轉(zhuǎn)印方法及熱納米壓印裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】使用微細(xì)圖案形成用膜(II)，在被處理體(20)上轉(zhuǎn)印賦予以下第1掩模層(13)及第2掩模層(12)，所述微細(xì)圖案形成用膜(II)具有在一側(cè)的表面上形成有納米尺度的凹凸結(jié)構(gòu)(兒)的覆蓋膜(10)、設(shè)置于所述凹凸結(jié)構(gòu)(11)的凹部?jī)?nèi)部的第2掩模層(12)、覆蓋所述凹凸結(jié)構(gòu)(11)及所述第2掩模層(12)而設(shè)置的第1掩模層(13)；此處，使設(shè)置有第1掩模層(13)的表面朝向所述被處理體(20)的表面，按壓微細(xì)圖案形成用膜(II)，對(duì)第1掩模層(13)照射能量射線，接著，將覆蓋膜(10)從第2掩模層(12)及第1掩模層(13)上分離。此處，按壓和能量射線照射分別獨(dú)立進(jìn)行。使用第2掩模層(12)及第1掩模層(13)，蝕刻被處理體(20)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】轉(zhuǎn)印方法及熱納米壓印裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)印方法及熱納米壓印裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)上，較多使用光刻技術(shù)作為L(zhǎng)SI的制造中的凹凸結(jié)構(gòu)加工技術(shù)。然而，光刻技 術(shù)存在難以加工出尺寸比曝光中使用光的波長(zhǎng)更小的凹凸結(jié)構(gòu)的問(wèn)題。此外，作為其他的 凹凸構(gòu)造的加工技術(shù)，有使用電子束描繪裝置的掩模凹凸結(jié)構(gòu)描繪技術(shù)（EB法）。然而，EB 法中因?yàn)橥ㄟ^(guò)電子束直接描繪掩模凹凸結(jié)構(gòu)，存在描繪的凹凸結(jié)構(gòu)越多，描繪時(shí)間越增加， 形成凹凸結(jié)構(gòu)為止的吞吐量大幅降低的問(wèn)題。此外，因?yàn)楣饪逃闷毓庋b置中的掩模位置的 高精度控制和EB法用曝光裝置中的電子束描繪裝置的大型化等，這些方法中還存在裝置 成本升高的問(wèn)題。
[0003] 作為能夠解決這些問(wèn)題的凹凸構(gòu)造的加工技術(shù)，人們提出了納米壓印技術(shù)。其中， 從轉(zhuǎn)印精度及容易性的角度出發(fā)，光納米壓印法廣受注目。光納米壓印法中，通過(guò)將形成有 納米尺度凹凸結(jié)構(gòu)的模具，按壓在形成于被轉(zhuǎn)印基板的表面上的液態(tài)抗蝕劑層上，將形成 于模具上的凹凸結(jié)構(gòu)在被轉(zhuǎn)印基板的表面上轉(zhuǎn)印形成。
[0004] 特別地，從轉(zhuǎn)印精度的角度出發(fā)，人們提出可使用片狀模具，在平板狀的被處理體 上轉(zhuǎn)印凹凸結(jié)構(gòu)（例如，參考專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
[0005] 然而，專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的方法中，（1)介由液態(tài)的抗蝕劑層，相對(duì)于片狀模具的 形成有凹凸結(jié)構(gòu)的一側(cè)主面（以下記做凹凸結(jié)構(gòu)面），在被處理體的一側(cè)主面與片狀模具 的凹凸結(jié)構(gòu)面平行或?qū)嵸|(zhì)平行的狀態(tài)下，以面按壓處理體。因此，難以抑制氣泡的卷入和使 按壓時(shí)的壓力分布較小等。卷入氣泡的話，會(huì)降低凹凸結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印精度，壓力分布變大的 話，液態(tài)的抗蝕劑層的膜厚不均會(huì)增大。要使壓力分布越小，熱納米壓印裝置就越變得過(guò) 大。特別地，轉(zhuǎn)印中使用的凹凸結(jié)構(gòu)的面積越大，越難使壓力均等化，越難以大面積化。
[0006] (2)另一方面，熱納米壓印裝置中通常附帶有在轉(zhuǎn)印后分離被成形品和模子的被 成形品脫模裝置。被成形品脫模裝置中，將片狀模具的凹凸結(jié)構(gòu)面與由抗蝕劑層/被處理 體構(gòu)成的積層體，以被處理體的一側(cè)主面與片狀模具的凹凸結(jié)構(gòu)面平行或?qū)嵸|(zhì)平行的狀 態(tài)，作為面進(jìn)行剝離。因此，施加在轉(zhuǎn)印形成有凹凸結(jié)構(gòu)的抗蝕劑層的凹凸結(jié)構(gòu)上的應(yīng)力增 大，導(dǎo)致凹凸結(jié)構(gòu)破壞或第1掩模層從被處理體上剝離，結(jié)果，轉(zhuǎn)印精度降低。
[0007] (3)進(jìn)一步地，熱納米壓印裝置被設(shè)置為，在從收卷了片狀模具的原卷（原反）中 卷出片狀模具的部位與卷取轉(zhuǎn)印后的片狀模具的部位之間，附帶有將轉(zhuǎn)印后的被成形品與 模子分離的被成形品脫模裝置。因此，因而存在以下問(wèn)題，如果轉(zhuǎn)印后不經(jīng)分離模具和被成 形品的工序，則不能進(jìn)行之后的轉(zhuǎn)印，因而不能進(jìn)行連續(xù)生產(chǎn)，轉(zhuǎn)印效率降低。
[0008] 如上所述，光納米壓印法中，存在因?yàn)槭褂靡簯B(tài)的抗蝕劑層，使用復(fù)雜且過(guò)大的裝 置這一課題。
[0009] 為解決這些問(wèn)題，人們提出不使用液態(tài)抗蝕劑層的熱納米壓印法。熱納米壓印法 必須含有相對(duì)于轉(zhuǎn)印對(duì)象的按壓模具的凹凸結(jié)構(gòu)的工序、冷卻轉(zhuǎn)印對(duì)象的工序和從轉(zhuǎn)印對(duì) 象將模具脫模的工序。這樣的熱納米壓印法中，有必要以轉(zhuǎn)印對(duì)象的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg) 或熔點(diǎn)（Tm)以上的溫度，進(jìn)行將模具的凹凸結(jié)構(gòu)向轉(zhuǎn)印對(duì)象的按壓。即，有必要對(duì)轉(zhuǎn)印對(duì) 象均等地加熱，均等地使其流動(dòng)化，均等地按壓模具。從該角度出發(fā)，通常采用面壓加壓機(jī) 構(gòu)作為按壓機(jī)構(gòu)。因此，存在為使按壓時(shí)加壓的壓力增加，就有過(guò)大的加壓部的問(wèn)題。進(jìn)一 步地，為了抑制外界氣體的卷入，有必要有精密控制模具與轉(zhuǎn)印對(duì)象的平行度的機(jī)構(gòu)。因 此，裝置的控制機(jī)構(gòu)過(guò)大，并且，易于變得復(fù)雜。此外，由于按壓時(shí)有必要以高溫度，過(guò)大的 冷卻機(jī)構(gòu)成為必須，同樣地存在裝置的控制機(jī)構(gòu)變得復(fù)雜的問(wèn)題。
[0010] 專(zhuān)利文獻(xiàn)2公開(kāi)了熱納米壓印法。專(zhuān)利文獻(xiàn)2公開(kāi)了將模具的凹凸結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印于轉(zhuǎn) 印對(duì)象（熱塑性樹(shù)脂）的熱納米壓印方法。該方法中，在熱塑性樹(shù)脂的體積與模具的凹凸 結(jié)構(gòu)的體積滿(mǎn)足規(guī)定的關(guān)系的同時(shí)，以加熱模具及熱塑性樹(shù)脂的狀態(tài)將模具按壓在熱塑性 樹(shù)脂上，在按壓的狀態(tài)下冷卻之后，剝離模具。然而，即使是這樣的構(gòu)成，如上述說(shuō)明，為了 使熱塑性樹(shù)脂的流動(dòng)性均等地產(chǎn)生，有必要均等地加熱和按壓，因此采用面壓加壓按壓機(jī) 構(gòu)。因此，不難想象，為使按壓時(shí)加壓的壓力增加，就有過(guò)大的加壓部。同樣地，可以容易地 類(lèi)推，由于有必要有面壓加壓機(jī)構(gòu)，為了抑制按壓時(shí)外界氣體的卷入，有必要有精密控制模 具與熱塑性樹(shù)脂的平行度的機(jī)構(gòu)。此外，面壓加壓機(jī)構(gòu)中，將模具的凹凸結(jié)構(gòu)按在熱塑性樹(shù) 脂上。從該角度出發(fā)，有必要使加熱溫度至少在熱塑性樹(shù)脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上，其為高 溫。即，由于按壓時(shí)需要較高的溫度，故過(guò)大的冷卻機(jī)構(gòu)成為必須，同樣地存在裝置的控制 機(jī)構(gòu)變得復(fù)雜的問(wèn)題。

【背景技術(shù)】文獻(xiàn) 專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0011] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :日本專(zhuān)利特開(kāi)2011-020272號(hào)公報(bào) 專(zhuān)利文獻(xiàn)2 :日本專(zhuān)利第4943876號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】
發(fā)明要解決的課題
[0012] 如以上說(shuō)明，傳統(tǒng)的熱納米壓印法中，通常在按壓工序中采用面壓加壓機(jī)構(gòu)的同 時(shí)，為提高轉(zhuǎn)印精度，需要調(diào)整模具與轉(zhuǎn)印對(duì)象的平行度的機(jī)構(gòu)，因而裝置變得復(fù)雜并且過(guò) 大。進(jìn)一步地，存在需要有高溫的加熱機(jī)構(gòu)，隨之過(guò)大冷卻機(jī)構(gòu)成為必須的問(wèn)題。
[0013] 為解決這樣的問(wèn)題，可以在低壓力且低溫度下熱納米壓印的熱納米壓印裝置成為 必須。
[0014] 本發(fā)明鑒于以上諸點(diǎn)，目的是提供一種使用熱納米壓印法，不需要過(guò)大的設(shè)備，在 低壓力且低溫度下可以高精度地轉(zhuǎn)印凹凸結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印方法，以及熱納米壓印裝置。 解決課題的手段
[0015] 本發(fā)明涉及的轉(zhuǎn)印方法為使用微細(xì)圖案形成用膜，在被處理體上轉(zhuǎn)印賦予以下第 1掩模層及第2掩模層的轉(zhuǎn)印方法，該微細(xì)圖案形成用膜具有在一側(cè)的表面上形成有納米 尺度的凹凸結(jié)構(gòu)的覆蓋膜、設(shè)置于所述凹凸結(jié)構(gòu)的凹部?jī)?nèi)部的第2掩模層、設(shè)置為覆蓋所 述凹凸結(jié)構(gòu)及所述第2掩模層的第1掩模層，所述轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，至少按以下順序 含有：使設(shè)置有所述第1掩模層的表面朝向所述被處理體的表面，按壓所述微細(xì)圖案形成 用膜的按壓工序；對(duì)所述第1掩模層照射能量射線的能量射線照射工序；及，將所述保護(hù)膜 從所述第2掩模層及所述第1掩模層移除的脫模工序，同時(shí)，所述按壓工序和所述能量射線 照射工序分別獨(dú)立進(jìn)行。
[0016] 本發(fā)明涉及的熱納米壓印裝置是通過(guò)上述中任意一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)印方法，在所述被 處理體上轉(zhuǎn)印所述第1掩模層及所述第2掩模層的熱納米壓印裝置，其特征在于，具有實(shí)施 所述按壓工序的按壓部、實(shí)施所述能量射線照射工序的能量射線照射部、實(shí)施所述脫模工 序的脫模部。
[0017] 本發(fā)明涉及的熱納米壓印裝置是通過(guò)上述中任意一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)印方法，在所述被 處理體上轉(zhuǎn)印所述第1掩模層及所述第2掩模層的熱納米壓印裝置，其特征在于，具有以使 形成有所述第1掩模層的表面與所述被處理體的一側(cè)表面相對(duì)的狀態(tài)，貼合所述微細(xì)圖案 形成用膜及所述被處理體的貼合部，所述貼合部，具有實(shí)質(zhì)上以線對(duì)所述微細(xì)圖案形成用 膜或所述被處理體施加按壓力的按壓部，該按壓部具有實(shí)質(zhì)上以線與所述微細(xì)圖案形成用 膜或所述被處理體接觸的轉(zhuǎn)動(dòng)體，所述轉(zhuǎn)動(dòng)體，至少其表層由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為l〇〇°C以下 的彈性體構(gòu)成。
[0018] 本發(fā)明涉及的積層體是具有被處理體和微細(xì)掩模圖案的積層體，該微細(xì)掩模圖案 設(shè)置于所述被處理體的表面的至少一部分上、至少在所述表面的外緣部的一部分上保留露 出部，所述微細(xì)掩模圖案的特征在于，具有在所述被處理體上作為微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)而設(shè)置的 第1掩模層和至少在所述第1掩模層的凸部的頂部之上設(shè)置的第2掩模層。 發(fā)明效果
[0019] 依據(jù)本發(fā)明，可以提供一種使用熱納米壓印法，不需要過(guò)大的設(shè)備，在低壓力且低 溫度下可以高精度地轉(zhuǎn)印凹凸結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印方法，以及熱納米壓印裝置。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020] [圖1]顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的截面示意圖。
[圖2]為了說(shuō)明使用本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜，對(duì)被處理體形成微細(xì)圖案 的方法的工序圖。
[圖3]為了說(shuō)明使用本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜，對(duì)被處理體形成微細(xì)圖案 的方法的工序圖。
[圖4]為了說(shuō)明使用本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜，對(duì)被處理體形成微細(xì)圖案 的方法的工序圖。
[圖5]為了說(shuō)明使用本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜，對(duì)被處理體形成微細(xì)圖案 的方法的工序圖。
[圖6]顯示在本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜上設(shè)置彈性體的例子的示意截面 圖。
[圖7]有關(guān)本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜與被處理體的貼合的截面示意圖。 [圖8]有關(guān)本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜與轉(zhuǎn)印于被處理體上第1掩模層的脫 模的截面示意圖。
[圖9]顯示本實(shí)施方式涉及的轉(zhuǎn)動(dòng)體的一例的截面示意圖。
[圖10]顯示本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中的按壓部的說(shuō)明圖。
[圖11]顯示本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置涉及的具有貼合部的按壓部的立體示 意圖。
[圖12]顯示本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中的按壓部的側(cè)面示意圖。
[圖13]顯示本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中附帶按壓加熱部的轉(zhuǎn)動(dòng)體的側(cè)面示 意圖。
[圖14]顯示第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的示意圖。
[圖15]顯示第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中的由剝離部引起的微細(xì)圖案形成 用膜的剝離的示意圖。
[圖16]顯示第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中的由剝離部引起的微細(xì)圖案形成 用膜的剝離的示意圖。
[圖17]為了對(duì)第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中的剝離部處的微細(xì)圖案形成用 膜的方向變化進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。
[圖18]顯示第2實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的示意圖。
[圖19]顯示第2實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中切斷部的裁斷位置的平面示意圖。
[圖20]顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的示意圖。
[圖21]顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中貼合部處的微細(xì)圖案形成用膜與 被處理體的關(guān)系的示意圖。
[圖22]顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。
[圖23]顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。
[圖24]顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。
[圖25]顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。
[圖26]顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。
[圖27]顯示第4實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的示意圖。
[圖28]顯示第4實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。
[圖29]顯示第4實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。
[圖30]顯示第5實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的示意圖。
[圖31]顯示第5實(shí)施方式涉及的轉(zhuǎn)印方法中的熱納米壓印裝置的動(dòng)作的示意圖。
[圖32]顯示第5實(shí)施方式涉及的轉(zhuǎn)印方法中的熱納米壓印裝置的動(dòng)作的示意圖。
[圖33]顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的制造方法的各工序的截面示意 圖。
[圖34]顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的制造方法的各工序的截面示意 圖。
[圖35]顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜中的柱狀的凹凸結(jié)構(gòu)的截面示意 圖。
[圖36]顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜中的孔洞形狀的凹凸結(jié)構(gòu)的頂視 圖。
[圖37]顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的制造方法的各工序的截面示意 圖。
[圖38]顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的截面示意圖。
[圖39]顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜中的凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的排列例的說(shuō) 明圖。
[圖40]顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的截面示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021] 以下，對(duì)本發(fā)明的一種實(shí)施方式（以下稱(chēng)為"實(shí)施方式"）進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，本 發(fā)明并非僅限定于以下的實(shí)施方式，可以在其主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更而實(shí)施。
[0022] 〈微細(xì)圖案形成用膜的概要〉 首先，對(duì)本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的概要進(jìn)行說(shuō)明。 使用本發(fā)明的熱納米壓印方法或熱納米壓印裝置的熱納米壓印方法中，使用以下說(shuō)明 的微細(xì)圖案形成用膜。由此，可在低溫且低壓下高精度地實(shí)施熱納米壓印。
[0023] 本發(fā)明涉及的微細(xì)圖案形成用膜，是在一側(cè)的表面上形成有凹凸結(jié)構(gòu)的覆蓋膜的 凹凸結(jié)構(gòu)上，成膜第2掩模層及第1掩模層的膜。圖1是顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案 形成用膜的截面示意圖。如圖1所示，微細(xì)圖案形成用膜1在覆蓋膜2的表面上設(shè)置有樹(shù) 脂層3。樹(shù)脂層3的與覆蓋膜2相接的面的相反一側(cè)的面上形成有凹凸結(jié)構(gòu)3a。在以下的 說(shuō)明中，單稱(chēng)覆蓋膜2時(shí)也包括形成有凹凸結(jié)構(gòu)3a的樹(shù)脂層3。第2掩模層4充填在凹凸 結(jié)構(gòu)3a的凹部?jī)?nèi)部。此外，第1掩模層5成膜為覆蓋第2掩模層4及凹凸結(jié)構(gòu)3a。該第1 掩模層5之上可設(shè)置保護(hù)層。
[0024] 另外，以后說(shuō)明的熱納米壓印裝置附帶的貼合部中，貼合于被處理體的面是第1 掩模層5的表面。此外，剝離部中被剝離的膜為覆蓋膜2,被處理體上轉(zhuǎn)印有由第1掩模層 5及第2掩模層4形成的凹凸結(jié)構(gòu)。
[0025] 圖2A?圖2C及圖3A?圖3F是為了說(shuō)明使用本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用 膜，對(duì)被處理體形成微細(xì)圖案的方法的工序圖。如圖2A所示，在覆蓋膜10的主面上形成有 凹凸結(jié)構(gòu)11。凹凸結(jié)構(gòu)11由多個(gè)凹部Ila和凸部Ilb構(gòu)成。覆蓋膜10為例如膜狀或片狀 的成形體。
[0026] 首先，如圖2B所示，覆蓋膜10的凹凸結(jié)構(gòu)11的凹部Ila的內(nèi)部中，充填有在后述 的第1掩模層上形成圖案的第2掩模層12。第2掩模層12由例如溶膠凝膠材料形成。此 處，具有覆蓋膜10及第2掩模層12的積層體稱(chēng)為第1微細(xì)圖案形成用膜I，或單稱(chēng)為第1 積層體I。
[0027] 接著，如圖2C所示，在含有第1積層體I的第2掩模層12的凹凸結(jié)構(gòu)11之上，形 成第1掩模層13。該第1掩模層13用于后述的被處理體的圖案形成。第1掩模層13由例 如光固化性樹(shù)脂、熱固化性樹(shù)脂或熱塑性樹(shù)脂形成。
[0028] 進(jìn)一步地，如圖2C所示，第1掩模層13的上側(cè)，可以設(shè)置保護(hù)層14。保護(hù)層14保 護(hù)第1掩模層13,并非必須。此處，將由覆蓋膜10、第2掩模層12及第1掩模層13形成的 積層體稱(chēng)為第2微細(xì)圖案形成用膜II，或單稱(chēng)為第2積層體II。該第2積層體II通過(guò)使 第1掩模層13與被處理體貼合，可用于被處理體的圖案形成。
[0029] 接著，準(zhǔn)備如圖3A所示的被處理體20。被處理體20為例如平板狀的無(wú)機(jī)基板，藍(lán) 寶石基板、SiC(碳化硅）基板、Si(硅）基板、尖晶石基板或氮化物半導(dǎo)體基板。首先，如圖 3B所示，在被處理體20的主面上，使第2積層體II的第1掩模層13的露出面與被處理體 20的主面相對(duì)面地貼合。其結(jié)果是獲得由第2積層體II及被處理體20構(gòu)成的第3積層體 III。貼合適宜為層壓，特別適宜為熱層壓。本操作用后述說(shuō)明的熱納米壓印裝置的貼合部 進(jìn)行。
[0030] 接著，如圖3C所示，將覆蓋膜10從第1掩模層13及第2掩模層12上剝離。其結(jié) 果是獲得由被處理體20、第1掩模層13及第2掩模層12構(gòu)成的中間體21。本操作用后述 說(shuō)明的熱納米壓印裝置的剝離部進(jìn)行。
[0031] 此外，第2積層體II通過(guò)后述的送料輥開(kāi)卷開(kāi)，通過(guò)后述的卷取輥卷取。即，在相 比送料輥處于第2積層體II的流動(dòng)方向的下游，進(jìn)行上述貼合，同時(shí)，在相比貼合進(jìn)一步處 于流動(dòng)方向的下游并且處于相比卷取輥的上游，進(jìn)行上述剝離。
[0032] 進(jìn)一步地，被處理體可在上述貼合和剝離之間，伴隨第2積層體II的傳送而移動(dòng)。 換言之，第2積層體II可以發(fā)揮作為被處理體的載體的功能。
[0033] 另外，在上述的貼合和剝離之間，可以對(duì)第2積層體II照射能量射線，使第1掩模 層13硬化或固化。此外，可通過(guò)在貼合及按壓時(shí)進(jìn)行加熱，使第1掩模層13硬化或固化。 此外，可以在對(duì)第2積層體II照射能量射線使第1掩模層13硬化或固化之后，通過(guò)加熱第 3積層體III，提高第1掩模層13的穩(wěn)定性。進(jìn)一步地，也可以通過(guò)剝離后的能量射線照射 或加熱處理，使第1掩模層13硬化或固化。這些的操作，因其在貼合和剝離之間進(jìn)行，可以 在貼合時(shí)施加的壓力被釋放的狀態(tài)下進(jìn)行。特別地，在進(jìn)行貼合后接著照射能量射線的工 序中，能量射線照射時(shí)貼合時(shí)的壓力被釋放。
[0034] 得到的中間體21可以通過(guò)上述說(shuō)明的回收部回收，進(jìn)行暫時(shí)保管，或者直接轉(zhuǎn)向 以下說(shuō)明的工序。
[0035] 通過(guò)回收部回收的中間體21被傳送向與熱納米壓印裝置不同的其他裝置。并且， 以第2掩模層12作為掩模，通過(guò)將第1掩模層13進(jìn)行例如氧灰化，如圖3D所示形成圖案。 其結(jié)果是獲得設(shè)置有通過(guò)第1掩模層13及第2掩模層12構(gòu)成的具有高縱橫比的微細(xì)掩模 圖案16a的微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16。進(jìn)一步地，以形成有圖案的第1掩模層13作為掩模，在被 處理體20上實(shí)施例如反應(yīng)性離子蝕刻，如圖3E所示，在被處理體20的主面上形成微細(xì)圖 案22。最后，如圖3F所示，除去殘留在被處理體20的主面上的第1掩模層13,獲得具有微 細(xì)圖案22的被處理體20。
[0036] 本實(shí)施方式中，從圖2A?圖2C所示的覆蓋膜10得到第2積層體II為止以一條 生產(chǎn)線（以下，稱(chēng)為第1生產(chǎn)線）進(jìn)行。在此之后，圖3A?圖3F為止以其他的生產(chǎn)線（以 下，稱(chēng)為第2生產(chǎn)線）進(jìn)行。在更優(yōu)選方式中，第1生產(chǎn)線和第2生產(chǎn)線以不同的設(shè)備進(jìn)行。 因此，第2積層體II是將第2積層體II捆包為卷軸狀（roller狀），進(jìn)行保管或搬運(yùn)。
[0037] 本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選的方式中，第1生產(chǎn)線為第2積層體II的提供側(cè)的生產(chǎn)線，第 2生產(chǎn)線為第2積層體II的使用側(cè)的生產(chǎn)線。如此，通過(guò)在提供側(cè)中預(yù)先量產(chǎn)第2積層體 II，提供給使用側(cè)，具有以下的優(yōu)點(diǎn)。
[0038] (1)可以反映構(gòu)成第2積層體II的覆蓋膜10的凹凸結(jié)構(gòu)11的精度，在被處理體 20上進(jìn)行微細(xì)加工。具體地，可使第2掩模層12確保構(gòu)成第2積層體II的覆蓋膜10的凹 凸結(jié)構(gòu)11的精度。進(jìn)一步地，使第1掩模層13的膜厚精度在第2積層體II中得以確保， 因而，可以高度保證在被處理體20之上轉(zhuǎn)印形成的第1掩模層13的膜厚分布精度。即，通 過(guò)使用第2積層體II，可以在被處理體20面內(nèi)，使第1掩模層13的膜厚分布精度高，并且 凹凸結(jié)構(gòu)11的轉(zhuǎn)印精度高地轉(zhuǎn)印形成第2掩模層12及第1掩模層13。因此，通過(guò)使用第 2掩模層12對(duì)第1掩模層13進(jìn)行微細(xì)加工，可以在被處理體20面內(nèi)反映覆蓋膜10的圖案 精度（凹凸結(jié)構(gòu)11的排列精度），并且，高膜厚分布精度地形成設(shè)置有由第2掩模層12及 第1掩模層13構(gòu)成的具有高縱橫比的微細(xì)掩模圖案16a的微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16。通過(guò)使用 高精度的微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16,可以高精度地加工被處理體20,可以制作在被處理體20面內(nèi) 反映覆蓋膜10的微細(xì)圖案精度（凹凸結(jié)構(gòu)11的排列精度）的微細(xì)圖案22。
[0039] (2)因?yàn)榭赏ㄟ^(guò)第2積層體II確保微細(xì)圖案的精度，可不需要使用繁雜的工序或 裝置，在合適的加工被處理體20的設(shè)備中對(duì)被處理體20進(jìn)行微細(xì)加工。
[0040] (3)因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)第2積層體II確保微細(xì)圖案的精度，可在使用加工后的被處理 體20制造設(shè)備的最佳場(chǎng)所中，使用第2積層體II。即，可以制造具有穩(wěn)定的功能的裝置。
[0041] 如上所述，通過(guò)使用第1生產(chǎn)線為第2積層體II的提供側(cè)的生產(chǎn)線，第2生產(chǎn)線 為第2積層體II的使用側(cè)的生產(chǎn)線，可以在最適于被處理體20的加工，并且，最適于使用 加工后的被處理體20制造設(shè)備的環(huán)境下，使用第2積層體II。因此，可以提高被處理體20 的加工及設(shè)備組裝的吞吐量。進(jìn)一步地，第2積層體II由覆蓋膜10和設(shè)置于覆蓋膜10的 凹凸結(jié)構(gòu)11上的功能層（第2掩模層12及第1掩模層13)構(gòu)成。即，支配被處理體20的 加工精度的第1掩模層13及第2掩模層12的配置精度，是通過(guò)第2積層體II的覆蓋膜10 的凹凸結(jié)構(gòu)11的精度而確保，同時(shí)，第1掩模層13的膜厚精度可以由第2積層體II確保。 由上，通過(guò)使第1生產(chǎn)線為第2積層體II的提供側(cè)的生產(chǎn)線，第2生產(chǎn)線作為第2積層體 II的使用側(cè)的生產(chǎn)線，可以在最適合使用加工后的被處理體20制造設(shè)備的環(huán)境下，使用第 2積層體II高精度地加工使用被處理體20。
[0042] 如上所述，通過(guò)第2積層體II主要可以確保第1掩模層13及第2掩模層12的微 細(xì)圖案的精度、以及第1掩模層13的膜厚精度，可以在被處理體20上被處理體20的面內(nèi) 高精度地設(shè)置微細(xì)圖案22。此處，將第2積層體II的第1掩模層13貼合在上被處理體20 時(shí)，第2積層體II彎曲，此外，產(chǎn)生氣泡（air point)的情況下，設(shè)置于被處理體20上的微 細(xì)圖案22的面內(nèi)精度大幅降低。進(jìn)一步地，從由第2積層體11/被處理體20形成的積層 體，剝離覆蓋膜10時(shí)，在第1掩模層13及第2掩模層12的微細(xì)圖案上施加過(guò)度的應(yīng)力，或 第2積層體II彎曲時(shí)，產(chǎn)生第1掩模層13的凝聚破壞、第1掩模層13與被處理體20的界 面剝離、第1掩模層13及第2掩模層12與覆蓋膜10的脫模不良這些問(wèn)題。
[0043] 通過(guò)使用本發(fā)明的熱納米壓印裝置，可以合適地使用微細(xì)圖案形成用膜。由此，可 在低溫且低壓下實(shí)施熱納米壓印。
[0044] 〈掩模圖案轉(zhuǎn)印工序〉 接著，對(duì)使用微細(xì)圖案形成用膜的各工序進(jìn)行說(shuō)明。在被處理體20上形成微細(xì)圖案22 的方法，可以分為掩模圖案轉(zhuǎn)印工序和蝕刻工序。
[0045] 圖4及圖5是說(shuō)明使用本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜，對(duì)被處理體形成微 細(xì)圖案的方法的工序圖。掩模圖案轉(zhuǎn)印工序如圖4A及圖4B以及圖5B?圖5C所示。
[0046] 掩模圖案轉(zhuǎn)印工序的特征在于，至少按以下順序含有按壓工序、能量射線照射工 序及脫模工序，并且，按壓工序和能量射線照射工序各自獨(dú)立進(jìn)行。此處，按壓工序在本實(shí) 施方式涉及的熱納米壓印裝置的貼合部實(shí)施。此外，脫模工序通過(guò)本實(shí)施方式涉及的熱納 米壓印裝置的剝離裝置及固定裝置進(jìn)行。
[0047] 如圖4A所示第2積層體II通過(guò)如下部分構(gòu)成：由支撐基材IOa及樹(shù)脂層IOb構(gòu) 成的覆蓋膜10、在覆蓋膜10的樹(shù)脂層IOb上形成的凹凸結(jié)構(gòu)11的內(nèi)部充填的第2掩模層 12、設(shè)置于含有第2掩模層12的凹凸結(jié)構(gòu)11之上的第1掩模層13。在第2積層體II的第 1掩模層13的表面上設(shè)置有保護(hù)層14時(shí)，首先，從第2積層體II上除去保護(hù)層14,如圖4B 所不，使第1掩模層13的表面露出。
[0048](按壓工序） 按壓工序中，如圖5A所示，將第2積層體II介由第1掩模層13相對(duì)于被處理體20進(jìn) 行按壓，貼合第2積層體II及被處理體20進(jìn)行粘合，獲得第3積層體III。此時(shí)，通過(guò)邊加 熱邊按壓第2積層體II及被處理體20,使其粘著。關(guān)于第2積層體II，其以被處理體20 與第1掩模層13的粘合為目的而進(jìn)行。
[0049] 選擇可以熱壓合的樹(shù)脂作為第1掩模層13時(shí)，為提高第1掩模層13的流動(dòng)性，優(yōu) 選在按壓時(shí)進(jìn)行加熱。該加熱，優(yōu)選至少?gòu)谋惶幚眢w20面一側(cè)進(jìn)行，加熱溫度優(yōu)選60°C? 200。。。
[0050] (彈性體） 圖6是顯示在本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜上設(shè)置彈性體的例子的示意截面 圖。如圖6所示，為使第1掩模層13和被處理體20不發(fā)生由覆蓋膜10的凹凸結(jié)構(gòu)11引 起的膜厚不均地貼合，可以在第2積層體II中的覆蓋膜10側(cè)（參考圖6A)，或被處理體20 側(cè)（參考圖6B)的任意一方上設(shè)置彈性體50。通過(guò)設(shè)置彈性體50,第2積層體II追隨被 處理體20的表面凹凸及彎曲處而形變，結(jié)果是可以不發(fā)生膜厚不均地進(jìn)行貼合。另外，彈 性體50,如圖6C所示，可以在第2積層體II中的覆蓋膜10側(cè)及被處理體20側(cè)的兩方上都 進(jìn)行設(shè)置。
[0051] 作為彈性體50,優(yōu)選使用在表面上具有彈性體50的輥。通過(guò)使用表面上具有彈性 體50的輥，可以通過(guò)卷對(duì)卷將第2積層體II連續(xù)貼合在被處理體20上。該彈性體50相 當(dāng)于本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中的貼合部。
[0052] (低Tg彈性體） 作為彈性體50,優(yōu)選玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為100度以下的彈性體，可以使用公知市售的 橡膠板、樹(shù)脂板或膜等，特別地，通過(guò)使其為60°C以下，因彈性形變的程度增大，按壓變得更 為有效，可以在更低溫且低壓下高精度地進(jìn)行熱納米壓印。從同樣的觀點(diǎn)出發(fā)，最優(yōu)選30 度以下。進(jìn)一步地，通過(guò)使該玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為30度以下，容易滿(mǎn)足在本實(shí)施方式涉及的 熱納米壓印裝置的貼合部之后說(shuō)明的線寬，同時(shí)，可使熱納米壓印的熱分布及按壓力分布 更為良好，因而優(yōu)選。從相同的角度出發(fā)，優(yōu)選該玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在(TC以下，最優(yōu)選_20°C 以下。作為這樣的低Tg彈性體，例如，可列舉硅酮橡膠、丁腈橡膠、氟橡膠、聚異戊二烯（天 然橡膠）、聚丁二烯、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、尼龍6、尼龍66、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、 聚氯乙烯、聚二氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚苯乙烯。楊氏模 量（縱彈性模量）為IMPa以上IOOMPa以下的話，第1掩模層13的膜厚變小且可變得均質(zhì)， 因而優(yōu)選，更優(yōu)選為4MPa以上50MPa以下。此外，從同樣的效果的角度出發(fā)，彈性體50的 厚度優(yōu)選為〇. 5mm以上IOcm以下，更優(yōu)選為Imm以上8cm以上，最優(yōu)選為5mm以上IOcm以 下。
[0053] 此外，也可以采用壓縮空氣或壓縮氣體等作為彈性體50。特別地，使用壓縮空氣或 壓縮氣體的情況下，如圖6A所示，優(yōu)選從第2積層體II中的覆蓋膜10側(cè)進(jìn)行加壓。
[0054] (貼合） 貼合時(shí)的環(huán)境氣氛的卷入使第2掩模層12及第1掩模層13在被處理體20上的轉(zhuǎn)印 賦予的比例（轉(zhuǎn)印率）減少。因此，根據(jù)被處理體20的用途產(chǎn)生不同問(wèn)題。例如，將被處 理體作為L(zhǎng)ED用的基板進(jìn)行使用時(shí)，貼合時(shí)的氧（空氣中的氧）的微小的卷入（從納米至 數(shù)十微米尺度的環(huán)境氣氛的卷入），會(huì)導(dǎo)致LED的半導(dǎo)體結(jié)晶層的缺陷、LED的發(fā)光特性惡 化，使漏電電流增加等。此外，貼合時(shí)較大的卷入（從數(shù)十微米至毫米尺度的氣泡）會(huì)導(dǎo)致 較大的缺陷，降低制造高效率的LED時(shí)的收率。因此，將第1掩模層13貼合于被處理體20 時(shí)，優(yōu)選采用以下的（1)?（4)所示任意的手法或這些的復(fù)合手法。
[0055] (1)在低氧氛圍下進(jìn)行貼合。通過(guò)降低氧濃度，即使在第1掩模層13與被處理體 20的界面卷入環(huán)境氣氛時(shí)，也可以確保第1掩模層13的固化性良好，因而可以提高轉(zhuǎn)印精 度。低氧氣氛，可通過(guò)真空（減壓）或?qū)胍躁?duì)氣體或Ar氣體為代表的氣體，以五氟丙烷 或二氧化碳為代表的壓縮性氣體等而制作。特別地，可以通過(guò)采用真空（減壓）環(huán)境，改善 貼合性。
[0056] 圖7是有關(guān)本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜與被處理體的貼合的截面示意 圖。另外，圖7A?圖7C中，方便起見(jiàn)，為將第1積層體I和第2積層體II作為同一示意圖 表現(xiàn)，省略了第1積層體I的凹凸結(jié)構(gòu)11的表面的凹凸，表示為平坦的形狀。圖7A?圖7C 所示的第2積層體II中，在與被處理體20貼合的面的一側(cè)，設(shè)置有第1掩模層13,使第1 掩模層13與被處理體20相接觸。
[0057] (2)如圖7A所示，可舉例使第2積層體II從其一側(cè)的末端向另一側(cè)的末端與被處 理體20相接觸，慢慢增加接觸面積的方法。該情況下，相比平行平板型的貼合，因?yàn)楸Ａ袅?環(huán)境氣氛的逸出途徑，可以減少環(huán)境氣氛的卷入。
[0058] (3)如圖7B所示，可舉例使第2積層體II的中央附近變形為下凸的形狀，在該狀 態(tài)下使第2積層體II與被處理體20相接觸，接著，使變形復(fù)原的手法。該情況下，相比平 行平板型的貼合，因?yàn)楸Ａ袅谁h(huán)境氣氛的逸出途徑，可以減少環(huán)境氣氛的卷入。
[0059] (4)如圖7C所示，在使第2積層體II彎曲的同時(shí)，將第2積層體II從其一側(cè)的末 端向另一側(cè)的末端與彈性體50接觸，采用層壓的要點(diǎn)進(jìn)行貼合的手法。該情況下，相比平 行平板型的貼合，因?yàn)楸Ａ袅谁h(huán)境氣氛的逸出的途徑，可以減少環(huán)境氣氛的卷入。特別地， 在第2積層體II的覆蓋膜為彈性模具時(shí)有效。通過(guò)使用表面具有彈性體50的輥使第2積 層體II彎曲，從第2積層體II的一側(cè)的末端向另一側(cè)的末端與被處理體20相接觸，可通 過(guò)卷對(duì)卷使第2積層體II連續(xù)貼合在被處理體20上。
[0060] (能量射線照射工序） 能量射線照射工序中，如圖5B所示，對(duì)于粘合第2積層體II和被處理體20的積層體 III，在釋放貼合時(shí)的壓力的狀態(tài)下照射能量射線，固化第1掩模層13。由此，第1掩模層 13沒(méi)有必要進(jìn)行傳統(tǒng)上的邊按壓邊固化，按壓工序和能量射線照射工序可獨(dú)立進(jìn)行，易于 后述的凹凸結(jié)構(gòu)體40的制造中的工序管理。
[0061] 此外，能量射線照射工序的目的是在提高第2掩模層12及第1掩模層13的穩(wěn)定 性的同時(shí)，大幅提高第2掩模層12與第1掩模層13界面的粘著力。進(jìn)一步，第2積層體II 的目的也為進(jìn)一步粘合第1掩模層13和被處理體20。
[0062] 能量射線照射在第2掩模層12與第1掩模層13的界面上產(chǎn)生基于化學(xué)反應(yīng)的化 學(xué)鍵合時(shí)有效。能量射線的種類(lèi)可根據(jù)第2掩模層12及第1掩模層13的組成進(jìn)行適當(dāng)選 擇，因此沒(méi)有特別限定，例如，可舉例X射線，UV，IR等。此外，能量射線優(yōu)選從第2積層體 II側(cè)和被處理體20側(cè)的至少一側(cè)進(jìn)行照射。特別地，第2積層體II的至少一部分或被處 理體20為能量射線吸收體的情況下，優(yōu)選從透過(guò)能量射線的媒介一側(cè)進(jìn)行能量射線照射。
[0063] 能量射線照射時(shí)的累積光量?jī)?yōu)選為500?5000mJ/cm2,更優(yōu)選為800?2500mJ/ cm2。此外，也可以選擇2個(gè)以上具有不同的發(fā)光波長(zhǎng)區(qū)域的能量射線源。
[0064] 另外，在將第2積層體II按壓于被處理體20之后，通過(guò)在壓力釋放的狀態(tài)下進(jìn)行 能量射線照射工序，可以使第1掩模層13的膜厚度變厚，因而經(jīng)后述的蝕刻工序，可在被處 理體20上轉(zhuǎn)印縱橫比高的掩模。
[0065] (脫模工序） 脫模工序中，如圖5B及圖5C所示，第3積層體III中，在與被處理體20粘合的第2積 層體II之中，除去覆蓋膜10。其結(jié)果是獲得由被處理體20、第1掩模層13及第2掩模層 12形成的中間體21。
[0066] 通過(guò)第2積層體II在被處理體20上轉(zhuǎn)印掩模圖案時(shí)，第1掩模層13的殘膜厚度 薄的話，剝離時(shí)的應(yīng)力表觀上集中于殘膜部，因此有時(shí)發(fā)生第2掩模層12從第1掩模層13 上剝離等脫模不良。對(duì)于這樣的脫模不良，除了使第2掩模層12及第1掩模層13的組成 最優(yōu)化之外，還可以通過(guò)脫模的方法應(yīng)對(duì)，例如，優(yōu)選采用以下的（5)?（8)所示任意一種 手法或這些的復(fù)合手法。
[0067] (5)可舉例利用熱膨脹率的差異的手法。通過(guò)利用第2積層體II的凹凸結(jié)構(gòu)11 與第1掩模層13的熱膨脹率差異，可降低脫模時(shí)施加的應(yīng)力。因根據(jù)凹凸結(jié)構(gòu)11的材料 與第1掩模層13的組成，產(chǎn)生熱膨脹率差異的環(huán)境氣氛不同，雖沒(méi)有特別限定，例如，可舉 例通過(guò)冷卻水、冷媒、液氮等在冷卻的狀態(tài)下脫模，或在以40°C?200°C左右的溫度加熱的 狀態(tài)下進(jìn)行脫模。特別地，加熱條件下的剝離對(duì)于凹凸結(jié)構(gòu)11的表面存在氟成分的情況下 有效。
[0068] 圖8是有關(guān)本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜與轉(zhuǎn)印于被處理體上第1掩模層 的脫模的截面示意圖。另外，圖8A?圖8C中，方便起見(jiàn)，為將第1積層體I和第2積層體 Π 作為同一示意圖表現(xiàn)，省略了第1積層體I的凹凸結(jié)構(gòu)11的表面的凹凸，表示為平坦的 形狀。圖8A?圖8C所示第1積層體I中，在與被處理體20貼合的面的一側(cè)形成有凹凸結(jié) 構(gòu)11。此外，圖8A?圖8C中，被處理體20的表面上設(shè)置有轉(zhuǎn)印的第1掩模層13及第2掩 模層12,但省略為平坦的形狀。
[0069] (6)如圖8A所示，可舉例使第2積層體II從其一側(cè)的末端向另一側(cè)的末端剝離過(guò) 去，慢慢減少與被處理體20的接觸面積的方法。該情況下，相比平行平板型的脫模，因?yàn)闇p 少了指向第2掩模層12與第1掩模層13界面的力，脫模性提高。
[0070] (7)如圖8B所示，可舉例使第2積層體II的中央附近變形為下凸的形狀，在該狀 態(tài)下開(kāi)始將第2積層體II從被處理體20上脫模，慢慢增加變形程度的手法。該情況下，相 比平行平板型的脫模，因?yàn)闇p少了指向第2掩模層12與第1掩模層13界面的力，脫模性提 商。
[0071] (8)如圖8C所示，可舉例在使第2積層體II彎曲的同時(shí)，將第2積層體II從其一 側(cè)的末端向另一側(cè)的末端開(kāi)始，從被處理體20剝離的手法。該情況下，相比平行平板型的 脫模，因?yàn)闇p少了指向第2掩模層12與第1掩模層13界面的力，脫模性提高。特別地，在 第2積層體II的覆蓋膜為彈性模具時(shí)有效。通過(guò)使用表面具有彈性體50的輥使第2積層 體II彎曲，從第2積層體II的一側(cè)的末端開(kāi)始剝離，向另一側(cè)的末端從被處理體20上剝 離，可通過(guò)卷對(duì)卷使第2積層體II從被處理體20上連續(xù)剝離。
[0072] 如上，通過(guò)本實(shí)施方式涉及的掩模圖案轉(zhuǎn)印工序，可使用第2積層體II向被處理 體20轉(zhuǎn)印凹凸結(jié)構(gòu)，如圖所示，獲得在被處理體20的表面上設(shè)置有第1掩模層13及第 2掩模層12的微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16。此時(shí)，可以在被處理體20上形成較厚的第1掩模層13， 經(jīng)由后述的蝕刻工序，可在被處理體20上形成高縱橫比的掩模圖案。另外，微細(xì)掩模結(jié)構(gòu) 體16的被處理體與第2掩模層12及第1掩模層13的關(guān)系，此后進(jìn)行詳述。
[0073] 進(jìn)一步地，優(yōu)選在掩模圖案轉(zhuǎn)印工序中的能量射線照射工序和脫模工序之間，增 加加熱工序。S卩，掩模圖案轉(zhuǎn)印工序可由按壓工序、能量射線照射工序、加熱工序及脫模工 序按該順序構(gòu)成。
[0074](加熱工序） 通過(guò)在能量射線照射后增加加熱工序，雖然也取決于第2掩模層12及第1掩模層13 的組成，但仍然可得到提高第2掩模層12及第1掩模層13的穩(wěn)定性，減少脫模工序時(shí)的轉(zhuǎn) 印不良、特別是減少第1掩模層13的凝聚破壞的效果。加熱溫度大致為40°C?200°C的范 圍，優(yōu)選低于第2掩模層12及第1掩模層13的的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度。此外，加熱時(shí) 間大致優(yōu)選為5秒分?60分鐘，從提高轉(zhuǎn)印精度及工業(yè)制造的角度出發(fā)，最優(yōu)選為5秒? 3分鐘。另外，加熱工序可在低氧氣氛下進(jìn)行。
[0075] 加熱工序后，優(yōu)選將由覆蓋膜10/第1掩模層13/被處理體20形成積層體冷卻至 5°C?80°C為止，進(jìn)一步優(yōu)選為18°C?30°C為止之后，移送至脫模工序。另外，對(duì)于冷卻方 法，只要能將積層體冷卻至所述的溫度范圍內(nèi)，沒(méi)有特別限定。
[0076] 進(jìn)一步地，在掩模圖案轉(zhuǎn)印工序中的脫模工序之后，可增加后處理工序。即，掩模 圖案轉(zhuǎn)印工序可以由按壓工序、能量射線照射工序、脫模工序及后處理工序以該順序構(gòu)成， 此外，也可以由按壓工序、能量射線照射工序、加熱工序、脫模工序及后處理工序以該順序 構(gòu)成。
[0077](后處理工序） 后處理工序通過(guò)從圖所示微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16的第2掩模層12側(cè)和被處理體20側(cè) 的兩方或任意一方，照射能量射線而進(jìn)行。此外，后處理工序通過(guò)對(duì)于微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16 進(jìn)行加熱和能量射線照射的兩項(xiàng)或任意一項(xiàng)而進(jìn)行。
[0078] 通過(guò)照射能量射線，可以促進(jìn)第2掩模層12和第1掩模層13的兩方或任意一方 中含有的未反應(yīng)成分的反應(yīng)，提高第2掩模層12及第1掩模層13的穩(wěn)定性，使第2掩模層 12的殘膜處理工序、第1掩模層13的蝕刻工序及被處理體20的蝕刻工序良好地進(jìn)行，因而 優(yōu)選。作為能量射線，可舉例X射線、UV、IR等。此外，對(duì)于微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16,能量射線優(yōu) 選從第2掩模層12側(cè)及被處理體20側(cè)的至少一方進(jìn)行照射。特別地，優(yōu)選從第2掩模層 12側(cè)進(jìn)行照射。
[0079] 〈蝕刻工序〉 中間體21是通過(guò)在將第2積層體II貼合在被處理體20上之后剝離覆蓋膜10制造的、 由第2掩模層12/第1掩模層13/被處理體20形成的積層體，其詳細(xì)的制造方法如掩模圖 案轉(zhuǎn)印工序中已經(jīng)進(jìn)行的說(shuō)明。此處，通過(guò)對(duì)中間體21進(jìn)行如圖所示的蝕刻，可制造微 細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16。進(jìn)一步地，通過(guò)對(duì)微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16進(jìn)行如圖5E及圖5F所示的蝕刻， 在被處理體20上形成微細(xì)圖案22,可獲得凹凸結(jié)構(gòu)體40。
[0080] 將中間體21加工為微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16的方法為，以第2掩模層12作為掩模的第 1掩模層13的蝕刻。由此可獲得設(shè)置有通過(guò)第1掩模層13及第2掩模層12構(gòu)成的具有高 縱橫比的微細(xì)掩模圖案16a的微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16。
[0081] 蝕刻條件，例如，從將第1掩模層13進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)性蝕刻的角度出發(fā)，可以選擇O2 氣體及H2氣體。從離子注入成分的增加導(dǎo)致縱方向蝕刻速率提高這一角度出發(fā)，可以選擇 Ar氣體及Xe氣體。蝕刻中使用的氣體，使用含有O2氣體、H2氣體、及Ar氣體的至少一種的 混合氣體。特別地，優(yōu)選僅使用O 2。作為蝕刻時(shí)的壓力，為了可以提高有助于反應(yīng)性蝕刻的 離子注入能量、進(jìn)一步提高蝕刻異方向性，優(yōu)選為〇. 1?5Pa，更優(yōu)選為0. 1?IPa。此外， O2氣體或H2氣體與Ar氣體或Xe氣體的混合氣體的比例，化學(xué)反應(yīng)性的蝕刻成分與離子注 入成分適量時(shí)，異方向性提高。因此，使氣體的層流量為IOOsccm時(shí)，氣體流量的比例優(yōu)選 為 99sccm : Isccm ?50sccm : 50sccm，更優(yōu)選為 95sccm : 5sccm ?60sccm : 40sccm， 另外優(yōu)選為90sccm : IOsccm?70sccm : 30sccm。氣體的總流量變化的情況下，基于上述 的流量的比例獲得混合氣體。蝕刻優(yōu)選為等離子蝕刻。例如，使用電容耦合型RIE、電感耦 合型RIE、電感耦合型RIE、或者使用離子引入偏壓的RIE進(jìn)行。例如，可舉例僅使用O 2氣 體，或使用O2氣體和Ar以流用比例90sccm : IOsccm?70sccm : 30sccm間混合的氣體， 設(shè)定處理壓力為0. 1?IPa的范圍，并且使用電容耦合型RIE或使用離子引入電壓的RIE 的蝕刻方法。蝕刻使用的氣體的總流量變化的情況下，基于上述的流量的比例獲得混合氣 體。
[0082] 進(jìn)一步地，以形成有圖案的第1掩模層13作為掩模，在被處理體20上實(shí)施例如反 應(yīng)性離子蝕刻，如圖5E所示，在被處理體20的主面上形成微細(xì)圖案22。最后，如圖5F所 示，除去殘留在被處理體20的主面上的第1掩模層13,獲得具有微細(xì)圖案22的被處理體 20,即凹凸結(jié)構(gòu)體40。
[0083] 此處，反應(yīng)性離子蝕刻可以根據(jù)被處理體20的種類(lèi)進(jìn)行適當(dāng)設(shè)計(jì)，例如，可舉例 使用氯系氣體的蝕刻。作為氯系氣體，可以?xún)H使用BCl 3氣體，或使用BCl3氣體及Cl2氣體的 混合氣體?？梢赃M(jìn)一步在這些氣體中添加 Ar氣體或Xe氣體。為提高蝕刻速率，混合氣體的 氣體流量的比例優(yōu)選為99sccm : Isccm?50sccm : 50sccm，更優(yōu)選為99sccm : Isccm? 70sccm : 30sccm，進(jìn)一步優(yōu)選為 99sccm : Isccm ?90sccm : lOsccm。蝕刻優(yōu)選為等離 子蝕刻。例如，使用電容耦合型RIE、電感耦合型RIE、電感耦合型RIE、或者使用離子引 入電壓的RIE進(jìn)行。例如，可舉例僅使用CHF 3氣體，或使用CF4氣體和C4F8以氣體流量比 例90sccm : IOsccm?60sccm : 40sccm間混合的氣體，設(shè)定處理壓力為0.1?5Pa的 范圍，并且使用電容耦合型RIE或使用離子引入電壓的RIE的蝕刻方法。此外，例如，可 舉例使用氯系氣體的情況下僅使用BCl 3，或使用BCl3及Cl2或者Ar以氣體流量比例為 95sccm : 5sccm?85sccm : 15sccm的范圍內(nèi)混合的氣體，設(shè)定處理壓力為0. 1?IOPa的 范圍，并且，并且使用電容耦合型RIE、電感耦合型RIE、或使用離子引入電壓的RIE的蝕刻 方法。進(jìn)一步地，例如，舉例有使用氯系氣體的情況下僅使用BCl 3，或使用BCl3及Cl2或者 Ar以氣體流量比例為95sccm : 5sccm?70sccm : 30sccm的范圍內(nèi)混合的氣體，設(shè)定處理 壓力為0. 1?IOPa的范圍，并且使用電容耦合型RIE、電感耦合型RIE、或使用離子引入電 壓的RIE的蝕刻方法。
[0084] 〈中間體〉 為了高精度地制造微細(xì)圖案22,必須經(jīng)由反映微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16的第2掩模層12及 第1掩模層13的精度的蝕刻工序。即，必須有高精度的微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16。高精度的微細(xì) 掩模結(jié)構(gòu)體16可以通過(guò)反映中間體21的第2掩模層12及第1掩模層13的精度的蝕刻進(jìn) 行制造。此處，中間體21的第2掩模層12及第1掩模層13的精度是通過(guò)第2積層體II 的覆蓋膜10的凹凸結(jié)構(gòu)11的精度、第2掩模層12的配置精度、以及第1掩模層13的膜厚 精度進(jìn)行確保。即，為制造高精度的微細(xì)圖案22,必須減少對(duì)中間體21進(jìn)行的蝕刻工序中 的缺陷。
[0085] 蝕刻工序中的精度是由第2掩模層12及第1掩模層13的配置關(guān)系、以及后述的 第2掩模層12及第1掩模層13的組成來(lái)決定，但蝕刻工序中，第2掩模層12表面上存在 異物時(shí)，這些的精度確保機(jī)制被破壞。即，有必要減少蝕刻工序中的中間體21的表面（第 2掩模層12的表面）的異物。
[0086] 這樣的異物有可能是在進(jìn)行蝕刻工序之前的對(duì)中間體21的傳送過(guò)程及蝕刻工序 中產(chǎn)生。此處可確認(rèn)異物發(fā)生的預(yù)期值，由前者的中間體21的傳送引起的部分較高。特別 地可知，從環(huán)境氛圍中飛散、附著的異物可以通過(guò)進(jìn)行環(huán)境潔凈度的控制或靜電除去等對(duì) 策，大幅降低。然而，僅通過(guò)這些對(duì)策的話，不能使異物無(wú)限接近〇。
[0087] 此處，對(duì)異物發(fā)生的原因進(jìn)行探索時(shí)，確認(rèn)其經(jīng)由中間體21的末端產(chǎn)生。即可確 認(rèn)，在包含被處理體20的末端的全部表面上轉(zhuǎn)印賦予第2掩模層12及第1掩模層13的情 況下，傳送中間體21時(shí)，位于中間體21的外緣部的第2掩模層12及第1掩模層13部分破 損，破損的第2掩模層12及第1掩模層13發(fā)生飛散，通過(guò)附著在中間體21的第2掩模層 12面上，成為異物。
[0088] 從以上的角度出發(fā)，中間體21的更優(yōu)選的狀態(tài)為，被處理體至少其外緣部的一部 分包含露出部。S卩，從被處理體20的外緣部的一點(diǎn)A向外緣部的其他點(diǎn)B引線段AB時(shí)，至 少點(diǎn)A設(shè)置于被處理體20上，從點(diǎn)A至點(diǎn)B的方向上線段AB上設(shè)置有位于第2掩模層12 上的點(diǎn)C。換言之，被處理體20在外緣部的一部分上具有不存在第1掩模層13及第2掩模 層12、其表面露出的露出部，在相比該露出部的被處理體的更內(nèi)側(cè)配置有第2掩模層12及 第1掩模層13。通過(guò)這樣的構(gòu)成，可以抑制傳送微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16時(shí)的、經(jīng)由微細(xì)掩模結(jié) 構(gòu)體16的末端產(chǎn)生的由第2掩模層12及第1掩模層13構(gòu)成的異物，提高微細(xì)圖案22的精 度。從同樣的角度出發(fā)，設(shè)置于被處理體的外緣部的露出部的平均長(zhǎng)度優(yōu)選為Iym以上， 更優(yōu)選為3μπι以上。另外，平均長(zhǎng)度是對(duì)該露出部進(jìn)行10點(diǎn)的計(jì)測(cè)，以10點(diǎn)的相加平均 值算出。另外，上限值由被處理體20的尺寸和基于設(shè)置有微細(xì)圖案22的被處理體20的用 途計(jì)算的產(chǎn)量或產(chǎn)率而決定，因此沒(méi)有特別限定，但大致優(yōu)選為8mm以下，更優(yōu)選為5mm以 下，最優(yōu)選為Imm以下。此外，被處理體20通過(guò)在外緣部的一部分上具有不存在第1掩模 層13及第2掩模層12、其表面露出的露出部，在相比該露出部的被處理體的更內(nèi)側(cè)配置有 第2掩模層12及第1掩模層13,可以更有效地抑制中間體21的傳送中第2掩模層12及第 1掩模層13的破損。另外，最優(yōu)選為被處理體20包含如下構(gòu)成，（A)外緣部的一部分上具 有不存在第1掩模層13及第2掩模層12,其表面露出的露出部，（B)相比該露出部被處理 體20的更內(nèi)側(cè)僅配置有第1掩模層13,（C)進(jìn)一步內(nèi)側(cè)配置有第2掩模層12及第1掩模 層13,同時(shí)，（B)的第1掩模層13從被處理體20的外緣部側(cè)到（C)的第2掩模層12及第 1掩模層13側(cè)，其膜厚增加。
[0089] 通過(guò)使用后述說(shuō)明的第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置600,調(diào)查設(shè)置于被處 理體的外緣部的露出部的平均長(zhǎng)度的影響。首先，準(zhǔn)備第1積層體I，通過(guò)旋涂法在作為被 處理體的4英寸f的藍(lán)寶石基板上將光固化性樹(shù)脂成膜。然后，將第1積層體I使用第3 實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置進(jìn)行貼合。接著，照射UV光，剝離第1積層體I的覆蓋膜。 將以本制法得到的中間體記做中間體（1)。另一方面，準(zhǔn)備第2積層體II，使用熱納米壓印 裝置600,貼合于作為被處理體的4英寸f的藍(lán)寶石基板上，然后，照射UV光，最后剝離覆蓋 膜。將以本制法制作的記為中間體（2)。測(cè)定中間體（1)及中間體（2)的、設(shè)置于被處理體 的外緣部的露出部的平均長(zhǎng)度，中間體（1)為500nm以下，中間體（2)為1. 2 μ m。另外，觀 察同時(shí)使用光學(xué)顯微鏡和激光顯微鏡進(jìn)行。這是因?yàn)?，在中間體（1)的情況下，因使用第1 積層體I，換言之使用液態(tài)的第2掩模層，第2掩模層良好地流動(dòng)至被處理體20的末端。將 露出部的平均長(zhǎng)度為500nm以下的中間體（1)和露出部的平均長(zhǎng)度為1. 2μπι的中間體（2) 傳送至干法蝕刻裝置，安裝于干法蝕刻裝置內(nèi)，然后不經(jīng)處理地取出。對(duì)取出的中間體（1) 及中間體（2)計(jì)數(shù)產(chǎn)生的顆粒數(shù)，中間體（1)產(chǎn)生了中間體（2)的5倍的顆粒。由上可知， 通過(guò)使在被處理體的外緣部上設(shè)置的露出部的平均長(zhǎng)度超過(guò)0,可以抑制顆粒的產(chǎn)生。優(yōu)選 為Iym以上。進(jìn)一步地，對(duì)上述中間體⑴及中間體（2)進(jìn)行2次干法蝕亥Ij處理，加工被 處理體20。干法蝕刻，首先，在壓力IPa、功率300W的條件下進(jìn)行使用氧氣的等離子蝕刻。 由此，以第2掩模層12作為蝕刻掩模加工第1掩模層13,獲得微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16。接著， 使用此1 3氣體及氯氣的混合氣體，進(jìn)行使用反應(yīng)性離子蝕刻裝置（RIE-lOliPH，薩姆克股份 有限公司制造）的反應(yīng)性離子蝕刻（ICP-RIE)。條件為ICP :150W、BIAS :50W、壓力0· 2Pa。 由此，以第1掩模層13作為蝕刻掩模加工被處理體20,在被處理體20上形成微細(xì)圖案22， 即獲得凹凸結(jié)構(gòu)體40。對(duì)凹凸結(jié)構(gòu)體40進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察，測(cè)定微細(xì)圖案22的宏觀缺 陷率。另外缺陷率是分別制作5片中間體（1)及中間體（2)，進(jìn)行觀察，作為平均值算出。 使用中間體（1)時(shí)，每4英寸f可觀察到29. 6點(diǎn)的缺陷，另一方面，使用中間體（2)時(shí)，每4 英寸》只觀察到6. 1點(diǎn)的缺陷。如此可知，通過(guò)使在被處理體20的外緣部上設(shè)置的露出部 的平均長(zhǎng)度超過(guò)〇,可以抑制顆粒的產(chǎn)生，由此可大幅降低凹凸結(jié)構(gòu)體40的缺陷率。
[0090] 進(jìn)一步地，使用第2積層體II進(jìn)行其他研究。選定玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg)為20°C 以下的硅酮橡膠作為轉(zhuǎn)動(dòng)體102的表面材質(zhì)，貼合時(shí)的壓力按0. 01MPa、0. 03MPa、0. 05MPa 及0. IMPa進(jìn)行變化，制作中間體（3)。在研究的壓力范圍之中，伴隨制作中間體（3)時(shí)貼 合時(shí)的壓力升高，設(shè)置于作為被處理體的4英寸f的藍(lán)寶石基板的外緣部的露出部的平均 長(zhǎng)度增大。推定這是因?yàn)橘N合時(shí)的溫度被設(shè)定為l〇5°C，熱膨脹和貼合壓引起第1掩模層 13的殘留應(yīng)力的影響。具體地，按照貼合壓力的順序，設(shè)置于被處理體20的外緣部的露出 部的平均長(zhǎng)度為1.5 μ m、l. 7 μ m、2.0 μ m及3.2 μ m。將得到的中間體（3)傳送至干法蝕刻 裝置，安裝于干法蝕刻裝置內(nèi)，然后不經(jīng)處理地取出。對(duì)取出的中間體（3)計(jì)數(shù)產(chǎn)生的顆粒 數(shù)，以已經(jīng)說(shuō)明的中間體（1)的顆粒數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)，顆粒數(shù)為1/6、1/7.5、1/9及1/13。另外，通 過(guò)上述研究得到的中間體（3)中，設(shè)置于被處理體20的外緣部的露出部不是設(shè)置在全部的 被處理體20的外緣部，而是設(shè)置為被處理體20的外緣部的約半周?2/3周。此外，通過(guò)原 子力顯微鏡從被處理體20的外緣部向第2掩模層側(cè)，掃描觀察該露出部，其構(gòu)成為（A)露 出部，（B)其次第1掩模層13,（C)最后設(shè)置有第2掩模層12。進(jìn)一步地（B)第1掩模層 13從露出部朝向被處理體20的內(nèi)側(cè)，該膜厚徐徐增大，在設(shè)置有第2掩模層12的階段膜厚 達(dá)飽和。此外，與中間體（1)及中間體（2)同樣地，進(jìn)行2次干法蝕刻處理制作凹凸結(jié)構(gòu)體 40,基于光學(xué)顯微鏡觀察測(cè)定微細(xì)圖案22的宏觀缺陷率。另外，缺陷數(shù)是分別制作5片中 間體（3)，以其平均值算出。經(jīng)確認(rèn)，缺陷數(shù)伴隨露出部的平均長(zhǎng)度的增大，減少至每4英寸 φ5.2點(diǎn)、4. 0 點(diǎn)、2. 9 點(diǎn)、及 1. 9 點(diǎn)。
[0091] 另外，上述研究中記載了使用4英寸φ的藍(lán)寶石基板作為被處理體的情況，但在使 用2英寸φ的藍(lán)寶石基板或6英寸f的藍(lán)寶石基板的情況下，也可同樣觀察到上述被處理體 的露出部對(duì)顆粒的影響的效果的趨勢(shì)。
[0092] 另外，上述中間體21可通過(guò)已經(jīng)說(shuō)明的第2積層體II的使用方法及以下說(shuō)明的 本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置制造。特別地，通過(guò)滿(mǎn)足本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印 裝置的貼合部的以下說(shuō)明的線寬，提高被處理體20的露出部的可控制性，因而優(yōu)選。該線 寬，如同已經(jīng)說(shuō)明的，可通過(guò)滿(mǎn)足貼合部中的彈性體的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg而容易地實(shí)現(xiàn)。
[0093] 進(jìn)一步地，為進(jìn)一步高可控制性地制造上述說(shuō)明的中間體21，在制造中間體21后 的第2積層體II中，為制造中間體21的所使用的地方、換言之除去第2掩模層12及第1 掩模層13的部分相對(duì)于水滴的接觸角A，與第2積層體II的第1掩模層13面相對(duì)于水滴 的接觸角B的差（A-B)，優(yōu)選為5度以上。該情況下，可以從覆蓋膜10的凹凸結(jié)構(gòu)11向第 1掩模層13與被處理體20的界面上施加剪切力，因此中間體21的被處理體20的露出部的 可控制性提高。基于同樣的效果，該接觸角的差（A-B)優(yōu)選為10度以上，更優(yōu)選為30度以 上，最優(yōu)選為60度以上。
[0094] 〈熱納米壓印裝置〉 接著，對(duì)本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置進(jìn)行說(shuō)明。另外，對(duì)微細(xì)圖案形成用膜的詳 細(xì)情況進(jìn)行追加說(shuō)明。
[0095] 本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置可用于熱納米壓印法。熱納米壓印法是指通過(guò) 將表面上形成有凹凸結(jié)構(gòu)的模具、特別是具有納米尺度的凹凸結(jié)構(gòu)的模具，在加熱的同時(shí) 貼合在被處理體上，進(jìn)行按壓，由此在被處理體的表面（以下也記做被處理面）轉(zhuǎn)印凹凸結(jié) 構(gòu)的轉(zhuǎn)印方法。
[0096] 本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置，其特征在于，具有以使形成有微細(xì)圖案形成 用膜的納米尺度的第1掩模層的表面與被處理體的一側(cè)表面相對(duì)的狀態(tài)，貼合所述微細(xì)圖 案形成用膜及所述被處理體的貼合部，所述貼合部，具有實(shí)質(zhì)上以線對(duì)所述微細(xì)圖案形成 用膜或所述被處理體施加按壓力的按壓部，該按壓部具有實(shí)質(zhì)上以線與所述微細(xì)圖案形 成用膜或所述被處理體接觸的轉(zhuǎn)動(dòng)體，所述轉(zhuǎn)動(dòng)體，至少其表層由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為 100°C以下的彈性體構(gòu)成。
[0097] 通過(guò)該構(gòu)成，按壓部所具有的轉(zhuǎn)動(dòng)體，實(shí)質(zhì)上以線與微細(xì)圖案形成用膜或被處理 體相接觸，不以面而以線施加按壓力，因此可使按壓力變小。此外，因?yàn)檗D(zhuǎn)動(dòng)體在轉(zhuǎn)動(dòng)的同 時(shí)按壓微細(xì)圖案形成用膜或被處理體，可以促進(jìn)按壓所引起的第1掩模層的流動(dòng)，同時(shí)可 以抑制外界氣體的卷入，因此轉(zhuǎn)印精度提高。進(jìn)一步地，因?yàn)橹辽俎D(zhuǎn)動(dòng)體的表層由玻璃化轉(zhuǎn) 變溫度為KKTC以下的彈性體構(gòu)成，在降低熱納米壓印中使用的溫度的同時(shí)，可以改善按壓 力的均等性。其結(jié)果是可以在低溫且低壓下，實(shí)施高精度的熱納米壓印，在抑制裝置的過(guò)大 化的同時(shí)，可容易地增大被處理體的尺寸。
[0098] 此外，本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中，所述轉(zhuǎn)動(dòng)體優(yōu)選為截面近似正圓形 的貼合用輥。
[0099] 此外，本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中，優(yōu)選進(jìn)一步具有剝離部，所述剝離部 可從在所述貼合部貼合的所述微細(xì)圖案形成用膜及所述被處理體上將所述覆蓋膜脫模，獲 得表面上轉(zhuǎn)印有所述第1掩模層及所述第2掩模層的所述被處理體。
[0100] 接著，對(duì)于本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置，舉例使用圖1所示微細(xì)圖案形成 用膜I，使用平板狀的無(wú)機(jī)基板、藍(lán)寶石基板、硅基板、氮化物半導(dǎo)體基板或碳化硅基板作為 被處理體的情況，進(jìn)行說(shuō)明。
[0101](貼合部） 首先，熱納米壓印裝置的貼合部中，以使微細(xì)圖案形成用膜的形成有第1掩模層的表 面（以下也記做第1掩模層面）與被處理體的被處理面相對(duì)的狀態(tài)，貼合微細(xì)圖案形成用 膜及被處理體。該貼合部具有實(shí)質(zhì)上以線對(duì)微細(xì)圖案形成用膜及被處理體施加按壓力的按 壓部，所述按壓部具有實(shí)質(zhì)上以線與微細(xì)圖案形成用膜或被處理體相接觸的轉(zhuǎn)動(dòng)體。
[0102] (按壓部） 按壓部具有的轉(zhuǎn)動(dòng)體，例如，可以配置為與微細(xì)圖案形成用膜的貼合有被處理體的面、 即與第1掩模層面相反一側(cè)的面相接。此外，轉(zhuǎn)動(dòng)體也可以配置為與被處理體的貼合有微 細(xì)圖案形成用膜的面、即與被處理面相反一側(cè)的面相接。
[0103] 按壓部具有的轉(zhuǎn)動(dòng)體，可在轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)向微細(xì)圖案形成用膜施加按壓力，因此從 被處理體的一個(gè)末端向另外一個(gè)末端連續(xù)地接觸，可將微細(xì)圖案形成用膜按壓在被處理體 上。其結(jié)果是可將微細(xì)圖案形成用膜貼合在被處理體上，即，進(jìn)行熱納米壓印。
[0104] (轉(zhuǎn)動(dòng)體） 接著，對(duì)本實(shí)施方式涉及的按壓部更詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。按壓部具有的轉(zhuǎn)動(dòng)體至少其表 層由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（以下也記做Tg)為KKTC以下的彈性體、即低Tg彈性體構(gòu)成。通過(guò) 這樣的構(gòu)成，在減少熱納米壓印法所必要的溫度的同時(shí)，可以減小壓力，因而可以抑制裝置 的過(guò)大化。另外，按壓部中，轉(zhuǎn)動(dòng)體優(yōu)選為截面近似正圓形的貼合用輥。通過(guò)截面近似正圓 形的貼合用輥，因貼合用輥的外周實(shí)質(zhì)上不存在角，改善了低Tg彈性體的彈性變形的均等 性，隨之，提高了熱納米壓印法所必要的溫度的均等性，并且可以均等地施加壓力，因此，可 以有效地呈現(xiàn)上述效果。
[0105] 彈性體的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg優(yōu)選為60°C以下，更優(yōu)選為30°C以下。Tg為60°C 以下的話，因彈性變形的程度增大，實(shí)質(zhì)上以線按壓更為有效，可在更低溫且低壓下高精度 地進(jìn)行熱納米壓印。進(jìn)一步地，Tg為30度以下的話，在容易滿(mǎn)足按壓部的后述說(shuō)明的線寬 的同時(shí)，可使熱納米壓印的熱分布及按壓力分布更為良好，因而優(yōu)選。特別地，通過(guò)使Tg為 (TC以下，因可以抑制相對(duì)第1掩模層的極度的應(yīng)力集中，可以提高第1掩模層與第2掩模 層的界面的粘著性，因此不僅貼合性、伴隨剝離的轉(zhuǎn)印性大幅提高。從同樣的觀點(diǎn)出發(fā)，最 優(yōu)選為-20°C以下。
[0106] 作為滿(mǎn)足這樣的Tg的低Tg彈性體，例如，可舉例硅酮橡膠、丁腈橡膠、氟橡膠、聚 異戊二烯（天然橡膠）、聚丁二烯、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、尼龍6、尼龍66、聚對(duì)苯二 甲酸乙二酯、聚氯乙烯、聚二氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚苯 乙烯。
[0107] 此處，轉(zhuǎn)動(dòng)體至少其表層由如上所述的低Tg彈性體構(gòu)成是指包括以下2種情況。 圖9是顯示本實(shí)施方式涉及的轉(zhuǎn)動(dòng)體的一例的截面示意圖。一種是轉(zhuǎn)動(dòng)體的最表層由低Tg 彈性體構(gòu)成的情況。圖9A所示的轉(zhuǎn)動(dòng)體30,設(shè)置于非彈性體形成的芯部31的外周的最表 層32由低Tg彈性體構(gòu)成。圖9B所示的轉(zhuǎn)動(dòng)體33,設(shè)置于非彈性體形成芯部34的外周的 表層35由低Tg彈性體構(gòu)成，設(shè)置于表層35的外周的最表層36由低彈性體構(gòu)成。該情況 下，表層35由上述的低Tg彈性體構(gòu)成，其比構(gòu)成最外層的非彈性體的厚度更厚。另外，低 彈性體是指相比本說(shuō)明書(shū)中的彈性體Tg更高，且Tg的絕對(duì)值為30°C以上的彈性體。
[0108] 特別地，優(yōu)選如圖9A所示，轉(zhuǎn)動(dòng)體30的最表層32由低Tg彈性體構(gòu)成。該情況 下，相比最表層32更為內(nèi)側(cè)的層構(gòu)成沒(méi)有限定，可適當(dāng)配置以其他的彈性體、金屬、金屬氧 化物等構(gòu)成的層或芯部31。
[0109] 此外，也可在圖9A所示的轉(zhuǎn)動(dòng)體30的最表層32的表面上進(jìn)行抗靜電處理或防粘 合處理等。
[0110] 通過(guò)使轉(zhuǎn)動(dòng)體30、33至少其表層由低Tg彈性體構(gòu)成，可在降低熱納米壓印中使用 的溫度的同時(shí)，改善按壓力的均等性。即，可在低溫且低壓下，實(shí)施高精度的熱納米壓印。進(jìn) 一步地，在抑制裝置的過(guò)大化的同時(shí)，可以容易地增大被處理體的尺寸。
[0111] 特別地，在低溫且低壓下，具體如后述說(shuō)明，可以實(shí)質(zhì)上以線、即具有線寬地進(jìn)行 按壓。因此，在提高對(duì)第2掩模層的熱的均等性提高的同時(shí)，可以抑制貼合中的極度的應(yīng)力 集中，因此可以高度確保第2掩模層與第1掩模層的界面精度。由此，從微細(xì)圖案形成用膜 及被處理體形成積層體（第3積層體III)上剝離覆蓋膜時(shí)的轉(zhuǎn)印性提高。因此，可在低溫 且低壓下，實(shí)施高精度的熱納米壓印。進(jìn)一步地，在抑制裝置的過(guò)大化的同時(shí)，可以容易地 增大被處理體的尺寸。
[0112] 此外，轉(zhuǎn)動(dòng)體至少其表層由低Tg彈性體構(gòu)成，可發(fā)生彈性變形。通過(guò)該彈性變形， 可以減小按壓力。此外，即使在低溫下進(jìn)行熱納米壓印時(shí)，因?yàn)榭梢源龠M(jìn)微細(xì)圖案形成用膜 與被處理體的界面層的流動(dòng)性，在提高轉(zhuǎn)印精度的同時(shí)，不需要過(guò)大的加壓裝置、過(guò)大的加 熱裝置和過(guò)大的冷卻裝置。
[0113] 此外，轉(zhuǎn)動(dòng)體，例如，也可以是在轉(zhuǎn)動(dòng)軸的周?chē)惭b圓筒形的輥的裝置。此外，如后 所述，轉(zhuǎn)動(dòng)軸本身可為加熱裝置。此外，也可以是在回轉(zhuǎn)軸的周?chē)渲眉訜嵫b置，在加熱機(jī) 構(gòu)的周?chē)惭b圓筒形的輥的裝置。
[0114] 本實(shí)施方法中所使用的低Tg彈性體的材質(zhì)，其Tg為KKTC以下的話沒(méi)有特別限 制，例如，可以使用公知市售的橡膠和樹(shù)脂等，例如，可舉例硅酮橡膠、丁腈橡膠、氟橡膠、聚 異戊二烯（天然橡膠）、聚丁二烯、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、尼龍6、尼龍66、聚對(duì)苯二 甲酸乙二酯、聚氯乙烯、聚二氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚苯 乙烯。作為楊氏模量（縱彈性模量），其為IMPa以上IOOMPa以下的話，因可以在抑制第1 掩模層與第2掩模層界面的形變的同時(shí)容易地誘發(fā)轉(zhuǎn)動(dòng)體的彈性形變，可以提高上述說(shuō)明 的低溫且低壓下的熱納米壓印的效果?；谕瑯拥挠^點(diǎn)，更優(yōu)選為4Mpa以上50Mpa以下。 此外，基于同樣的效果，低Tg彈性體的厚度優(yōu)選為0· Imm以上IOcm以下，更優(yōu)選為0· 5mm 以上8cm以下,最優(yōu)選為3mm以上Icm以下。
[0115] 具有如上所述的轉(zhuǎn)動(dòng)體的按壓部，可具有在轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)體的同時(shí)與微細(xì)圖案形成用 膜或被處理體相接觸的轉(zhuǎn)動(dòng)裝置、將轉(zhuǎn)動(dòng)體按壓在微細(xì)圖案形成用膜及被處理體上的加壓 裝置。通過(guò)這些的裝置，可以在將微細(xì)圖案形成用膜按壓在被處理體時(shí)，實(shí)質(zhì)上不以面而以 線施加按壓力。
[0116] (轉(zhuǎn)動(dòng)裝置） 接著，對(duì)按壓部的轉(zhuǎn)動(dòng)裝置進(jìn)行說(shuō)明。具有按壓部的貼合部對(duì)微細(xì)圖案形成用膜和被 處理體進(jìn)行貼合、按壓。貼合部中的微細(xì)圖案形成用膜與被處理體的貼合，可以與微細(xì)圖案 形成用膜的傳送同時(shí)進(jìn)行，也可以在微細(xì)圖案形成用膜的傳送停止的狀態(tài)下進(jìn)行。
[0117] 首先，與微細(xì)圖案形成用膜傳送同時(shí)進(jìn)行的情況下，為提高熱納米壓印精度，優(yōu)選 具有按壓部的轉(zhuǎn)動(dòng)裝置伴隨微細(xì)圖案形成用膜的傳送同步被動(dòng)地轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)體。該情況下， 轉(zhuǎn)動(dòng)裝置可以采用如自由輥的伴隨微細(xì)圖案形成用膜的傳送被動(dòng)地轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)體的裝置，或 控制轉(zhuǎn)動(dòng)體的轉(zhuǎn)速為與微細(xì)圖案形成用膜的傳送速度同步的被動(dòng)地轉(zhuǎn)動(dòng)的裝置。
[0118] 另一方面，在微細(xì)圖案形成用膜的傳送停止的狀態(tài)下貼合微細(xì)圖案形成用膜和被 處理體時(shí)，優(yōu)選轉(zhuǎn)動(dòng)體在以回轉(zhuǎn)軸為中心轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)，在與被處理體的主面平行的面內(nèi)，向 微細(xì)圖案形成用膜的流動(dòng)方向或與其相反的方向移動(dòng)。圖10是顯示本實(shí)施方式涉及的熱 納米壓印裝置中的按壓部的說(shuō)明圖。該情況下，如圖10所示，在與被處理體20的主面平行 的面內(nèi)，被處理體20的被處理面位置（St)，與通過(guò)與轉(zhuǎn)動(dòng)體30的被處理面位置（St)最接 近點(diǎn)（A)且與被處理體20的主面平行的面（SI)的距離（X)為-(負(fù)）微細(xì)圖案形成用膜 的厚度（T)以上，優(yōu)選為Oym以上的話，在貼合精度提高的同時(shí)，可利用彈性變形，提高低 溫且低壓下的熱納米壓印精度，因而優(yōu)選。距離X優(yōu)選為0 μ m以上，更優(yōu)選為5 μ m以上， 最優(yōu)選為IOym以上。另一方面，上限值為被處理體20的厚度。另外，圖10中的箭頭表示 轉(zhuǎn)動(dòng)體30的移動(dòng)方向。另外，上述距離（X)，在以被處理面位置（St)為基準(zhǔn)面時(shí)，相比于被 處理面位置（St)，與被處理體20的該位置（St)相反一側(cè)的面方向?yàn)檎?)。即，距離X為 負(fù)（minus)是指以被處理面位置（St)為基準(zhǔn)時(shí)，在被處理體20的厚度方向上更加遠(yuǎn)離被 處理體的方向。換言之，距離X為負(fù)（minus)時(shí)，在不使微細(xì)圖案形成用膜進(jìn)料的狀態(tài)下， 將轉(zhuǎn)動(dòng)體30在與被處理面（St)平行的面內(nèi)移動(dòng)時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)體30與被處理體20不接觸。
[0119] (加壓裝置） 接著，對(duì)按壓部的加壓裝置進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，通過(guò)使距離（X)為-(負(fù)）微細(xì)圖案 形成用膜1的厚度（T)以上，可以施加由距離X及轉(zhuǎn)動(dòng)體的表層的材質(zhì)所決定的壓力（以 下，第1壓力），因而可以不設(shè)置特別的加壓裝置。但是，即使在該情況下，為了進(jìn)一步提高 按壓力的均等性，優(yōu)選設(shè)置后述說(shuō)明的加壓裝置。
[0120] 按壓部中可以設(shè)置使轉(zhuǎn)動(dòng)體朝向微細(xì)圖案形成用膜或被處理體按壓的加壓裝置。 通過(guò)該加壓裝置向微細(xì)圖案形成用膜及被處理體施加的壓力（以下記做第2壓力），通過(guò)轉(zhuǎn) 動(dòng)體的彈性變形而分散成均等的壓力。因此，因提高熱均等性及壓力的均等性，可以提高微 細(xì)圖案形成用膜與被處理體的界面的力及熱的均等性。特別地，設(shè)置加壓裝置時(shí)，可以改善 如上述說(shuō)明的壓力的均等性。因此，可以降低壓力的絕對(duì)值。由此，因?yàn)榭梢赃m宜地保持第 1掩模層與第2掩模層的界面的精度，故可以提高剝離覆蓋膜獲得如圖5C所示的中間體21 時(shí)的轉(zhuǎn)印精度及被處理體的加工精度。此外，可以不損失流水作業(yè)時(shí)間地減少微細(xì)圖案形 成用膜和被處理體之間混入的空氣（氣泡）。合計(jì)上述第1壓力及第2壓力的按壓部提供 的按壓力，優(yōu)選為〇· OlMPa?5MPa，更優(yōu)選為0· 03MPa?2MPa。
[0121] (線壓） 接著，對(duì)通過(guò)如上所述的按壓部，在將微細(xì)圖案形成用膜按壓于被處理體時(shí)，實(shí)質(zhì)上以 線施加按壓力的機(jī)制進(jìn)行說(shuō)明。
[0122] 圖11是顯示本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置涉及的貼合部具有的按壓部的立 體示意圖。圖11中，按壓部100中，轉(zhuǎn)動(dòng)體102沿與微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD 垂直的垂直方向TD、即微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向而延伸設(shè)置。換言之，轉(zhuǎn)動(dòng)體102 的長(zhǎng)軸方向103平行于或?qū)嵸|(zhì)平行于微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向，即垂直方向TD。 其結(jié)果是，轉(zhuǎn)動(dòng)體102的周面實(shí)質(zhì)上以線與微細(xì)圖案形成用膜101接觸。即，可以實(shí)質(zhì)上以 線施加按壓力。該線是指連結(jié)轉(zhuǎn)動(dòng)體102的一側(cè)的端面上通過(guò)其中心0的垂線Z-a與轉(zhuǎn)動(dòng) 體102的周面的交點(diǎn)A，與另一側(cè)的端面上通過(guò)其中心0的垂線Z-b與轉(zhuǎn)動(dòng)體102的周面的 交點(diǎn)B的線AB，具有后述說(shuō)明的線寬。其稱(chēng)為實(shí)質(zhì)上的線。因此，貼合微細(xì)圖案形成用膜 101和被處理體104時(shí)，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102不以面而以線施加壓力。
[0123] 另外，圖11所示按壓部100中，轉(zhuǎn)動(dòng)體102是截面近似正圓形的貼合用輥，可以是 圓筒狀或圓柱狀的任意一種。
[0124] 接著，對(duì)于"線寬"，參考圖12進(jìn)行說(shuō)明。圖12是顯示本實(shí)施方式涉及的熱納米 壓印裝置中的按壓部的側(cè)面示意圖。從發(fā)生彈性形變的轉(zhuǎn)動(dòng)體102的橫方向看時(shí)，近似正 圓狀的端面的一部分變平坦。該形變?yōu)槠教沟牟糠?，沿轉(zhuǎn)動(dòng)體102的長(zhǎng)軸方向連續(xù)，形成 面。將該形變?yōu)槠教沟牟糠忠暈榈走?。將連結(jié)該底邊的邊緣與端面的圓的中心〇的2條的 線段形成的角度作為Θ，并且，圓的半徑作為d時(shí)，形變?yōu)槠教沟牟糠值拈L(zhǎng)度，即線寬以2d sin( Θ /2)表示。在高精度地貼合微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104的同時(shí)，呈現(xiàn)上述 說(shuō)明的效果高精度地進(jìn)行熱納米壓印時(shí)的角度Θ優(yōu)選為Γ以上60°以下。因此，本說(shuō)明 書(shū)中的線壓是指包括線寬度是角度Θ為60°以下的情況。換言之，并不僅是數(shù)學(xué)上的線， 而是也包括以具有滿(mǎn)足上述的條件的寬度的線施加壓力的情況。本實(shí)施方式中，在以線施 加壓力的情況以外，也包括像這樣以特定的線寬度施加壓力的情況，定義為"實(shí)質(zhì)上以線施 加壓力"。從進(jìn)一步發(fā)揮上述效果的角度出發(fā)，角度Θ優(yōu)選為3度以上45度以下，更優(yōu)選 為5度以上30度以下。
[0125] 本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置，通過(guò)上述說(shuō)明的轉(zhuǎn)動(dòng)體按壓微細(xì)圖案形成用 膜和被處理體，可以在低溫且低壓下進(jìn)行熱納米壓印。此處，為了抑制將微細(xì)圖案形成用膜 按壓于被處理體時(shí)的、被處理體在相對(duì)其面內(nèi)方向的垂直方向上的振動(dòng)，提高按壓時(shí)的壓 力的均等性，優(yōu)選在被處理體的與被處理面相反一側(cè)的面上設(shè)置被處理體保持部。
[0126] 被處理體保持部只要是與被處理體的被處理面不接觸的話，沒(méi)有特別限定。特別 地，相對(duì)被處理體的被處理面位置，微細(xì)圖案形成用膜側(cè)上突出的部位（高低差）高度為被 處理體的厚度的5分之1以下的話，貼合精度提高，因而優(yōu)選。最優(yōu)選為不存在突出部位的 狀態(tài)。例如，減壓卡盤(pán)（真空卡盤(pán)），可以在通過(guò)與卡盤(pán)面的接觸保持被處理體的被處理面 的相反一側(cè)的面的同時(shí)，通過(guò)釋放減壓而使被處理體自由地脫離，因而優(yōu)選。此外，從貼合 時(shí)的氣泡的卷入的角度出發(fā)，優(yōu)選被處理體保持部在與被處理體和微細(xì)圖案形成用膜不接 觸的位置保持被處理體。
[0127] 通過(guò)被處理體保持部，固定保持被處理體，對(duì)于固定保持的被處理體的被處理面， 通過(guò)上述說(shuō)明的按壓部貼合微細(xì)圖案形成用膜的第1掩模層。此處，通過(guò)經(jīng)由后述說(shuō)明的 貼合工序，可以進(jìn)一步提高對(duì)微細(xì)圖案形成用膜的被處理體的面內(nèi)的貼合精度。首先，通過(guò) 被處理體保持部固定與被處理體的被處理面相反一側(cè)的面。例如，可以采用減壓固定。接 著，通過(guò)按壓部的轉(zhuǎn)動(dòng)體，從被處理體的一個(gè)末端開(kāi)始微細(xì)圖案形成用膜的貼合。然后，僅 將按壓部分的轉(zhuǎn)動(dòng)體，在轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)，朝向被處理體的另一末端進(jìn)行微細(xì)圖案形成用膜的 貼合。此處，在轉(zhuǎn)動(dòng)體完全通過(guò)被處理體的另一末端之前，放開(kāi)被處理體的固定。例如，由 被處理體保持部進(jìn)行的保持為減壓卡盤(pán)時(shí)，釋放減壓。在該狀態(tài)下，將按壓部的轉(zhuǎn)動(dòng)體在轉(zhuǎn) 動(dòng)的同時(shí)通過(guò)被處理體的另一末端。由此，可以在包括被處理體的末端的整個(gè)面內(nèi)，貼合微 細(xì)圖案形成用膜。
[0128] (按壓加熱部） 此外，本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中，優(yōu)選轉(zhuǎn)動(dòng)體及被處理體保持部的至少一 方附帶按壓加熱部。此處，導(dǎo)入按壓加熱部的目的是在按壓部貼合、按壓微細(xì)圖案形成用膜 及被處理體時(shí)，加熱微細(xì)圖案形成用膜與被處理體的界面。通過(guò)設(shè)置按壓加熱部，提高了微 細(xì)圖案形成用膜與被處理體的界面的溫度，因此促進(jìn)了第1掩模層的流動(dòng)性，熱納米壓印 精度提高。
[0129] 按壓加熱部附帶于轉(zhuǎn)動(dòng)體及被處理體保持部的至少一方上。因此，也可以附帶于 雙方上。按壓加熱部附帶于被處理體保持部上時(shí)，被處理體保持部在固定被處理體同時(shí)，可 以加熱被處理體。
[0130] 轉(zhuǎn)動(dòng)體上附帶有按壓加熱部時(shí)，優(yōu)選將按壓加熱部配置于位于轉(zhuǎn)動(dòng)體的表層的低 Tg彈性體的內(nèi)側(cè)。即,轉(zhuǎn)動(dòng)體可由回轉(zhuǎn)軸、按壓加熱部及低Tg彈性體構(gòu)成。此處，按壓加熱 部與回轉(zhuǎn)軸可以相同，此外，例如，也可在按壓加熱部和低Tg彈性體之間配置熱導(dǎo)性粘合 劑等。圖13是顯示本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中附帶按壓加熱部的轉(zhuǎn)動(dòng)體的截面 示意圖。圖13A所示的轉(zhuǎn)動(dòng)體41在按壓加熱部42的外周設(shè)置有低Tg彈性體43。圖13B 所示的轉(zhuǎn)動(dòng)體44,回轉(zhuǎn)軸45的外周設(shè)置有按壓加熱部46,進(jìn)一步其外周設(shè)置有低Tg彈性 體47。
[0131] 在任意一種情況下，都可以通過(guò)按壓加熱部42、46,加熱設(shè)置于轉(zhuǎn)動(dòng)體41、44的表 層的低Tg彈性體43、47。通過(guò)該加熱，因?yàn)榈蚑g彈性體43、47的表面的溫度上升，將微細(xì) 圖案形成用膜101按壓在被處理體104上時(shí)，提高了微細(xì)圖案形成用膜101的柔軟性、特別 是第1掩模層的流動(dòng)性，提高了按壓精度。此處，通過(guò)低Tg彈性體43、47,貼合微細(xì)圖案形 成用膜101與被處理體104時(shí)的熱分布良好，因此，可以保持按壓加熱部42、46的加熱溫度 較低。
[0132] 按壓加熱部的加熱溫度，若能加熱使轉(zhuǎn)動(dòng)體102的表面的溫度為0°C以上250°C以 下的范圍則優(yōu)選，更優(yōu)選可將其加熱至40°C以上150°C以下，最優(yōu)選可將其加熱至60°C以 上130°C以下的范圍。特別地，使用本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的熱納米壓印方法 中，轉(zhuǎn)動(dòng)體的表面的溫度（Ts)優(yōu)選小于微細(xì)圖案形成用膜101的覆蓋膜的熔點(diǎn)（Tmc)的范 圍。使用這樣的具有小于微細(xì)圖案形成用膜101的覆蓋膜的熔點(diǎn)（Tmc)的溫度（Ts)的轉(zhuǎn) 動(dòng)體的情況下，因可以良好地利用具有上述說(shuō)明的Tg的低Tg彈性體的彈性形變，可以提高 熱納米壓印精度。即，不需要過(guò)大的加熱裝置。隨之，不需要過(guò)大的冷卻裝置，成為緊湊的 裝置。特別地，從抑制將微細(xì)圖案形成用膜101按壓于被處理體104時(shí)的微細(xì)圖案形成用 膜101的過(guò)度形變，提高熱納米壓印精度的角度出發(fā)，加熱溫度優(yōu)選使轉(zhuǎn)動(dòng)體的表面的溫 度（Ts)為0. 9Tmc以下的范圍，更優(yōu)選加熱使其為0. 6Tmc以下的范圍，最優(yōu)選加熱使其為 0.5Tmc以下的范圍。另外，覆蓋膜的材料與凹凸結(jié)構(gòu)的材料不同時(shí)，覆蓋膜的材料的熔點(diǎn)和 凹凸結(jié)構(gòu)的熔點(diǎn)的熔點(diǎn)中熔點(diǎn)更低一方的熔點(diǎn)為上述熔點(diǎn)（Tmc)。
[0133] 接著，對(duì)本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置更詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。 〈第1實(shí)施方式〉 圖14是顯示第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的示意圖。熱納米壓印裝置200具 有卷繞長(zhǎng)尺寸的微細(xì)圖案形成用膜101的送料輥202。送料輥202將微細(xì)圖案形成用膜101 以規(guī)定的速度送出。與該送料輥202成對(duì)，設(shè)置有將送出的微細(xì)圖案形成用膜101卷取的 卷取輥203。卷取輥203的轉(zhuǎn)速和送料輥202的轉(zhuǎn)速可以控制為使微細(xì)圖案形成用膜101 的送出速度與卷取速度同步，但為了控制微細(xì)圖案形成用膜101的張力，可以使用調(diào)節(jié)輥、 力矩電機(jī)或張力控制輥等，因而微細(xì)圖案形成用膜101的傳送機(jī)構(gòu)可以根據(jù)采用的張力控 制方式適當(dāng)設(shè)計(jì)。另外，送料輥202及卷取輥203可以分別與驅(qū)動(dòng)部連結(jié)。
[0134] 在相比送料輥202為流動(dòng)方向MD的下游處，設(shè)置有貼合部201。貼合部201具有 按壓部100,按壓部100具有轉(zhuǎn)動(dòng)體102。關(guān)于轉(zhuǎn)動(dòng)體102,其如同已經(jīng)說(shuō)明的。第1實(shí)施方 式中轉(zhuǎn)動(dòng)體102的表層為硅酮橡膠。另外，作為硅酮橡膠采用其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為20°C 以下的橡膠。此外，另外設(shè)置對(duì)貼合氣氛進(jìn)行除靜電的除電機(jī)（未圖示）。
[0135] 該轉(zhuǎn)動(dòng)體102橫跨微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向而延伸設(shè)置。轉(zhuǎn)動(dòng)體102的 截面形狀近似正圓形。轉(zhuǎn)動(dòng)體102的微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向的長(zhǎng)度，只要比貼 合微細(xì)圖案形成用膜101的被處理體104的尺寸更大的話，沒(méi)有特別限定。例如，2英寸多、 4英寸多、6英寸多、或8英寸多。此外，為了在微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向上配置多 個(gè)被處理體104,同時(shí)將微細(xì)圖案形成用膜101貼合在被處理體104上，優(yōu)選轉(zhuǎn)動(dòng)體102橫 跨微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向全體而延伸設(shè)置。第1實(shí)施方式中，以微細(xì)圖案形成 用膜101的寬度為2. 1英寸、4. 5英寸、及6. 5英寸的3種類(lèi)進(jìn)行實(shí)施。相對(duì)任意的這些微 細(xì)圖案形成用膜101，轉(zhuǎn)動(dòng)體102的寬度方向的長(zhǎng)度均為300mm。
[0136] 通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102貼合微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104,可以與微細(xì)圖案形 成用膜101的傳送同時(shí)進(jìn)行，也可以在微細(xì)圖案形成用膜101停止傳送的狀態(tài)下進(jìn)行。第 1實(shí)施方式中，微細(xì)圖案形成用膜101在靜止的狀態(tài)下進(jìn)行貼合。
[0137] 微細(xì)圖案形成用膜101的向被處理體104的按壓，在與微細(xì)圖案形成用膜101的 傳送同時(shí)進(jìn)行的情況下，優(yōu)選轉(zhuǎn)動(dòng)體102的轉(zhuǎn)動(dòng)不引起微細(xì)圖案形成用膜101的傳送的障 礙。因此，轉(zhuǎn)動(dòng)體102的轉(zhuǎn)動(dòng)裝置可以伴隨微細(xì)圖案形成用膜101的傳送被動(dòng)地轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng) 體102,也可以主動(dòng)地轉(zhuǎn)動(dòng)。特別地，伴隨微細(xì)圖案形成用膜101的傳送被動(dòng)地轉(zhuǎn)動(dòng)提高了 貼合精度，因而優(yōu)選。該情況下，轉(zhuǎn)動(dòng)體102的轉(zhuǎn)動(dòng)裝置可以采用，如同自由輥的被動(dòng)地轉(zhuǎn) 動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)體102的裝置，或與微細(xì)圖案形成用膜101的傳送速度同步地，控制轉(zhuǎn)動(dòng)體102的轉(zhuǎn) 速的同時(shí)被動(dòng)地轉(zhuǎn)動(dòng)的裝置。
[0138] 另一方面，在停止傳送微細(xì)圖案形成用膜101的狀態(tài)下貼合微細(xì)圖案形成用膜 101和被處理體104時(shí)，優(yōu)選轉(zhuǎn)動(dòng)體102在以回轉(zhuǎn)軸為中心轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)，在與被處理體104 的主面平行的面內(nèi)，在與微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD相反的方向上或與微細(xì)圖案 形成用膜101的流動(dòng)方向MD平行的方向上移動(dòng)。
[0139] 該情況下，通過(guò)滿(mǎn)足已經(jīng)說(shuō)明的距離（X)的范圍，可以提高貼合精度。第1實(shí)施方 式中，距離（乂）以負(fù)3〇4 111、負(fù)2(^111、負(fù)1(^111、(^111、1(^111、3(^1]1及10(^1]1的范圍進(jìn)行。 另外，作為從覆蓋膜的露出面到第1掩模層的表面位置的距離的微細(xì)圖案形成用膜101的 厚度，使用104 μ m。
[0140] 進(jìn)一步地，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102,按壓微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104時(shí)的按壓 力，當(dāng)距離X為-微細(xì)圖案形成用膜101的厚度以上時(shí)，不特別設(shè)置加壓裝置也可施加壓 力。然而，從均等地施加按壓力的角度出發(fā)，優(yōu)選另外設(shè)置加壓裝置204。從通過(guò)設(shè)置加壓 裝置204,可以不損失流水作業(yè)時(shí)間地減少微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體140之間混入 的空氣（氣泡）這一角度出發(fā)，優(yōu)選在轉(zhuǎn)動(dòng)體102上設(shè)置加壓裝置。該貼合的按壓力優(yōu)選 為 0· OlMPa ?5Mpa，更優(yōu)選為 0· 03MPa ?2Mpa。
[0141] 第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置200的貼合部201中，通過(guò)上述說(shuō)明的按壓 部100的轉(zhuǎn)動(dòng)體102按壓微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104,可以在低溫且低壓下進(jìn)行 熱納米壓印。此處，為了抑制將微細(xì)圖案形成用膜101按壓于被處理體104時(shí)的、被處理體 104在相對(duì)其面內(nèi)方向的垂直方向上的振動(dòng)，提高按壓時(shí)的壓力的均等性，優(yōu)選在被處理體 104的與微細(xì)圖案形成用膜101相接的面的相反一側(cè)的面上設(shè)置被處理體保持部205。
[0142] 被處理體保持部205的保持機(jī)構(gòu)，只要是與被處理體104的被處理面不接觸的話， 沒(méi)有特別限定。被處理體保持部205可采用已經(jīng)說(shuō)明的機(jī)構(gòu)。此外，保持被處理體104的 方法，如同已經(jīng)說(shuō)明地，優(yōu)選在被處理體104與微細(xì)圖案形成用膜101不接觸的位置保持被 處理體104。另外，第1實(shí)施方式中采用減壓（抽吸）卡盤(pán)。
[0143] 此外，第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置200中，優(yōu)選轉(zhuǎn)動(dòng)體102及被處理體保 持部205的至少一方附帶按壓加熱部。此處，導(dǎo)入按壓加熱部的目的是通過(guò)按壓部102按 壓微細(xì)圖案形成用膜101及被處理體104時(shí)，加熱微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104 的界面。通過(guò)設(shè)置按壓加熱部，提高了微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104的界面的溫 度，因此熱納米壓印精度提高。另外，第1實(shí)施方式中，在轉(zhuǎn)動(dòng)體102及被處理體保持部205 的雙方上設(shè)置有按壓加熱部，將轉(zhuǎn)動(dòng)體102的表面加熱至90°C?130°C，將被處理體保持部 205的表面加熱至80°C?150°C的范圍而實(shí)施。
[0144] 在相比貼合部201處于流動(dòng)方向MD的下游、相比卷取輥203處于上游處，設(shè)置有 剝離部206。另外，在卷取輥203和轉(zhuǎn)動(dòng)體102之間，優(yōu)選設(shè)置有為同時(shí)設(shè)置后述的能量射 線照射部等的充分間隔。剝離部206只要可以從微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104形 成積層體207上剝離覆蓋膜的話，沒(méi)有特別限定。即，積層體207中，在被處理體104被固定 基本不產(chǎn)生在相對(duì)其主面正交垂直方向上的移動(dòng)的同時(shí)，從被處理體104上剝離覆蓋膜。 特別地，如果剝離部206可以利用微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)進(jìn)行剝離的話，可以進(jìn)一步 抑制微細(xì)圖案形成用膜101的扭曲，可以改善轉(zhuǎn)印精度。進(jìn)一步地，因?yàn)槲⒓?xì)圖案形成用膜 101和某被處理體104(A)的按壓，可以與微細(xì)圖案形成用膜101從別的被處理體104(B)的 剝離同時(shí)進(jìn)行，在抑制裝置的過(guò)大化的同時(shí)，可以提高流水作業(yè)時(shí)間。進(jìn)一步地，優(yōu)選在剝 離部206中，通過(guò)改變微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向，剝離覆蓋膜，可以利用如同后述 的剝離用輥或剝離用端面。
[0145] 另外，積層體207相當(dāng)于圖3B及圖5A所示的第3積層體III。構(gòu)成積層體207的 被處理體104可以貼合在微細(xì)圖案形成用膜101上，成為一個(gè)整體。
[0146] 剝離部206中的剝離力至少相對(duì)被處理體104的被處理面垂直，并且包含微細(xì)圖 案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的成分。例如，保持并固定積層體207的被處理體104的露 出的面，通過(guò)經(jīng)由輥或端面改變微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD，可以高轉(zhuǎn)印精度地 剝離覆蓋膜。
[0147] (剝離部） 圖15是顯示第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中的由剝離部引起的覆蓋膜的剝離 的示意圖。圖15A及圖15B顯示通過(guò)在傳送微細(xì)圖案形成用膜101/被處理體104形成積 層體207的同時(shí)，改變微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD，將覆蓋膜從被處理體104上剝 離的情況。被處理體104沿圖中箭頭A顯示的方向移動(dòng)。
[0148] 圖15A中，通過(guò)具有曲率半徑為0以上的曲率的剝離用端面301，改變微細(xì)圖案形 成用膜101的流動(dòng)方向MD。另一方面，圖15B中，通過(guò)圓筒狀的剝離用輥302,改變微細(xì)圖 案形成用膜101的流動(dòng)方向MD。任何一種情況下，均通過(guò)固定裝置保持被處理體104的與 被處理面相反一側(cè)的面（以下也記做露出面），固定被處理體104,提高了微細(xì)圖案形成用 膜101的覆蓋膜的剝離時(shí)被處理體104的物理穩(wěn)定性，因而優(yōu)選。
[0149] 圖16是顯示第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中的由剝離部引起的微細(xì)圖案 形成用膜的剝離的示意圖。圖16A及圖16B表示如下情況，積層體207靜止，通過(guò)使移動(dòng)用 輥401及剝離用輥402形成的剝離部206,在與被處理體104的被處理面平行且與微細(xì)圖 案形成用膜101的流動(dòng)方向MD平行的方向上移動(dòng)，剝離覆蓋膜。更具體地，移動(dòng)用輥401 如圖中箭頭B所示，在與微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD相反方向上移動(dòng)。伴隨該移 動(dòng)，剝離用輥402也在與微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD相反方向上移動(dòng)，剝離覆蓋 膜。
[0150] 對(duì)剝離部206中的微細(xì)圖案形成用膜101的方向變化更詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。圖17 是為了對(duì)第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中的剝離部處的微細(xì)圖案形成用膜101的方 向變化進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。如圖17所示，通過(guò)剝離部206前的微細(xì)圖案形成用膜101的流 動(dòng)方向MD-I形成的面、與通過(guò)剝離部206的后的微細(xì)圖案形成用膜101 (覆蓋膜）的流動(dòng) 方向MD-2形成的面構(gòu)成的角Θ1，可定義為剝離方向的變化量。該角度Θ1為剝離角。剝 離角Θ1優(yōu)選為15度以上170度以下。其通過(guò)為15度以上，可以降低施加在第1掩模層 與覆蓋膜的界面上剝離應(yīng)力，因此可降低指向通過(guò)熱納米壓印法得到的中間體21的負(fù)荷 (剝離應(yīng)力），因此轉(zhuǎn)印精度提高。另一方面，其通過(guò)為170度以下，降低微細(xì)圖案形成用膜 101的搬送涉及的負(fù)荷，因此傳送精度提高?；谕瑯拥睦碛桑瑒冸x角Θ1優(yōu)選為30度以 上160度以下，最優(yōu)選為60度以上160度以下。另外，通過(guò)剝離角Θ1為90度以上，可以 抑制裝置的過(guò)大化。從設(shè)計(jì)更緊湊的裝置的角度出發(fā)，剝離角Θ1優(yōu)選為100度以上，更優(yōu) 選為110度以上，最優(yōu)選為125度以上。另外，通過(guò)剝離部206前的微細(xì)圖案形成用膜101 的流動(dòng)方向MD-I形成的面、與微細(xì)圖案形成用膜101的剝離前的被處理體104的被處理面 大致平行。
[0151] 此處，通過(guò)進(jìn)一步設(shè)置可以拆卸自如地固定被處理體104的露出面的固定裝置， 可以改善經(jīng)由剝離部206剝離時(shí)的被處理體104的物理性的平衡，因此，可以進(jìn)一步抑制微 細(xì)圖案形成用膜101的扭曲或通過(guò)熱納米壓印得到的凹凸結(jié)構(gòu)的缺損。固定裝置可以是例 如減壓卡盤(pán)、靜電卡盤(pán)、握持外周緣部的裝置，或本領(lǐng)域技術(shù)人員周知的盒式支撐（力★夂 卜支持）方式。另外，第1實(shí)施方式中在采用減壓（抽吸）卡盤(pán)的同時(shí)，以抑制靜電為目的， 在剝離部206的周?chē)惭b有除電機(jī)（未圖示）。
[0152] 通過(guò)上述說(shuō)明的具有轉(zhuǎn)動(dòng)體102的按壓部100,按壓微細(xì)圖案形成用膜101和被 處理體104,可得到微細(xì)圖案形成用膜101/被處理體104形成積層體207。此外，具有按壓 部100的貼合部201與剝離部206,沿著微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD，相互間隔地 配置。即，將積層體207傳送至剝離部206,在剝離部206中從積層體207上剝離微細(xì)圖案 形成用膜101的覆蓋膜。此處，積層體207的搬送也可以通過(guò)另外設(shè)置傳送積層體207的 被處理體104的露出面而傳送的被處理體傳送裝置而實(shí)現(xiàn)，從抑制裝置的過(guò)大化的角度出 發(fā)，優(yōu)選利用微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)來(lái)傳送，換言之優(yōu)選微細(xì)圖案形成用膜101作為 被處理體104的載體膜發(fā)揮功能。
[0153] 通常加工品（被處理體104)和載體（微細(xì)圖案形成用膜101)通過(guò)分別的移動(dòng)機(jī) 構(gòu)移動(dòng)及傳送，涉及到本實(shí)施方式，加工品可以通過(guò)載體傳送而移動(dòng)。即，可經(jīng)歷加工品和 載體一體化的狀態(tài)。由此，可以不需要另外設(shè)置加工品的傳送機(jī)構(gòu)，因此在使裝置可以緊湊 設(shè)計(jì)的同時(shí)，可以在從貼合部201至剝離部206之間，容易地加入任意的構(gòu)成要素，例如能 量射線照射部。
[0154] S卩，圖14中，微細(xì)圖案形成用膜101的與設(shè)置有轉(zhuǎn)動(dòng)體102側(cè)的面相反一側(cè)的面、 即第1掩模層面上，配置有被處理體104,伴隨微細(xì)圖案形成用膜101的傳送，同時(shí)移動(dòng)被 處理體104。此外，將微細(xì)圖案形成用膜101以表里翻轉(zhuǎn)（第1掩模層面向下）的狀態(tài)傳 送時(shí)，在微細(xì)圖案形成用膜101的上側(cè)配置轉(zhuǎn)動(dòng)體102,在微細(xì)圖案形成用膜101的下側(cè)、 即第1掩模層面上配置被處理體104,按壓微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104。該情況 下，與微細(xì)圖案形成用膜101貼合的被處理體104,可以在懸空的狀態(tài)下伴隨微細(xì)圖案形成 用膜101的傳送而移動(dòng)。
[0155] 在微細(xì)圖案形成用膜101的表面上設(shè)置有保護(hù)層時(shí)，在以貼合部201貼合微細(xì)圖 案形成用膜101與被處理體104前，必須除去保護(hù)層。該情況下，在相比送料輥202處于微 細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游上，可以設(shè)置從微細(xì)圖案形成用膜101上剝離保 護(hù)層（圖4中14)的保護(hù)層剝離輥部。對(duì)于保護(hù)層剝離輥，在相比保護(hù)層剝離輥處于保護(hù)層 的流動(dòng)方向的下游，可以并設(shè)卷取回收保護(hù)層的保護(hù)層卷取輥。保護(hù)層剝離輥，可以設(shè)置為 不具有驅(qū)動(dòng)部的自由輥，也可為附帶驅(qū)動(dòng)部的輥，只要能從微細(xì)圖案形成用膜101上剝離 保護(hù)層的話，沒(méi)有特別限定。另一方面，由于保護(hù)層卷取輥承擔(dān)著從微細(xì)圖案形成用膜101 卷取回收剝離的保護(hù)層的作用，優(yōu)選附帶有驅(qū)動(dòng)部。通過(guò)驅(qū)動(dòng)部轉(zhuǎn)動(dòng)的保護(hù)層卷取輥的轉(zhuǎn) 速，為抑制保護(hù)層的扭曲或微細(xì)圖案形成用膜101的扭曲、曲折等，可以基于膜張力的觀點(diǎn) 進(jìn)行適當(dāng)設(shè)計(jì)。此外，保護(hù)層剝離輥設(shè)置在與轉(zhuǎn)動(dòng)體102接近的位置上，抑制剝離保護(hù)層而 露出的表面的異物的附著，其結(jié)果是，微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104的貼合精度提 高，因而優(yōu)選。
[0156] 上述說(shuō)明的貼合部201中的微細(xì)圖案形成用膜的向被處理體104貼合時(shí)，從進(jìn)一 步提高微細(xì)圖案形成用膜101的向被處理體104的貼合精度的角度出發(fā)，可設(shè)置除電機(jī)。通 過(guò)設(shè)置除電機(jī)，可以抑制在微細(xì)圖案形成用膜101的第1掩模層面上、或被處理體104的被 處理面上附著的顆粒，因此可以抑制對(duì)于第1掩模層的來(lái)自顆粒的應(yīng)力集中，由此可以提 高轉(zhuǎn)印精度。
[0157] 接著，對(duì)可以設(shè)置于貼合部201和剝離部206之間的任意的其他的構(gòu)成要素進(jìn)行 說(shuō)明。 (能量射線照射部） 貼合部201和剝離部206之間，可以設(shè)置能量射線照射部。能量射線照射部中，對(duì)用貼 合部201得到的積層體207照射能量射線。因此，能量射線照射部，可以朝向微細(xì)圖案形成 用膜101照射能量射線，也可以超向被處理體104照射能量射線，也可以向這兩方照射。特 別地，通過(guò)至少超向被處理體104照射能量射線，可以提高微細(xì)圖案形成用膜101與被處理 體104間的界面強(qiáng)度，因而優(yōu)選。
[0158] 能量射線照射部可以對(duì)相對(duì)于微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向，微細(xì)圖案形成 用膜101的膜寬度的至少50%以上的長(zhǎng)度的區(qū)域、及其流動(dòng)方向的一部分區(qū)域照射能量射 線。特別地，若能量射線照射部可以對(duì)相對(duì)于微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向，微細(xì)圖案 形成用膜101的膜寬度的至少75%以上的長(zhǎng)度的區(qū)域照射能量射線的話，在提高生產(chǎn)性的 同時(shí)，提高環(huán)境應(yīng)對(duì)性，因而優(yōu)選。更優(yōu)選為85%以上。此外，從環(huán)境應(yīng)對(duì)性及抑制設(shè)備過(guò) 大化的角度出發(fā)，優(yōu)選為150%以下，更優(yōu)選為110%以下。
[0159] 此處，將微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向的長(zhǎng)度設(shè)為W，被處理體的寬度方向的 長(zhǎng)度為w，能量射線照射部的寬度方向的照射長(zhǎng)度為We時(shí)，以w/W < 1為前提，從環(huán)境應(yīng)對(duì) 性及抑制過(guò)大的設(shè)備的角度出發(fā)，各個(gè)的長(zhǎng)度的關(guān)系優(yōu)選w/W < We/W < 1. 5,更優(yōu)選為w/W < ffe/ff ^ 1. 1〇
[0160] 能量射線可以根據(jù)構(gòu)成微細(xì)圖案形成用膜101的材質(zhì)適當(dāng)選定，因此沒(méi)有特別限 定，可以采用UV-LED光源、金屬鹵化物光源、高壓水銀燈光源等。此外，從能量射線照射開(kāi) 始到照射結(jié)束的累積光量在500mJ/cm 2?5000mJ/cm2以下的范圍的話可以提高熱納米壓 印的轉(zhuǎn)印精度，因而優(yōu)選。更優(yōu)選為800mJ/cm 2?2500mJ/cm2。進(jìn)一步地，在后述說(shuō)明的連 續(xù)的貼合的情況下，可以在微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向上設(shè)置多臺(tái)能量射線照射機(jī) 構(gòu)。該情況下，可以使全部能量射線照射機(jī)構(gòu)的能量射線源相同，此外，也可以設(shè)置能量射 線光譜不同的能量射線照射機(jī)構(gòu)。此外，在后述說(shuō)明的間歇性貼合的情況下，能量射線的照 射范圍優(yōu)選為被處理體的100%以上，考慮能量射線的照射范圍內(nèi)的照度分布的話，更優(yōu)選 為150%以上。
[0161] (積層體加熱部） 可以在相比剝離部206處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的上游，并且相比能 量射線照射處于流動(dòng)方向MD的下游處，設(shè)置加熱積層體207的積層體加熱部。通過(guò)設(shè)置積 層體加熱部，提高了微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104的界面強(qiáng)度，因此熱納米壓印精 度提高。積層體加熱部的加熱溫度，可以根據(jù)微細(xì)圖案形成用膜101的特性適當(dāng)選定，因此 沒(méi)有特別限定，若其小于微細(xì)圖案形成用膜101的熔點(diǎn)（Tmc)的話，在可以抑制裝置的過(guò)大 化的同時(shí)，提高熱納米壓印精度，因而優(yōu)選。特別地，被處理體104的加熱溫度優(yōu)選可以加 熱至30°C?200°C的范圍，更優(yōu)選為60°C?130°C。加熱溫度從微細(xì)圖案形成用膜101的 傳送的角度出發(fā)，大致優(yōu)選為T(mén)mc的0. 6倍以下。在這樣的加熱條件下進(jìn)行積層體207的 加熱。
[0162] (冷卻部） 進(jìn)一步地，可以在相比剝離部206處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的上游， 并且相比積層體加熱部處于流動(dòng)方向MD的下游處，設(shè)置冷卻積層體207的冷卻部。通過(guò)設(shè) 置冷卻部，可以提高剝離覆蓋膜時(shí)的剝離性。此處，第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置 200中，冷卻部相對(duì)于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD，與貼合部201相間隔而設(shè)置。 進(jìn)一步地，第1實(shí)施方式中，因?yàn)榭梢圆捎萌缟纤龅霓D(zhuǎn)動(dòng)體102,要保持熱納米壓印所必 須的較低溫度。因此，可以抑制冷卻部的過(guò)大化。冷卻部為可對(duì)積層體207吹拂空氣的程 度即可。冷卻部通過(guò)至少將被處理體104的溫度至120°C以下，可以改善剝離性，因而優(yōu)選。 可以根據(jù)微細(xì)圖案形成用膜101的特性根據(jù)，決定最適合的被處理體104的冷卻后的溫度， 大致優(yōu)選為5°C以上60°C以下，更優(yōu)選為18°C以上30°C以下。
[0163] 接著，對(duì)可設(shè)置在相比貼合部201處于流動(dòng)方向MD的上游的任意的其他的構(gòu)成要 素進(jìn)行說(shuō)明。
[0164] (傳送部） 在相比貼合部201處于流動(dòng)方向MD的上游處，可以設(shè)置傳送部。此處，傳送部可以取 出儲(chǔ)存的被處理體104,將被處理體104傳送至貼合部201的轉(zhuǎn)動(dòng)體102的位置。傳送部也 可以作為貼合時(shí)的被處理體104的被處理體保持部發(fā)揮功能。此處，傳送部中的被處理體 104的固定優(yōu)選通過(guò)可以拆卸自如地固定被處理體104的露出面的固定裝置進(jìn)行。固定裝 置可以是例如減壓卡盤(pán)、靜電卡盤(pán)、握持外周緣部的裝置，或本領(lǐng)域技術(shù)人員周知的盒式支 撐方式。
[0165] (前處理部） 在相比傳送部處于流動(dòng)方向MD的上游側(cè)，可以設(shè)置前處理部。前處理部中可以將被處 理體的主面、即被處理面進(jìn)行前處理。作為前處理部，例如，可舉例UV-O3處理機(jī)構(gòu)、準(zhǔn)分子 處理機(jī)構(gòu)、氧灰化機(jī)構(gòu)、硅烷偶聯(lián)劑材料膜成膜機(jī)構(gòu)及樹(shù)脂層成膜機(jī)構(gòu)。特別地，通過(guò)采用 UV-O3處理機(jī)構(gòu)或準(zhǔn)分子處理機(jī)構(gòu)，可以抑制設(shè)備的過(guò)大化。
[0166] 接著，對(duì)可設(shè)置在相比剝離部處于流動(dòng)方向MD的下游的任意的構(gòu)成要素進(jìn)行說(shuō) 明。 (回收部） 在相比剝離部處于流動(dòng)方向MD的下游側(cè)，可以設(shè)置回收部?；厥詹炕厥談冸x部之上的 從微細(xì)圖案形成用膜101剝離的被處理體104。該回收部，可以在保持被剝離了微細(xì)圖案形 成用膜101的被處理體104的同時(shí)，傳送至后續(xù)的處理裝置或暫時(shí)保管裝置。經(jīng)由回收部 的被處理體104的保持，可以通過(guò)握持被處理體104的外周緣部，或支撐被處理體104的與 貼合微細(xì)圖案形成用膜101的面相反一側(cè)的面、即露出面而實(shí)現(xiàn)。此外，作為回收部，也可 以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的盒式支撐方式。
[0167] (能量射線照射部、加熱部、冷卻部） 在相比剝離部206處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游、并且相比回收 部處于上游處可以設(shè)置能量射線照射部。通過(guò)能量射線照射部可以對(duì)被剝離了微細(xì)圖案形 成用膜101，表面上轉(zhuǎn)印有凹凸構(gòu)造的被處理體104、即相當(dāng)于圖5C顯示的微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體 16,照射能量射線，由此可以使被處理體104穩(wěn)定化，提高其在后續(xù)處理中的適用度和保存 穩(wěn)定性。另外，代替能量射線照射部而設(shè)置加熱部也可以獲得同樣的效果。另外，設(shè)置加熱 部時(shí)，可以在相比加熱部處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游、且相比回收部 處于上游處設(shè)置冷卻部。此外，相比剝離部處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下 游、相比回收部處于上游處，可以以能量射線照射部、加熱部、冷卻部的順序進(jìn)行設(shè)置。
[0168] 另外，上述第1實(shí)施方式中與微細(xì)圖案形成用膜101的第1掩模層表面直接相接 觸的輥，使用其表面進(jìn)行過(guò)鏡面加工的輥。
[0169] 〈第2實(shí)施方式〉 圖18是顯示第2實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的示意圖。以下的說(shuō)明中，對(duì)于與第 1實(shí)施方式說(shuō)明的物品具有相同構(gòu)成的部件，表示相同的符號(hào)，省略說(shuō)明。
[0170] 第2實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置300中，與第1實(shí)施方式不同，具有切斷部 501。
[0171] (切斷部） 如圖18所示，在相比貼合部201處于流動(dòng)方向MD的下游、相比卷取輥203處于上游 處，設(shè)置有切斷部501。另外，優(yōu)選在轉(zhuǎn)動(dòng)體102與切斷部501之間，或卷取輥203與切斷部 501之間，設(shè)有充分的間隔，以便并設(shè)能量射線照射部等任意的構(gòu)成要素。
[0172] 切斷部501對(duì)于貼合有微細(xì)圖案形成用膜101的被處理體104、即對(duì)于積層體 207,將位于相比被處理體104的外周更外側(cè)的微細(xì)圖案形成用膜101完全地或部分地裁 斷。圖19是顯示第2實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中切斷部的裁斷位置的平面示意圖。 如圖19所示，對(duì)于由微細(xì)圖案形成用膜101/被處理體104形成的積層體207,將相比被處 理體104的外周更外側(cè)通過(guò)切斷部501裁斷。圖19中的點(diǎn)劃線顯示裁斷位置502。
[0173] 此處，裁斷可以使微細(xì)圖案形成用膜101與積層體207完全分離，在設(shè)定于相比被 處理體104更外側(cè)的裁斷位置502處完全地切除微細(xì)圖案形成用膜101。此外，也可以使 微細(xì)圖案形成用膜101與積層體207不分離，在裁斷位置502處部分地裁斷微細(xì)圖案形成 用膜101。例如，圖19所示的裁斷位置502的外側(cè)的微細(xì)圖案形成用膜101a，和裁斷位置 502的內(nèi)側(cè)的構(gòu)成積層體207的微細(xì)圖案形成用膜IOlb可以裁斷為部分相連。例如，可以 采用裁斷為穿孔洞形狀的方法，或裁斷為裁斷位置502的外側(cè)的微細(xì)圖案形成用膜IOla與 內(nèi)側(cè)的微細(xì)圖案形成用膜IOlb有一處以上保持相連而其它部分裁斷的方法等。
[0174] 從裁斷后的微細(xì)圖案形成用膜101的傳送精度的角度出發(fā)，圖19所示微細(xì)圖案 形成用膜101的寬度方向的裁斷寬度（I)和微細(xì)圖案形成用膜101的寬度（W)優(yōu)選滿(mǎn)足I < W的關(guān)系，更優(yōu)選滿(mǎn)足K 0. 99W，最優(yōu)選滿(mǎn)足K 0. 95W。
[0175] 圖19中示意地描繪了經(jīng)由切斷部501的裁斷形狀為圓形，但裁斷形狀可采用η邊 形（η >3)或圓角的η邊形（η >3)。另外，η為無(wú)限大時(shí)為圓形。特別地，從裁斷性和通 過(guò)切斷部501后的微細(xì)圖案形成用膜101的傳送精度的角度出發(fā)，優(yōu)選以相對(duì)于微細(xì)圖案 形成用膜101的流動(dòng)方向MD平行的線為中心的線對(duì)稱(chēng)的裁斷形狀。
[0176] 切斷部501至少有切斷微細(xì)圖案形成用膜101的裁斷刃部501a和支撐積層體207 的支撐部501b構(gòu)成。裁斷刃部501a位于積層體207的被處理體104的上方，沿與微細(xì)圖 案形成用膜101的流動(dòng)方向MD垂直的方向（上下方向）移動(dòng)。此外，支撐部501b從微細(xì) 圖案形成用膜101的下方支撐積層體207,特別地，抑制積層體207在與微細(xì)圖案形成用膜 101的流動(dòng)方向MD垂直的方向上的振動(dòng)。裁斷刃部501a可以朝向以支持部501b支撐的積 層體207移動(dòng)，進(jìn)行裁斷。
[0177] 經(jīng)由貼合部201得到的積層體207被傳送至切斷部501進(jìn)行裁斷。此處，通過(guò)切 斷部501將微細(xì)圖案形成用膜101在裁斷位置502完全裁斷時(shí)，因裁斷位置502的外側(cè)的 微細(xì)圖案形成用膜IOla與構(gòu)成被裁斷的積層體207的微細(xì)圖案形成用膜IOlb不相連，必 須通過(guò)另外設(shè)置的傳送部（未圖示），傳送積層體207。
[0178] 另一方面，通過(guò)切斷部501在裁斷位置502進(jìn)行部分裁斷時(shí)，裁斷位置502的外側(cè) 的微細(xì)圖案形成用膜IOla與構(gòu)成被裁斷的積層體207的微細(xì)圖案形成用膜IOlb部分地相 連。這個(gè)微細(xì)圖案形成用膜IOla與微細(xì)圖案形成用膜IOlb相連的部分稱(chēng)為連接部。因?yàn)?保留該連接部，伴隨被裁斷的微細(xì)圖案形成用膜IOla的傳送，積層體207也移動(dòng)。另外，第 2實(shí)施方式中設(shè)置有連接部時(shí)，使連接部的寬度為2mm以下，連接部的數(shù)目按4個(gè)和2個(gè)的 兩種進(jìn)行實(shí)施。
[0179] 此處，從貼合部201至切斷部501之間，積層體207的傳送也可以通過(guò)另外設(shè)置固 定積層體207的被處理體的固定裝置而實(shí)現(xiàn)。但是，從抑制裝置的過(guò)大化的角度出發(fā)，優(yōu)選 利用微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)而傳送、換言之如第1實(shí)施方式所說(shuō)明的微細(xì)圖案形成 用膜101發(fā)揮作為被處理體的載體的功能。
[0180] 與第1實(shí)施方式同樣地，第2實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置300中也可以在貼 合部201和切斷部501之間，加入能量照射部、積層體加熱部及冷卻部。此外，在相比貼合 部201處于流動(dòng)方向MD的上游處，可以加入傳送部及前處理部。
[0181] (分離部） 進(jìn)一步地，第2實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置300中可以代替第1實(shí)施方式中的剝 尚部206設(shè)置分尚部。
[0182] 通過(guò)切斷部501將積層體207的微細(xì)圖案形成用膜101在裁斷位置502部分地裁 斷的情況下，因?yàn)榍邢路e層體207的微細(xì)圖案形成用膜IOla與積層體207的微細(xì)圖案形成 用膜IOlb之間存在連接部，部分地相連，伴隨微細(xì)圖案形成用膜101的傳送，積層體207也 移動(dòng)。S卩，如圖18所示，通過(guò)在相比切斷部501處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD 的下游設(shè)置分離部503,可以分離微細(xì)圖案形成用膜IOla和積層體207。
[0183] 分離部503只要能分離微細(xì)圖案形成用膜IOla和積層體207的話，沒(méi)有特別限 定。即，分離部503中，在將積層體207垂直方向的移動(dòng)基本固定的同時(shí)，從微細(xì)圖案形成 用膜IOla上分離積層體207。特別地，其為可以利用被傳送的微細(xì)圖案形成用膜IOla的流 動(dòng)而分離的分離部503的話，可以在進(jìn)一步抑制微細(xì)圖案形成用膜IOla的扭曲的同時(shí)，抑 制指向積層體207的微細(xì)圖案形成用膜IOlb與被處理體104的界面的集中應(yīng)力。進(jìn)一步 地，因?yàn)榭梢詫①N合部201中微細(xì)圖案形成用膜101和某被處理體104(A)的按壓，與分離 部503中的微細(xì)圖案形成用膜101從別的被處理體104(B)的分離同時(shí)進(jìn)行，在抑制裝置的 過(guò)大化的同時(shí)，可以提高流水作業(yè)時(shí)間。
[0184] 進(jìn)一步地，優(yōu)選在分離部503中，通過(guò)改變微細(xì)圖案形成用膜IOla的流動(dòng)方向MD， 分離積層體207,可以利用如同后述的分離用輥或分離用端面。例如，通過(guò)保持（固定）積層 體207的被處理體104的露出面，通過(guò)分離用端面或分離用輥改變微細(xì)圖案形成用膜IOla 的流動(dòng)方向MD，可以高精度地分離積層體207。
[0185] 分離部503,具體地也可與參考第1實(shí)施方式中圖15及圖16說(shuō)明的剝離部206同 樣的構(gòu)成。
[0186] 分離部503中部分地被裁斷的微細(xì)圖案形成用膜101的方向改變，可以將用第1 實(shí)施方式中圖17進(jìn)行說(shuō)明的剝離角Θ1，替換為分離角Θ1進(jìn)行定義。即，如圖17所示，通 過(guò)分離部503前的微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向（MD-I)形成的面、與通過(guò)分離部503 的后的微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向（MD-2)形成的面構(gòu)成的角Θ 1，可定義為分離方 向的變化量。該角度Θ1為分離角。分離角Θ1優(yōu)選為15度以上170度以下。其通過(guò)為 15度以上，可以減小施加于積層體207的微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104的界面上 的分離應(yīng)力，提高熱納米壓印法的轉(zhuǎn)印精度。另一方面，其通過(guò)為170度以下，降低微細(xì)圖 案形成用膜101的搬送涉及的負(fù)荷，因此傳送精度提高?；谕瑯拥睦碛?，分離角Θ1優(yōu)選 為30度以上160度以下，最優(yōu)選為60度以上160度以下。另外，通過(guò)分離角Θ1為90度 以上，可以抑制裝置的過(guò)大化。從設(shè)計(jì)更緊湊的裝置的角度出發(fā)，分離角Θ1優(yōu)選為100度 以上，更優(yōu)選為110度以上，最優(yōu)選為125度以上。另外，通過(guò)分離前的微細(xì)圖案形成用膜 101的流動(dòng)方向（MD-I)形成的面、與微細(xì)圖案形成用膜101的剝離前的被處理體104的被 處理面大致平行。
[0187] 在相比切斷部501或分離部503處于流動(dòng)方向MD的下游處，可以與第1實(shí)施方式 同樣地設(shè)置回收部。進(jìn)一步地，相比回收部處于流動(dòng)方向MD的下游處，可以第1實(shí)施方式 同樣地，設(shè)置能量射線照射部、加熱部及冷卻部。
[0188] 〈第3實(shí)施方式〉以下，對(duì)第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置參考附圖更詳細(xì) 地進(jìn)行說(shuō)明。第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置與第1實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置 200同樣地具有剝離部206。對(duì)于與上述實(shí)施方式同樣構(gòu)成的部件，標(biāo)記相同的符號(hào)而省略 說(shuō)明。
[0189] 圖20是顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的示意圖。第3實(shí)施方式涉及的 熱納米壓印裝置600具有卷繞長(zhǎng)尺狀的微細(xì)圖案形成用膜101的送料輥202。送料輥202 將微細(xì)圖案形成用膜101以規(guī)定的速度送出。與該送料輥202成對(duì)地，設(shè)置有將送出的微 細(xì)圖案形成用膜101卷取的卷取輥203。
[0190] 另外，上述第2實(shí)施方式中，和第1實(shí)施方式同樣地，與微細(xì)圖案形成用膜101的 第1掩模層表面直接相接觸的輥，使用其表面進(jìn)行過(guò)鏡面加工的輥。
[0191] (保護(hù)層的剝離） 微細(xì)圖案形成用膜101上設(shè)置有保護(hù)層601時(shí)，相比送料輥202處于微細(xì)圖案形成用 膜101的流動(dòng)方向MD的下游處，可設(shè)置從微細(xì)圖案形成用膜101上剝離保護(hù)層601的保護(hù) 層剝離輥部602。在送料輥202的附近設(shè)置調(diào)節(jié)輥時(shí)，保護(hù)層剝離輥部602可在相比調(diào)節(jié)輥 處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游設(shè)置。保護(hù)層剝離輥部602中，可以在保 護(hù)層601的流動(dòng)方向的下游，并設(shè)卷取回收保護(hù)層601的保護(hù)層卷取輥603。保護(hù)層剝離 輥部602,可以是不具有驅(qū)動(dòng)部的自由輥，也可以是附帶驅(qū)動(dòng)部的輥，只要能從微細(xì)圖案形 成用膜101上剝離保護(hù)層601的話，沒(méi)有特別限定。另一方面，由于保護(hù)層卷取輥603承擔(dān) 著從微細(xì)圖案形成用膜101卷取回收剝離的保護(hù)層601的作用，故優(yōu)選附帶有驅(qū)動(dòng)部。通 過(guò)驅(qū)動(dòng)部轉(zhuǎn)動(dòng)保護(hù)層卷取輥603,可以與從送料輥202送出的微細(xì)圖案形成用膜101的速 度同步，為了抑制微細(xì)圖案形成用膜101的扭曲或曲折這樣的傳送不良，可以在保護(hù)層卷 取輥603的驅(qū)動(dòng)中使用力矩電機(jī)或在保護(hù)層卷取輥603和保護(hù)層剝離輥部602之間設(shè)置調(diào) 節(jié)輥，進(jìn)行微細(xì)圖案形成用膜101的張力控制。通過(guò)設(shè)置力矩電機(jī)或調(diào)節(jié)輥，可以對(duì)保護(hù)層 601施加固定的張力。此外，保護(hù)層剝離輥部602設(shè)置在與貼合部201的轉(zhuǎn)動(dòng)體102接近的 位置上的話，抑制剝離保護(hù)層601而露出的微細(xì)圖案形成用膜101的表面的異物的附著，其 結(jié)果是，微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104的貼合精度提高，因而優(yōu)選。
[0192] 如圖20所示，微細(xì)圖案形成用膜101上存在保護(hù)層601時(shí)，在相比保護(hù)層剝離輥 部602處于流動(dòng)方向MD的下游，設(shè)置有被處理體保持部205。在微細(xì)圖案形成用膜101不 具有保護(hù)層601時(shí)，在相比送料輥202處于流動(dòng)方向MD的下游，可以設(shè)置被處理體保持部 205。
[0193] 此處，優(yōu)選通過(guò)被處理體保持部205保持的被處理體104的被處理面、和相比轉(zhuǎn)動(dòng) 體102處于流動(dòng)方向MD的上游的微細(xì)圖案形成用膜101的第1掩模層面為傾斜。更具體 地，使用圖21進(jìn)行說(shuō)明。圖21是顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置中貼合部處的 微細(xì)圖案形成用膜與被處理體的關(guān)系的示意圖。如圖21所示，將微細(xì)圖案形成用膜101從 送料輥202送出。在相比送料輥202的下游，配置有引導(dǎo)輥701、調(diào)節(jié)輥702、引導(dǎo)輥703。 微細(xì)圖案形成用膜101通過(guò)引導(dǎo)輥703改變流動(dòng)方向MD。進(jìn)一步地，通過(guò)位于相比引導(dǎo)輥 703處于下游處的轉(zhuǎn)動(dòng)體102改變流動(dòng)方向MD。即，引導(dǎo)輥703與轉(zhuǎn)動(dòng)體102之間，微細(xì)圖 案形成用膜101與被處理體104為相互不平行的狀態(tài)。通過(guò)制造這樣的狀態(tài)，使用轉(zhuǎn)動(dòng)體 102,可以抑制貼合微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104時(shí)氣泡的卷入。此處，引導(dǎo)輥703 與轉(zhuǎn)動(dòng)體102之間，在與被處理體104的被處理面平行的面內(nèi)，微細(xì)圖案形成用膜101的第 1掩模層面與被處理體104的被處理面形成的角度Θ 2,大于0度且80度以下的話，貼合性 提高，因而優(yōu)選。更優(yōu)選為〇. 1度以上60度以下，最優(yōu)選0. 2度以上30度以下。
[0194] (間歇性貼合、連續(xù)性貼合） 通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102,貼合及按壓微細(xì)圖案形成用膜101的第1掩模層面和被處理體104的 被處理面時(shí)，微細(xì)圖案形成用膜101的傳送停止。微細(xì)圖案形成用膜101的傳送停止，轉(zhuǎn)動(dòng) 體102在與流動(dòng)方向MD相反方向上、且在與被處理體104的被處理面平行的面內(nèi)移動(dòng)。由 此，貼合通過(guò)被處理體保持部205固定的被處理體104和微細(xì)圖案形成用膜101。然后，重 開(kāi)微細(xì)圖案形成用膜101的傳送。此處，與微細(xì)圖案形成用膜101的傳送的重開(kāi)幾乎同時(shí)， 或在重開(kāi)之前，從被處理體保持部205上拆卸被處理體104。即，通過(guò)微細(xì)圖案形成用膜101 的傳送重開(kāi)，通過(guò)微細(xì)圖案形成用膜101傳送被處理體104。接著，微細(xì)圖案形成用膜101 上的被處理體104通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102的初期位置之后，轉(zhuǎn)動(dòng)體102恢復(fù)初期位置。
[0195] 或者，貼合后，轉(zhuǎn)動(dòng)體102恢復(fù)至初期位置，然后，重開(kāi)微細(xì)圖案形成用膜101的傳 送。此處，與微細(xì)圖案形成用膜101的傳送的重開(kāi)幾乎同時(shí)，或在重開(kāi)之前，從被處理體保 持部205上拆卸被處理體104。即，通過(guò)微細(xì)圖案形成用膜101的傳送重開(kāi)，通過(guò)微細(xì)圖案 形成用膜101傳送被處理體104。
[0196] 如上述說(shuō)明，通過(guò)在微細(xì)圖案形成用膜101的傳送重開(kāi)前，從被處理體保持部205 上拆卸被處理體104,微細(xì)圖案形成用膜101的對(duì)于包含被處理體104的末端的面內(nèi)的貼合 精度提高，因而優(yōu)選。更具體地，首先，通過(guò)被處理體保持部205固定被處理體104的被處 理面的相反一側(cè)的面。例如，可以采用減壓固定。接著，通過(guò)按壓部100的轉(zhuǎn)動(dòng)體102,從被 處理體104的一個(gè)末端開(kāi)始微細(xì)圖案形成用膜101的貼合。然后，僅將按壓部分的轉(zhuǎn)動(dòng)體 102,在轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)，朝向被處理體104的另一末端進(jìn)行微細(xì)圖案形成用膜101的貼合。此 處，在轉(zhuǎn)動(dòng)體102完全通過(guò)被處理體104的另一末端之前，放開(kāi)被處理體的固定。例如，經(jīng) 由被處理體保持部205的保持為減壓卡盤(pán)時(shí)，釋放減壓。在該狀態(tài)下，將轉(zhuǎn)動(dòng)體102在轉(zhuǎn)動(dòng) 的同時(shí)通過(guò)被處理體104的另一末端。由此，可以在包括被處理體104的末端的整個(gè)面內(nèi)， 貼合微細(xì)圖案形成用膜101。
[0197] 如上述說(shuō)明的間歇性貼合，以下稱(chēng)為間歇性貼合。另外，對(duì)于微細(xì)圖案形成用膜 101的被處理體104的貼合及按壓，不止是上述的間歇性貼合，也可以進(jìn)行連續(xù)性貼合。連 續(xù)性貼合是指微細(xì)圖案形成用膜101的傳送在各工序中不停止，微細(xì)圖案形成用膜101向 被處理體104的貼合連續(xù)地進(jìn)行的情況。連續(xù)性貼合通過(guò)固定或移動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)體102的位置， 使被處理體保持部205在微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD上移動(dòng)而進(jìn)行。
[0198] 間歇性貼合或連續(xù)性貼合的任意一種情況下，均優(yōu)選轉(zhuǎn)動(dòng)體102以回轉(zhuǎn)軸為中心 轉(zhuǎn)動(dòng)。該情況下，轉(zhuǎn)動(dòng)體102與被處理體104的關(guān)系優(yōu)選滿(mǎn)足已經(jīng)參考圖10進(jìn)行說(shuō)明的距 離X的范圍。
[0199] 轉(zhuǎn)動(dòng)體102相對(duì)被處理體104的被處理面平行地移動(dòng)，貼合及按壓微細(xì)圖案形成 用膜101和被處理體104。微細(xì)圖案形成用膜101的向被處理體104的貼合為間歇性貼合 時(shí)，在被處理體保持部205為靜止的狀態(tài)下，轉(zhuǎn)動(dòng)體102在與微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng) 方向MD平行且相反的方向上移動(dòng)。此時(shí)，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102貼合及按壓被處理體104的被處 理面和微細(xì)圖案形成用膜101。然后，被處理體104從被處理體保持部205脫離，與微細(xì)圖 案形成用膜101成為一體被傳送。即，微細(xì)圖案形成用膜101作為被處理體104的載體發(fā) 揮功能。接著，微細(xì)圖案形成用膜101上的被處理體104通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102的初期位置之后， 轉(zhuǎn)動(dòng)體102恢復(fù)初期位置。
[0200] 此外，微細(xì)圖案形成用膜101的向被處理體104的貼合為連續(xù)性貼合的情況下，將 轉(zhuǎn)動(dòng)體102固定，或，使其在與微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD相反的方向上移動(dòng)。 前者的情況下，被處理體保持部205的移動(dòng)速度與微細(xì)圖案形成用膜101的傳送速度同步， 微細(xì)圖案形成用膜101的傳送速度成為貼合?按壓速度。另一方面，后者的情況下，微細(xì)圖 案形成用膜101的傳送速度與轉(zhuǎn)動(dòng)體102的移動(dòng)速度的相對(duì)速度差成為微細(xì)圖案形成用膜 101的貼合?按壓速度，可以通過(guò)微細(xì)圖案形成用膜101的傳送速度提高該貼合·按壓速 度。此外，在微細(xì)圖案形成用膜101的向被處理體104的貼合為連續(xù)性貼合的情況下，后述 的剝離部206中的剝離速度，與微細(xì)圖案形成用膜101的傳送速度相同，因此，在貼合?按 壓速度需要比剝離速度更為高速的情況下有效。
[0201] 轉(zhuǎn)動(dòng)體102之上，微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104的被處理面為對(duì)面的狀 態(tài)、并且相互接觸的狀態(tài)。該狀態(tài)下，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102的移動(dòng)，微細(xì)圖案形成用膜101及被 處理體104被夾在轉(zhuǎn)動(dòng)體102和被處理體保持部205之間，施加壓力的狀態(tài)。其結(jié)果是，微 細(xì)圖案形成用膜101及被處理體104被貼合?按壓。
[0202] 作為轉(zhuǎn)動(dòng)體102的加壓裝置，可以是如圖20所示加壓裝置204,將轉(zhuǎn)動(dòng)體102從下 方朝向微細(xì)圖案形成用膜101按壓，也可以是通過(guò)被處理體保持部205將被處理體104及 微細(xì)圖案形成用膜101從上方朝向轉(zhuǎn)動(dòng)體102按壓，也可以是這兩者。
[0203] 進(jìn)一步地，轉(zhuǎn)動(dòng)體102和被處理體保持部205的至少一方附帶有按壓加熱部（未 圖示）。
[0204] 此外，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102按壓微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104時(shí)，參考圖12 而說(shuō)明的角度Θ為1度以上60度以下的話，在低溫且低壓下的熱納米壓印精度提高，因而 優(yōu)選。第3實(shí)施方式中，角度Θ被設(shè)定為1度以上1〇度以下。
[0205] 進(jìn)一步地，轉(zhuǎn)動(dòng)體102也可以在不影響微細(xì)圖案形成用膜101的傳送的程度下，連 結(jié)降低轉(zhuǎn)動(dòng)體102的轉(zhuǎn)動(dòng)摩擦的轉(zhuǎn)動(dòng)補(bǔ)助部（未圖示）。轉(zhuǎn)動(dòng)補(bǔ)助部為例如，與轉(zhuǎn)動(dòng)體102 的回轉(zhuǎn)軸連結(jié)的軸承。
[0206] 在相比貼合部201處于流動(dòng)方向MD的下游、相比卷取輥203處于上游處，在能并 設(shè)后述的能量射線照射部的充分的間隔中，設(shè)置有剝離部206。剝離部206具有剝離用輥 604。剝離用輥604橫跨微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向全體而延伸設(shè)置。此外，剝離用 輥604的截面形狀為近似正圓形。剝離用輥604的微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向的長(zhǎng) 度，只要相比剝離微細(xì)圖案形成用膜101的積層體207的尺寸、即被處理體104的尺寸更大 的話，沒(méi)有特別限定。特別地，為了在微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向上配置多個(gè)被處理 體104,同時(shí)將微細(xì)圖案形成用膜101從積層體207上剝離，優(yōu)選剝離用輥604橫跨微細(xì)圖 案形成用膜101的寬度方向的全體而延伸設(shè)置。進(jìn)一步地，剝離用輥604的微細(xì)圖案形成 用膜101的寬度方向上的長(zhǎng)度，優(yōu)選為貼合部201的微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向上 的長(zhǎng)度以上。特別地，從抑制設(shè)備過(guò)大化的角度出發(fā)，優(yōu)選剝離用輥604的微細(xì)圖案形成用 膜101的寬度方向上的長(zhǎng)度，與貼合部201的微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方向上的長(zhǎng)度 大致等同。
[0207] 此外，剝離用輥604伴隨微細(xì)圖案形成用膜101的傳送被動(dòng)地轉(zhuǎn)動(dòng)可提高貼合精 度，因而優(yōu)選。剝離用輥604的轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，可以采用經(jīng)由自由輥的轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，或與微細(xì)圖案 形成用膜101的傳送同步、即與送料輥202或卷取輥203的由驅(qū)動(dòng)部引起的轉(zhuǎn)動(dòng)同步的轉(zhuǎn) 動(dòng)機(jī)構(gòu)。
[0208] 此外，剝離用輥604可以是例如在回轉(zhuǎn)軸的周?chē)惭b圓筒形的裝置，該輥的表面 的材質(zhì)沒(méi)有特別限定，從改善剝離的精度的角度，優(yōu)選樹(shù)脂或橡膠等彈性體。
[0209] 此外，剝離用輥604可以與固定被處理體104的固定裝置605并設(shè)。固定裝置605 可固定被處理體104的與被處理面相反一側(cè)的露出面。
[0210] 剝離部206中，如參考圖17而說(shuō)明地，剝離角Θ 1為15度以上170度以下的話， 可降低指向通過(guò)熱納米壓印法得到的凹凸結(jié)構(gòu)的負(fù)荷（剝離應(yīng)力），降低微細(xì)圖案形成用 膜101的傳送涉及的負(fù)荷，因而優(yōu)選。第3實(shí)施方式中，剝離角Θ 1被設(shè)定為95度以上150 度以下的范圍。
[0211] 轉(zhuǎn)動(dòng)體102及剝離部206之間，設(shè)置有能量射線照射部610。能量射線照射部610 設(shè)置于被處理體104側(cè)，朝向被處理體104照射能量射線。
[0212] 此處，能量射線可以根據(jù)構(gòu)成微細(xì)圖案形成用膜101的材質(zhì)適當(dāng)選定，因而沒(méi)有 特別限定，第3實(shí)施方式中選定UV-LED光源，從開(kāi)始照射能量射線至照射結(jié)束為止的累積 光量為800mJ/cm 2?2000mJ/cm2的范圍。
[0213] 在相比送料輥202處于流動(dòng)方向MD的下游側(cè)，可以設(shè)置前處理部（未圖示）。前 處理部中可以對(duì)用被處理體保持部進(jìn)行保持的被處理體104的被處理面進(jìn)行前處理。
[0214] 另一方面，在相比剝離部206處于流動(dòng)方向MD的下游處，可以設(shè)置上述說(shuō)明的回 收部（未圖示）。第3實(shí)施方式中，固定裝置605可同時(shí)作為回收部。即，剝離部206中將 微細(xì)圖案形成用膜101從被處理體104上剝離時(shí)，通過(guò)固定裝置605固定被處理體104的 露出面，剝離覆蓋膜之后，通過(guò)固定裝置605保持被處理體104,移動(dòng)固定裝置605而被處理 體回收104。
[0215] 進(jìn)一步，可以在相比剝離部206處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的上 游，且相比能量射線照射部610處于下游處，設(shè)置積層體加熱部611。通過(guò)設(shè)置積層體加熱 部611，可使微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104的界面穩(wěn)定化。積層體加熱部611的加 熱溫度，如上所述，優(yōu)選可使被處理體104的加熱溫度加熱至30°C?200°C的范圍。第3實(shí) 施方式中，設(shè)定加熱溫度為使被處理體104的溫度在80°C以上130°C以下的范圍內(nèi)。
[0216] 進(jìn)一步地，在相比剝離部206處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的上游、 并且相比積層體加熱部611處于下游處，設(shè)置冷卻部612。通過(guò)設(shè)置冷卻部612,可以提高微 細(xì)圖案形成用膜101的剝離性。冷卻部612中，如同已經(jīng)說(shuō)明地，通過(guò)至少將被處理體104 的溫度至120°C以下，可以改善剝離性，因而優(yōu)選。第3實(shí)施方式中，通過(guò)吹拂風(fēng)使該溫度冷 卻至30°C以下。
[0217] 另外，在相比剝離部206處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游、并且 相比回收部處于上游處可以設(shè)置未圖示的其他能量射線照射部。通過(guò)其他能量射線照射 部，可以穩(wěn)定化被處理體104的表面上通過(guò)熱納米壓印轉(zhuǎn)印的凹凸結(jié)構(gòu)，提高轉(zhuǎn)印后續(xù)的 處理中的凹凸結(jié)構(gòu)的適用度和保存穩(wěn)定性等。另外，代替其他能量射線照射部，設(shè)置其他加 熱部也可以獲得同樣的效果。
[0218] 圖22是顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。如圖22所 示，第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置600中可具有剝離用端面620,代替剝離用輥604。
[0219] 圖23是顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。圖23表 示，將如圖20所示的第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置600改變?yōu)椋刮⒓?xì)圖案形成用 膜101的第1掩模層面朝向下方，使被處理體104相對(duì)微細(xì)圖案形成用膜101從下方相對(duì)， 進(jìn)行貼合的構(gòu)成。
[0220] 圖24是顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。如圖24所 示，將圖22所示的第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置600改變?yōu)?，使微?xì)圖案形成用膜 101的第1掩模層面朝向下方，使被處理體104相對(duì)微細(xì)圖案形成用膜101從下方相對(duì)，進(jìn) 行貼合的構(gòu)成。
[0221] 圖25是顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。如圖25所 示，第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置600中可具有移動(dòng)用輥631及剝離用輥632,代替 剝尚用棍604。
[0222] 經(jīng)由移動(dòng)用輥631及剝離用輥632的微細(xì)圖案形成用膜101的剝離，如參考圖16A 及圖16B而進(jìn)行的說(shuō)明。
[0223] 圖26是顯示第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。如圖26所 示，將圖25所示的第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置600改變?yōu)椋刮⒓?xì)圖案形成用膜 101的第1掩模層面朝向下方，使被處理體104相對(duì)微細(xì)圖案形成用膜101從下方相對(duì)，進(jìn) 行貼合的構(gòu)成。
[0224] 第3實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式及第2實(shí)施方式同樣地，與微細(xì)圖案形成用膜的 第1掩模層表面直接接觸的輥優(yōu)選為其表面進(jìn)行過(guò)鏡面加工的輥。此外，貼合部中為抑制 靜電可以設(shè)置除電機(jī)。同樣地，剝尚部206中也可以設(shè)置除電機(jī)。
[0225] (熱納米壓印方法） 對(duì)使用由如上所述構(gòu)成形成的第3實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置600的熱納米壓印 方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0226] 首先，從送料輥202傳送出微細(xì)圖案形成用膜101，通過(guò)卷取輥203進(jìn)行卷取，可以 以保護(hù)層剝離輥部602、貼合部201的順序傳送微細(xì)圖案形成用膜101。
[0227] 在保護(hù)層剝離輥部602中將保護(hù)層601從微細(xì)圖案形成用膜101上剝離，卷取、回 收至保護(hù)層卷取輥603。
[0228] 另一方面，將被處理體104從存儲(chǔ)庫(kù)（未圖示）中輸出。被處理體104也可通過(guò) 前處理部（未圖示）在被處理體104的被處理面上進(jìn)行前處理。第3實(shí)施方式中可以依次 進(jìn)行UV-O 3處理、吹氣及除電處理。
[0229] 接著，被處理體104通過(guò)被處理體保持部205進(jìn)行保持。第3實(shí)施方式中通過(guò)減 壓吸附進(jìn)行保持。接著，被處理體104通過(guò)被處理體保持部205被傳送至轉(zhuǎn)動(dòng)體102的前 方。第3實(shí)施方式中，被處理體保持部205具有減壓吸附裝置205a，該減壓吸附裝置205a 以朝向上方的狀態(tài)在被處理保持部205之上配置吸附固定被處理體104。接著，通過(guò)被處理 體保持部205的移動(dòng)及上下顛倒地轉(zhuǎn)動(dòng),將被處理體104傳送至轉(zhuǎn)動(dòng)體102的前方,停止。 此時(shí)，被處理體104的被處理面與微細(xì)圖案形成用膜101為互不接觸地具有傾斜地相對(duì)的 狀態(tài)。
[0230] 然后，轉(zhuǎn)動(dòng)體102在與微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD相反方向上移動(dòng)，或， 微細(xì)圖案形成用膜101在被傳送的狀態(tài)下，被處理體保持部205以與微細(xì)圖案形成用膜101 的傳送速度相同的速度移動(dòng)。由此，通過(guò)被處理體保持部205與轉(zhuǎn)動(dòng)體102,夾有被處理體 104和微細(xì)圖案形成用膜101。
[0231] 接著，微細(xì)圖案形成用膜101承受轉(zhuǎn)動(dòng)體102的按壓力，相對(duì)被處理體104被按 壓。此時(shí)，微細(xì)圖案形成用膜101的表面與被處理體104的表面呈相互面對(duì)面的狀態(tài)。第3 實(shí)施方式中，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102按壓微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104時(shí)，參考圖12而 說(shuō)明的角度Θ設(shè)定為1度以上10度以下。
[0232] 此時(shí)，被處理體104通過(guò)按壓加熱部被加熱。第3實(shí)施方式中，被處理體保持部 205及轉(zhuǎn)動(dòng)體102的雙方均附帶按壓加熱部，通過(guò)該按壓加熱部，被處理體保持部205的與 被處理體104相接的面及轉(zhuǎn)動(dòng)體102的表面的溫度被加熱至60度?130度的范圍。
[0233] 此處，通過(guò)按壓加熱部被加熱的被處理體104上，在用轉(zhuǎn)動(dòng)體102實(shí)質(zhì)上以線施加 壓力的同時(shí)，貼合及按壓微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104,可在低溫且低壓下良好地 進(jìn)行熱納米壓印。
[0234] 其結(jié)果是，通過(guò)經(jīng)由貼合部201中的轉(zhuǎn)動(dòng)體102的貼合及按壓，得到由微細(xì)圖案形 成用膜101/被處理體104構(gòu)成的積層體207。
[0235] 貼合及按壓完成的話，被處理體保持部205松開(kāi)被處理體104,通過(guò)微細(xì)圖案形成 用膜101的傳送，將積層體207移動(dòng)至能量射線照射部610。
[0236] 接著，將積層體207通過(guò)微細(xì)圖案形成用膜101的傳送，傳送至能量射線照射部 610的照射區(qū)域，照射能量射線。能量射線的照射，在間歇性貼合的情況下，在能量射線照射 部610的照射區(qū)域下通過(guò)使微細(xì)圖案形成用膜101靜止而進(jìn)行。另一方面，連續(xù)性貼合的 情況下，通過(guò)傳送微細(xì)圖案形成用膜101，向積層體207照射能量射線。
[0237] 第3實(shí)施方式中，朝向被處理體104照射能量射線。此外，作為光源選定具有365nm 的中心波長(zhǎng)的UV-LED光源，累積光量設(shè)定為800mJ/cm2?2000mJ/cm2。
[0238] 接著，通過(guò)傳送微細(xì)圖案形成用膜101，將積層體207朝向微細(xì)圖案形成用膜101 的流動(dòng)方向MD的下游，傳送至積層體加熱部611。積層體加熱部611在第3實(shí)施方式中，設(shè) 定為使被處理體104的溫度為80°C以上130°C以下的范圍。
[0239] 此外，第3實(shí)施方式中，將積層體207夾在一對(duì)平板（未圖示）中，通過(guò)同時(shí)加熱 各平板，進(jìn)行積層體207的加熱。
[0240] 接著，通過(guò)傳送微細(xì)圖案形成用膜101，將積層體207朝向微細(xì)圖案形成用膜101 的流動(dòng)方向MD的下游，傳送至積層體冷卻部612。第3實(shí)施方式中，通過(guò)吹拂風(fēng)使積層體 207的溫度冷卻至30°C以下。
[0241] 進(jìn)一步地，通過(guò)傳送微細(xì)圖案形成用膜101，將積層體207朝向微細(xì)圖案形成用膜 101的流動(dòng)方向MD的下游，傳送至剝離部206。通過(guò)該剝離部206,從積層體207上剝離覆 蓋膜。
[0242] 間歇性貼合的情況下，利用圖25及圖26說(shuō)明的、剝離部206具有移動(dòng)用輥631及 剝離用輥632的熱納米壓印裝置600。即，積層體207的被處理體104的露出面通過(guò)固定裝 置605吸附保持，積層體207和微細(xì)圖案形成用膜101處于靜止?fàn)顟B(tài)，通過(guò)移動(dòng)用輥631，如 圖中箭頭B所示，向與微細(xì)圖案形成用膜101的輸送方向MD相反方向移動(dòng)，剝離用輥632也 同樣地移動(dòng)，從積層體207上剝離覆蓋膜。然后，以卷取輥203卷取微細(xì)圖案形成用膜101。
[0243] 另一方面，在連續(xù)性貼合的情況下，利用例如使用圖23及圖24說(shuō)明的、剝離部206 具有剝離用端面620的熱納米壓印裝置600。即，用固定裝置605吸附保持積層體207的被 處理體104的露出面，以與微細(xì)圖案形成用膜101傳送速度相同的速度、且在與微細(xì)圖案形 成用膜101的送出方向MD平行的方向上移動(dòng)固定裝置605。另一方面，微細(xì)圖案形成用膜 101以剝離用端面620改變流動(dòng)方向MD。由此，積層體207中，被處理體104被從微細(xì)圖案 形成用膜101上剝離。被處理體104維持通過(guò)固定裝置605保持的狀態(tài)移動(dòng)至回收部621。 另一方面，以卷取輥203卷取微細(xì)圖案形成用膜101。
[0244] 像這樣，剝離部206中，從積層體207上剝離覆蓋膜，得到帶有通過(guò)熱納米壓印轉(zhuǎn) 印賦予凹凸結(jié)構(gòu)的被處理體104、即、圖5C所示中間體21。
[0245] 另外，第3實(shí)施方式中，在間歇性貼合的情況下，通過(guò)微細(xì)圖案形成用膜101的傳 送移動(dòng)至剝離部206的正前方的積層體207,伴隨微細(xì)圖案形成用膜101傳送的停止而靜 止。接著，固定裝置605移動(dòng)至被處理體104的正上方為止，接著朝向被處理體104下降， 減壓固定被處理體104。
[0246] 最后，通過(guò)回收部回收帶有第1掩模層及第2掩模層的被處理體104。圖20、圖 23、圖25及圖26所示的熱納米壓印裝置600中，固定裝置605同時(shí)作為回收部使用。
[0247] 以上是對(duì)第3實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明，各構(gòu)成要素的配置，在直線性配置之外，通過(guò)配 置為圓形，可以抑制裝置的過(guò)大化。
[0248] 〈第4實(shí)施方式〉 以下，對(duì)第4實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置參考附圖詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。圖27是顯 示第4實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的示意圖。對(duì)于與上述實(shí)施方式相同構(gòu)成形成的部 件，標(biāo)記相同的符號(hào)而省略說(shuō)明。
[0249] 第4的實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置800的特征在于具有使用圖18說(shuō)明的切 斷部501。
[0250] 熱納米壓印裝置800具有卷繞長(zhǎng)尺寸的微細(xì)圖案形成用膜101的送料輥202。送 料輥202將微細(xì)圖案形成用膜101以規(guī)定的速度送出。與該送料輥202成對(duì)地，設(shè)置有將 送出的微細(xì)圖案形成用膜101卷取的卷取輥203。卷取輥203的微細(xì)圖案形成用膜101的 卷取機(jī)構(gòu)如同第2實(shí)施方式所說(shuō)明。
[0251] 微細(xì)圖案形成用膜101上設(shè)有保護(hù)層601時(shí)，在相比送料輥202處于微細(xì)圖案形 成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游，與上述的實(shí)施方式所說(shuō)明同樣地，可以設(shè)置保護(hù)層剝離 輥部602及保護(hù)層卷取輥603。
[0252] 在相比保護(hù)層剝離輥部602進(jìn)一步處于流動(dòng)方向MD的下游處，設(shè)置有貼合部201。 貼合部201與上述的第3實(shí)施方式同樣地，具有含有轉(zhuǎn)動(dòng)體102及加壓裝置204的按壓部 100。此外，保護(hù)層剝離輥部602及貼合部201之間，設(shè)置有被處理體保持部205。被處理體 保持部205的保持機(jī)構(gòu)，可以采用與上述的第3實(shí)施方式中說(shuō)明同樣的機(jī)構(gòu)。
[0253] 此處，在相比貼合部201處于流動(dòng)方向MD的上游中，通過(guò)被處理體保持部205保 持的被處理體104的被處理面與微細(xì)圖案形成用膜101優(yōu)選具有與上述的第3實(shí)施方式所 說(shuō)明的同樣的傾斜。
[0254] 經(jīng)由轉(zhuǎn)動(dòng)體102的微細(xì)圖案形成用膜101的凹凸結(jié)構(gòu)面與被處理體104的被處理 面的貼合及按壓，不論是間歇性貼合或連續(xù)性貼合，均可以與上述的第3實(shí)施方式說(shuō)明同 樣地進(jìn)行。
[0255] 此外，轉(zhuǎn)動(dòng)體102和被處理體保持部205的至少一方，可以與第3實(shí)施方式和同樣 地設(shè)置按壓加熱部（未圖示）。第4的實(shí)施方式中，與第3實(shí)施方式同樣地，可以在轉(zhuǎn)動(dòng)體 102及被處理體保持部205兩方均設(shè)置按壓加熱部。
[0256] 此外，也可以將被處理體104從存儲(chǔ)庫(kù)（未圖示）取出，通過(guò)前處理部（未圖示） 對(duì)被處理體104的被處理面進(jìn)行前處理。第4實(shí)施方式中，依次進(jìn)行準(zhǔn)分子處理、吹風(fēng)及除 靜電處理。
[0257] 在相比轉(zhuǎn)動(dòng)體102處于流動(dòng)方向MD的下游、相比卷取輥203處于上游處，設(shè)置有 切斷部501。另外，在轉(zhuǎn)動(dòng)體102與切斷部501之間，或卷取輥203與切斷部501之間，優(yōu)選 設(shè)有充分的間隔，以便并設(shè)后述的能量射線照射部等。
[0258] 此處，從轉(zhuǎn)動(dòng)體102至切斷部501之間中，由微細(xì)圖案形成用膜101/被處理體104 構(gòu)成的積層體207的傳送，也可以通過(guò)另外設(shè)置固定積層體207的被處理體104的露出面 的固定裝置而實(shí)現(xiàn)。但是，與第3實(shí)施方式同樣地，從抑制裝置的過(guò)大化的角度出發(fā)，優(yōu)選 利用微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)進(jìn)行傳送，換言之優(yōu)選使微細(xì)圖案形成用膜101作為被 處理體104的載體發(fā)揮功能。
[0259] 切斷部501，如已經(jīng)說(shuō)明地，對(duì)于貼合有微細(xì)圖案形成用膜101的被處理體104,將 位于相比被處理體104的外周更外側(cè)的微細(xì)圖案形成用膜101完全地或部分地切斷。第4 的實(shí)施方式中采用部分地裁斷的形式。更具體地，第4的實(shí)施方式中，切斷部501由切斷微 細(xì)圖案形成用膜101的裁斷刃部501a與支撐積層體207的支撐部501b構(gòu)成。裁斷刃部 501a使用大于被處理體104,且外周形狀為與被處理體104略相似的形狀的裁斷刃504。裁 斷刃504上設(shè)置有呈點(diǎn)對(duì)稱(chēng)的四個(gè)沒(méi)有刃的部分。即，通過(guò)切斷部501裁斷的微細(xì)圖案形 成用膜101被裁斷為，裁斷位置的外側(cè)（圖19中IOla)和內(nèi)側(cè)（圖19中IOlb)之間，殘留 有以被處理體104為中心而點(diǎn)對(duì)稱(chēng)的四個(gè)部分連接部。此外，如同已經(jīng)說(shuō)明地，從微細(xì)圖案 形成用膜101的傳送精度的角度出發(fā)，第4的實(shí)施方式中，微細(xì)圖案形成用膜101的寬度方 向的裁斷寬度（I)，相對(duì)微細(xì)圖案形成用膜101的寬度（W)，被設(shè)定為0.8W?0.99W之間。
[0260] 切斷部501進(jìn)一步具有例如由海綿構(gòu)成的近似圓柱狀的彈性體505。彈性體505 的厚度大于裁斷刃504。此外，彈性體505上，圓形上設(shè)置有溝部505a。該溝部505a內(nèi)中 將裁斷刃504可收納其全體地埋入裝配。由此，彈性體505從外部承受壓力而被壓縮的話， 裁斷刃504的刃尖就向外部突出。切斷部501可以通過(guò)未圖示的驅(qū)動(dòng)裝置進(jìn)行升降。
[0261] 此外，夾著微細(xì)圖案形成用膜101，裁斷刃部501a的相反一側(cè)上設(shè)置有從被處理 體104側(cè)支撐積層體207的金屬制支撐臺(tái)506。支撐臺(tái)506例如可被固定。通過(guò)上述的裁 斷刃部501a的彈性體505及支撐臺(tái)506構(gòu)成支撐部501b，挾持積層體207的上下的面。更 具體地，裁斷微細(xì)圖案形成用膜101時(shí)，切斷部501下降，支撐臺(tái)506被固定。因此，可以從 上下方夾住積層體207。進(jìn)一步地，通過(guò)切斷部501的下降，發(fā)生彈性體505的彈性變形，裁 斷刃部501a被壓入微細(xì)圖案形成用膜101。即，通過(guò)切斷部501的下降，向彈性體505施加 壓力，彈性體505被壓縮，裁斷刃504突出。其結(jié)果是微細(xì)圖案形成用膜101被裁斷。
[0262] 如上所述，通過(guò)切斷部501可以將積層體207的微細(xì)圖案形成用膜101部分地裁 斷。即，如圖19所示，被處理體104上的微細(xì)圖案形成用膜10Ia與被處理體104上的微細(xì) 圖案形成用膜IOlb存在連接點(diǎn)。因此，積層體207的向微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向 MD的更下游的傳送，可以通過(guò)微細(xì)圖案形成用膜101的傳送而進(jìn)行。
[0263] 在相比切斷部501處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的上游，可以設(shè)置能 量射線照射部。關(guān)于能量射線照射部如同已經(jīng)說(shuō)明的。第4實(shí)施方式中，朝向被處理體104 照射能量射線。此外，作為光源選定具有365nm的中心波長(zhǎng)的UV-LED光源，累積光量設(shè)定 為 800mJ/cm2 ?2000mJ/cm2。
[0264] 在相比切斷部501處于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游，可以設(shè)置分 離部503。通過(guò)設(shè)置分離部503,可以將部分地裁斷的微細(xì)圖案形成用膜IOlb/被處理體 104構(gòu)成的積層體207,從微細(xì)圖案形成用膜IOla上完全分離，連續(xù)地獲得積層體207。
[0265] 分離部503為如同第2實(shí)施方式中說(shuō)明的構(gòu)成。第4的實(shí)施方式中，通過(guò)保持（固 定）積層體207的被處理體104的露出面，通過(guò)剝離用輥503a改變部分地被裁斷的微細(xì)圖 案形成用膜IOla的流動(dòng)方向MD，從微細(xì)圖案形成用膜IOla上分離積層體207。
[0266] 第4的實(shí)施方式中，參考圖17說(shuō)明的分離角Θ 1設(shè)定為95度以上170度以下的 范圍。
[0267] 此處，分離部503中，通過(guò)進(jìn)一步設(shè)置可以拆卸自如地固定被處理體104的露出面 的固定裝置，可以改善經(jīng)由上述分離部503的剝離時(shí)的積層體207的物理性平衡，因此，可 以進(jìn)一步抑制微細(xì)圖案形成用膜IOla的扭曲或通過(guò)熱納米壓印得到的凹凸結(jié)構(gòu)的缺損。 固定裝置可以采用減壓卡盤(pán)、靜電卡盤(pán)、握持外周緣部的裝置，或本領(lǐng)域技術(shù)人員周知的盒 式支撐方式。
[0268] 在相比分離部503處于流動(dòng)方向MD的下游，可以設(shè)置回收部（未圖示）?；厥詹?回收積層體207。該回收部，在保持積層體207的同時(shí)，將其傳送至后續(xù)工序裝置或暫時(shí)性 保管裝置。經(jīng)由回收部的積層體207的保持，可以通過(guò)支撐被處理體104的露出面或微細(xì) 圖案形成用膜101的露出面而實(shí)現(xiàn)。第4的實(shí)施方式中，分離部503中使用的固定裝置可 以同時(shí)作為回收裝置使用。即，分離部503中，固定裝置801固定被處理體104的表面，分 離積層體207。接著，在維持固定裝置801的吸附固定的狀態(tài)下，移動(dòng)固定裝置801，回收積 層體207。
[0269] 進(jìn)一步地，第4的實(shí)施方式中，如圖28及圖29所示，在相比分離部503進(jìn)一步處 于微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游，進(jìn)一步地，可以進(jìn)一步附加其他的構(gòu)成要 素。
[0270] 圖28是顯示第4實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。如圖28所 示，熱納米壓印裝置800進(jìn)一步具有傳送由分離部503從微細(xì)圖案形成用膜IOla上分離的 積層體207的傳送部810。傳送部810是在一對(duì)輸送輥811、812上架設(shè)連接輸送帶813的 輸送機(jī)。
[0271] 傳送部810的輸送機(jī)末端附近設(shè)置有剝離部814。剝離部814,利用經(jīng)由固定裝置 815對(duì)構(gòu)成積層體207的被處理體104的露出面進(jìn)行吸附固定，和輸送輥812上的輸送帶 813的曲率（以下，稱(chēng)為輸送機(jī)末端曲率），從被處理體104上剝離微細(xì)圖案形成用膜101b。
[0272] 像這樣利用輸送機(jī)末端曲率的情況下，固定手段815在以與經(jīng)由傳送部810的積 層體207的傳送速度同步的速度，保持被處理體104的同時(shí)，與積層體207的流動(dòng)方向平 行地移動(dòng)，同時(shí)，微細(xì)圖案形成用膜IOlb通過(guò)輸送帶813保持。并且，固定裝置815/被處 理體104/微細(xì)圖案形成用膜IOlb/輸送帶813形成的積層體進(jìn)入輸送機(jī)末端曲率，進(jìn)行剝 離。由此，微細(xì)圖案形成用膜IOlb的剝離性改善。此處，從量產(chǎn)的角度更優(yōu)選設(shè)置多個(gè)固 定裝置815,并且，全部固定裝置815重復(fù)進(jìn)行相同的動(dòng)作。
[0273] 如圖28所示，相比剝離部814的上游，沿傳送部810,可以設(shè)置能量射線照射部 820、加熱部821及冷卻部822。
[0274] 加熱部821在第4實(shí)施方式中，設(shè)定被處理體104的加熱溫度為90°C以上140°C 以下的范圍。此外，加熱部821中可以通過(guò)用一對(duì)平板夾著積層體207,同時(shí)加熱各自的平 板，進(jìn)行加熱。
[0275] 此外，冷卻822在第4實(shí)施方式中，通過(guò)吹拂風(fēng)使積層體207的溫度冷卻至30°C以 下。
[0276] 通過(guò)剝離部814被剝離微細(xì)圖案形成用膜IOlb的被處理體104,可以通過(guò)另外設(shè) 置的回收部（未圖示）進(jìn)行回收。回收部的機(jī)構(gòu)如同已經(jīng)說(shuō)明的。
[0277] 圖29是顯示第4實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的變更例的示意圖。如圖29所 示，熱納米壓印裝置900進(jìn)一步具有由多個(gè)可動(dòng)式固定裝置831構(gòu)成的傳送部830,將由分 離部503從微細(xì)圖案形成用膜IOla上分離的積層體207保持、傳送。另外，圖29所示的熱 納米壓印裝置900,與圖18所示的第2實(shí)施方式同樣地，為微細(xì)圖案形成用膜101的凹凸結(jié) 構(gòu)面朝向上側(cè)，被處理體104的被處理面朝向下側(cè)進(jìn)行處理的構(gòu)成。
[0278] 經(jīng)由傳送部830的積層體207的傳送通路上，依次設(shè)置有能量射線照射部820、加 熱部821及冷卻部822。
[0279] 傳送部830的末端設(shè)置有剝離部832。通過(guò)該剝離部832,使被處理體104的露出 面通過(guò)固定裝置831進(jìn)行保持，在靜止的狀態(tài)下，保持微細(xì)圖案形成用膜101b，對(duì)微細(xì)圖案 形成用膜IOlb施加向被處理體104的面內(nèi)方向上的移動(dòng)，從而進(jìn)行剝離。作為剝離部832， 可以采用與已經(jīng)說(shuō)明的剝離部206相同的裝置。
[0280] 第4實(shí)施方式中，與第1?第3實(shí)施方式同樣地，與微細(xì)圖案形成用膜的第1掩模 層表面直接接觸的輥優(yōu)選為其表面進(jìn)行過(guò)鏡面加工的輥。此外，貼合部201中為抑制靜電 可以設(shè)置除電機(jī)。同樣地，剝尚部832中也可以設(shè)置除電機(jī)。
[0281] 以上是對(duì)第4實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明，各構(gòu)成要素的配置，在直線性配置之外，通過(guò)配 置為圓形，可以抑制裝置的過(guò)大化。
[0282] 〈第5實(shí)施方式〉 以下，參照附圖對(duì)第5實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。圖30是顯示第5實(shí)施方式涉及的熱 納米壓印裝置的示意圖。對(duì)于與第3實(shí)施方式相同構(gòu)成形成的部件，標(biāo)記相同的符號(hào)而省 略說(shuō)明。
[0283] 第5實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000具有卷繞長(zhǎng)尺寸的微細(xì)圖案形成用膜 101的送料輥202。送料輥202將微細(xì)圖案形成用膜101以規(guī)定的速度送出。與該送料輥 202成對(duì)地，設(shè)置有將送出的微細(xì)圖案形成用膜101卷取的卷取輥203。
[0284] 微細(xì)圖案形成用膜101上設(shè)有保護(hù)層601時(shí)，在相比送料輥202處于微細(xì)圖案形 成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游，可以設(shè)置保護(hù)層剝離輥部602及保護(hù)層卷取輥603。
[0285] 在相比保護(hù)層剝離輥部602進(jìn)一步處于流動(dòng)方向MD的下游處，設(shè)置有貼合部201。 貼合部201中，轉(zhuǎn)動(dòng)體102可以在不影響微細(xì)圖案形成用膜101的傳送的程度下，連結(jié)降低 轉(zhuǎn)動(dòng)體102的轉(zhuǎn)動(dòng)摩擦的轉(zhuǎn)動(dòng)補(bǔ)助部1009。轉(zhuǎn)動(dòng)補(bǔ)助部1009為例如，與轉(zhuǎn)動(dòng)體102的回轉(zhuǎn) 軸連結(jié)的軸承。也可以不存在該轉(zhuǎn)動(dòng)補(bǔ)助部1009。
[0286] 此外，可以在貼合部201和被處理體保持部205的至少一方上設(shè)置按壓加熱部。第 5的實(shí)施方式中在兩方上均設(shè)有按壓加熱部（未圖示）。
[0287] 貼合部201如圖30所示，配置在相比送料輥202更高的位置上。由此，微細(xì)圖案 形成用膜101的流動(dòng)方向MD從斜上方向轉(zhuǎn)向?yàn)樗椒较颉＜?，貼合部201也作為引導(dǎo)輥發(fā) ?車(chē)功能。
[0288] 在相比貼合部201處于流動(dòng)方向MD的下游、相比卷取輥203處于上游處，在并設(shè) 后述的能量射線照射部1002的充分的間隔中，設(shè)置有剝離用輥604。
[0289] 剝離用輥604可以在不成為微細(xì)圖案形成用膜101的傳送的障礙的程度下，連結(jié) 降低剝離用輥604的轉(zhuǎn)動(dòng)摩擦的轉(zhuǎn)動(dòng)補(bǔ)助部1001。
[0290] 剝離用輥604如圖30所示，配置在相比卷取輥203更高的位置上。由此，微細(xì)圖 案形成用膜101的流動(dòng)方向MD從水平方向轉(zhuǎn)向?yàn)樾毕路较颉卩，剝離用輥604也作為引導(dǎo) 棍發(fā)揮功能。
[0291] 像這樣，貼合部201及剝離用輥604之間，微細(xì)圖案形成用膜101在大致水平狀態(tài) 下被傳送。
[0292] 貼合部201及剝離用輥604之間，微細(xì)圖案形成用膜101的與被處理體104相反 一側(cè)，設(shè)置有能量射線照射部1002。
[0293] 熱納米壓印裝置1000中，微細(xì)圖案形成用膜101的朝向被處理體104的貼合面朝 向鉛直方向上側(cè)。并且，貼合部201、能量射線照射部1002及剝離用輥604配置在微細(xì)圖案 形成用膜101的下側(cè)、即與被處理體104相反一側(cè)。
[0294] 此外，第5的實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000具有被處理體搬入部1003。該 被處理體搬入部1003將被處理體104搬入前處理部1004,將其表面與第1實(shí)施方式同樣地 進(jìn)行前處理。因有必要對(duì)被處理體104進(jìn)行支撐，優(yōu)選其握持被處理體104的外周緣部，但 不限定于此。
[0295] 此外，第5的實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000具有從被處理體搬入部1003 接受被處理體104的被處理體保持部205。該被處理體保持部205將接受的被處理體104 移動(dòng)至貼合部201的上方，將被前處理的面載于微細(xì)圖案形成用膜101的下側(cè)。
[0296] 被處理體保持部205中，通過(guò)減壓卡盤(pán)（未圖示）拆卸自如地固定被處理體104。 作為被處理體保持部205,除減壓卡盤(pán)之外，還可舉出靜電卡盤(pán)等。此外，也可以采用握持被 處理體104的外周緣部的裝置和本領(lǐng)域技術(shù)人員周知的盒式支撐方式。
[0297] 此外，第5的實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000具有將剝離覆蓋膜得到的被處 理體、即中間體1005回收的回收部1006?；厥詹?006中，通過(guò)減壓卡盤(pán)（未圖示）拆卸自 如地固定中間體。作為固定裝置，除減壓卡盤(pán)之外，還可舉出靜電卡盤(pán)等。此外，也可以采 用握持中間體1005的外周緣部的裝置和本領(lǐng)域技術(shù)人員周知的盒式支撐方式。
[0298] 該第5的實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000中，被處理體104,通過(guò)微細(xì)圖案形 成用膜101沿其流動(dòng)方向MD，依次被傳送至轉(zhuǎn)動(dòng)體102、能量射線照射部1002、及剝離用輥 604之上，實(shí)施貼合、能量射線照射及剝離各處理。
[0299] 首先，轉(zhuǎn)動(dòng)體102之上，微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104的被處理面在面對(duì) 面、且相互接觸的狀態(tài)下被傳送。接著，轉(zhuǎn)動(dòng)體102上設(shè)置有將微細(xì)圖案形成用膜101朝向 被處理體104的前處理面進(jìn)行按壓的加壓裝置204,加壓裝置204對(duì)微細(xì)圖案形成用膜101 及被處理體104施加按壓力。此時(shí)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)按壓加熱部將被處理體104加溫至規(guī)定溫度， 其呈現(xiàn)與被處理體104的粘接性。其結(jié)果是，微細(xì)圖案形成用膜101及被處理體104的貼 合及按壓實(shí)質(zhì)上以線進(jìn)行，得到由微細(xì)圖案形成用膜101/被處理體104構(gòu)成的積層體207。
[0300] 此時(shí)，被處理體保持部205支撐著被處理體104。像這樣，第5的實(shí)施方式涉及的 熱納米壓印裝置1000中，貼合部201由轉(zhuǎn)動(dòng)體102、被處理體保持部205、按壓加熱部、及加 壓裝置204構(gòu)成。通過(guò)該貼合部201，實(shí)際上以線對(duì)微細(xì)圖案形成用膜101及被處理體104 施加壓力，由此實(shí)現(xiàn)它們的貼合。
[0301] 另外，微細(xì)圖案形成用膜101與被處理體104的貼合?按壓條件、方法、被處理體 保持部205的機(jī)構(gòu)如同第1實(shí)施方式所記載。
[0302] 另外，被處理體保持部205所支撐的被處理體104,被處理體104全部通過(guò)貼合部 201結(jié)束后，或剛好完全通過(guò)，放開(kāi)其支撐。即，被處理體104的一個(gè)主面全部與被微細(xì)圖 案形成用膜101貼合之后，或剛剛好之前，被處理體保持部205對(duì)被處理體104的保持被放 開(kāi)，僅有由微細(xì)圖案形成用膜101/被處理體104形成的積層體207,通過(guò)微細(xì)圖案形成用膜 101的流動(dòng)而移動(dòng)，被傳送至能量射線照射部1002的方向。
[0303] 在相比能量射線照射部1002處于流動(dòng)方向MD的下游，依次配置有加熱部1007及 冷卻部1008。進(jìn)一步地，相比剝離用輥604處于流動(dòng)方向MD的下游、且相比回收部1006處 于上游，可以設(shè)置能量射線照射部1010。通過(guò)能量射線照射部1010照射中間體，由此可以 穩(wěn)定化第1掩模層，提高未圖示的后續(xù)處理中的適用度和保存穩(wěn)定性等。另外，代替能量射 線照射部1010,設(shè)置加熱部也可以獲得同樣的效果。
[0304] 另一方面，第5的實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000中，中間體1005通過(guò)減壓 卡盤(pán)（未圖示）固定于回收部1006,在該狀態(tài)下，在剝離用輥604之上，從微細(xì)圖案形成用 膜101上剝離中間體1005。像這樣，第5的實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000中，由剝 離用輥604及回收部1006構(gòu)成剝離部。關(guān)于剝離部，其如第1實(shí)施方式?第4的實(shí)施方式 所記載。
[0305] 接著，對(duì)使用上述第5實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000的熱納米壓印轉(zhuǎn)印進(jìn) 行說(shuō)明。圖31A?圖31C、及圖32A?圖32C是表示第5的實(shí)施方式涉及的轉(zhuǎn)印方法中的熱 納米壓印裝置的運(yùn)作的示意圖。
[0306] 首先，如圖31A所示，從送料輥202傳送出微細(xì)圖案形成用膜101，通過(guò)卷取輥203 進(jìn)行卷取，可以以保護(hù)層剝離輥部602、轉(zhuǎn)動(dòng)體102、剝離用輥604的順序傳送微細(xì)圖案形成 用膜101。接著，在保護(hù)層剝離輥部602中將保護(hù)層601從微細(xì)圖案形成用膜101上剝離， 卷取、回收至保護(hù)層卷取輥603。
[0307] 將被處理體104從存儲(chǔ)其的未圖示的存儲(chǔ)庫(kù)，如圖31A所示如，通過(guò)被處理體搬入 部1003搬入前處理部1004。被處理體搬入部1003從被處理體104的前處理面?zhèn)冉咏?，?持被處理體104的外周緣部。
[0308] 接著，如圖31B所示，將被處理體104從被處理體搬入部1003引向被處理體保持 部205。此時(shí)，被處理體搬入部1003,轉(zhuǎn)動(dòng)180度，使被處理體104與前處理面的相反一側(cè) 朝向被處理體保持部205方向，與其對(duì)接。該狀態(tài)下，減壓卡盤(pán)（未圖示）將被處理體104 固定于被處理體保持部205。
[0309] 接著，與微細(xì)圖案形成用膜101的傳送同時(shí)，如圖31C所示，將被處理體104傳送 至微細(xì)圖案形成用膜101之上。接著，將被處理體104移動(dòng)至貼合部201之上。通過(guò)被處 理體保持部205中包含的按壓加熱部加熱被處理體104,在貼合部201之上，微細(xì)圖案形成 用膜101與被處理體104對(duì)接的同時(shí)，承受經(jīng)由加壓裝置204的按壓力，貼合被處理體104 和微細(xì)圖案形成用膜101，得到由微細(xì)圖案形成用膜101/被處理體104構(gòu)成的積層體207。 然后，放開(kāi)被處理體保持部205的減壓卡盤(pán)，被處理體保持部205從被處理體104上離開(kāi)。 另外，微細(xì)圖案形成用膜101和被處理體104的貼合及按壓，如上述說(shuō)明地，可為連續(xù)性貼 合，也可以為間歇性貼合。
[0310] 經(jīng)由按壓加熱部的加熱條件，可以使用已經(jīng)說(shuō)明的范圍。
[0311] 接著，如圖32A所示，將與微細(xì)圖案形成用膜101貼合的狀態(tài)下的被處理體104,伴 隨微細(xì)圖案形成用膜101的傳送，傳送至能量射線照射部1002的照射區(qū)域，照射能量射線。 能量射線的照射可以采用已經(jīng)說(shuō)明的條件。
[0312] 此外，圖30中，能量射線照射部1002被設(shè)置于微細(xì)圖案形成用膜101的與被處理 體104相反一側(cè)，第5的實(shí)施方式中，也可以設(shè)置在微細(xì)圖案形成用膜101的被處理體側(cè)。
[0313] 接著，如圖32B所示，在微細(xì)圖案形成用膜101的傳送的同時(shí)，將積層體207朝向 微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游，傳送至加熱部1007。加熱部1007中，通過(guò)加 熱積層體207,提高微細(xì)圖案形成用膜101的第1掩模層的穩(wěn)定性，可以提高微細(xì)圖案形成 用膜101與被處理體104的界面的穩(wěn)定性，隨之，可以提高之后的微細(xì)圖案形成用膜101的 剝離性。另外，加熱部1007的機(jī)構(gòu)及條件可采用已經(jīng)說(shuō)明的范圍。
[0314] 接著，與微細(xì)圖案形成用膜101的傳送同時(shí)，將積層體207朝向微細(xì)圖案形成用膜 101的流動(dòng)方向MD的下游，傳送至冷卻部1008。通過(guò)設(shè)置冷卻部1008,可以提高剝離微細(xì) 圖案形成用膜101時(shí)的剝離性。另外，冷卻部1008的機(jī)構(gòu)及條件可采用已經(jīng)說(shuō)明的范圍。
[0315] 進(jìn)一步地，如圖32B所示，在微細(xì)圖案形成用膜101的傳送的同時(shí)，將積層體207 朝向微細(xì)圖案形成用膜101的流動(dòng)方向MD的下游，傳送至剝離用輥604之上。此處，被處 理體104到達(dá)剝離用輥604上之前，被處理體104的露出的面通過(guò)回收部1006進(jìn)行支撐。 通過(guò)回收部1006支撐的被處理體104,在剝離用輥604的周面上，從積層體207上剝離微細(xì) 圖案形成用膜101的覆蓋膜。剝離的微細(xì)圖案形成用膜101通過(guò)卷取輥203卷取。其結(jié)果 是得到其表面帶有凹凸結(jié)構(gòu)的被處理體、即中間體1005。最后，如圖32C所示，通過(guò)回收部 1006回收中間體1005。
[0316] 如以上說(shuō)明地，根據(jù)第5的實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000及使用其的轉(zhuǎn)印 方法，可得到與上述第3實(shí)施方式同等的效果。進(jìn)一步地，根據(jù)第5的實(shí)施方式涉及的熱納 米壓印裝置1000,作為將被處理體104依次向貼合部201、能量射線照射部1002、剝離用輥 604傳送的裝置，通過(guò)利用微細(xì)圖案形成用膜101，可以連續(xù)性地獲得中間體1005。此外，通 過(guò)使用第5的實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置1000,提高了能量射線照射部1002的配置自 由度。
[0317] 〈蝕刻工序〉 經(jīng)以上用第1實(shí)施方式至第5的實(shí)施方式說(shuō)明的掩模圖案轉(zhuǎn)印工序后，如圖3C所示， 對(duì)第2掩模層12/第1掩模層13/被處理體20形成的中間體21，實(shí)施蝕刻工序形成凹凸結(jié) 構(gòu)體。此時(shí)，通過(guò)使用已經(jīng)說(shuō)明的、在被處理體20的外緣部包含規(guī)定的露出部的中間體21， 可以降低微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16的缺陷率，隨之可以降低凹凸結(jié)構(gòu)體40的缺陷率。被處理體 20的外緣部包含規(guī)定的露出部的中間體21，通過(guò)經(jīng)以第1實(shí)施方式至第5的實(shí)施方式說(shuō)明 的掩模圖案轉(zhuǎn)印工序，特別地，通過(guò)使用表層具有低Tg彈性體的轉(zhuǎn)動(dòng)體102,可以高控制性 地制造。蝕刻工序以第1掩模層蝕刻工序、被處理體蝕刻工序的順序構(gòu)成。蝕刻條件可以 根據(jù)材料進(jìn)行各種設(shè)計(jì)，例如，可舉例如下的蝕刻方法。
[0318] (第1掩模層蝕刻） 第1掩模層蝕刻是以第2掩模層發(fā)揮作為蝕刻掩模的功能的、第1掩模層的蝕刻，可以 使用干法蝕刻。第1掩模層13的蝕刻中使用的氣體，使用含有O2氣體、H2氣體及Ar氣體的 至少一種的混合氣體。特別地，優(yōu)選僅使用O 2。從化學(xué)反應(yīng)性蝕刻第1掩模層13的角度出 發(fā)，作為蝕刻中使用的氣體，可以選擇O2氣體及H 2氣體。此外，從離子注入成分的增加導(dǎo)致 縱方向蝕刻速率提高這一角度出發(fā)，作為蝕刻中使用的氣體，可以選擇Ar氣體及Xe氣體。
[0319] 蝕刻時(shí)的壓力，為了可以提高有助于反應(yīng)性蝕刻的離子注入能量、進(jìn)一步提高各 向異性刻蝕，優(yōu)選為〇. 1?5Pa，更優(yōu)選為0. 1?IPa。
[0320] 此外，O2氣體與H2氣體、Ar氣體或Xe氣體的混合氣體比例，在化學(xué)反應(yīng)性的 蝕刻成分和離子入射成分適量的情況下，為了提高異方性，優(yōu)選為99sccm : Isccm? 50sccm : 50sccm，更優(yōu)選為 95sccm : 5sccm ?60sccm : 40sccm，尤其優(yōu)選為 90sccm ； IOsccm ?70sccm ； 30sccm〇
[0321] 第1掩模層蝕刻為等離子蝕刻的話，第1掩模層的加工精度提高，因而優(yōu)選。等離 子蝕刻使用電容耦合型RIE、電感耦合型RIE、或者使用離子引入偏壓的RIE進(jìn)行。例如，可 舉例僅使用氧氣、或使用氧氣與氦氣以90sccm : IOsccm?70sccm : 30sccm間混合的氣 體，設(shè)定處理壓力為〇. 1?IPa的范圍，并且使用電容耦合型RIE、電感耦合型RIE或使用離 子引入電壓的RIE的蝕刻方法。
[0322] 圖2B所示的微細(xì)圖案形成用膜I中，第2掩模層12中所含有的低蒸汽壓的成分 (例如，具有以Ti、Zr、Ta等作為金屬元素的溶膠凝膠材料），在蝕刻第1掩模層13時(shí)，發(fā)揮 保護(hù)第1掩模層13的側(cè)壁的作用，其結(jié)果是可以容易地蝕刻具有厚度的第1掩模層13。
[0323] 通過(guò)以第2掩模層12作為掩模蝕刻第1掩模層13,因?yàn)橄啾鹊?掩模層13的蝕 刻速率，第2掩模層12的蝕刻速率更小，即使第1掩模層13中具有殘膜厚度分布，蝕刻工 序中第1掩模層13的殘膜厚度分布也會(huì)被吸收，可以使以第1掩模層13構(gòu)成的掩模的高 度一致。
[0324] (被處理體蝕刻工序） 被處理體蝕刻工序是以第1掩模層13作為蝕刻掩模蝕刻被處理體20的工序，可以采 用濕法蝕刻和干法蝕刻中的任意一種。特別地，從增加被處理體20的加工自由度的角度出 發(fā)，優(yōu)選采用干法蝕刻。從提高干法蝕刻時(shí)的第1掩模層13的蝕刻掩模耐性的角度出發(fā)， 可以進(jìn)行使用氯系氣體或氟里昂系氣體的蝕刻。也可以在氯系氣體中添加氧氣、氬氣或氧 氣與氦氣的混合氣體。
[0325] 作為氟里昂系氣體，例如，可以使用在以CxHzF y的通式所記載的氣體之中，X= 1? 4、y = 1?8、且z = 0?3的氣體。這樣的氣體可以單獨(dú)使用，也可以混合多種使用。
[0326] 此外，通過(guò)混合2種C和F的比例（y/x)不同的氟里昂系氣體（CxHzFy : X = 1? 4、y= 1?8、z = 0?3的范圍的整數(shù)），可以增減保護(hù)被處理體20的蝕刻側(cè)壁的氟碳膜的 堆積量，做出不同的錐狀的角度。通過(guò)干法蝕刻更精密地控制被處理體20的掩模形狀時(shí)， F/C彡3的氟里昂氣體與F/C < 3的氟里昂氣體的流量的比例，優(yōu)選為95sccm : 5sccm? 60sccm : 40sccm，更優(yōu)選 70sccm : 30sccm ?60sccm : 40sccm。例如，可舉出 CF4、CHF3、 C2F6、C3F8、C4F 6、C4F8、CH2F2以及CH 3F。進(jìn)一步地，為提高被處理體20的蝕刻速率，也可以使 用在氟里昂系氣體中，混合氣體流量總體的50%以下的選自Ar氣體、O 2氣體及Xe氣體形 成的組中至少1種以上的氣體。氟里昂系氣體及Ar氣體的混合氣體與O2氣體或者Xe氣 體的混合氣體，在反應(yīng)性蝕刻成分和離子入射成分適量的情況下，從提高被處理體20的蝕 刻速率這一角度出發(fā)，優(yōu)選氣體流量的比例為99sccm : Isccm?50sccm : 50sccm，更優(yōu)選 95sccm : 5sccm ?60sccm : 40sccm，進(jìn)一步地優(yōu)選 90sccm : IOsccm ?70sccm : 30sccm。 此外，也可以混合以下說(shuō)明的氯系氣體使用。
[0327] 作為氯系氣體，例如可舉出(：12、8(：13、0：14、？(：1 3、51(：14、!1(：1、0：12卩2以及0：1丨。進(jìn)一 步地，為提高難蝕刻被處理體的蝕刻速率，可以在氯系氣體中添加氧氣、氬氣或者氧氣和氬 氣的混合氣體。氟里昂系氣體及Ar氣體的混合氣體與O 2氣體或者Xe氣體的混合氣體，在反 應(yīng)性蝕刻成分和離子入射成分適量的情況下，從提高被處理體20的蝕刻速率這一角度出 發(fā)，優(yōu)選氣體流量的比例為99sccm : Isccm?50sccm : 50sccm，更優(yōu)選99sccm : Isccm? 80sccm : 20sccm，進(jìn)一步地優(yōu)選 99sccm : Isccm ?90sccm : lOsccm。
[0328] 蝕刻時(shí)的壓力，從增大提供給反應(yīng)性蝕刻的離子入射能量、提高被處理體20的蝕 刻速率的角度出發(fā)，優(yōu)選為〇. 1?20Pa，更優(yōu)選為0. 1?10Pa。
[0329] 等離子蝕刻可以使用電容耦合型RIE、電感耦合型RIE、或者使用離子引入電壓的 RIE進(jìn)行。例如，舉例有使用氟里昂系氣體的情況下單獨(dú)使用CHF3氣體、或使用CF4及C 4F8 以氣體流量比例為90sccm : IOsccm?60sccm : 40sccm之間混合的氣體，設(shè)定處理壓力 為0. 1?5Pa的范圍，并且，電容耦合型RIE、電感耦合型RIE、或使用離子引入電壓的RIE的 蝕刻方法等。此外，例如，可舉例使用氯系氣體的情況下單獨(dú)使用BCl 3、或使用BCl3與Cl2、 或者Ar以氣體流量比例為95sccm : 5sccm?85sccm : 15sccm之間混合的氣體，設(shè)定處 理壓力為0. 1?IOPa的范圍，并且，并且使用電容耦合型RIE、電感耦合型RIE、或使用離子 引入電壓的RIE的蝕刻方法。
[0330] (微細(xì)圖案形成用膜的制造方法） 接著，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0331] 圖33是顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的制造方法的各工序的截面示 意圖。通過(guò)順次進(jìn)行以下的工序（1-1)?（1-6)，可以制造具有第2掩模層的第1積層體 I。另外，以下的工序優(yōu)選以卷對(duì)卷進(jìn)行。
[0332] 工序（1-1):在支撐基材110上涂布固化性樹(shù)脂組合物111的工序（涂布樹(shù)脂工 序，參考圖33A)。 工序（1-2):將涂布的固化性樹(shù)脂組合物111向?qū)嵤┝嗣撃Ｌ幚淼哪改＞?12按壓的 工序（向鑄模按壓樹(shù)脂的工序，參考圖33B)。 工序（1-3):從支撐基材110側(cè)進(jìn)行光照射，使固化性樹(shù)脂組合物111進(jìn)行光自由基聚 合獲得固化物層113的工序（光固化樹(shù)脂工序，參考圖33C)。 工序（1-4):將固化物層113從母模具112上剝離，得到具有母模具112的圖案形狀的 反轉(zhuǎn)形狀的凹凸結(jié)構(gòu)的工序（從模板上剝離固化物層113的工序，獲得覆蓋膜A的工序，參 考圖33D)。 工序（1-5):在固化物層113的凹凸結(jié)構(gòu)上，涂布稀釋的第2掩模層材料114的工序 (參考圖33E)。 工序（1-6):干燥除去溶劑，獲得具有第2掩模層的第1積層體I的工序（參考圖33F)。
[0333] 通過(guò)經(jīng)由上述的工序（1-1)?（1-6)，可獲得以支撐基材110及固化物層113形成 的覆蓋膜A、第2掩模層12構(gòu)成的第1積層體I。
[0334] 工序（1-5)中，特別地，為使后述說(shuō)明的lev = 0,必須滿(mǎn)足如下的⑴?⑷所示 的全部條件。（1)稀釋溶劑為醇，醚，酮等水系溶劑。（2)覆蓋膜A的開(kāi)口率為45%以上，優(yōu) 選為55%以上，最優(yōu)選為65%以上。（3)覆蓋膜A的凹凸結(jié)構(gòu)表面的相對(duì)水的接觸角CA為 CA彡80°，優(yōu)選為CA彡90°，進(jìn)一步優(yōu)選為CA彡95°，并且，（4)覆蓋膜A的Es/Eb的數(shù) 值為 I < Es/Eb 彡 30000。
[0335] 另外，圖33中，母模具112被顯示為平板狀，但優(yōu)選為圓筒狀的輥。通過(guò)使用在圓 筒狀的表面上具有微細(xì)構(gòu)造的輥?zhàn)鳛槟改＞?12,可以用連續(xù)工序制造第1積層體I。艮P， 將第1積層體I制造為長(zhǎng)尺狀的膜，例如，為寬度300mm長(zhǎng)度200m或?qū)挾?00mm長(zhǎng)度500m 的成形物。
[0336] 圖34是顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的制造方法的各工序的截面示 意圖。將以工序（1-4)得到的覆蓋膜A作為鑄模，制作如圖34所示的覆蓋膜B，可以使用該 覆蓋膜B進(jìn)行上述工序（1-4)以后的工序。
[0337] 工序（2-1):在支撐基材115上涂布固化性樹(shù)脂組合物116的工序（涂布樹(shù)脂工 序，參考圖34A)。 工序（2-2):將涂布的固化性樹(shù)脂組合物116向覆蓋膜A按壓的工序（向鑄模按壓樹(shù) 脂的工序，參考圖34B)。 工序（2-3):從覆蓋膜A的支撐基材110側(cè)與另外一側(cè)的支撐基材115側(cè)的兩偵彳、或任 意一側(cè)進(jìn)行光照射，使固化性樹(shù)脂組合物111被光自由基聚合得到固化物層117 (光固化樹(shù) 脂的工序，參考圖34C)。 工序（2-4):將固化物層117從覆蓋膜A上剝離，得到具有與母模具112的圖案形狀 同樣形狀的凹凸結(jié)構(gòu)的工序（從鑄模上剝離固化物的工序，獲得覆蓋膜B的工序，參考圖 34D)。
[0338] 作為工序（1-1)，（2-1)中的涂布方法，可舉例輥涂法、凹版涂布法、棒式涂布法、 模涂法、噴涂法、空氣刮板涂布法、流涂法、簾式涂布法等。
[0339] 工序（1-6)之后，可以增加將覆蓋膜覆蓋（組合），卷取的工序。此外，工序（1-6) 之后，可以進(jìn)行光照射，使第2掩模層12中所含有的固化性部位部分地光聚合。
[0340] 第2掩模層12含有溶膠凝膠材料的情況下，工序（1-6)在溶劑干燥之外，兼使溶 膠凝膠材料縮合。此外，第2掩模層12中含有溶膠凝膠材料的情況下，在卷取之后可以增 加固化（養(yǎng)生）的工序。固化優(yōu)選在室溫?120°C之間進(jìn)行。特別地，優(yōu)選室溫?105°C。
[0341] 用工序（1-1)?（1-4)制作的覆蓋膜A的凹凸結(jié)構(gòu)中，也可以含有涂布改善結(jié)構(gòu)。 涂布改善結(jié)構(gòu)被配置成夾裹用于制作所望的掩模的基本結(jié)構(gòu)，優(yōu)選涂布改善結(jié)構(gòu)的間距大 于基本結(jié)構(gòu)。特別地，涂布改善結(jié)構(gòu)中的間距為從基本結(jié)構(gòu)側(cè)向膜末端徐徐增大。
[0342] 為形成滿(mǎn)足后述說(shuō)明的Icc及l(fā)ev的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選使用以下所示的結(jié)構(gòu)及無(wú)機(jī)材料。
[0343] 圖35是顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜中的柱形的凹凸結(jié)構(gòu)的截面示 意圖。第1積層體I的凹凸結(jié)構(gòu)11為柱形的情況下，形成1個(gè)凸部Ilb的頂部的面中的， 最長(zhǎng)線段的長(zhǎng)度（Ix)為亞微米尺度的話，稀釋涂布的第2掩模層材料為減小體系的能量， 高效率地向凹部Ila內(nèi)部充填，結(jié)果是減小了后述說(shuō)明的lev，因而優(yōu)選。特別地，最長(zhǎng)線段 的長(zhǎng)度為500nm以下的話，可以更進(jìn)一步發(fā)揮上述效果因而優(yōu)選，更優(yōu)選為300nm以下，最 優(yōu)選為150nm以下。另外，形成1個(gè)凸部Ilb的頂部的面意指通過(guò)各凸部Ilb的頂部位置 的面與1個(gè)凸部Ilb的頂部相交的面。
[0344] 如圖35A所示，凸部Ilb為底部的面積大于頂部的面積的結(jié)構(gòu)、即凸部Ilb具有傾 斜的結(jié)構(gòu)的話，更可以發(fā)揮上述效果，因而優(yōu)選。進(jìn)一步地，如圖35B所示，凸部Ilb的頂部 與傾斜部為連續(xù)平滑地相連的話，可更進(jìn)一步發(fā)揮上述效果，因而優(yōu)選。
[0345] 圖36是顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜中的孔洞形狀的凹凸結(jié)構(gòu)的頂 視圖。第1積層體I的凹凸結(jié)構(gòu)11為孔洞形狀的情況下，1個(gè)孔洞㈧和與孔洞㈧最接近 的孔洞（B)中，連接孔洞（A)的開(kāi)口緣部與孔洞（B)的開(kāi)口緣部的最短的線段（Iy)的長(zhǎng)度 為亞微米尺度的話，稀釋涂布的第2掩模層材料為減小體系的能量，可以高效率地向凹部 Ila內(nèi)部充填，結(jié)果是減小了后述說(shuō)明的lev，因而優(yōu)選。特別地，最短線段的長(zhǎng)度為500nm 以下的話，可以更進(jìn)一步發(fā)揮上述效果因而優(yōu)選，更優(yōu)選為400nm以下，最優(yōu)選為300nm以 下。其中，最短線段的長(zhǎng)度優(yōu)選為150nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為IOOnm以下，最優(yōu)選為Onm。另 夕卜，最短線段的長(zhǎng)度為Onm意指孔洞（A)的開(kāi)口緣部的一部分與孔洞（B)的開(kāi)口緣部的一 部分相重合的狀態(tài)。
[0346] 進(jìn)一步地，間距P及間距S為進(jìn)一步共同發(fā)揮上述效果，優(yōu)選為1200nm以下，更優(yōu) 選為800nm以下，最優(yōu)選為500nm以下。此外，從轉(zhuǎn)印性的角度出發(fā)，間距優(yōu)選為200nm以 上。向凹凸結(jié)構(gòu)11上涂布第2掩模層12、向凹部Ila內(nèi)部充填第2掩模層12時(shí)，開(kāi)口率 為45%以上的話，在間距200nm至SOOnm的范圍內(nèi)的情況下，第2掩模層12可以辨識(shí)凹凸 結(jié)構(gòu)11，使在凹部Ila內(nèi)部形成的第2掩模層12的假想液滴的曲率半徑最大化，其向結(jié)構(gòu) 內(nèi)部的潤(rùn)濕變寬，因而優(yōu)選。假想液滴是指假定存在于凹凸結(jié)構(gòu)11的凹部Ila內(nèi)部的第2 掩模層12的液滴。進(jìn)一步地，開(kāi)口率為65%以上的話，上述效果之外，從凹凸結(jié)構(gòu)11的凸 部Ilb上朝向凹部Ila內(nèi)部方向的勢(shì)能發(fā)揮作用，液滴向凹部Ila充填之后，可以避免第2 掩模層12的液滴向凸部上移動(dòng)，因而更為優(yōu)選。此外，為更進(jìn)一步發(fā)揮上述效果，開(kāi)口率優(yōu) 選為70%以上。更優(yōu)選為開(kāi)口率為75%以上，進(jìn)一步地優(yōu)選80%以上。
[0347] 此外，孔洞開(kāi)口部的面積大于孔洞底部的面積的話，更可以發(fā)揮上述效果，因而優(yōu) 選。進(jìn)一步地，開(kāi)口邊緣與凹部Ila的側(cè)面為連續(xù)平滑地相連的話，可更進(jìn)一步發(fā)揮上述效 果，因而優(yōu)選。
[0348] 構(gòu)成第2掩模層12的無(wú)機(jī)材料中，含有在稀釋涂布后的溶劑揮發(fā)過(guò)程中樣態(tài)發(fā)生 改變的材料的話，因材料本身的面積變小時(shí)的所謂的驅(qū)動(dòng)力也同時(shí)作用，更有效地使無(wú)機(jī) 材料向凹部Ila內(nèi)部充填，結(jié)果可減小lev，因而優(yōu)選。樣態(tài)的變化可舉例，例如，發(fā)熱反應(yīng) 和粘度增大的變化等。例如，含有溶膠凝膠材料的話，溶劑揮發(fā)過(guò)程，與空氣中的水蒸氣反 應(yīng)，溶膠凝膠材料進(jìn)行縮聚。由此，因使溶膠凝膠材料的能量不穩(wěn)定化，遠(yuǎn)離伴隨溶劑干燥 降低的溶劑液面（溶劑和空氣界面）的驅(qū)動(dòng)力發(fā)揮作用，結(jié)果，溶膠凝膠材料被良好地向凹 內(nèi)部充填，后述說(shuō)明的lev減小。
[0349] 圖37是顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的制造方法的各工序的截面示 意圖。接著上述工序（1-1)?（1-6)，通過(guò)進(jìn)行工序（1-7)及工序（1-8)，可以制作第2積 層體II。另外，以下的工序優(yōu)選以卷對(duì)卷進(jìn)行。
[0350] 工序（1-7):在第1積層體I (覆蓋膜B/第2掩模層12形成的積層體）上，涂布 稀釋的第1掩模層材料120的工序（參考圖37A)。 工序（1-8):干燥除去溶劑，形成第1掩模層13,獲得第2積層體II的工序（參考圖 37B)。
[0351] 通過(guò)經(jīng)由上述的工序（1-7)?（1-8)，可獲得以支撐基材110及固化物層113形成 的覆蓋膜B、第2掩模層12與第1掩模層13構(gòu)成的第2積層體II。
[0352] 作為工序（1-7)中的涂布方法，可舉例輥涂法、棒式涂布法、模涂法、噴涂法、空氣 刮板涂布法、流涂法、簾式涂布法、凹版涂布法等。此外，第1掩模層材料可以進(jìn)行溶劑稀釋 而使用，然后，經(jīng)過(guò)干燥工序。進(jìn)一步地，工序（1-8)之后，可以增加將覆蓋膜覆蓋（組合）， 卷取的工序。
[0353] 第2積層體II中，第2掩模層12與第1掩模層13的界面形狀可以平坦也可以彎 曲。作為彎曲的形狀，可舉例第2掩模層12向第1掩模層13側(cè)凸?fàn)钆虺龅男螤睿虻?掩 模層13向第2掩模層12側(cè)凸?fàn)钆虺龅男螤畹?。此外，也可舉例具有1個(gè)從第1掩模層13 側(cè)向第2掩模層12側(cè)凸出的凸?fàn)钆虺?，?個(gè)從第2掩模層12側(cè)向第1掩模層13側(cè)凸出 的凸?fàn)钆虺龅慕Y(jié)構(gòu)等。
[0354] 通過(guò)使用如上所述制造的第2積層體II，可在被處理體20之上形成高縱橫比的 微細(xì)掩模圖案16a。由此，在被處理體20的表面上可以形成微細(xì)圖案22。使用第2積層體 II的中間體21、微細(xì)掩模結(jié)構(gòu)體16、微細(xì)圖案22的制造方法，如同包括第1實(shí)施方式?第 5實(shí)施方式的已經(jīng)進(jìn)行的說(shuō)明。
[0355] 〈微細(xì)圖案形成用膜的詳細(xì)〉 接著，對(duì)適合使用于本實(shí)施方式涉及的熱納米壓印裝置的微細(xì)圖案形成用膜進(jìn)行詳細(xì) 說(shuō)明。微細(xì)圖案形成用膜，具有設(shè)置有納米尺度的凹凸結(jié)構(gòu)的覆蓋膜、設(shè)置于凹凸結(jié)構(gòu)的凹 部?jī)?nèi)部的第2掩模層、設(shè)置為覆蓋凹凸結(jié)構(gòu)及第2掩模層的第1掩模層。
[0356] 圖38是顯示本實(shí)施方式涉及的微細(xì)圖案形成用膜的截面示意圖。微細(xì)圖案形成 用膜Iioo只要是如下的長(zhǎng)尺狀的膜狀體的話沒(méi)有特別限定：在其一側(cè)主面上形成有納米 尺度的凹凸結(jié)構(gòu)1102的覆蓋膜1101的凹凸結(jié)構(gòu)1102的凹部?jī)?nèi)部，設(shè)置有第2掩模層1103， 為覆蓋第2掩模層1103及凹凸結(jié)構(gòu)1102設(shè)置有第1掩模層1104。例如，可以使用以下所 述的微細(xì)圖案形成用膜1100。
[0357] 另外，與上述的微細(xì)圖案形成用膜101的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下。通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)體102與被處 理體104貼合的面為第1掩模層1104的表面。此外，剝離部206中被剝離的是具有凹凸結(jié) 構(gòu)1102的覆蓋膜1110,被處理體104之上轉(zhuǎn)印有由第1掩模層1104及第2掩模層1103形 成的凹凸結(jié)構(gòu)。
[0358] 覆蓋膜1101具有的納米尺度的凹凸結(jié)構(gòu)1102,在特定方向上延伸的單個(gè)（例如， 線狀）或多個(gè)（例如，點(diǎn)狀）的凸部1102a，沿與特定方向正交的方向，相互隔開(kāi)規(guī)定的納米 尺度的間隔進(jìn)行設(shè)置。凸部1102a，在沿微細(xì)圖案形成用膜1100的厚度方向的截面視圖（觀 察與正交方向垂直的截面時(shí)）中，向與凹凸結(jié)構(gòu)1102的主面垂直的方向突出。凸部1102a 之間形成有凹部1102b。以該凸部1102a及凹部1102b構(gòu)成凹凸結(jié)構(gòu)1102。作為微細(xì)圖案 形成用膜1100中的凹凸結(jié)構(gòu)1102的形狀，沒(méi)有特別限定，例如，可列舉多個(gè)柵狀物排列的 線和間隙結(jié)構(gòu)、多個(gè)點(diǎn)（凸部、突起）狀結(jié)構(gòu)排列的點(diǎn)結(jié)構(gòu)、多個(gè)孔洞（凹部）狀結(jié)構(gòu)排列 的孔洞結(jié)構(gòu)等。點(diǎn)結(jié)構(gòu)或孔洞結(jié)構(gòu)，例如，可列舉圓錐、圓柱、四方錐、四方柱、雙環(huán)狀、多環(huán) 狀等結(jié)構(gòu)。
[0359] 考慮蝕刻被處理體時(shí)的第1掩模層1104的作為蝕刻掩模的性能，凹凸結(jié)構(gòu)1102 優(yōu)選為孔洞形狀。此外，從將第2掩模層1103直接涂布在凹凸結(jié)構(gòu)1102的凹凸結(jié)構(gòu)面之 上時(shí)的涂布性、或凹凸結(jié)構(gòu)1102的耐久性（對(duì)物理性破壞的耐性）的角度出發(fā)，也優(yōu)選其 為孔洞形狀。
[0360] 此處，"柱形"是指"配置有多個(gè)柱狀體（錐狀態(tài)）的形狀"，"孔洞形狀"是指"形成 有多個(gè)柱狀（錐狀）的孔穴的形狀"。此外，凹凸結(jié)構(gòu)1102中，優(yōu)選凸部1102a彼此間距離 為50nm以上5000nm以下，凸部1102a的高度為IOnm以上2000nm以下。也根據(jù)用途，優(yōu)選 凸部1102a彼此間鄰接距離（凸部1102a的頂點(diǎn)的彼此間隔）小，凸部1102a的高度（從 凹部1102b的底至凸部1102a的頂點(diǎn)的高度）大。此處，凸部1102a是指比凹凸結(jié)構(gòu)1102 的平均高度更高的部位，凹部1102b是指比凹凸結(jié)構(gòu)1102的平均高度更低的部位。
[0361] 此外，如圖39所示，對(duì)于面內(nèi)正交的第1方向Dl和第2方向D2,在第1方向Dl 上凸部1102a(或凹部1102b)以間距P排列，并且，在第2方向D2上凸部1102a(或凹部 1102b)以間距S排列，進(jìn)一步地，第2方向D2上成列的凸部1102a(或凹部1102b)的在第 1方向Dl的相位差α的規(guī)則性低，可以為同時(shí)具有周期性和非周期性的排列。間距P及間 距S可以根據(jù)預(yù)計(jì)的用途適當(dāng)設(shè)計(jì)，也可以使間距P和間距S相等，并且，相位差α的規(guī)則 性也可高。
[0362] 此外，圖39中，凸部1102a(或凹部1102b)被描繪為不具有重疊的獨(dú)立的狀態(tài)，但 在第1方向Dl及第2方向D2的至少任意一個(gè)方向上排列的凸部1102a(或凹部1102b)可 以重疊。另外，相位差α是指，通過(guò)相鄰的列（第1方向Dl)中最接近的凸部Ilb的中心 的線段（第2方向D2)的距離。更具體地是意指，例如，如圖39所示，通過(guò)在第1方向Dl 上成列的、第（N)列的某個(gè)凸部1102a(或凹部1102b)中心的第2方向D2的線段，與通過(guò) 距離凸部ll〇2a(或凹部1102b)最近的第（N+1)列的某個(gè)凸部1102a(或凹部1102b)的中 心的第2方向D2的線段的距離。
[0363] 例如，進(jìn)行LED的藍(lán)寶石基板或GaN基板、或Si基板表面的加工時(shí)，作為被處理體 20 (參考圖3A)選定藍(lán)寶石基板或GaN基板、或Si基板，凹凸結(jié)構(gòu)1102的凹凸結(jié)構(gòu)形狀優(yōu) 選為間距為50nm?IOOOnm,高度為50nm?IOOOnm,以納米尺度成規(guī)則排列，并且，具有微 米尺度的較大周期性的孔洞形狀。
[0364] 在凹凸結(jié)構(gòu)1102的形狀為孔洞形狀的情況下，1個(gè)孔洞（A)與最接近孔洞（A)的 孔洞（B)中，孔洞（A)的開(kāi)口緣部和孔洞（B)的開(kāi)口緣部相連的最短的線段的長(zhǎng)度為亞 微米尺度的話，第2掩模層1103的配置精度提高，因而優(yōu)選。特別地，最長(zhǎng)的線段的長(zhǎng)度 為500nm以下的話，可以更進(jìn)一步發(fā)揮上述效果因而優(yōu)選，更優(yōu)選為400nm以下，最優(yōu)選為 300nm以下。其中，最短的線段的長(zhǎng)度優(yōu)選為150nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為IOOnm以下，最優(yōu)選 為〇nm。另外，最短的線段的長(zhǎng)度為Onm意指孔洞（A)的開(kāi)口緣部的一部分與孔洞（B)的開(kāi) 口緣部的一部分相重合的狀態(tài)。
[0365] 此外，從提高向后述的凹凸結(jié)構(gòu)1102的凹部1102b的內(nèi)部的第2掩模層1103的 配置性的角度出發(fā)，優(yōu)選凹凸結(jié)構(gòu)1102的開(kāi)口率為45%以上，優(yōu)選開(kāi)口率為50%以上，更 優(yōu)選開(kāi)口率為55%以上，進(jìn)一步優(yōu)選開(kāi)口率為65%以上。開(kāi)口率優(yōu)選為70%以上。更優(yōu)選 為開(kāi)口率為75%以上，進(jìn)一步地優(yōu)選80%以上。
[0366] 此外，孔洞開(kāi)口部的面積大于孔洞底部的面積的話，更可以發(fā)揮上述效果，因而優(yōu) 選。進(jìn)一步地，開(kāi)口邊緣與凹部側(cè)面為連續(xù)平滑地相連的話，可更進(jìn)一步發(fā)揮上述效果，因 而優(yōu)選。
[0367] 另外，在與凹凸結(jié)構(gòu)1102平行的面內(nèi)，凹凸結(jié)構(gòu)1102上的單元面積（Sc)之下包 含的凹部的面積（Sh)的比例為開(kāi)口率。例如，開(kāi)口徑(φ )為430nm、X軸方向的間距為398nm、 y軸方向的間距為460nm、高度（h)為460nm的圓柱狀凹部以六方最密堆積排列并列的凹凸 結(jié)構(gòu)1102情況下，Sh/Sc為0. 79(79% )。同樣地，例如，對(duì)于開(kāi)口徑(φ)為180nm、x軸方向 的間距為173nm、y軸方向的間距為200nm、高度（h)為200nm的圓柱狀凹部以六方最密堆積 排列并列的凹凸結(jié)構(gòu)ll〇2，Sh/Sc為0. 73(73% )。同樣地，例如，對(duì)于開(kāi)口徑(φ)為680nm、 X軸方向的間距為606nm、y軸方向的間距為700nm、高度（h)為700nm的圓柱狀凹部以六方 最密堆積排列并列的凹凸結(jié)構(gòu)1102, Sh/Sc為0. 86(86% )。
[0368] 此外，凹凸結(jié)構(gòu)1102的高度或深度（h)、與凹部開(kāi)口寬度或凸部底部徑(φ)的比例 (h/cp)所表示的縱橫比，優(yōu)選為0. 1以上3. 0以下的范圍?？v橫比，從轉(zhuǎn)印精度的角度出發(fā)， 優(yōu)選為0. 1以上的范圍，更優(yōu)選為0. 5以上。此外，縱橫比從第2掩模層1]03的轉(zhuǎn)印精度 的角度出發(fā)，優(yōu)選為2. 5以下。
[0369] 微細(xì)圖案形成用膜1100,可以在覆蓋膜1101上另外設(shè)置凹凸結(jié)構(gòu)1102,只要可以 在覆蓋膜1101的一個(gè)主面上設(shè)置納米尺度的凹凸結(jié)構(gòu)1102的話，沒(méi)有特別限定，也可以是 直接加工覆蓋膜1101形成凹凸結(jié)構(gòu)。但是，從通過(guò)熱納米壓印裝置，連續(xù)高效率地獲得帶 有凹凸結(jié)構(gòu)的被處理體這一角度出發(fā)，優(yōu)選在覆蓋膜1101上另外設(shè)置凹凸結(jié)構(gòu)1102。另 夕卜，以下說(shuō)明中，在覆蓋膜1101之上另外設(shè)置凹凸結(jié)構(gòu)1102時(shí)，覆蓋膜1101表示為支撐基 材。
[0370] 在支撐基材上另外設(shè)置的凹凸結(jié)構(gòu)1102的材料沒(méi)有特別限定，從制造具有連續(xù) 性且均質(zhì)的納米尺度的凹凸結(jié)構(gòu)1102的覆蓋膜1101這一角度出發(fā)，優(yōu)選由以硅酮為代表 的聚二甲基硅氧烷（PDMS)形成的樹(shù)脂或含氟樹(shù)脂構(gòu)成等，只要可在凹凸結(jié)構(gòu)1102上形成 脫模層的話，沒(méi)有特別限定，更優(yōu)選由含氟樹(shù)脂構(gòu)成。含氟樹(shù)脂只要含有氟元素、并且相對(duì) 水的接觸角大于90度的話，沒(méi)有特別限定。只是，從將第2掩模層1103向被處理體轉(zhuǎn)印時(shí) 的轉(zhuǎn)印精度的角度出發(fā)，更優(yōu)選相對(duì)水的接觸角為95度以上，更優(yōu)選為100度以上。優(yōu)選 含有光固化性樹(shù)脂及光聚合引發(fā)材料。特別地，優(yōu)選由光固化性樹(shù)脂、光聚合引發(fā)材料及氟 系添加材料構(gòu)成。作為氟系添加材料沒(méi)有特別限定，可以使用耐磨性、耐損傷、防止指紋附 著、防污性、流平性或防水防油性等表面改性劑等，優(yōu)選在氟系添加材分子中具有光聚合性 基團(tuán)。
[0371] 作為使用于覆蓋膜1101的支撐基材，優(yōu)選具有屈撓性的材料，例如，可以使用不 論薄膜玻璃、薄膜陶瓷、薄膜金屬等薄膜無(wú)機(jī)材料，及塑料等有機(jī)材料。特別地，特別優(yōu)選 包括具有屈撓性的連續(xù)生產(chǎn)性?xún)?yōu)異的薄片、膜、薄膜、織物及無(wú)紡布等。作為具有屈撓性的 材質(zhì)可列舉如，聚甲基丙烯酸甲酯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、環(huán)烯烴樹(shù)脂（COP)、 交聯(lián)聚乙烯樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、聚丙烯酸酯樹(shù)脂、聚苯醚樹(shù)脂、改性聚苯醚樹(shù)脂、聚醚酰亞 胺樹(shù)脂、聚醚砜樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂、聚醚酮樹(shù)脂等非晶性熱塑性樹(shù)脂，或聚對(duì)苯二甲酸乙二酯 (PET)樹(shù)脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯樹(shù) 月旨、芳香族聚酯樹(shù)脂、聚縮醛樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂等晶體性熱塑性樹(shù)脂，或丙烯酸樹(shù)脂系、環(huán)氧 系、聚氨酯系等紫外線（UV)固化性樹(shù)脂或熱固化性樹(shù)脂。此外，也可以將紫外線固化性樹(shù) 脂或熱固化性樹(shù)脂與玻璃等無(wú)機(jī)基板、上述熱塑性樹(shù)脂、三乙酸酯樹(shù)脂搭配，或單獨(dú)使用構(gòu) 成支撐基材。特別地，從貼合性提高、并且連續(xù)加工被處理體20的角度，優(yōu)選支撐基材為膜 (卷筒狀）。
[0372] 為提高覆蓋膜1101的支撐基材與凹凸結(jié)構(gòu)1102的粘結(jié)性，在設(shè)置有凹凸結(jié)構(gòu) 1102的覆蓋膜1101的一個(gè)主面上，可以實(shí)施以與凹凸結(jié)構(gòu)1102的化學(xué)鍵合或浸透等物理 鍵合為目的易粘合涂覆、預(yù)涂底漆處理、電暈處理、等離子處理、UV/臭氧處理、高能量射線 照射處理、表面粗化處理、多孔性化處理等。
[0373] (氟系添加材料） 作為在同一分子內(nèi)具有光聚合性基團(tuán)的氟系添加材料，作為含氟（甲基）丙烯酸酯，可 舉出下述化學(xué)式（1)表示的含氟聚氨酯（甲基）丙烯酸酯，通過(guò)使用下述化學(xué)式（1)表示 的添加材料，可以滿(mǎn)足后述的Es/Eb，因而優(yōu)選。這樣的聚氨酯（甲基）丙烯酸酯可以使用 例如，大金工業(yè)公司（夕' ^V工業(yè)社）生產(chǎn)的"0PT00L DAC(商標(biāo)）"。
[0374] [化 1]

【權(quán)利要求】
1. 一種轉(zhuǎn)印方法， 使用微細(xì)圖案形成用膜，在被處理體上轉(zhuǎn)印賦予以下第1掩模層及第2掩模層， 所述微細(xì)圖案形成用膜具有在一側(cè)的表面上形成有納米尺度的凹凸結(jié)構(gòu)的覆蓋膜、設(shè) 置于所述凹凸結(jié)構(gòu)的凹部?jī)?nèi)部的第2掩模層、覆蓋所述凹凸結(jié)構(gòu)及所述第2掩模層而設(shè)置 的第1掩模層； 其特征在于，所述轉(zhuǎn)印方法，至少按以下順序含有：使設(shè)置有所述第1掩模層的表面朝 向所述被處理體的表面，按壓所述微細(xì)圖案形成用膜的按壓工序， 對(duì)所述第1掩模層照射能量射線的能量射線照射工序，及 將所述覆蓋膜從所述第2掩模層及所述第1掩模層移除的脫模工序，同時(shí)， 所述按壓工序和所述能量射線照射工序分別獨(dú)立進(jìn)行。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述能量射線照射工序在已釋放所 述按壓工序中的按壓力的狀態(tài)下進(jìn)行。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述按壓工序在對(duì)所述 被處理體或所述微細(xì)圖案形成用膜的至少一方進(jìn)行加熱的狀態(tài)下進(jìn)行。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述按壓工序中，使用至少其表層由 彈性體構(gòu)成的轉(zhuǎn)動(dòng)體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中任意一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述覆蓋膜 的所述凹凸結(jié)構(gòu)的表面的凸部的頂部位置（S)與充填于所述凹凸結(jié)構(gòu)的凹部的內(nèi)部的所 述第2掩模層的表面位置（See)的距離（lcc)滿(mǎn)足下述式（1)，并且，所述凸部的頂部位置 (S)與形成于所述凸部之上的所述第2掩模層的頂部位置（Sev)的距離（lev)滿(mǎn)足下述式 ⑵， 0. lee < 1. Oh (1) 其中，將所述凸部的所述頂部位置（S)與所述凹部的底部位置的距離表示的所述凹凸 結(jié)構(gòu)的高度、即深度設(shè)為h， 0. lev 彡 0· 05h (2)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述微細(xì)圖案形成用膜中，所述第2 掩模層的所述頂部位置（Sev)與所述第1掩模層的露出表面位置（Sb)的距離（lor)滿(mǎn)足 下述式（3)， 0. lor < 1500nm (3)。
7. -種熱納米壓印裝置，其用于通過(guò)上述權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中任意一項(xiàng)所述的 轉(zhuǎn)印方法，在所述被處理體上轉(zhuǎn)印所述第1掩模層及所述第2掩模層； 其特征在于，所述熱納米壓印裝置具有： 實(shí)施所述按壓工序的按壓部、 實(shí)施所述能量射線照射工序的能量射線照射部、 實(shí)施所述脫模工序的脫模部。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱納米壓印裝置，其特征在于，所述按壓部中進(jìn)一步具有加 熱所述被處理體的加熱裝置。
9. 一種熱納米壓印裝置，其用于通過(guò)權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中任意一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)印 方法，在所述被處理體上轉(zhuǎn)印所述第1掩模層及所述第2掩模層； 其特征在于，所述熱納米壓印裝置具有以使形成有所述第1掩模層的表面與所述被處 理體的一側(cè)表面相對(duì)的狀態(tài)，貼合所述微細(xì)圖案形成用膜及所述被處理體的貼合部， 所述貼合部，具有實(shí)質(zhì)上以線對(duì)所述微細(xì)圖案形成用膜或所述被處理體施加按壓力 的按壓部，該按壓部具有實(shí)質(zhì)上以線與所述微細(xì)圖案形成用膜或所述被處理體接觸的轉(zhuǎn)動(dòng) 體， 所述轉(zhuǎn)動(dòng)體，至少其表層由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為100°c以下的彈性體構(gòu)成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱納米壓印裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)動(dòng)體為截面近似正圓 形的貼合用輥。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9或權(quán)利要求10所述的熱納米壓印裝置，其特征在于，進(jìn)一步具有剝 離部，所述剝離部用于從用所述貼合部貼合的所述微細(xì)圖案形成用膜及所述被處理體上對(duì) 所述覆蓋膜進(jìn)行脫模，獲得表面上轉(zhuǎn)印有所述第1掩模層及所述第2掩模層的所述被處理 體。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9或權(quán)利要求10所述的熱納米壓印裝置，其特征在于， 所述微細(xì)圖案形成用膜為載體膜， 其進(jìn)一步具有將所述載體膜開(kāi)卷的送料輥、卷取由所述送料輥開(kāi)卷的所述載體膜的卷 取輥、在所述貼合部中貼合所述載體膜及所述被處理體時(shí)加熱所述被處理體的加熱裝置、 以及剝離部， 所述剝離部從所述被貼合的所述載體膜和所述被處理體上剝離所述覆蓋膜，該所述剝 離部設(shè)置在相比所述貼合部處于所述載體膜的流動(dòng)方向的下游、并且相比所述卷取輥處于 所述載體膜的流動(dòng)方向的上游， 所述貼合部，橫跨通過(guò)所述送料輥和所述卷取輥傳送的所述載體膜的寬度方向而延伸 設(shè)置。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的熱納米壓印裝置，其特征在于，進(jìn)一步具有對(duì)所述載體膜 照射能量射線的能量射線照射部，所述能量射線照射部設(shè)置在相比所述貼合部處于所述載 體膜的流動(dòng)方向的下游、并且相比所述剝離部處于所述載體膜的流動(dòng)方向的上游。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12或權(quán)利要求13所述的熱納米壓印裝置，其特征在于，改變所述剝 離部中所述載體膜的流動(dòng)方向。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12至權(quán)利要求14中任意一項(xiàng)所述的熱納米壓印裝置，其特征在于， 所述剝離部由截面近似正圓形的剝離用輥及拆卸自如地固定所述被處理體的固定裝置構(gòu) 成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12至權(quán)利要求15中任意一項(xiàng)所述的熱納米壓印裝置，其特征在于， 進(jìn)一步具有被處理體保持部，所述被處理體保持部至少在所述貼合部貼合所述載體膜及所 述被處理體時(shí)，保持所述被處理體。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12至權(quán)利要求16中任意一項(xiàng)所述的熱納米壓印裝置，其特征在于， 從所述貼合部至所述剝離部之間，所述被處理體通過(guò)所述載體膜支撐，伴隨所述載體膜的 傳送而移動(dòng)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求9或權(quán)利要求10所述的熱納米壓印裝置，其特征在于， 所述微細(xì)圖案形成用膜為載體膜， 其進(jìn)一步具有將所述載體膜開(kāi)卷的送料輥、卷取由所述送料輥開(kāi)卷的所述載體膜的卷 取輥、至少在所述貼合部中貼合所述載體膜及所述被處理體時(shí)加熱所述被處理體的加熱裝 置、以及切斷部， 所述切斷部設(shè)置在相比所述貼合部處于所述載體膜的流動(dòng)方向的下游、并且相比所述 卷取輥處于所述載體膜的流動(dòng)方向的上游， 所述貼合部，橫跨通過(guò)所述送料輥和所述卷取輥傳送的所述載體膜的寬度方向而延伸 設(shè)置，并且 在所述切斷部中，貼合在所述被處理體上的所述載體膜被部分地切斷為所述被處理體 的外形以上的尺寸。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱納米壓印裝置，其特征在于， 進(jìn)一步具有將貼合有所述載體膜的所述被處理體從所述載體膜上進(jìn)行分離的分離部， 所述分離部，設(shè)置在相比所述切斷部處于所述載體膜的流動(dòng)方向的下游、并且相比所述卷 取輥處于所述載體膜的流動(dòng)方向的上游， 所述分離部由分離用被處理體保持部以及分離用輥或分離用端面構(gòu)成，所述分離用被 處理體保持部至少保持貼合有所述載體膜的所述被處理的與所述載體膜側(cè)相反一側(cè)的表 面，所述分離用輥或分離用端面改變所述被傳送的所述載體膜的流動(dòng)方向。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18或權(quán)利要求19所述的熱納米壓印裝置，其特征在于，進(jìn)一步具有 被處理體保持部，所述被處理體保持部至少在所述貼合部貼合所述載體膜及所述被處理體 時(shí)，保持所述被處理體。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19或權(quán)利要求20中任意一項(xiàng)所述的熱納米壓印裝置，其特征在于， 從所述貼合部至所述分離用輥或所述分離用端面之間，所述被處理體通過(guò)所述載體膜支 撐，伴隨所述載體膜的傳送而移動(dòng)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求16、17、20或權(quán)利要求21中任意一項(xiàng)所述的熱納米壓印裝置，其特征 在于， 所述貼合部中所述載體膜與所述被處理體的貼合工序是通過(guò)所述被處理體保持部固 定保持所述被處理體， 接著，通過(guò)貼合用輥從所述被處理體的一個(gè)末端開(kāi)始將所述載體膜的所述第1掩模層 貼合在所述被處理體上， 所述貼合用輥通過(guò)所述被處理體的另一末端之前，釋放由所述被處理體保持部對(duì)所述 被處理體的固定保持。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的熱納米壓印裝置，其特征在于，所述被處理體保持部通過(guò) 吸附對(duì)所述被處理體進(jìn)行固定保持。
24. -種積層體，具有被處理體和微細(xì)掩模圖案，該微細(xì)掩模圖案設(shè)置于所述被處理體 的表面的至少一部分上、至少在所述表面的外緣部的一部分上保留露出部， 其特征在于，所述微細(xì)掩模圖案，具有在所述被處理體上作為微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)而設(shè)置的 第1掩模層和至少在所述第1掩模層的凸部的頂部之上設(shè)置的第2掩模層。
【文檔編號(hào)】B29C65/02GK104271332SQ201380024210
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2013年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月8日
【發(fā)明者】細(xì)見(jiàn)尚希, 古池潤(rùn), 山口布士人 申請(qǐng)人:旭化成電子材料株式會(huì)社