專利名稱：拋光組合物的用途和拋光存儲(chǔ)器硬盤的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種拋光組合物，它適合用在存儲(chǔ)器硬盤(即計(jì)算機(jī)所用存儲(chǔ)設(shè)備的磁盤)的制造中，對(duì)其基片表面進(jìn)行精拋光(finish polish)。具體而言，本發(fā)明涉及一種拋光組合物，它適用于對(duì)由Ni-P磁盤、Ni-Fe磁盤、鋁磁盤、碳化硼磁盤和碳磁盤代表的存儲(chǔ)器硬盤所用的磁盤基片(下文稱為“基片”)進(jìn)行精拋光，它用于生產(chǎn)工藝中時(shí)，既可以防止微凸起、微凹坑和其它表面缺陷的形成，而且其拋光速率并不比常規(guī)拋光組合物低，同時(shí)可以得到優(yōu)良的拋光加工表面，適用于容量高、記錄密度高的磁盤裝置。
背景技術(shù)：
用于磁盤設(shè)備作為計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存介質(zhì)等的存儲(chǔ)器硬盤，逐年都有尺寸更小且容量更大的趨勢(shì)，磁介質(zhì)利用濺鍍、電鍍或類似方法由傳統(tǒng)的涂覆型介質(zhì)轉(zhuǎn)變成薄膜介質(zhì)。
目前使用很廣泛的基片，是在坯料(blank material)上進(jìn)行無(wú)電Ni-P敷鍍得到的。所用坯料的制法，是由基片材料鋁等成形的基板，采用一個(gè)對(duì)角車床(diatum)進(jìn)行車床加工得到所需的平行度或平面度，用SiC磨料粘合制得的PVA磨石進(jìn)行研磨或者其它方法進(jìn)行加工。然而，通過(guò)上述種種成形方法不可能完全除去表面上較大的波度。因此，當(dāng)向這種坯料進(jìn)行無(wú)電Ni-P敷鍍時(shí)，會(huì)沿著這些波度形成薄膜，所得的底材也就具有波度。進(jìn)行拋光就是為了除去基片上的這些波度并使表面光滑。
隨著存儲(chǔ)器硬盤容量的增加，記錄面積密度也以每年數(shù)十％的速率增加。因此，在存儲(chǔ)器硬盤上由一預(yù)定量記錄信息所占據(jù)的空間就非常小，進(jìn)行記錄所需的磁力也趨于變?nèi)?。所以，最近的磁盤設(shè)備需要縮短磁頭浮動(dòng)高度(即磁頭和存儲(chǔ)器硬盤之間的距離)，磁頭浮動(dòng)高度現(xiàn)在已經(jīng)降低至不高于0.02微米的水平。
此外，在拋光之后可以對(duì)基片進(jìn)行所謂的紋理化(texturing)加工以形成同心的紋理，其目的是防止用于讀寫信息的磁頭粘著在存儲(chǔ)器硬盤上，或者防止對(duì)基片表面進(jìn)行拋光時(shí)可能形成的在不同于存儲(chǔ)器硬盤旋轉(zhuǎn)的方向上的紋理而使存儲(chǔ)器硬盤的磁場(chǎng)變得不均勻。近年來(lái)，進(jìn)行輕紋理化加工來(lái)減少基片上的紋理，以進(jìn)一步縮短磁頭的浮動(dòng)高度，而且現(xiàn)在已在使用沒(méi)有經(jīng)過(guò)起紋理加工的未經(jīng)起紋理的基片。人們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出支持磁頭浮動(dòng)高度縮短的技術(shù)，所以磁頭浮動(dòng)高度的縮短比以前進(jìn)展得更快了。
磁頭是沿著非?？焖傩D(zhuǎn)的存儲(chǔ)器硬盤表面的形狀上浮動(dòng)的。如果存儲(chǔ)器硬盤表面上有幾微米程度的微凸起的話，就容易發(fā)生所謂的“磁頭壓碎”，磁頭撞擊在這些凸起上，由此損壞了磁頭和/或存儲(chǔ)器硬盤表面上的磁介質(zhì)，從而導(dǎo)致磁盤設(shè)備的工作發(fā)生故障或讀寫信息的錯(cuò)誤。
另一方面，如果存儲(chǔ)器硬盤上存在凹坑的話，就不能完整地寫下信息，由此導(dǎo)致信息缺損或信息讀出的失敗，即所謂“信息丟失”的問(wèn)題。
此處的“凹坑”或是最初存在于基片上的，或是因拋光在基片表面上形成的，微凹坑是直徑小于約10微米的凹坑。
因此，在形成磁介質(zhì)之前的步驟(即拋光步驟)中，降低基片表面的粗糙度是很重要的，同時(shí)還必須完全除去較大的波度、微凸起或微凹以及其它表面缺陷。
為了上述目的，迄今為止通常使用拋光組合物(下文由其性質(zhì)稱其為“漿液”)通過(guò)一步拋光操作來(lái)進(jìn)行拋光，所述拋光組合物包含氧化鋁或其它各種磨料和水以及各種拋光促進(jìn)劑。例如，JP-B64-436和JP-B-2-23589揭示了一種用于存儲(chǔ)器硬盤的拋光組合物，它是向水和氧化鋁中加入作為拋光促進(jìn)劑的硝酸鋁、硝酸鎳或硫酸鎳，混合形成漿液制成的。此外，JP-B-4-38788揭示了一種用于鋁磁盤的酸性拋光組合物，它是向水和氧化鋁磨料細(xì)粉中加入作為拋光促進(jìn)劑的葡糖酸或乳酸和作為表面改性劑的膠體氧化鋁制成的。JP-A-7-216345還揭示了一種包含水、氧化鋁磨料和拋光促進(jìn)劑的拋光組合物，其中拋光促進(jìn)劑包含一種鉬酸鹽和一種有機(jī)酸。
然而，使用任何一種上述拋光組合物，都很難在一步拋光中滿足以下所有要求除去基片表面上較大的波度和表面缺陷，在預(yù)定的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行精加工將表面粗糙度降低至非常低的水平，防止形成微凸起、微凹坑和其它表面缺陷。因此，現(xiàn)在研究的拋光方法包含至少兩個(gè)步驟。
為了兩步進(jìn)行拋光，第一步拋光的主要目的是除去基片表面上的較大波度、大的凹坑和其它表面缺陷，即進(jìn)行修整或整形。因此，第一步拋光需要這樣的拋光組合物，它不是降低表面粗糙度，而是加工和消除大的波度或表面缺陷的能力很強(qiáng)，但幾乎不會(huì)形成用第二步精拋光不能除去的深劃痕。
第二步拋光(即精拋光)的目的是將基片的表面粗糙度降至最小。為此目的，這第二步拋光組合物，重要的是能夠降低表面粗糙度并防止形成微凸起、微凹坑和其它表面缺陷，而不是具有第一步拋光所需要的很強(qiáng)的加工或消除大的波度或表面缺陷的能力。此外，從生產(chǎn)率角度來(lái)看，拋光速率高同樣也是重要的。就本發(fā)明的發(fā)明人所知，用常規(guī)的兩步拋光法，可以在第二步拋光中得到表面粗糙度小的基片表面，但是拋光速率不是非常低不適合實(shí)際生產(chǎn)，就是難以防止形成微凸起、微凹坑或其它表面缺陷。
表面粗糙度的程度由基片的制備方法、作為存儲(chǔ)器硬盤的最終存儲(chǔ)容量和其它條件決定。根據(jù)所需表面粗糙度的程度也可以使用包含兩步以上的拋光工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是解決上述問(wèn)題并提供一種拋光組合物，它能夠在對(duì)存儲(chǔ)器硬盤的基片進(jìn)行精拋光的過(guò)程中防止形成微凸起、微凹坑和其它表面缺陷，其拋光速率不低于常規(guī)拋光組合物，同時(shí)能夠得到優(yōu)良的拋光加工表面，用于容量和存儲(chǔ)密度都高的磁盤設(shè)備。
本發(fā)明提供一種用于存儲(chǔ)器硬盤的拋光組合物，它包含水和選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，該組合物還含有丁二酸或其鹽溶解于其中。
本發(fā)明還提供將上述拋光組合物作為存儲(chǔ)器硬盤拋光組合物的用途。
本發(fā)明提供一種對(duì)存儲(chǔ)器硬盤進(jìn)行拋光的方法，其中將上述拋光組合物用作對(duì)存儲(chǔ)器硬盤進(jìn)行拋光的組合物。
本發(fā)明的拋光組合物能夠在對(duì)存儲(chǔ)器硬盤的基片進(jìn)行精拋光的過(guò)程中防止形成微凸起、微凹坑和其它表面缺陷，拋光速率不低于常規(guī)拋光組合物，同時(shí)能夠得到優(yōu)良的拋光加工表面。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)參考一些較佳實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)說(shuō)明。
磨料在本發(fā)明拋光組合物的各組分中，適用的主要磨料選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳。氧化鋁包括α-氧化鋁、δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、κ-氧化鋁和其它不同形態(tài)的物質(zhì)。此外，還有一種因其制備方法而得名的煅制氧化鋁(fumed alumina)。
二氧化硅包括膠體二氧化硅、煅制二氧化硅(fumed silica)和許多性質(zhì)或制備方法不同的其它類型的二氧化硅。
氧化鈰根據(jù)氧化數(shù)劃分，有三價(jià)氧化鈰和四價(jià)氧化鈰，根據(jù)晶系劃分，有六方晶系、等軸晶系和面心立方晶系。
氧化鋯根據(jù)晶系劃分，有單斜晶系、四方晶系和非晶態(tài)。此外，還有一種因其制備方法而得名的煅制氧化鋯(fumed zirconia)。
氧化鈦根據(jù)晶系劃分，有一氧化鈦、三氧化二鈦、二氧化鈦等。此外，還有一種因其制備方法而得名的煅制二氧化鈦(fumed titania)。
氮化硅包括α-氮化硅、β-氮化硅、非晶態(tài)氮化硅和其它不同形態(tài)的物質(zhì)。
二氧化錳根據(jù)形態(tài)劃分，有α-二氧化錳、β-二氧化錳、γ-二氧化錳、δ-二氧化錳、ε-二氧化錳、η-二氧化錳等。
對(duì)于本發(fā)明的組合物，可任選地使用上述這些磨料，如有必要也可以任意組合使用。當(dāng)它們組合使用時(shí)，具體的組合和比例并無(wú)特別限制。
上述磨料是以其磨粒通過(guò)機(jī)械作用對(duì)被拋光表面進(jìn)行拋光的。其中二氧化硅的粒度通常為0.005-0.5微米，較好為0.01-0.2微米，該粒度是由BET方法測(cè)量的表面積得到的平均粒度。同樣地，氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅或二氧化錳的粒度通常為0.005-0.5微米，較好為0.05-0.5微米，也是由BET方法測(cè)量的表面積得到的平均粒度。此外，氧化鈰的粒度通常為0.01-0.5微米，較好為0.05-0.45微米，是用掃描電子顯微鏡觀察計(jì)數(shù)得到的平均粒度。
如果這些磨料的平均粒度超過(guò)上述各自范圍的話，就會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題，經(jīng)拋光表面的表面粗糙度太大，或者容易形成劃痕。另一方面，如果平均粒度小于上述各自范圍，拋光速率會(huì)非常低，無(wú)法實(shí)際采用。
拋光組合物中磨料的含量通常為0.1-50％(重量)，較好為1-25％(重量)，以組合物的總量計(jì)。如果磨料含量太少的話，會(huì)形成微凸起或微凹坑以及其它表面缺陷，且拋光速率會(huì)很低。另一方面，如果磨料含量太高，往往很難保持均勻的分散，而且組合物的粘度會(huì)過(guò)大，加工困難。
丁二酶或其鹽本發(fā)明的拋光組合物還含有丁二酸或其鹽。在本發(fā)明的拋光組合物中，丁二酸作為拋光促進(jìn)劑通過(guò)化學(xué)作用來(lái)促進(jìn)拋光作用。使用的丁二酸或其鹽可以是任選的，只要它們能夠溶解于組合物中。具體而言，它可以是例如丁二酸、丁二酸鈉、丁二酸鉀或丁二酸銨。
本發(fā)明拋光組合物中丁二酸或其鹽的含量根據(jù)其類型而異，但較好的是0.01-10％(重量)，更好的是0.05-5％(重量)，最好的是0.1-3％(重量)，以拋光組合物的總量計(jì)。隨著丁二酸或其鹽含量的增加，拋光速率會(huì)增加，微凹坑的形成也會(huì)減少。然而，若過(guò)分地增加用量，本發(fā)明的效果不一定能增加，卻會(huì)在經(jīng)濟(jì)上不合算。另一方面，如果含量太少的話，將難以充分地防止微凸起、微凹坑和其它表面缺陷的形成，而且不能得到足夠的拋光速率。
氧化鋁溶膠本發(fā)明的拋光組合物還可以含有氧化鋁溶膠。用于本發(fā)明的氧化鋁溶膠是一種水合氧化鋁或氫氧化鋁以膠體狀態(tài)分散于酸性水溶液中的溶膠。水合氧化鋁包括勃姆石、假勃姆石(pseudo boehmite)、水鋁石、土石膏、鎂磷鈣鋁石等。用于本發(fā)明組合物的氧化鋁溶膠，特別好的是勃姆石或假勃姆石分散在酸性水溶液中的溶膠。
本發(fā)明拋光組合物中氧化鋁溶膠的含量較好的是0.01-20％(重量)，更好的是0.05-15％(重量)，最好的是0.1-10％(重量)，以組合物的總量計(jì)。隨著氧化鋁溶膠含量的增加，微凹坑和其它表面缺陷的形成會(huì)減少。然而，若過(guò)多地增加用量，并不能再增加本發(fā)明的效果，經(jīng)濟(jì)上卻不合算。
拋光組合物本發(fā)明的拋光組合物通常如下制備將選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳的磨料以一定的含量混合分散在水中，再溶解丁二酸或其鹽。如有必要，還可以向漿液中混入氧化鋁溶膠加以分散。將這些組分分散或溶解于水的方法是可任意選擇的。例如，它們可以通過(guò)超聲分散或者用葉片型攪拌器進(jìn)行攪拌來(lái)分散。此外，混入這些組分的順序不受限制，分散磨料、溶解丁二酸或其鹽以及混合并分散氧化鋁溶膠(若使用)，順序不受限制，也可同時(shí)進(jìn)行。
此外，還可以加入多種已知添加劑，用來(lái)穩(wěn)定或保持產(chǎn)品的質(zhì)量，或者如有必要根據(jù)被拋光物體的類型，用來(lái)穩(wěn)定或保持拋光條件和拋光的其它需求。
以下是可以作為這些其它添加劑的合適例子(a)纖維素類，如纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素等，(b)水溶性醇類，如乙醇、丙醇、乙二醇等，(c)表面活性劑，如烷基苯磺酸鈉、萘磺酸的甲醛水縮合物等，(d)有機(jī)多陰離子物質(zhì)，如木素磺酸鈉、聚丙烯酸酯等，(e)水溶性聚合物(乳化劑)，如聚乙烯醇等，(f)螯合劑，如丁二酮肟、雙硫腙、喔星、乙酰丙酮、甘氨酸、EDTA、NTA等，(g)殺菌劑，如藻酸鈉、碳酸氫鉀等。
此外，上述適用于本發(fā)明拋光組合物的磨料、丁二酸或其鹽以及或可采用的氧化鋁溶膠都可以作為輔助性添加劑，用于上述目的以外的目的，如用于防止磨料的沉淀。
此外，本發(fā)明的拋光組合物可以較高濃度儲(chǔ)液的形式制備、貯存或運(yùn)輸，而在實(shí)際拋光操作時(shí)稀釋使用。上述較佳范圍的濃度是指實(shí)際拋光操作中用的濃度。不用說(shuō)，組合物在實(shí)際使用時(shí)要稀釋的情況下，該組合物在貯存或運(yùn)輸時(shí)是較高濃度的溶液。此外，從儲(chǔ)運(yùn)效率的角度來(lái)看，制成濃縮形式更為適宜。
JP-B-4-38788記載，即使向包含水、平均粒度0.5-15微米的氧化鋁和氧化鋁溶膠的拋光組合物中加入丁二酸，也不可能防止在拋光操作中形成微凸起、微凹坑和其它表面缺陷。從這個(gè)記載來(lái)看，本發(fā)明的拋光組合物能夠防止這些表面缺陷的形成是令人驚奇的。具體的機(jī)理不很清楚，但是可以用Ni-P敷鍍的基片作為例子進(jìn)行以下說(shuō)明。
首先，關(guān)于能夠防止微凸起、微凹坑和其它表面缺陷形成的原因，丁二酸或其鹽具有促進(jìn)磨料機(jī)械拋光效果的作用，雖然這一作用對(duì)大磨粒不很充分但它對(duì)于較小磨粒是有效的。這一作用又會(huì)通過(guò)加入氧化鋁溶膠來(lái)增強(qiáng)，可以認(rèn)為這是由于以下原因氧化鋁溶膠粘著在組合物中磨料的表面上或者以膠體狀態(tài)分散于組合物的磨粒中間，因此能夠產(chǎn)生優(yōu)良的磨料分散狀態(tài)，這對(duì)于較小的磨粒特別有效。
另一方面，關(guān)于能夠得到表面粗糙度小的優(yōu)良拋光表面的原因，可以認(rèn)為，由于使用較小平均粒度的磨料和丁二酸或其鹽的上述效果，幾乎不會(huì)形成微凸起、微凹坑和其它表面缺陷，可以得到?jīng)]有劃痕的待涂覆的光滑表面。
此外，在本發(fā)明拋光組合物含有氧化鋁溶膠的情況下，氧化鋁溶膠會(huì)淀積在組合物中磨粒的表面上，從而促進(jìn)磨料的機(jī)械拋光作用，因此可以防止被拋光表面上形成微凸起、微凹坑和其它表面缺陷。此外，氧化鋁溶膠又可以膠體狀態(tài)分散在組合物的磨粒中間，起到防止磨料穩(wěn)定沉降的作用，它還起到了調(diào)節(jié)組合物粘度或使磨粒易于保持在拋光墊上的作用。
現(xiàn)在結(jié)合一些實(shí)施例對(duì)本發(fā)明拋光組合物作進(jìn)一步描述。但應(yīng)該理解，本發(fā)明根本不限于這些具體實(shí)施例。
制備拋光組合物首先，將表1中所示的氧化鋁作為磨料通過(guò)攪拌器分散在水中，得到磨料濃度為10％(重量)的漿液。另一方面，向含1％(重量)丁二酸的水溶液加入10％(重量)的勃姆石水合氧化鋁，并用均化器分散成膠體狀態(tài)，得到氧化鋁溶膠。
混合漿液和水，如有必要加入氧化鋁溶膠或其它添加劑，制備實(shí)施例1-4和比較例1-3的樣品。
制備用于拋光試驗(yàn)的基片為了使用上述拋光組合物來(lái)進(jìn)行拋光試驗(yàn)而制備基片。為了用兩步拋光法進(jìn)行評(píng)價(jià)，首先如下制備試驗(yàn)基片。
拋光條件(第一步)被拋光物體3.5英寸無(wú)電Ni-P敷鍍的基片拋光的基片數(shù)10片拋光機(jī)雙面拋光機(jī)(劃線臺(tái)直徑640毫米)拋光墊Politex DG(由Rodel Inc.U.S.A制造)拋光壓力80g/cm2劃線臺(tái)旋轉(zhuǎn)速度60rpm拋光組合物DISKLITE-3471(由FUJIMI INCORPORATED制造)組合物的稀釋1∶2的純水拋光組合物供應(yīng)量100cc/min拋光時(shí)間5分鐘拋光試驗(yàn)然后，用經(jīng)過(guò)第一步驟以上述拋光組合物進(jìn)行了拋光的基片在以下條件下進(jìn)行拋光試驗(yàn)拋光條件(第二步)被拋光物體3.5英寸無(wú)電Ni-P敷鍍的基片(經(jīng)過(guò)第一步的拋光)拋光的基片數(shù)15片拋光機(jī)雙面拋光機(jī)(劃線臺(tái)直徑700毫米)拋光墊Politex DG(由Rodel Inc.U.S.A制造)拋光壓力60g/cm2劃線臺(tái)旋轉(zhuǎn)速度60rpm拋光組合物供應(yīng)量150cc/min拋光時(shí)間5分鐘拋光之后，接著洗滌和干燥基片，然后測(cè)量基片由于拋光減少的重量，再由此重量降低的平均值得到拋光速率。此外，通過(guò)差示干涉顯微鏡(400倍率)觀察基片表面，測(cè)量是否形成了微凹坑。評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)如下◎未觀察到微凹坑。
○未觀察到明顯的微凹坑。
×觀察到明顯的微凹坑已達(dá)到產(chǎn)生問(wèn)題的程度。
所得結(jié)果示于表1中。
表1

由表1中所示結(jié)果可見(jiàn)，本發(fā)明的拋光組合物用于對(duì)基片進(jìn)行表面拋光時(shí)，可以得到優(yōu)良的拋光表面，幾乎不形成微凹坑，且拋光速率不低于常規(guī)拋光組合物。
如上所述，本發(fā)明的拋光組合物在對(duì)存儲(chǔ)器硬盤的基片進(jìn)行精拋光的過(guò)程中能夠防止形成微凹坑和其它表面缺陷，且拋光速率不低于常規(guī)拋光組合物，能夠形成優(yōu)良的拋光表面。
權(quán)利要求
1.一種拋光組合物用于拋光存儲(chǔ)器硬盤的用途，該組合物包含水和選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，該組合物還含有丁二酸或其鹽溶解于其中。
2.如權(quán)利要求1所述的用途，其特征在于所述組合物還包含氧化鋁溶膠。
3.如權(quán)利要求1或2所述的用途，其特征在于所述磨料是選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，其由BET方法測(cè)量的表面積得到的平均粒度為0.005-0.5微米。
4.如權(quán)利要求1或2所述的用途，其特征在于所述磨料為氧化鈰，其由掃描電子顯微鏡觀察得到的平均粒度為0.01-0.5微米。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的用途，其特征在于磨料的含量為0.1-50重量％，以拋光組合物的重量計(jì)。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的用途，其特征在于丁二酸或其鹽的含量為0.01-10重量％，以拋光組合物的重量計(jì)。
7.如權(quán)利要求2-6中任一項(xiàng)所述的用途，其特征在于氧化鋁溶膠的含量為0.01-20重量％，以拋光組合物的重量計(jì)。
8.一種拋光存儲(chǔ)器硬盤的方法，該方法使用了一種用于存儲(chǔ)器硬盤的拋光組合物，該組合物包含水和選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，該組合物還含有丁二酸或其鹽溶解于其中。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述組合物還包含氧化鋁溶膠。
10.如權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于所述磨料是選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，其由BET方法測(cè)量的表面積得到的平均粒度為0.005-0.5微米。
11.如權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于所述磨料為氧化鈰，其由掃描電子顯微鏡觀察得到的平均粒度為0.01-0.5微米。
12.如權(quán)利要求8-11中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于磨料的含量為0.1-50重量％，以拋光組合物的重量計(jì)。
13.如權(quán)利要求8-12中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于丁二酸或其鹽的含量為0.01-10重量％，以拋光組合物的重量計(jì)。
14.如權(quán)利要求9-13中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于氧化鋁溶膠的含量為0.01-20重量％，以拋光組合物的重量計(jì)。
全文摘要
公開(kāi)了一種拋光組合物用于拋光存儲(chǔ)器硬盤的用途，該組合物包含水和選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，該組合物還含有丁二酸或其鹽溶解于其中。還公開(kāi)了一種拋光存儲(chǔ)器硬盤的方法，該方法使用了一種用于存儲(chǔ)器硬盤的拋光組合物，該組合物包含水和選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，該組合物還含有丁二酸或其鹽溶解于其中。
文檔編號(hào)C09K3/14GK1515640SQ0310099
公開(kāi)日2004年7月28日 申請(qǐng)日期1999年6月15日 優(yōu)先權(quán)日1998年6月15日
發(fā)明者谷克己 申請(qǐng)人:不二見(jiàn)株式會(huì)社