一種機(jī)械設(shè)備無腐蝕的拋光液的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種機(jī)械設(shè)備無腐蝕的拋光液，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì)：水楊酸鈉21-30份，醋酸鈉9-12份，草酸鈉8-10份，苯甲酸鈉2-8份，磷酸二氫鉀3-6份，抗靜電劑1-2份，甲基硅油4-9份，液體石酯8-13份，硬脂酸3-8份，除雜劑7-10份，處理劑11-18份，二氧化鈦3-5份，磷酸二氫鉀2-4份，分子篩1-2份，硅藻土1份，硼酸鈉2-4份，片層結(jié)構(gòu)的云母粉1份，空心玻璃微珠1-2份。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可抑制低介電材料的拋光速率，而對銅和二氧化硅的去除速率影響不大，同時(shí)可減少被拋光材料的表面污染物。
【專利說明】一種機(jī)械設(shè)備無腐蝕的拋光液
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種機(jī)械設(shè)備無腐蝕的拋光液。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)介電層材料由于具有較高的介電常數(shù)，會導(dǎo)致傳導(dǎo)層之間電容增大，從而影響集成電路的速度，使效率降低，隨著集成電路的復(fù)雜化和精細(xì)化，這種基底材料越發(fā)不能滿足更先進(jìn)制程的技術(shù)要求，在襯底中引入低介電材料是集成電路技術(shù)發(fā)展的必然趨勢，隨之產(chǎn)生了許多用于低介電材料的拋光衆(zhòng)液。但目前現(xiàn)有技術(shù)中的低介電材料拋光液都沒有達(dá)到制造成本和技術(shù)表現(xiàn)的完美結(jié)合。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種機(jī)械設(shè)備無腐蝕的拋光液。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種機(jī)械設(shè)備無腐蝕的拋光液，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):水楊酸鈉21-30份，醋酸鈉9-12份，草酸鈉8-10份，苯甲酸鈉2_8份，磷酸二氫鉀3_6份，抗靜電劑1-2份，甲基硅油4-9份，液體石酯8-13份，硬脂酸3-8份，除雜劑7_10份，處理劑11-18份，二氧化鈦3-5份，磷酸二氫鉀2-4份，分子篩1-2份，硅藻土 I份，硼酸鈉2-4份，片層結(jié)構(gòu)的云母粉I份，空心玻璃微珠1-2份。
[0005]本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可抑制低介電材料的拋光速率，而對銅和二氧化娃的去除速率影響不大，同時(shí)可減 少被拋光材料的表面污染物。
【具體實(shí)施方式】
[0006]實(shí)施例1
一種機(jī)械設(shè)備無腐蝕的拋光液，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):水楊酸鈉21-30份，醋酸鈉9-12份，草酸鈉8-10份，苯甲酸鈉2_8份，磷酸二氫鉀3_6份，抗靜電劑1-2份，甲基硅油4-9份，液體石酯8-13份，硬脂酸3-8份，除雜劑7_10份，處理劑11-18份，二氧化鈦3-5份，磷酸二氫鉀2-4份，分子篩1-2份，硅藻土 I份，硼酸鈉2-4份，片層結(jié)構(gòu)的云母粉I份，空心玻璃微珠1-2份。
【權(quán)利要求】
1.一種機(jī)械設(shè)備無腐蝕的拋光液，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):水楊酸鈉21-30份，醋酸鈉9-12份，草酸鈉8-10份，苯甲酸鈉2_8份，磷酸二氫鉀3_6份，抗靜電劑1-2份，甲基硅油4-9份，液體石酯8-13份，硬脂酸3-8份，除雜劑7_10份，處理劑11-18份，二氧化鈦3-5份，磷酸二氫鉀2-4份，分子篩1-2份，硅藻土 I份，硼酸鈉2-4份，片層結(jié)構(gòu)的云母粉I份，空心玻.璃微珠1-2份。
【文檔編號】C09G1/08GK103468150SQ201310387782
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月31日
【發(fā)明者】張竹香 申請人:青島承天偉業(yè)機(jī)械制造有限公司