專利名稱：粘接膜及使用該粘接膜的金屬制膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜用粘接膜，更詳細(xì)地涉及在金屬制膜時能夠抑制金屬非制膜面的損傷和對晶片的污染的粘接膜以及使用該粘接膜的金屬制膜方法。根據(jù)本發(fā)明，可以省卻金屬非制膜面的清洗工序等，實(shí)現(xiàn)工序的合理化，提高生產(chǎn)率。
背景技術(shù)：
作為在半導(dǎo)體制造工藝中的高溫處理工序的一種，可以舉出在磨削半導(dǎo)體晶片的電路非形成面(以下叫做半導(dǎo)體晶片背面)以后，在該面制膜金屬膜的工藝。
以往采用的是，將粘貼有表面保護(hù)粘接膜的半導(dǎo)體晶片磨削成300μm左右的厚度后，剝離表面保護(hù)用粘接膜，在半導(dǎo)體晶片背面制膜金屬膜的方法。但是，如今隨著裝置的小型化和高功能化，半導(dǎo)體晶片制造工藝的技術(shù)革新也在發(fā)展，逐漸轉(zhuǎn)向?qū)?yīng)于極薄芯片化的半導(dǎo)體晶片的制造工藝。在這種狀況下，正在活躍地開發(fā)用于支撐極薄半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)材料。例如，在特開2001-77304號公報(bào)中，作為支撐材料揭示了浸透并固化耐熱性樹脂而形成的樹脂復(fù)合無機(jī)基板。但是，這種支撐材料需要投資用于接合基板和半導(dǎo)體晶片的設(shè)備，并且接合方法為需要高溫條件的熱壓接法，并且由于使用水蒸氣等在高溫剝離支撐材料，因此存在半導(dǎo)體晶片表面的元件破損的問題。
另一方面，作為防止金屬非制膜面的損傷或污染的方法，已知涂布抗蝕劑等部件的方法。但是，這種方法需要在金屬制膜后用溶劑等去除金屬非制膜面的抗蝕劑的工序，因此，從作業(yè)的煩雜性和環(huán)境問題方面來看，對生產(chǎn)帶來較大的障礙。另外，近年來進(jìn)行金屬制膜的被粘體的形狀也多種多樣，金屬非制膜面表面變得復(fù)雜，有時進(jìn)行溶劑清洗后抗蝕劑仍殘留在金屬非制膜面上。另外，當(dāng)被粘體自身較薄，抗蝕劑等未能均勻地涂布時，存在金屬制膜時被粘體損傷或破損的問題，因此，強(qiáng)烈地期待代替其而能夠簡便地保護(hù)金屬非制膜面的部件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為提供一種在半導(dǎo)體制造工藝的對半導(dǎo)體晶片的電路非形成面進(jìn)行金屬制膜的工序中，能夠抑制金屬非制膜面的損傷和污染，并且能夠使金屬制膜工序更加合理的粘接膜以及使用該粘接膜的金屬制膜方法。
本發(fā)明人等進(jìn)行深入研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)使用至少層疊1層氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的粘接膜，非常適合于金屬制膜時的金屬非制膜面的保護(hù)，以至完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明為如下的發(fā)明。
發(fā)明一是半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜方法，其特征為，通過把在至少具有1層氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的單表面形成有粘接劑層的粘接膜，粘貼到半導(dǎo)體晶片電路形成面(金屬非制膜面)，而進(jìn)行金屬制膜。
考慮到在金屬制膜工藝中減少從粘接膜的外漏氣體，優(yōu)選方案為，基材膜具有金屬膜層或金屬氧化膜層，并且具有至少1層氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜。
進(jìn)而，考慮到在金屬制膜工藝中縮短達(dá)到初期(空白)真空度的時間，優(yōu)選方案為，基材膜具有至少1層氣體透過度小于等于1.0cc/m2·day·atm，并且吸水率小于等于1.0重量％的膜。
進(jìn)而，考慮到賦予用于防止半導(dǎo)體晶片破損的支持性和緩沖性，優(yōu)選方案為，所述基材膜進(jìn)一步具有1層選自乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯及聚乙烯中的膜。
從粘接膜剝離后，抑制半導(dǎo)體晶片上的殘糊量方面考慮，優(yōu)選方案為，所述粘接劑層為在150℃的儲藏彈性模量大于等于1×105Pa的粘接劑層。
發(fā)明二是，在至少具有1層氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的單表面形成有粘接劑層的，對半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜用粘接膜。
考慮到在金屬制膜工藝中減少從粘接膜的外漏氣體，以及縮短達(dá)到初期(空白)真空度的時間，優(yōu)選方案為，基材膜具有至少1層氣體透過度小于等于1.0cc/m2·day·atm，并且吸水率小于等于1.0重量％的膜。通過使用本發(fā)明的粘接膜，可以抑制金屬制膜時的金屬非制膜面的損傷，提高生產(chǎn)率。另外，由于可以抑制金屬非制膜面的污染，所以能夠省卻用溶劑等清洗的工序，作業(yè)性也得以提高。
具體實(shí)施例方式
下面，詳細(xì)地說明本發(fā)明。
首先，說明半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜時的金屬非制膜面的保護(hù)方法。
首先，經(jīng)粘接劑層將本發(fā)明的粘接膜粘貼到半導(dǎo)體晶片的金屬非制膜面。接著，把粘貼有粘接膜的被粘體設(shè)置到金屬制膜裝置上，在未粘貼有粘接膜的面制膜金屬膜。然后，剝離粘接膜，得到進(jìn)行了金屬制膜的被粘體。被粘體接著進(jìn)行適宜的加工。
對金屬制膜的條件，根據(jù)金屬膜種類(金、鎳、鈦等)或制膜方法(金屬蒸鍍法、金屬濺射法)。但一般是在溫度50～200℃、壓力10-3～10-7Pa的條件下進(jìn)行。
將粘接膜粘貼到半導(dǎo)體晶片上時，可以手工進(jìn)行，但也可以用安裝了滾筒狀粘接膜的粘貼裝置自動粘貼。剝離了粘接膜后的金屬非制膜面，根據(jù)需要也可以進(jìn)行水洗等濕式清洗，或者等離子體清洗等干式清洗。濕式清洗的情況，也可以并用超聲波清洗。這些清洗可以根據(jù)金屬非制膜面的污染狀況適宜地選擇實(shí)施。
接著，說明本發(fā)明的粘接膜。
本發(fā)明的粘接膜是，在制作基材膜后，在其單面形成粘接劑層而制造的。從防止粘接劑層污染的方面考慮，優(yōu)選在粘接劑層上粘貼了剝離膜的粘接膜，經(jīng)通過剝離掉剝離膜而露出的粘接劑層的表面，粘貼到被粘體上。在層疊剝離膜時，為了防止粘接劑層的污染，在剝離膜的單面涂布粘接劑涂布液，并干燥，形成粘接劑層，然后將得到的粘接劑層轉(zhuǎn)印到基材膜的單面，來制造的方法是優(yōu)選的。
用于本發(fā)明的粘接膜的基材膜，是層疊了至少1層氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜。考慮到在金屬制膜工藝中縮短達(dá)到初期真空度的時間，氣體透過度優(yōu)選小于等于1.0cc/m2·day·atm，吸水率優(yōu)選小于等于1.0重量％，更優(yōu)選小于等于0.1重量％。具有至少1層氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜層時，發(fā)揮能夠減少從粘接膜的外漏氣體的效果，金屬膜形成面的狀態(tài)良好，其結(jié)果半導(dǎo)體晶片安裝后的電氣特性良好，因此是優(yōu)選的。關(guān)于外漏氣體的產(chǎn)生，考慮的是粘貼有粘接膜的半導(dǎo)體晶片的粘貼端部的粘接膜的側(cè)面、以及基材膜的主面。通過限制基材膜的氣體透過度，可以遮擋后者的來自基材膜主面的外漏氣體，因此具有較大的減少外漏氣體的效果。另外，根據(jù)該效果，在金屬制膜工藝中可以縮短達(dá)到初期真空度的時間，還能使作業(yè)性提高。另外，在金屬制膜工藝中可以防止發(fā)生外漏氣體而引起的在未達(dá)到真空度狀態(tài)下的制膜，并且還可以防止在金屬制膜工藝中發(fā)生外漏氣體而引起的制膜不良情況。作為能夠滿足這些物性的膜，可以舉出具有金屬膜層或金屬氧化膜層的膜或者液晶聚合物膜等。另外，對于這些膜也可以使用與選自乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯及聚乙烯的膜層疊的基材膜。只是，此時考慮到金屬制膜工序的加溫真空條件，優(yōu)選的膜構(gòu)成為，氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜層位于基材膜的最外層，而不是粘接劑層側(cè)。
作為金屬膜，代表性的可以舉出鋁等金屬的蒸鍍膜，作為金屬氧化膜可以舉出硅、鈦、鋁等金屬的氧化膜。
作為形成金屬氧化膜層的方法，可以舉出在例如聚對苯二甲酸乙二醇酯等聚酯等的膜上涂布或蒸鍍硅、鈦或鋁等的氧化物而形成的方法。金屬層和金屬氧化膜層的厚度優(yōu)選為1～50nm，更優(yōu)選為1～30nm。
膜的厚度優(yōu)選為10～200μm左右。另外，與選自乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯及聚乙烯的膜層疊的復(fù)合基材膜的厚度優(yōu)選為50～300μm左右。
作為金屬蒸鍍膜，可以舉出東セ口(株)制造的蒸鍍加工膜等，作為金屬氧化膜蒸鍍膜可以舉出三菱樹脂(株)制造的商品名テックバリア等。作為液晶聚合物膜可以舉出(株)クラレ制造的商品名ベクスタ一以及日本ゴアテック(株)制造的商品名BIAC(R)等，作為聚酯可以舉出帝人デュポンフィルム制造的商品名テオネックス和テナロン等。
構(gòu)成本發(fā)明的粘接膜的粘接劑層的粘接劑，優(yōu)選在金屬制膜時的加溫條件下也能夠起到粘接劑的功能，優(yōu)選使用丙烯酸系粘接劑、硅系粘接劑。其厚度優(yōu)選為3～100μm。優(yōu)選在剝離粘接膜時不會污染金屬非制膜面的粘接劑。
尤其優(yōu)選粘接劑根據(jù)具有反應(yīng)性官能團(tuán)的交聯(lián)劑或過氧化物、放射線等高密度交聯(lián)，以避免在金屬制膜工藝中通過暴露于高溫而導(dǎo)致粘接力變得過大，并且避免金屬非制膜面的污染增加。粘接劑層在150℃的儲藏彈性模量優(yōu)選大于等于1×105Pa，更優(yōu)選大于等于1×106Pa。進(jìn)而，在200℃的儲藏彈性模量優(yōu)選大于等于1×105Pa，更優(yōu)選大于等于1×106Pa。
在下面舉例說明將丙烯酸系粘接劑用作為粘接劑層的方法，但并不限于此。
對于乳液聚合(甲基)丙烯酸烷基酯單體單元(A)、具有能夠與交聯(lián)劑反應(yīng)的官能團(tuán)的單體單元(B)及雙官能性單體單元(C)而得到的共聚物，添加在一個分子中具有兩個或兩個以上的用于提高凝集力而調(diào)節(jié)粘接力的官能團(tuán)的交聯(lián)劑，使用如上述得到的溶液或乳液來形成粘接劑層。用溶液形成時，采用鹽析等手段從在乳液聚合得到的乳液中分離丙烯酸系粘接劑，并再溶解到溶劑等中而制成溶液。丙烯酸系樹脂當(dāng)分子量大時，多數(shù)情況是對溶劑的溶解性低而不溶解，因此從成本的角度考慮優(yōu)選直接以乳液形態(tài)使用。
作為構(gòu)成單體單元(A)的單體(A)，可以舉出具有碳原子數(shù)1～12左右的烷基的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯(以下，將這些統(tǒng)稱為(甲基)丙烯酸烷基酯)。優(yōu)選具有碳原子數(shù)1～8左右的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。具體講，可以舉出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯。這些可以單獨(dú)使用，也可以混合使用兩種或兩種以上。單體(A)的使用量通常優(yōu)選為，在作為粘接劑原料的全部單體的總量中占10～98.9重量％的范圍。進(jìn)一步優(yōu)選85～95重量％。通過使單體(A)的使用量處于上述范圍，可以得到含有(甲基)丙烯酸烷基酯單體單元(A)10～98.9重量％、優(yōu)選85～95重量％的聚合物。
作為構(gòu)成具有能夠與交聯(lián)劑反應(yīng)的官能團(tuán)的單體單元(B)的單體(B)，可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、檸康酸、富馬酸、馬來酸、衣康酸單烷基酯、中康酸單烷基酯、檸康酸單烷基酯、富馬酸單烷基酯、馬來酸單烷基酯、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、叔丁基氨基乙基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等。優(yōu)選丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等?？梢詫⑵渲械囊环N與上述主要單體(A)共聚，也可以共聚兩種或兩種以上。具有能夠與交聯(lián)劑反應(yīng)的官能團(tuán)的單體(B)的使用量，通常優(yōu)選在作為粘接劑原料的全部單體的總量中占1～40重量％。更優(yōu)選為1～10重量％。這樣，可以得到具有與單體組成幾乎相等組成的構(gòu)成單元(B)的聚合物。
粘接劑優(yōu)選在150～200℃的溫度范圍具有大于等于1×105Pa的儲藏彈性模量，優(yōu)選通過共聚雙官能單體(C)，改善交聯(lián)方式，維持凝集力。作為雙官能單體(C)，可以舉出甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、二乙烯基苯、甲基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯、或兩末端二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯并且結(jié)構(gòu)為丙二醇型的化合物(日本油脂(株)制，商品名PDP-200、同PDP-400、同ADP-200、同ADP-400)、四亞甲基二醇型化合物(日本油脂(株)制，商品名ADT-250、同ADT-850)及它們的混合型化合物(日本油脂(株)制，商品名ADET-1800、同ADPT-4000)等。
乳液共聚雙官能單體(C)時，單體(C)優(yōu)選在全部單體中含有0.1～30重量％。更優(yōu)選為0.1～5重量％。這樣，可以得到具有與單體組成幾乎相等組成的構(gòu)成單元(C)的聚合物。
構(gòu)成上述粘接劑的主單體(A)及具有能夠與交聯(lián)劑反應(yīng)的官能團(tuán)的共聚單體(B)以外，也可以共聚具有表面活性劑性質(zhì)的特定共聚單體(以下叫做聚合性表面活性劑)。聚合性表面活性劑，與主單體和共聚單體進(jìn)行共聚，在乳液聚合時起到乳化劑的作用。使用聚合性表面活性劑乳液聚合的丙烯酸系粘接劑，不會產(chǎn)生由表面活性劑引起的晶片表面的污染，因此是優(yōu)選的。使用聚合性表面活性劑時，即使發(fā)生了由粘接劑引起的稍微的污染，也能夠通過水洗金屬非制膜面來容易地去除污染。
作為聚合性表面活性劑，可以舉出例如在壬基酚聚氧乙烯醚的苯環(huán)中導(dǎo)入聚合性1-丙烯基的化合物(第一工業(yè)制藥(株)制，商品名アクアロンRN-10、同RN-20、同RN-30、同RN-50等)，在壬基酚聚氧乙烯醚的硫酸酯銨鹽的苯環(huán)中導(dǎo)入聚合性1-丙烯基的化合物(第一工業(yè)制藥(株)制，商品名アクアロンHS-10、同HS-20等)，以及在分子內(nèi)具有聚合性雙鍵的硫代琥珀酸二酯系化合物(花王(株)制，商品名ラテムルS-120A、同S-180A等)等。進(jìn)而，也可以根據(jù)需要共聚醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等具有聚合性雙鍵的單體。
作為丙烯酸系粘接劑的聚合方法，可以舉出自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等。考慮到粘接劑的制造成本、單體的官能團(tuán)的影響以及半導(dǎo)體晶片表面的離子污染的影響等，優(yōu)選為自由基聚合。作為在自由基聚合中使用的自由基聚合引發(fā)劑，可以舉出過氧化苯甲酰、過氧化乙酰、過氧化異丁酰、過氧化辛酰、二叔丁基過氧化物、二叔戊基過氧化物等有機(jī)過氧化物，過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉等無機(jī)過氧化物，2，2’-偶氮二異丁腈、2，2’-偶氮二-2-甲基丁腈、4，4’-偶氮二-4-氰基戊酸等偶氮化合物。
根據(jù)乳液聚合法聚合時，在這些自由基聚合引發(fā)劑中，優(yōu)選過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉等水溶性的無機(jī)過氧化物，4，4’-偶氮二-4-氰基戊酸等在分子內(nèi)具有羧基的偶氮化合物，尤其優(yōu)選4，4’-偶氮二-4-氰基戊酸等在分子內(nèi)具有羧基的偶氮化合物。
進(jìn)而，作為調(diào)節(jié)粘接力和剝離性，以使粘接劑層在金屬制膜時的溫度條件下也具有充分的粘接劑功能的方法，可以舉出交聯(lián)粒子本體，而維持乳液粒子的凝集力的方法。
通過添加在1個分子中具有兩個或兩個以上交聯(lián)性官能團(tuán)的交聯(lián)劑，可以與丙烯酸系粘接劑具有的官能團(tuán)進(jìn)行反應(yīng)而調(diào)節(jié)粘接力和凝集力。作為交聯(lián)劑，可以舉出山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二甘油聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚等環(huán)氧系化合物，四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三加成物、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物，三羥甲基丙烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、N，N’-二苯基甲烷-4，4’-雙(1-氮丙啶羧酰胺)、N，N’-六亞甲基-1，6-雙(1-氮丙啶羧酰胺)、N，N’-甲苯-2，4-雙(1-氮丙啶羧酰胺)、三羥甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等氮丙啶系化合物，N，N，N’，N’-四縮水甘油-間二甲苯二胺、1，3-雙(N，N’-二縮水甘油基氨基甲基)環(huán)己烷的四官能性環(huán)氧系化合物以及六甲氧基羥甲基三聚氰胺等三聚氰胺系化合物。這些可以單獨(dú)使用，也可以并用兩種或兩種以上。
交聯(lián)劑通常在交聯(lián)劑中的官能團(tuán)數(shù)不多于丙烯酸系粘接劑中的官能團(tuán)數(shù)的范圍內(nèi)使用。但是，如果在交聯(lián)反應(yīng)中產(chǎn)生新的官能團(tuán)的情況或者交聯(lián)反應(yīng)慢的情況等，也可以根據(jù)需要過剩地使用。相對于100重量份丙烯酸系粘接劑，交聯(lián)劑的優(yōu)選含量為0.1～15重量份。當(dāng)含量少時，粘接劑層的凝集力會變得不充分，在150～200℃的彈性模量將小于1×105Pa而耐熱特性欠缺。其結(jié)果容易產(chǎn)生由粘接劑層引起的殘糊現(xiàn)象。另外，還存在粘接力過于高，用自動剝離機(jī)從金屬非制膜面剝離粘接膜時會發(fā)生剝離故障，而使被粘體破損的情況。另一方面，如果交聯(lián)劑的含量多，粘接劑層與金屬非制膜面的密合力將變?nèi)?，在金屬制膜過程中粘接膜發(fā)生剝離，污染金屬非制膜面。
除了上述共聚了特定雙官能單體的丙烯酸系粘接劑、交聯(lián)劑以外，用于本發(fā)明的粘接劑涂布液中可以在不影響本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)睾杏糜谡{(diào)節(jié)粘接特性的松香系、萜烯樹脂系等粘接性賦予劑、各種表面活性劑等。另外，當(dāng)涂布液為乳液時，也可以在不影響本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)靥砑佣叶紗瓮榛训仍炷ぶ鷦?。用作為造膜助劑的二乙二醇單烷基醚及其衍生物如果大量殘留在粘接劑層中，在清洗時將無法去除金屬非制膜面的污染，因此優(yōu)選使用易揮發(fā)性的造膜助劑，以降低在粘接劑層中的殘留量。
作為在基材膜或剝離膜的單表面涂布粘接劑涂布液的方法，可以使用以往公知的涂布方法，例如可以使用輥涂法、逆輥涂法、凹版輥涂法、棒涂法、點(diǎn)涂法、擠壓涂法等。對于所涂布粘接劑的干燥條件沒有特別限制，但通常優(yōu)選在80～200℃的溫度范圍干燥10秒～10分鐘。進(jìn)一步優(yōu)選在80～170℃的溫度范圍干燥15秒～5分鐘。為了充分地促進(jìn)交聯(lián)劑與粘接劑的交聯(lián)反應(yīng)，在粘接劑涂布液干燥后，也可以進(jìn)一步將粘接膜在40～80℃加熱5～300小時左右。
實(shí)施例下面，舉出實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)地說明本發(fā)明。其中，實(shí)施例中表示的各種物性值是按照下述方法測定的。
1.儲藏彈性模量(Pa)將粘接膜的粘接劑層部分層疊至厚度1mm，制作粘彈性測定用樣品。將樣品切斷成直徑8mm的圓形，使用動態(tài)粘彈性測定裝置(レオメトリックス社制，型號RMS-800)，在150℃和200℃測定儲藏彈性模量。測定頻率為1Hz，應(yīng)變?yōu)?.1～3％。
2.污染性評價在鏡面硅片(直徑5英寸，厚度725μm)表面，將試樣用粘接膜經(jīng)其粘接劑層粘貼到鏡面硅片的整個表面，對晶片的背面按照3.的條件制膜金屬膜。然后，剝離粘接膜(日東精機(jī)(株)制，型號HR8500II)，使用激光對焦顯微鏡(KEYENCE制，型號VF-7510、VF-7500、VP-ED100)，以250放大倍數(shù)觀察晶片表面。評價基準(zhǔn)如下?！饹]有殘糊，×有殘糊。
3.金屬制膜評價在金屬制膜裝置上安置帶有粘接膜的晶片，進(jìn)行排氣。當(dāng)腔內(nèi)達(dá)到10-5Pa時，分別開始Ti、Ni和Au的制膜。當(dāng)真空到達(dá)時間大于等于30分鐘時，不實(shí)施金屬制膜，而評價金屬制膜為×。另外，如果在30分鐘以內(nèi)到達(dá)真空，并且能夠良好的制膜任何金屬膜時，評價金屬制膜為○。
4.氣體透過度在20℃、65％濕度、1大氣壓的環(huán)境下放置樣品膜24小時后，按照J(rèn)IS K7126測定。
5.吸水率在23℃的純水中浸漬樣品24小時，用其后的增重量與浸漬前的重量比來表示。
另外，金屬氧化膜層的形成是按照下述的方法進(jìn)行。
在氧氣存在下，將硅、鈦及鋁真空蒸鍍到基材膜上，形成氧化膜。氧化膜的厚度制膜成為10nm。
實(shí)施例1
在形成有鋁的氧化膜層10nm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，氣體透過度4.8cc/m2·day·atm，吸水率0.05重量％)的未形成氧化膜層的側(cè)，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜1。
粘接劑層使用相對于100重量份的與交聯(lián)劑形成交聯(lián)點(diǎn)的官能團(tuán)單體(丙烯酸)5.0重量％、控制粒子內(nèi)凝集力的雙官能團(tuán)單體(ADET-1800)5.0重量％、丙烯酸酯(甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯)90重量％的乳液共聚物，混合5.0重量份交聯(lián)劑(聚甘油聚縮水甘油醚)的粘接劑。
在鏡面硅片上粘貼粘接膜1，分別實(shí)施Ti、Ni及Au的金屬制膜。各金屬制膜是在壓力小于等于10-5Pa、腔內(nèi)溫度120～150℃的條件下進(jìn)行。Ni制膜是在稍微高的溫度進(jìn)行。制膜后，剝離粘接膜1，評價鏡面硅片的污染性。將結(jié)果示于表1。
實(shí)施例2在層疊了形成有鋁的氧化膜層10nm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，氣體透過度4.8cc/m2·day·atm，吸水率0.05重量％)的未形成氧化膜層的面與乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的膜(厚度120μm)的基材膜上，將在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)形成于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物層側(cè)，制作粘接膜2。
粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例3制作層疊了形成有鋁的氧化膜層10nm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，氣體透過度4.8cc/m2·day·atm，吸水率0.05重量％)的未形成氧化膜層的面與聚乙烯膜(厚度50μm)的層疊膜，在聚乙烯膜側(cè)形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜3。
粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例4
在形成有鈦的氧化膜層10nm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，氣體透過度4.65cc/m2·day·atm，吸水率0.05重量％)的基材膜的未形成氧化膜層的面，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20m)，制作粘接膜4。
粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例5在形成有硅的氧化膜層10nm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，氣體透過度0.80cc/m2·day·atm，吸水率0.05重量％)的基材膜的未形成氧化膜層的面，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜5。
粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例6在液晶聚合物膜(注冊商標(biāo)ベクスタ一，クラレ株式會社制，厚度50μm，氣體透過度0.30cc/m2·day·atm，吸水率0.04重量％)上，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜6。
粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例7在層疊了液晶聚合物膜(注冊商標(biāo)ベクスタ一，クラレ株式會社制，厚度50μm，氣體透過度0.30cc/m2·day·atm，吸水率0.04重量％)和乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜(厚度120μm)的基材膜的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜面，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜7。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例8在按照液晶聚合物膜(注冊商標(biāo)ベクスタ一，クラレ株式會社制，厚度50μm，氣體透過度0.30cc/m2·day·atm，吸水率0.04重量％)、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜(厚度120μm)的順序?qū)盈B的基材膜的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜面，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜8。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1進(jìn)行同樣的評價。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例9在按照液晶聚合物膜(注冊商標(biāo)ベクスタ一，クラレ株式會社制，厚度50μm，氣體透過度0.30cc/m2·day·atm，吸水率0.04重量％)、聚萘二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜(厚度120μm)的順序?qū)盈B的基材膜的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜面，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜9。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。與實(shí)施例1進(jìn)行同樣的評價。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例10在層疊了液晶聚合物膜(注冊商標(biāo)ベクスタ一，クラレ株式會社制，厚度50μm，氣體透過度0.30cc/m2·day·atm，吸水率0.04重量％)和聚乙烯膜(厚度50μm)的基材膜上，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜10。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1進(jìn)行同樣的評價。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例11在液晶聚合物膜(注冊商標(biāo)ベクスタ一，クラレ株式會社制，厚度100μm，氣體透過度0.95cc/m2·day·atm，吸水率0.04重量％)上，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜11。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1進(jìn)行同樣的評價。將得到的結(jié)果示于表1。
實(shí)施例12在液晶聚合物膜(注冊商標(biāo)ベクスタ一，クラレ株式會社制，厚度50μm，氣體透過度0.35cc/m2·day·atm，吸水率0.95重量％)上，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜12。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。
與實(shí)施例1進(jìn)行同樣的評價。將得到的結(jié)果示于表1。
比較例1在未形成氧化膜層的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，氣體透過度50cc/m2·day·atm，吸水率0.05重量％)上，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜13。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表2。
比較例2制作在形成有鋁的氧化膜層10nm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，氣體透過度5.3cc/m2·day·atm，吸水率0.05重量％)的未形成氧化膜層的面，具有在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)的粘接膜14。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表2。
比較例3在層疊了聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，氣體透過度50cc/m2·day·atm，吸水率0.05重量％)與乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜(厚度120μm，氣體透過度40cc/m2·day·atm)的基材膜的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物層側(cè)，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜15。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表2。
比較例4層疊聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度50μm，氣體透過度50cc/m2·day·atm，吸水率0.05重量％)與聚乙烯膜(厚度50μm，氣體透過度6.0cc/m2·day·atm)，在聚乙烯側(cè)形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜16。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。與實(shí)施例1同樣地實(shí)施金屬制膜。將得到的結(jié)果示于表2。
比較例5
在聚酰亞胺膜(厚度50μm，氣體透過度490cc/m2·day·atm，吸水率2.0重量％)上，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜17。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的實(shí)驗(yàn)。將得到的結(jié)果示于表2。
比較例6在聚苯硫醚膜(厚度50μm，氣體透過度250cc/m2·day·atm，吸水率0.1重量％)上，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜18。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的實(shí)驗(yàn)。將得到的結(jié)果示于表2。
比較例7在聚丙烯膜(厚度50μm，氣體透過度2000cc/m2·day·atm，吸水率0.8重量％)上，形成在150℃的儲藏彈性模量為5.5×105Pa的粘接劑層(20μm)，制作粘接膜19。粘接劑層使用與實(shí)施例1相同的粘接劑。進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的實(shí)驗(yàn)。將得到的結(jié)果示于表2。
表1

接下頁表1，接上頁

表2

接下頁表2，接上頁

產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明涉及防止半導(dǎo)體晶片在金屬制膜時的金屬非制膜面的損傷，還能夠減少晶片表面污染的粘接膜，通過用本發(fā)明的粘接膜保護(hù)金屬非制膜面，在半導(dǎo)體制造工序中可以省卻使用溶劑的清洗工序，進(jìn)而還可以減少金屬非制膜面的污染性，因此生產(chǎn)率和作業(yè)性得以提高，從產(chǎn)業(yè)上來講是有用的發(fā)明。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜方法，其特征為，通過把在至少具有1層氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的單表面形成有粘接劑層的粘接膜，粘貼到半導(dǎo)體晶片電路形成面(金屬非制膜面)，而進(jìn)行金屬制膜。
2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜方法，其特征為，基材膜具有金屬膜層或金屬氧化膜層，并且具有至少1層氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜。
3.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜方法，其特征為，基材膜具有至少1層氣體透過度小于等于1.0cc/m2·day·atm，并且吸水率小于等于1.0重量％的膜。
4.權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜方法，其特征為，所述基材膜進(jìn)一步具有1層選自乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯及聚乙烯中的膜。
5.權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜方法，其特征為，所述粘接劑層為在150℃的儲藏彈性模量大于等于1×105Pa的粘接劑層。
6.半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜用粘接膜，其特征為，在至少具有1層氣體透過度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的單表面形成有粘接劑層。
7.半導(dǎo)體晶片電路非形成面的金屬制膜用粘接膜，其特征為，在至少具有1層氣體透過度小于等于1.0cc/m2·day·atm，并且吸水率小于等于1.0重量％的膜的基材膜的單表面形成有粘接劑層。
全文摘要
本發(fā)明涉及防止半導(dǎo)體晶片在金屬制膜時的金屬非制膜面的損傷，還能夠減少晶片表面污染的粘接膜。通過用在至少層疊1層氣體透過度小于等于5.0cc/m
文檔編號C09J7/02GK1846295SQ200480024999
公開日2006年10月11日 申請日期2004年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月1日
發(fā)明者才本芳久, 片岡真, 五十嵐康二, 早川慎一 申請人:三井化學(xué)株式會社