加裝流量束縛管的磁電式循環(huán)冷卻水阻垢處理器的制造方法
【專利摘要】一種加裝流量束縛管的磁電式循環(huán)冷卻水阻垢處理器，應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室內(nèi)循環(huán)冷卻水處理。提供一種磁電式實(shí)驗(yàn)室內(nèi)循環(huán)冷卻水的阻垢處理器，包括循環(huán)水流通過(guò)的金屬管道、流量束縛管、產(chǎn)生高壓電場(chǎng)的電處理裝置和產(chǎn)生脈沖磁場(chǎng)的磁處理裝置。該裝置使高壓電場(chǎng)與脈沖磁場(chǎng)作用于實(shí)驗(yàn)室內(nèi)循環(huán)冷卻水體，解決了實(shí)驗(yàn)室內(nèi)由于水管管徑與阻垢裝置管道直徑之間不匹配，造成阻垢裝置管道中流速減慢所引起的實(shí)驗(yàn)誤差問(wèn)題，同時(shí)解決了使電場(chǎng)和磁場(chǎng)共同作用于循環(huán)冷卻水體的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】加裝流量束縛管的磁電式循環(huán)冷卻水阻垢處理器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明專利涉及的加裝了流量束縛管的磁電式實(shí)驗(yàn)室用循環(huán)冷卻水阻垢處理器(以下簡(jiǎn)稱阻垢處理器)，屬于工業(yè)水處理領(lǐng)域，用于實(shí)驗(yàn)室內(nèi)動(dòng)態(tài)模擬循環(huán)冷卻水阻垢實(shí)驗(yàn)使用。
【背景技術(shù)】
[0002]工業(yè)循環(huán)冷卻水處理系統(tǒng)，如火電廠循環(huán)冷卻水處理、鋼鐵廠循環(huán)冷卻水處理、石化廠循環(huán)冷卻水處理、化纖廠循環(huán)冷卻水處理、化工廠循環(huán)冷卻水處理及其它工業(yè)企業(yè)冷卻水系統(tǒng)、空調(diào)循環(huán)冷卻水系統(tǒng)，鍋爐水系統(tǒng)，這些系統(tǒng)中的水由于不可避免的雜質(zhì)和溫度變化等因素會(huì)產(chǎn)生結(jié)垢現(xiàn)象，污垢沉積，會(huì)給冷卻水系統(tǒng)帶來(lái)很大的危害，由于污垢是熱的不良導(dǎo)體，污垢的沉積降低了傳熱效果，降低了生產(chǎn)效率，污垢的積聚導(dǎo)致局部腐蝕，使設(shè)備在短期內(nèi)穿孔而破壞。污垢在管內(nèi)的沉積降低了水流的截面積，增大了水流阻力。增加了停機(jī)清洗的時(shí)間，同時(shí)也降低了連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)的周期，增加了清洗費(fèi)用，包括清洗的藥劑，材料和設(shè)備的費(fèi)用。所以，應(yīng)采取合理的水處理技術(shù)對(duì)用水加以處理，最大可能的排除這些障礙，達(dá)到所要求的用水指標(biāo)。
[0003]目前，對(duì)于循環(huán)冷卻水的處理主要有化學(xué)方法和物理方法。
[0004]化學(xué)方法是向水中投加水質(zhì)穩(wěn)定劑，使各種致垢離子全部或部分穩(wěn)定在水中，延緩結(jié)晶析出時(shí)間或使結(jié)晶不析出達(dá)到阻垢目的，但是化學(xué)方法存在許多問(wèn)題，如化學(xué)藥劑的使用增加了排水中的化學(xué)物質(zhì)，不僅浪費(fèi)資源(如酸液)，排放的水體還會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。
[0005]物理法包 括磁場(chǎng)處理和高壓電場(chǎng)處理，可使成垢物質(zhì)失去附壁結(jié)垢的能力，或不在加熱管壁上結(jié)晶生長(zhǎng)。
[0006]目前，市場(chǎng)上磁處理器的種類較多。其基本原理是通過(guò)穩(wěn)恒磁場(chǎng)的作用，使水中的致垢離子結(jié)晶析出時(shí)形成松散的不易附壁的結(jié)晶，結(jié)晶物懸浮在水中隨水流沖走而不沉積在換熱器表面。這些磁處理器對(duì)水的阻垢具有一定的影響作用，但效果有限。
[0007]高壓電場(chǎng)水處理器主要由高壓發(fā)生器和處理器組成，處理器多為棒狀，放入水中形成高壓靜電場(chǎng)，循環(huán)冷卻水通過(guò)高壓靜電場(chǎng)流動(dòng)時(shí)，水分子對(duì)水垢中正負(fù)離子產(chǎn)生水化作用阻止水垢生成。
[0008]單獨(dú)的靜電場(chǎng)或穩(wěn)恒磁場(chǎng)處理，對(duì)水分子性能影響比較小，所以這些處理方法在實(shí)際應(yīng)用中作用較差，經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明高壓靜電場(chǎng)或穩(wěn)恒磁場(chǎng)單獨(dú)處理的阻垢率能達(dá)到10%左右。但是熱負(fù)荷、水溫、硬度、堿度等因素對(duì)處理效果的影響較大。
[0009]目前，工業(yè)循環(huán)冷卻水的阻垢處理研究多采用實(shí)驗(yàn)室內(nèi)動(dòng)態(tài)模擬的方法進(jìn)行，待取得一定成果后，再進(jìn)行工業(yè)推廣。本發(fā)明主要解決實(shí)驗(yàn)室內(nèi)動(dòng)態(tài)模擬阻垢實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，由于水管管徑與阻垢裝置管道直徑之間不匹配的問(wèn)題，加裝流量束縛管后，使得阻垢裝置管道內(nèi)的水流流速與入水管內(nèi)的水流流速相一致，從而減少了實(shí)驗(yàn)誤差。
[0010]本發(fā)明提供的阻垢處理器，結(jié)合脈沖磁場(chǎng)處理和高壓電場(chǎng)處理兩者的優(yōu)勢(shì)，利用所施加的高壓電的可調(diào)性和所施加脈沖波的多選性，使該設(shè)備的適應(yīng)性更強(qiáng)；另外采用本方法可以降低化學(xué)法帶來(lái)的環(huán)境污染等問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明主要解決實(shí)驗(yàn)室內(nèi)動(dòng)態(tài)模擬阻垢實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，由于水管管徑與阻垢裝置管道直徑之間不匹配的問(wèn)題，加裝流量束縛管后，使得阻垢裝置管道內(nèi)的水流流速與入水管內(nèi)的水流流速相一致，從而減少了實(shí)驗(yàn)誤差。
[0012]為提高電場(chǎng)及磁場(chǎng)處理循環(huán)冷卻水時(shí)的阻垢率，本發(fā)明利用高壓電場(chǎng)的可調(diào)性和脈沖磁場(chǎng)的多選性，設(shè)計(jì)了一種磁電協(xié)同作用的裝置，使高壓電場(chǎng)和脈沖磁場(chǎng)協(xié)同作用共處于一體，提高了工業(yè)循環(huán)冷卻水處理的阻垢率，解決循環(huán)冷卻水處理中的阻垢問(wèn)題。
[0013]技術(shù)解決方案:
[0014]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供以下設(shè)備:
[0015]提供加裝了流量束縛管的磁電式實(shí)驗(yàn)室用循環(huán)冷卻水阻垢處理器，包括水流通過(guò)的金屬管道、流量束縛管、產(chǎn)生高壓電場(chǎng)的電處理裝置和產(chǎn)生脈沖磁場(chǎng)的磁處理裝置。所述金屬管道包括入水口和出水口，待處理的水從所述入水口進(jìn)入流量束縛管，流過(guò)所述電場(chǎng)和所述脈沖磁場(chǎng)到所述出水口，所述電處理裝置包括外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極和高壓電發(fā)生器，所述外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極通過(guò)引出線連接在所述高壓電發(fā)生器上；所述磁處理裝置包括電磁線圈及脈沖發(fā)生器，所述電磁線圈通過(guò)引出線連接所述脈沖發(fā)生器。
[0016]所述高壓電發(fā)生器的正極接通所述外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極(正極)，所述高壓電發(fā)生器的負(fù)極與金屬管道接通(負(fù)極，同時(shí)負(fù)極接地)，外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極(正極)與金屬管道(負(fù)極)之間形成高壓電場(chǎng)，水流動(dòng)時(shí)水流方向與電場(chǎng)線方向垂直。`
[0017]所述流量束縛管所用材質(zhì)為PVC，高壓管式電極沿流量束縛管的軸線中心置于其內(nèi)部，流量束縛管所形成的環(huán)形水流橫截面積S與入水管與出水管的橫截面積S7相等，以保證循環(huán)水流經(jīng)阻垢處理器時(shí)的流速與水管內(nèi)的流速一致。
[0018]流量束縛管的管徑滿足以下條件:
[0019]流量束縛管中內(nèi)的水流橫截面積S =水管的橫截面積S7
[0020]流量束縛管內(nèi)的水流橫截面如圖3所示，其中心是高壓管式電極，其直徑為D2，在其外圍是流量束縛管，其直徑為D1。
[0021]所述電磁線圈由防水漆包線繞制而成，電磁線圈內(nèi)部放置由軟磁性材料構(gòu)成的鐵芯或空心；每?jī)蓚€(gè)電磁線圈成一對(duì)相對(duì)安裝在金屬管道內(nèi)，磁場(chǎng)線方向與水流方向垂直。
[0022]所述電磁線圈繞組設(shè)置于金屬管道內(nèi)側(cè)，其產(chǎn)生的熱量通過(guò)水流冷卻。
[0023]所述高壓電發(fā)生器輸出電壓范圍在1000伏特-20000伏特之間并可調(diào)；為直流高壓輸出或脈沖聞壓輸出。
[0024]所述的加裝了流量束縛管的磁電式循環(huán)冷卻水阻垢處理器中的高壓管式電極(正極)由于外敷耐高壓絕緣層，雖然被施加了高壓，但電流很微小，不存在使用安全問(wèn)題。另外所述金屬管道雖為高壓電負(fù)極，但金屬管道接地，電位為零，也不存在使用安全問(wèn)題。
[0025]所述外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極的端口施以密封防水膠蓋。[0026]所述外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極通過(guò)塑料固定支架固定在管路中間。
[0027]所述高壓電發(fā)生器與外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極(正極)的連接導(dǎo)線，要求耐壓值在2萬(wàn)伏特及以上，并可防水。
[0028]所述脈沖發(fā)生器輸出的脈沖波頻率范圍在50Hz-9000Hz之間，有掃頻輸出功能；脈沖波形為方波、正弦波、三角波、鋸齒波中的一種；輸出功率在10瓦特-900瓦特之間。
[0029]所述電磁線圈繞組與脈沖波形發(fā)生器的導(dǎo)線，要求耐壓值在220伏特及以上，并可防水。
[0030]所述磁處理裝置利用脈沖發(fā)生器并通過(guò)線圈繞組進(jìn)行磁場(chǎng)能量傳遞。所述電處理裝置利用高壓電發(fā)生器并通過(guò)外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極進(jìn)行電場(chǎng)能量傳遞。
[0031]所述的加裝了流量束縛管的磁電式實(shí)驗(yàn)室用循環(huán)冷卻水阻垢處理器其金屬管道直徑0 200-400臟之間、處理裝置的長(zhǎng)度1^在400-1200臟之間。
[0032]所述加裝了流量束縛管的磁電式實(shí)驗(yàn)室用循環(huán)冷卻水阻垢處理器下端為進(jìn)水口立而，上纟而為出水口立而。
[0033]有益效果:
[0034]通過(guò)電壓發(fā)生器可產(chǎn)生1000伏特-20000伏特的穩(wěn)定或脈沖高壓，連接到外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極(正極)，使正極與金屬管道(負(fù)極)形成高壓電場(chǎng)，水流通過(guò)高壓電場(chǎng)時(shí)達(dá)到阻垢目的；在金屬管道內(nèi)加裝經(jīng)過(guò)防水處理的電磁線圈繞組，利用脈沖發(fā)生器產(chǎn)生的能量，通過(guò)電磁線圈傳遞能量，使電磁能轉(zhuǎn)換成水中的化學(xué)能，達(dá)到阻垢目的。管道內(nèi)所形成的電場(chǎng)線和磁場(chǎng)線均與水流方向垂直，使水流同時(shí)做切割電場(chǎng)線和磁場(chǎng)線運(yùn)動(dòng)，達(dá)到電、磁場(chǎng)能量的最大傳遞。
[0035]本發(fā)明主要解決實(shí)驗(yàn)室內(nèi)動(dòng)態(tài)模擬阻垢實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，由于水管管徑與阻垢裝置管道直徑之間不匹配的問(wèn)題，加裝流量束縛管后，使得阻垢裝置管道內(nèi)的水流流速與入水管內(nèi)的水流流速相一致，從而減少了實(shí)驗(yàn)誤差。
[0036]本發(fā)明結(jié)合脈沖磁場(chǎng)處理和高壓電場(chǎng)處理兩者的優(yōu)勢(shì)，通過(guò)高壓電場(chǎng)的可調(diào)性和脈沖磁場(chǎng)的多選性，在實(shí)際使用中可根據(jù)水質(zhì)變化情況及阻垢的效果，通過(guò)調(diào)節(jié)輸出高壓電的高低和選擇不同高壓電脈沖；適時(shí)選擇不同的脈沖輸出波形、輸出頻率及輸出功率，提升了適應(yīng)水質(zhì)條件的能力，增強(qiáng)了兩者的協(xié)同作用，達(dá)到了最大阻垢效果，使設(shè)備的適應(yīng)性更強(qiáng)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0037]通過(guò)參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它方面及優(yōu)點(diǎn)將變得更加易于清楚，在附圖中:
[0038]圖1為加裝了流量束縛管的磁電式循環(huán)冷卻水阻垢處理器的俯視圖。
[0039]圖2加裝了流量束縛管的磁電式循環(huán)冷卻水阻垢處理器的剖面圖。
[0040]圖3為流量束縛管內(nèi)的水流橫截面積與外接水管截面積示意圖。
[0041]圖4為阻垢處理器的電磁線圈與脈沖發(fā)生器的接線圖。
[0042]附圖標(biāo)記說(shuō)明:1-流量束縛管，2-入水口，3-出水口，4-金屬管道，5-電磁線圈，6-外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極，7-高壓發(fā)生器，8-高壓電引出線，9-接地線，10-高壓管式電極密封防水蓋，11-聚四氟乙烯絕緣層，12-金屬管道底部PVC密封板，13-塑料固定支架，14-脈沖信號(hào)發(fā)生器，阻垢處理器高度為L(zhǎng)。
【具體實(shí)施方式】
[0043]在下文中，現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)該解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)將是徹底和完全的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0044]請(qǐng)參閱附圖，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施作詳細(xì)描述:
[0045]圖1為俯視圖；圖2為剖面圖；圖3為流量束縛管截面積與連接水管截面積示意圖；圖4為阻垢處理器的電磁線圈與脈沖發(fā)生器的接線圖。
[0046]加裝了流量束縛管的磁電式循環(huán)冷卻水阻垢處理器包括流量束縛管1、金屬管道
4、阻垢處理器的高度為L(zhǎng)。所述金屬管道4包括入水口 2、出水口 3、PVC底板12和塑料固定支架13，待處理的水從所述入水口 2進(jìn)入流量束縛管，流過(guò)所述高壓電場(chǎng)和所述脈沖磁場(chǎng)到所述出水口 3 ;所述電處理裝置包括外敷耐高壓絕緣層11的高壓管式電極6和高壓電發(fā)生器7及高壓電引出線8 ;所述磁處理裝置包括電磁線圈5及脈沖信號(hào)發(fā)生器14，所述電磁線圈5通過(guò)引出線連接在所述脈沖發(fā)生器14上。
[0047]其中外敷耐高壓絕緣層11的高壓管式電極6通過(guò)高壓電引出線8連接在高壓電發(fā)生器7上，利用塑料固定支架13將外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極6固定在流量束縛管道I的中間，由高壓電發(fā)生器7的正極接通高壓管式電極6 (正極)，高壓電發(fā)生器7的地線與金屬管道4接通(負(fù)極)，高壓管式電極6 (正極)與金屬管道4(負(fù)極)之間形成高壓電場(chǎng)，水流動(dòng)時(shí)水流方向與電場(chǎng)方向垂直；
[0048]將防水漆包線繞制的電磁線圈5每相同繞向的兩個(gè)成一對(duì)相對(duì)安裝在金屬管道4內(nèi)，即電磁線圈Xl和X2、X3和X4分別為相對(duì)應(yīng)的、繞向相同的一對(duì)線圈。利用一對(duì)相同繞向的電磁線圈所產(chǎn)生的脈沖磁場(chǎng)進(jìn)行能量傳遞，脈沖磁場(chǎng)方向與水流方向亦垂直。
[0049]管道4內(nèi)與水接觸的部件均進(jìn)行防水處理，電磁線圈的引出線(如圖4所示，圖1中未畫出)與金屬管道4之間的穿出孔用密封膠密封。電磁線圈5所產(chǎn)生的熱量通過(guò)水流冷卻。
[0050]在上述裝置中，水從阻垢處理器的流量束縛管中作切割電場(chǎng)線流過(guò)的同時(shí)，接受了磁電式處理器的電場(chǎng)能量后，使水分子中正負(fù)電荷重心問(wèn)的距離加大，進(jìn)而使水分子的偶極矩和極性增大，水分子對(duì)碳酸鈣垢中正負(fù)離子水化作用能力增強(qiáng)，使水垢溶入水中的傾向增大，冷卻水中Ca2+(A)和C032_(水)離子析出生成CaCO3垢的傾向降低，達(dá)到了阻垢目的。
[0051]水從阻垢處理器的流量束縛管中同樣做切割磁場(chǎng)線流動(dòng)時(shí)，通過(guò)電磁感應(yīng)得到電磁線圈傳出的能量，使水中的致垢離子結(jié)晶析出時(shí)形成松散的不易附壁的結(jié)晶物，結(jié)晶物懸浮在水中隨水流沖走而不沉積在換熱器表面，從而達(dá)到阻垢目的。在脈沖磁場(chǎng)通斷瞬間，積聚在線圈的能量由于電路的突然關(guān)閉，在線圈兩端產(chǎn)生反沖高壓，使水中感應(yīng)的電壓瞬間增大，進(jìn)而影響成垢離子，使之不能在換熱器表面結(jié)晶。
[0052]加裝了流量束縛管的磁電式實(shí)驗(yàn)室用循環(huán)冷卻水阻垢處理器可用于實(shí)驗(yàn)室內(nèi)動(dòng)態(tài)模擬循環(huán)冷卻水阻垢處理，主要解決兩個(gè)問(wèn)題，一是實(shí)驗(yàn)室內(nèi)動(dòng)態(tài)模擬阻垢實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，由于水管管徑與阻垢裝置管道直徑之間不匹配的問(wèn)題，加裝流量束縛管后，使得阻垢裝置管道內(nèi)的水流流速與入水管內(nèi)的水流流速相一致，從而減少了實(shí)驗(yàn)誤差。二是結(jié)合了脈沖磁場(chǎng)和高壓電場(chǎng)兩者處理的特點(diǎn)，彌補(bǔ)磁場(chǎng)和電場(chǎng)處理單獨(dú)作用的不足，通過(guò)調(diào)節(jié)輸出高壓電的高低和選擇不同高壓電脈沖、調(diào)節(jié)脈沖發(fā)生器輸出的脈沖波形、輸出頻率及輸出功率，提升了適應(yīng)水質(zhì)條件的能力，增強(qiáng)了兩者的協(xié)同作用，提高了循環(huán)冷卻水的阻垢率。
[0053]本發(fā)明利用加裝了流量束縛管的磁電式實(shí)驗(yàn)室用循環(huán)冷卻水阻垢處理器，脈沖磁場(chǎng)的頻率范圍在50Hz~9000Hz左右，脈沖波形可選方波、正弦波、三角波、鋸齒波等。高壓發(fā)生器產(chǎn)生的高壓在1000伏到20000伏之間。適用管道直徑Φ200-400πιπι之間。阻垢處理器高度L可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際在400mm-1200mm之間選擇。單臺(tái)處理水量150_2500L/h，阻垢率可達(dá)65%。
[0054]最后應(yīng)說(shuō)明的是:顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明本發(fā)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)`仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種加裝流量束縛管的磁電式循環(huán)冷卻水阻垢處理器，包括循環(huán)水流通過(guò)的金屬管道、流量束縛管、產(chǎn)生高壓電場(chǎng)的電處理裝置和產(chǎn)生脈沖磁場(chǎng)的磁處理裝置，其特征在于: 所述金屬管道包括入水口和出水口，待處理的水從所述入水口進(jìn)入流量束縛管，流過(guò)所述電場(chǎng)和所述脈沖磁場(chǎng)到所述出水口，所述電處理裝置包括外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極和高壓電發(fā)生器，所述流量束縛管為PVC材質(zhì)、所述外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極通過(guò)引出線連接在所述高壓電發(fā)生器的正極上；所述磁處理裝置包括電磁線圈及脈沖發(fā)生器，所述電磁線圈通過(guò)引出線連接所述脈沖發(fā)生器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻垢處理器，其特征在于，所述外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極沿流量束縛管的軸線中心置于其內(nèi)部，流量束縛管內(nèi)部所形成的環(huán)形流通截面積與入水口管道的截面積相等，以保證循環(huán)水流經(jīng)阻垢處理器時(shí)的流速與水管內(nèi)的流速一致。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻垢處理器，其特征在于，所述流量束縛管與金屬管道之間充滿靜態(tài)水介質(zhì)，流量束縛管內(nèi)流過(guò)循環(huán)冷卻水，以保證在外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極與金屬管道之間的高壓靜電場(chǎng)中均為水介質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻垢處理器，其特征在于，所述高壓電發(fā)生器的正極接通所述外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極的正極，所述高壓電發(fā)生器的地線與金屬管道接通，外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極與金屬管道之間形成高壓電場(chǎng)，水流動(dòng)時(shí)水流方向與高壓電場(chǎng)線方向垂直。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻垢處理器，其特征在于，所述電磁線圈由防水漆包線繞制而成，電磁線圈內(nèi)部放置由軟磁性材料構(gòu)成的鐵芯或者空心；每?jī)蓚€(gè)電磁線圈成一對(duì)相對(duì)安裝在金屬管道內(nèi)，磁場(chǎng) 線方向與水流方向垂直。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻垢處理器，其特征在于，所述電磁線圈設(shè)置于金屬管道內(nèi)側(cè)，其產(chǎn)生的熱量通過(guò)水流冷卻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻垢處理器，其特征在于，其連接所述高壓電發(fā)生器與外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極及金屬管道的導(dǎo)線，耐壓值在2萬(wàn)伏特及以上，并可防水；連接電磁線圈與脈沖發(fā)生器的導(dǎo)線，耐壓值在220伏特及以上，并可防水。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的阻垢處理器，其特征在于，脈沖發(fā)生器輸出的脈沖波頻率范圍在50Hz-9000Hz之間，有掃頻輸出功能；脈沖發(fā)生器輸出的脈沖波形為方波、正弦波、三角波、鋸齒波中的一種；輸出功率在10瓦特~900瓦特之間；聞壓電發(fā)生器輸出電壓范圍在1000伏特-20000伏特之間并可調(diào)，為直流高壓輸出或脈沖高壓輸出。
9.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的阻垢處理器，其特征在于，所述阻垢處理器的金屬管道直徑Φ200-400πιπι之間；所述阻垢處理器的高度L在400-1200mm之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻垢處理器，其特征在于，所述外敷耐高壓絕緣層的高壓管式電極沿流量束縛管的軸線中心置于其內(nèi)部，流量束縛管所形成的環(huán)形流通截面積與入水口管與出水口管的截面積相等。
【文檔編號(hào)】C02F5/00GK103482774SQ201310395062
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月3日
【發(fā)明者】劉智安, 趙巨東, 胡俊虎 申請(qǐng)人:內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)