觀察晶錠生長過程的視見部件及包括其的晶錠生長裝置的制造方法
【專利摘要】一種用于觀察晶錠生長過程的視見部件，根據(jù)實施方式，所述視見部件用于觀察腔室的內(nèi)部，所述腔室提供了進行晶錠生長過程的空間，所述視見部件包括：主體部，所述主體部布置在所述腔室的一側(cè)，并且具有與所述腔室的內(nèi)部相連的孔；窗口，所述窗口插入所述主體部的孔中以維持所述腔室的密封狀態(tài)，并且使光從所述腔室的內(nèi)部透過所述窗口；以及窗口吹掃部，安裝在所述主體部的側(cè)表面上來形成空氣幕以防止外部空氣進入所述窗口。根據(jù)實施方式，所提出的視見部件具有的優(yōu)點是：不僅防止玻璃的污染還能對污染的玻璃進行自清潔。因此，通過所述視見部件能夠清楚地觀察在所述腔室的內(nèi)部生長的晶錠，并且因此基于準確觀察的過程數(shù)據(jù)來確定過程條件，從而生產(chǎn)高質(zhì)量的晶錠。
【專利說明】
觀察晶錠生長過程的視見部件及包括其的晶錠生長裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種用于觀察晶錠生長的視見部件以及包括該視見部件的晶錠生長
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]硅單晶晶錠為常見的晶片材料，其利用丘克拉斯基法(CZ法)來制備。
[0003]CZ法為晶錠生長方法，該晶錠生長方法通過將硅放置在石英坩禍中，對石英坩禍進行加熱以引起硅的熔融，以及隨后在使晶種晶體與硅熔體接觸的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)并且逐步地提拉晶種晶體來使硅熔體在晶種單晶表面上固化，從而生長出預定的直徑的晶錠的生長。
[0004]這種晶錠生長裝置設置在腔室的內(nèi)部。該腔室設置了在其內(nèi)進行預定過程以生長用于晶片的晶錠的空間，該晶片用在電組件(諸如半導體)的材料中。
[0005]此外，由于腔室是密封的以防止污染物進入到腔室的內(nèi)部并且維持內(nèi)部氣氛，所以在腔室的一側(cè)安裝有單獨的視見部件，用于觀察在腔室的內(nèi)部生長的晶錠。
[0006]通過這些視見部件，通過裸眼能夠觀察晶錠的生長，并且通過直徑測量傳感器、熔融間隙(Μ/G)測量傳感器等能夠測量過程數(shù)據(jù)，諸如生長的晶錠的直徑、熔融間隙(meltgap) ο
[0007]下文中，由于過程條件(諸如晶錠提拉速度、加熱器功率等)在考慮上述測量的實時過程數(shù)據(jù)來確定，所以腔室內(nèi)部的過程數(shù)據(jù)的準確測量是決定晶錠質(zhì)量的重要因素。
[0008]然而，問題在于，腔室內(nèi)部的石英坩禍中產(chǎn)生的氣體或汽化的摻雜劑會導致污染視見部件的玻璃污染。
[0009]具體地，由于汽化的摻雜劑導致玻璃的下表面的污染以及不透明，所以難以觀察到腔室的內(nèi)部并且導致過程數(shù)據(jù)(諸如通過視見部件測得的直徑)的錯誤。
[0010]為了防止這種錯誤，雖然提出一種用于調(diào)節(jié)傳感器的移動速度、傳感器的靈敏性等的方法，但是仍然不足以降低該錯誤的影響。
[0011]因此，問題在于:根據(jù)這些不準確的過程數(shù)據(jù)確定的過程數(shù)據(jù)導致生長的晶錠的質(zhì)量劣化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明解決上述問題，并且提供了一種視見部件和包括該視見部件的晶錠生長裝置，所述視見部件通過防止窗口污染能夠準確地觀察晶錠的生長。
[0013]本實施方式的用于觀察晶錠生長過程的視見部件為用于觀察腔室的內(nèi)部的視見部件，所述腔室提供用于在其內(nèi)進行晶錠的生長過程的空間，所述視見部件包括:主體部，所述主體部布置在所述腔室的一側(cè)，并且具有與所述腔室的內(nèi)部相連的孔;窗口，所述窗口插入所述主體部的孔中以維持所述腔室的密封狀態(tài)，并且使光從所述腔室的內(nèi)部透過所述窗口 ；以及窗口吹掃部，所述窗口吹掃部布置在所述主體部的一側(cè)，并且形成空氣幕以防止外部空氣接近所述窗口。
[0014]本實施方式的晶錠生長裝置包括:腔室，所述腔室設置有用于在其內(nèi)進行晶錠生長過程的空間，并且是密封的；石英坩禍，所述石英坩禍布置在所述腔室的內(nèi)部并且用于容納硅熔體;提拉構(gòu)件，所述提拉構(gòu)件通過使晶種浸漬在所述硅熔體中、旋轉(zhuǎn)晶種以及提拉晶種來引起所述晶錠的生長；以及視見部件，所述視見部件安裝在所述腔室的一側(cè)并且使所述腔室的內(nèi)部的光透過以能夠觀察所述腔室的內(nèi)部的過程條件;其中，所述視見部件包括:主體部，所述主體部布置在所述腔室的一側(cè)，并且具有與所述腔室的內(nèi)部相連的孔;窗口，所述窗口插入所述主體部的孔中以維持所述腔室的密封狀態(tài)并且使光從所述腔室的內(nèi)部透過所述窗口；以及窗口吹掃部，所述窗口吹掃部布置在所述主體部的一側(cè)并且形成空氣幕以防止外部空氣接近所述窗口。
[0015]所提出的實施方式的視見部件具有的優(yōu)點是:防止玻璃的污染并且對所述視見部件的污染的玻璃進行自清潔。
[0016]通過所述視見部件可清楚地觀察在所述腔室的內(nèi)部生長的晶錠。
[0017]此外，通過所述視見部件，可準確地測量腔室內(nèi)部的過程數(shù)據(jù)，諸如，生長的晶錠的直徑。
[0018]因此，本實施方式具有的優(yōu)點是:憑借準確測量的過程數(shù)據(jù)，通過確定晶錠生長過程條件能夠生產(chǎn)高質(zhì)量的晶錠。
【附圖說明】
[0019]圖1為示出了晶錠生長裝置的示意圖。
[0020]圖2為示出了目標直徑測量值與通用晶錠生長裝置的直徑測量值之間差異的圖表;以及示出了目標提拉速度與通用晶錠生長裝置的平均提拉速度之間差異的圖表。
[0021]圖3為示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的晶錠生長裝置的橫截面的示意圖，在該晶錠生長裝置中，安裝有窗口吹掃部。
[0022]圖4為示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的視見部件的平面圖，所述視見部件形成有效的空氣幕。
[0023]圖5為示出了從上側(cè)看的根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的窗口吹掃部的橫截面立體圖。
[0024]圖6為示出了從側(cè)面看的根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的窗口吹掃部的橫截面立體圖。
[0025]圖7為示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的窗口吹掃部的側(cè)視圖。
[0026]圖8為示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的窗口吹掃部的分解立體圖。
【具體實施方式】
[0027]下文中，將參照所附附圖來描述本實施方式。然而，能夠限定的是，本發(fā)明的精神范圍中，本實施方式不僅包括本實施方式的所公開的內(nèi)容，并且在并發(fā)明的精神中，本實施方式還包括相對于所提出的實施方式進行的變型(諸如增加、刪除或改變組件)。
[0028]圖1為示出了晶錠生長裝置的示意圖。
[0029]晶錠生長裝置的通用組件布置在腔室10的內(nèi)部，并且腔室10是密封的，視見部件100被設置用于觀察在腔室10的內(nèi)部生長的晶錠(IG)。
[0030]視見部件100安裝在腔室10的一側(cè)，用于觀察腔室10的內(nèi)部的過程狀態(tài)；以及在視見部件中設置窗口以使光透過以及維持腔室10的密封狀態(tài)。
[0031]通過該窗口 110，通過裸眼能夠觀察晶錠生長過程，并且在窗口 10的外部設置有傳感器，并且因此，通過窗口 110測量過程狀態(tài)(諸如晶錠的直徑)，并且該測量的過程狀態(tài)作為過程數(shù)據(jù)輸出。
[0032]由于過程條件(諸如提拉速度)基于過程數(shù)據(jù)來確定，所以過程數(shù)據(jù)的準確測量對晶錠的質(zhì)量具有很大的影響。
[0033]具體地，由于晶錠的直徑在過程狀態(tài)中是否均勻是決定晶錠質(zhì)量的關(guān)鍵因素，所以只有在通過視見部件100準確測量晶錠直徑的情況下，才能生產(chǎn)具有均勻直徑的晶錠。
[0034]除了晶錠的直徑之外，被確定為腔室10內(nèi)部的過程狀態(tài)的因素包括:熔融間隙(M/G)，其為熱屏蔽件40與硅熔體(S)之間高度差等。然而，下文中，為了便于描述，過程狀態(tài)將被描述為生長的晶錠的直徑。
[0035]同時，在晶錠生長過程的進行過程中，視見部件100的窗口110可被污染而變得不透明。
[0036]具體地，由于在導致晶錠生長在硅熔體(其中含有銻(Sb)摻雜劑)中的過程期間，汽化的銻吸附在窗口 110上，存在這樣的情況:窗口 110被霧化污染至根本不能觀察腔室1的內(nèi)部的程度。在該情況下，通過霧化污染的窗口 10測得的晶錠直徑的數(shù)據(jù)是錯誤的，與晶徒的實際直徑存在差異。
[0037]圖2為示出了目標直徑測量值與通用晶錠生長裝置的直徑測量值之間差異的圖表;以及示出了目標提拉速度與通用晶錠生長裝置的平均提拉速度之間差異的圖表。
[0038]多種傳感器，諸如，紅外傳感器(IR傳感器)、CCD攝像機或高溫計可用作傳感器200，其測量晶錠的直徑并且將測量的晶錠的直徑作為過程數(shù)據(jù)輸出。自動直徑控制(ADC)傳感器可用作控制部，其通過分析輸出的過程數(shù)據(jù)和改變提拉速度(P/S)來控制晶錠的直徑。
[0039]在本實施方式中，對于直徑測量數(shù)據(jù)，可使用ADC值;并且對于測量ADC值的傳感器以及利用ADC值控制直徑的控制部，可使用ADC傳感器單元200，但是自然地，本發(fā)明并不限于此。
[0040]參照圖2，在晶錠的主體生長過程之初，目標ADC值(ADC SP目標值)和ADC值(ADCSP實際值)之間的差異較低，并且在根據(jù)ADC值控制的平均提拉速度(平均P/S)與目標提拉速度(目標P/S)之間也存在較小的差異。
[0041 ]在此，“目標”表示在進行該過程之前預先設定的目標值，并且基于該值來進行該過程。換言之，通過比較過程期間檢測的ADC值與目標ADC值來控制提拉速度，并且當控制的提拉速度接近目標提拉速度時，晶錠的直徑是均勻的并且由此生產(chǎn)高質(zhì)量的晶錠。
[0042]然而，能夠看到的是，隨著主體生長過程進行到后半部分，目標ADC值和測量的ADC值之間的差異(y)快速地增加，并且因此，目標提拉速度與平均提拉速度之間的差異(X)也是增加的。
[0043]在晶錠以該方式生產(chǎn)的情況下，晶錠的直徑隨著主體生長過程進行到后半部分而發(fā)生改變，并且因此，產(chǎn)生晶錠質(zhì)量下降的問題。
[0044]為了解決上述問題，視見部件100被配置用于防止窗口的污染以及去除窗口的污染，該視見部件100安裝在本實施方式的晶錠生長裝置中。
[0045]〈第一實施方式〉
[0046]圖3為示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的晶錠生長裝置的橫截面的示意圖，在晶錠生長裝置中，安裝有窗口吹掃部。
[0047]參照圖3，根據(jù)本實施方式的晶錠生長裝置包括:腔室10;石英坩禍20，用于容納硅熔體;加熱器30，用于加熱石英坩禍20;晶種夾具70，用于固定晶種，其與硅熔體中的晶錠接觸并且提拉晶錠;提拉構(gòu)件，用于使晶種夾具70提起、降落和旋轉(zhuǎn);熱屏蔽件40，在石英坩禍20的上側(cè)中，熱屏蔽件主體與硅熔體之間形成熔融間隙(Μ/G);以及惰性氣體噴射單元50，用于將惰性氣體供應到腔室10的內(nèi)部以控制惰性氣體的流動和氣氛。
[0048]根據(jù)本實施方式的晶錠生長裝置包括:視見部件100，用于觀察腔室10的內(nèi)部;并且進一步包括:ADC傳感器單元200，其從腔室10的外部通過視見部件100測量晶錠的直徑，并且利用測量的數(shù)據(jù)通過控制提拉速度來控制晶錠的直徑。
[0049]具體地，視見部件100包括:主體部120，其布置在腔室10內(nèi)并且具有能夠觀察腔室10的內(nèi)部的孔;窗口 110，其布置在主體部120的頂部并且光能夠透過該窗口以能夠觀察腔室1的內(nèi)部；以及窗口吹掃部130，其噴射氣體以防止窗口 110污染。
[0050]更具體地，主體部120可由管狀物構(gòu)成，該管狀物安裝在腔室10的上側(cè)并且具有能夠觀察腔室內(nèi)部的過程狀態(tài)的孔。例如，主體部可由圓柱形管構(gòu)成，該圓柱形管從腔室10的上部延伸至上側(cè)以面向正在生長的晶錠的彎月面，并且其內(nèi)直徑約為45cm。
[0051]窗口孔設置在主體120的上側(cè)。窗口 110設置在該窗口孔中，并且能夠透過光的透明材料玻璃111插入在窗口 110中。
[0052]玻璃111可由玻璃以及能夠透過光的多種材料制成。此外，上述玻璃優(yōu)選地由具有耐熱性并且能使晶錠不受污染的石英玻璃制成。
[0053]窗口吹掃部130位于主體部120和窗口 110之間，并且該窗口吹掃部噴射惰性氣體以防止污染物接近窗口 110。
[0054]窗口吹掃部130可包括氣體噴射單元131，其朝向玻璃111的下側(cè)噴射惰性氣體。因此，可形成空氣幕，其防止污染物進入玻璃111，并且使玻璃與外部空氣熱絕緣。
[0055]氣體噴射單元131可放置在窗口吹掃部130—側(cè)上的任何地方。例如，如圖3所示，氣體噴射單元131可沿與腔室10的上部相對的方向布置在窗口吹掃部130上，但并不限于此。
[0056]此外，與所示不同，氣體噴射單元131可布置在腔室10上側(cè)的窗口吹掃部130上。
[0057]換言之，根據(jù)腔室10的形狀和視見部件100的形狀，氣體噴射單元131可布置在用于將惰性氣體噴射至玻璃111的最佳位置上。
[0058]此外，通過調(diào)整噴嘴的角度以及朝向玻璃111噴射空氣，氣體噴射單元131可去除吸附至玻璃111的污染物。
[0059]同時，如上所述，視見部件100分為窗口 110、主體部120和窗口吹掃部130，并且分別描述各個部件。然而，也可以整體配置上述視見部件。
[0060]例如，能夠形成這樣的結(jié)構(gòu):玻璃插入到圓柱形管的內(nèi)部的孔中，其中，該圓柱形管從腔室10的上部延伸，并且氣體噴射單元安裝在圓柱形管的側(cè)表面上以朝向玻璃噴射氣體。[0061 ] 但是，在該實施方式中，窗口吹掃部130和窗口 110可由凸緣構(gòu)成，用于維持腔室10的密封狀態(tài)。
[0062]例如，窗口吹掃部130可如此布置:具有孔的吹掃主體132布置在主體部120的上部，其中，在它們之間插入有O狀吹掃環(huán)133 ；并且窗口 110可如此布置:具有孔的窗口主體部112布置在吹掃主體132的上部，其中，在它們之間插入有O狀窗口環(huán)113。此時，視見部件100的孔可通過進一步繞玻璃111布置的墊圈和O狀環(huán)來完全密封，其中，玻璃111插入在窗口主體112的孔中。
[0063 ] 多個螺旋槽可分別設置在窗口 110、主體部120和窗口吹掃部130上。窗口 110、主體部120和窗口吹掃部130通過在螺旋槽中固定的螺栓140來彼此緊固地聯(lián)接。
[0064]換言之，在本實施方式中，窗口吹掃部130通過凸緣與主體部120的上側(cè)聯(lián)接，窗口110通過凸緣與窗口吹掃部130的上側(cè)聯(lián)接，以維持腔室1的密封狀態(tài)。然而，本實施方式并不限于此。
[0065]同時，為了將氣體供應至氣體噴射單元131，氣體供應部170通過氣體管線150與氣體噴射單元131相連，并且因此，惰性氣體被供應至氣體噴射單元131。
[0066]此時，在氣體管線150中，安裝氣體閥160和氣體流量計以調(diào)節(jié)氣體的供應壓并且檢查噴射的氣體流速，從而可控制恰當?shù)臍怏w供應壓和總氣體流速。
[0067]例如，從窗口吹掃部130噴射的氣體為惰性氣體，并且Ar氣可用作惰性氣體。氬氣的供應壓被限定在約2.5kg/cm2至約2.8kg/cm2之間。噴射的總氣體流速優(yōu)選為201pm或更低。
[0068]氣體供應部170可獨立地配置，以將氣體僅供應至窗口吹掃部130，并且氣體管線150可配置為從將惰性氣體供應至已有惰性氣體噴射單元50的管線分支。
[0069]根據(jù)上述本發(fā)明的第一實施方式，存在以下優(yōu)點:通過防止玻璃的污染以及去除吸附的污染物，可準確地觀察、測量腔室內(nèi)部的過程狀態(tài)，進而可利用準確測量的數(shù)據(jù)控制過程條件，從而可生產(chǎn)高質(zhì)量的晶錠。
[0070]同時，視見部件100傾斜地延伸以面向如上所述的彎月面。此時，視見部件100的面向上腔室11(晶錠在其中生長)的側(cè)表面是指視見部件100的上部，視見部件100的面向下腔室10的側(cè)表面(與視見部件100的上部相對)是指視見部件100的下部。
[0071]優(yōu)選地，將氣體從視見部件100的上部噴射至視見部件100的下部以為如上所述傾斜的視見部件100形成有效的空氣幕。
[0072]此外，腔室10內(nèi)部的惰性氣體從上腔室11(晶錠在其中生長)流動至下腔室10，從而優(yōu)選地，氣體噴射單元131將氣體從視見部件100的上部噴射至視見部件100的下部以不影響這樣的氣體的流動。
[0073]換言之，在上腔室11和視見部件100(視見部件100的上部件)之間安裝氣體噴射單元131，并且因此當氣體朝向視見部件100的下部噴射時，有效地防止污染物接近玻璃111。
[0074]此時，由于上腔室11和視見部件100之間的空間是狹窄的，所以可能難以配置氣體噴射單元131和氣體管線150。
[0075]〈第二實施方式〉
[0076]除了窗口吹掃部130的結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明的第二實施方式的結(jié)構(gòu)與第一實施方式的結(jié)構(gòu)相同，因此本文將省略對第二實施方式和第一實施方式之間相同部件的描述。
[0077]本發(fā)明的第二實施方式的視見部件100具有位于視見部件100的下部的氣體噴射單元131，然而，由于窗口吹掃部130在視見部件100的上部(面向氣體噴射單元131的安裝部)噴射氣體，所以能夠形成有效的空氣幕。
[0078]圖4為示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的視見部件的平面圖，所述視見部件形成有效的空氣幕；圖5為示出了從上側(cè)看的根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的窗口吹掃部的橫截面立體圖；圖6為示出了從側(cè)面看的根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的窗口吹掃部的橫截面立體圖；以及圖7為示出了窗口吹掃部的側(cè)視圖。
[0079]參照圖4至圖7，窗口吹掃部130由凸緣形成。氣體導向件134設置在由凸緣形成的吹掃主體132的內(nèi)部，供應的氣體移動穿過該氣體導向件;并且在氣體導向件134和吹掃主體132之間設置有排氣口 135，該排氣口噴射移動的氣體。
[0080]通過該排氣口135，當氣體噴射單元131將氣體從吹掃主體132的一側(cè)供應至其內(nèi)部時，該供應的氣體沿氣體導向件134移動至排氣口 135，并且，排出從該排氣孔135移動來的氣體，從而形成空氣幕。
[0081]換言之，排氣口135形成在從吹掃主體132噴射氣體的位置處，并且當氣體噴射單元131和排氣口 135通過氣體導向件134彼此相連時，氣體噴射單元131能夠?qū)怏w噴射到所需的位置，無論氣體的供應位置如何。
[0082]在本實施方式中，氣體噴射單元131安裝在吹掃主體132上，面向視見部件100的下部;排氣口 135設置在吹掃主體132上，面向視見部件100的上部；以及氣體噴射單元131和排氣口 135通過沿吹掃主體132形成的氣體導向件134彼此相連。
[0083]通過這些配置，從視見部件100的下部噴射的氣體沿氣體導向件134移動，并且可從視見部件100的上部噴射。
[0084]此時，配置多個排氣口135以使空氣幕的面積變寬，并且排氣口被配置為具有孔的形狀，其沿橫向方向延伸，與所示不同。
[0085]根據(jù)上述第二實施方式的結(jié)構(gòu)，由于窗口吹掃部能夠有效地形成空氣幕，所以具有這樣的優(yōu)點:防止玻璃的污染，并且并不影響腔室內(nèi)部的氣體流動。
[0086]同時，氣體供應部170可與控制部190相連。
[0087]控制部190可根據(jù)過程控制從氣體供應部170噴射的氣體供應壓。
[0088]例如，在晶錠生長過程期間，諸如熔融過程、摻入摻雜劑期間，或集中產(chǎn)生污染物期間，可增大氣體供應壓。
[0089]〈第三實施方式〉
[0090]圖8為示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施方案的窗口吹掃部的分解立體圖。
[0091]除了窗口吹掃部130的結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明的第三實施方式的結(jié)構(gòu)與第一實施方式的結(jié)構(gòu)相同，并且因此本文將省略對第三實施方式與第二實施方式和第一實施方式之間相同部件的描述。
[0092]在本發(fā)明的第三實施方式中，傾斜的塊狀物(Jaw)136布置在排氣口135與玻璃111的下表面之間，并且因此，從排氣孔135排出的氣體通過穿過傾斜的塊狀物136來分流。因此，通過第三實施方式，在玻璃111的下側(cè)水平表面上形成均勻且致密的空氣幕。
[0093]更具體地，本發(fā)明的第三實施方式的窗口吹掃部包括噴射氣體的第一窗口吹掃部130;以及與其下表面聯(lián)接的第二窗口吹掃部180。
[0094]第一窗口吹掃部130包括供應氣體的氣體噴射單元131;對供應的氣體進行導向的氣體導向件134;沿垂直方向噴射經(jīng)導向的氣體的排氣口 135;以及使排出的氣體分流的傾斜的塊狀物136。
[0095]窗口吹掃部180與第一窗口吹掃部130的下表面以距離傾斜的塊狀物預定空間地聯(lián)接，因此該排出的氣體通過該預定的空間噴射到玻璃111的下側(cè)。
[0096]換言之，通過第二窗口吹掃部180的主體181阻斷沿垂直方向從排氣口135排出的氣體，因此該氣體在分流至傾斜的塊狀物136和主體181之間的預定空間之后被噴射。因此，可形成致密且均勻的空氣幕。
[0097]根據(jù)該第三實施方式的結(jié)構(gòu)，由于在玻璃111的下側(cè)形成致密且均勻的空氣幕，所以有效地防止玻璃111的底表面的污染。
[0098]本發(fā)明涉及用于晶片生產(chǎn)的晶錠生長裝置，以及在所述晶錠生長裝置中使用的視見部件。因此，本發(fā)明具有工業(yè)實用性。
【主權(quán)項】
1.一種用于觀察腔室的內(nèi)部的視見部件，所述腔室提供用于在其內(nèi)進行晶錠生長過程的空間，所述視見部件包括: 主體部，所述主體部布置在所述腔室的一側(cè)，并且具有與所述腔室的內(nèi)部相連的孔； 窗口，所述窗口插入所述主體部的孔中以維持所述腔室密封狀態(tài)，并且使光從所述腔室的內(nèi)部透過所述窗口；以及 窗口吹掃部，所述窗口吹掃部用于朝向所述窗口噴射氣體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的視見部件，其中，利用凸緣，所述窗口吹掃部與所述主體部的上側(cè)聯(lián)接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的視見部件，其中，利用凸緣，所述窗口與所述窗口吹掃部的上側(cè)聯(lián)接。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的視見部件，其中，所述窗口吹掃部包括:吹掃主體和氣體噴射單元，所述吹掃主體與所述主體部的上側(cè)聯(lián)接并且具有與所述主體部的孔相連的吹掃孔，所述氣體噴射單元從所述吹掃主體的一側(cè)噴射氣體并且形成空氣幕。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的視見部件，其中，所述氣體噴射單元包括氣體噴嘴，所述氣體噴嘴能夠控制氣體噴射的方向。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的視見部件，其中，在所述吹掃主體中設置有氣體導向件，所述氣體導向件為由所述氣體噴射單元供應的氣體的移動路徑;并且在所述氣體導向件和所述吹掃主體之間設置有排氣件用于噴射該移動后的氣體。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的視見部件，其中，設置有多個排氣口。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的視見部件，其中，所述排氣件沿橫向方向具有細長形，以將氣體噴射至較大面積。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的視見部件，進一步包括傾斜的塊狀物，用于在所述窗口吹掃部中使噴射的氣體分流。10.—種晶錠生長裝置，所述晶錠生長裝置包括: 腔室，所述腔室設置有用于在其內(nèi)進行晶錠生長過程的空間，并且是密封的； 石英坩禍，所述石英坩禍布置在所述腔室的內(nèi)部并且用于容納硅熔體； 提拉構(gòu)件，所述提拉構(gòu)件通過使晶種浸漬在所述硅熔體中、旋轉(zhuǎn)晶種以及提拉晶種來引起晶徒的生長；以及 視見部件，所述視見部件安裝在所述腔室的一側(cè)并且使所述腔室的內(nèi)部的光透過以觀察所述腔室的內(nèi)部的過程條件； 其中，所述視見部件包括:主體部，所述主體部布置在所述腔室的一側(cè)，并且具有與所述腔室的內(nèi)部相連的孔;窗口，所述窗口插入所述主體部的孔中以維持所述腔室的密封狀態(tài)，并且使光從所述腔室的內(nèi)部透過所述窗口；以及窗口吹掃部，所述窗口吹掃部用于朝向所述窗口噴射氣體。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶錠生長裝置，其中，進一步包括:傳感器部，所述傳感器部通過所述視見部件測量所述晶錠生長過程的狀態(tài)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶錠生長裝置，其中，所述傳感器部為直徑測量傳感器，用于測量由所述硅熔體生長的晶錠的直徑。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶錠生長裝置，進一步包括:氣體供應部，用于將氣體供應至所述窗口吹掃部；以及氣體管線，用于連接所述氣體供應部和所述窗口吹掃部。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶錠生長裝置，其中，在所述硅熔體中包括作為摻雜劑的鋪。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶錠生長裝置，進一步包括:控制部，所述控制部與所述氣體供應部相連并且用于根據(jù)晶錠生長過程控制氣體噴射壓力。16.—種用于觀察腔室的內(nèi)部的視見部件，所述腔室設置有在其內(nèi)進行晶錠生長過程的空間，所述視見部件包括: 窗口，所述窗口維持所述腔室的密封狀態(tài)，并且能夠觀察所述腔室的內(nèi)部；以及 窗口吹掃部，所述窗口吹掃部朝向所述窗口噴射氣體以防止所述窗口被污染。
【文檔編號】C30B15/00GK105829587SQ201480070054
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2014年8月1日
【發(fā)明人】金成赫, 羅光夏, 張現(xiàn)洙
【申請人】Lg矽得榮株式會社