮凝槽；污泥槽，設(shè)于網(wǎng)格式絮凝槽和整體式絮凝槽的側(cè)邊；排泥管，一端與對應(yīng)的各第一排泥閥或者第二排泥閥連通，另一端延伸至污泥槽。本發(fā)明的優(yōu)點在于：極大的提升了絮凝沉淀池清理的效率以及質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：余亮華,王世場,鄭洪波,盧漢林,池何晉,甘國強
受保護的技術(shù)使用者：福建省水利水電勘測設(shè)計研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9