一種光學(xué)玻璃復(fù)合膜及鍍膜工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光學(xué)玻璃復(fù)合膜及鍍膜工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]光學(xué)玻璃是用于制造光學(xué)儀器或機(jī)械系統(tǒng)中的透鏡、棱鏡、反射鏡等的玻璃材料。近年來(lái)，隨著數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、照相手機(jī)等的日益流行，對(duì)光學(xué)玻璃的需求量也越來(lái)越大，并且對(duì)光學(xué)玻璃的性能也提出了更高的要求。
[0003]為了得到理想的光學(xué)常數(shù)，提高玻璃折射率和透光率，通常會(huì)在光學(xué)玻璃表面鍍膜，鍍膜的種類有很多，按材料可分為金屬膜、氧化物膜等，按功能可分為增透膜、反射膜、偏振膜等。而目前市場(chǎng)上出現(xiàn)了不少的復(fù)合膜，但鍍膜的性能方面仍然比較單一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，提供了一種光學(xué)玻璃復(fù)合膜，以光學(xué)玻璃基體為底，從里至外共3層，第一層為氟化鎂膜，直接鍍?cè)诠鈱W(xué)玻璃上，第二層為二氧化硅膜，鍍?cè)诜V膜上，第三層為二氧化鋯膜，鍍?cè)诙趸枘ど希?br> 本發(fā)明還提供了上述光學(xué)玻璃復(fù)合膜的鍍膜工藝，包括以下步驟:
1)真空鍍膜設(shè)備中抽真空，使真空度達(dá)到8X10 4~10X10 4 Pa ;
2)在光學(xué)玻璃基體上蒸鍍一層氟化鎂膜，蒸鍍條件為:采用鎢或鉬作為蒸發(fā)源材料，蒸發(fā)電流設(shè)為100A，時(shí)間為15min;
3)在氟化鎂膜的基礎(chǔ)上磁控濺射一層二氧化硅膜，條件為:采用硅為靶材，在真空鍍膜設(shè)備中通入氬氣作為濺射氣體，通入氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣流量為30sccm，設(shè)備內(nèi)壓力0.1~1.0pa，氬氣和氧氣的比例為1:4 ；
4)在二氧化硅膜的基礎(chǔ)上通過電子束熱蒸的方式鍍上二氧化鋯膜，條件為:烘烤溫度設(shè)為300°C，時(shí)間為lh，電子束流為100mA。
[0005]更具體地，氟化鎂為晶體狀，由水合氟化鎂經(jīng)機(jī)械破碎、烘干和低溫真空脫水后作為鍍膜靶材；晶體氟化鎂在蒸鍍前進(jìn)行預(yù)熔，預(yù)熔電流為60A，預(yù)熔時(shí)間為lOmin。
[0006]更具體地，二氧化鋯采用氧化釔進(jìn)行穩(wěn)定后再作為鍍膜靶材，穩(wěn)定包括以下步驟:
1)以二氧化鋯和氧化釔粉料為原料，二氧化鋯的摩爾百分比為氧化釔的20倍，混合均勻后添加聚乙烯醇結(jié)合劑使粉料團(tuán)聚，造粒成型；
2)對(duì)顆粒料進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒溫度為1200°C ;
3 )在真空燒結(jié)爐中燒結(jié)，然后自然冷卻降溫至室溫。
[0007]更具體地，本發(fā)明中所使用的靶材純度均為99.99%以上。
[0008]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于:
1)提高了光學(xué)玻璃的透光性和折射率；
2)由于氟化鎂的材質(zhì)比較軟，因此在其基礎(chǔ)上鍍上二氧化硅可起到增透和保護(hù)的作用，而在其上再鍍上一層二氧化鋯膜可使玻璃表面變得堅(jiān)硬，可達(dá)到防劃防磨損的目的。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來(lái)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0010]本發(fā)明具體實(shí)施的技術(shù)方案是:
一種光學(xué)玻璃復(fù)合膜，以光學(xué)玻璃基體為底，從里至外共3層，第一層為氟化鎂膜，直接鍍?cè)诠鈱W(xué)玻璃上，第二層為二氧化硅膜，鍍?cè)诜V膜上，第三層為二氧化鋯膜，鍍?cè)诙趸枘ど希?br> 上述光學(xué)玻璃復(fù)合膜的鍍膜工藝，包括以下步驟:
1)真空鍍膜設(shè)備中抽真空，使真空度達(dá)到8X10 4~10X10 4 Pa ;
2)在光學(xué)玻璃基體上蒸鍍一層氟化鎂膜，蒸鍍條件為:采用鎢或鉬作為蒸發(fā)源材料，蒸發(fā)電流設(shè)為100A，時(shí)間為15min;
3)在氟化鎂膜的基礎(chǔ)上磁控濺射一層二氧化硅膜，條件為:采用硅為靶材，在真空鍍膜設(shè)備中通入氬氣作為濺射氣體，通入氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣流量為30sccm，設(shè)備內(nèi)壓力
0.1~1.0pa，氬氣和氧氣的比例為1:4 ；
4)在二氧化硅膜的基礎(chǔ)上通過電子束熱蒸的方式鍍上二氧化鋯膜，條件為:烘烤溫度設(shè)為300°C，時(shí)間為lh，電子束流為100mA。
[0011]更具體地，氟化鎂為晶體狀，由水合氟化鎂經(jīng)機(jī)械破碎、烘干和低溫真空脫水后作為鍍膜靶材；晶體氟化鎂在蒸鍍前進(jìn)行預(yù)熔，預(yù)熔電流為60A，預(yù)熔時(shí)間為lOmin。
[0012]更具體地，二氧化鋯采用氧化釔進(jìn)行穩(wěn)定后再作為鍍膜靶材，穩(wěn)定包括以下步驟:
1)以二氧化鋯和氧化釔粉料為原料，二氧化鋯的摩爾百分比為氧化釔的20倍，混合均勻后添加聚乙烯醇結(jié)合劑使粉料團(tuán)聚，造粒成型；
2)對(duì)顆粒料進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒溫度為1200°C ;
3 )在真空燒結(jié)爐中燒結(jié)，然后自然冷卻降溫至室溫。
[0013]更具體地，本發(fā)明中所使用的靶材純度均為99.99%以上。
[0014]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光學(xué)玻璃復(fù)合膜，其特征在于，從里至外共3層，第一層為氟化鎂膜，第二層為二氧化硅膜，第三層為二氧化鋯膜。2.一種光學(xué)玻璃復(fù)合膜鍍膜工藝，其特征在于，包括如下步驟: 1)將真空鍍膜設(shè)備中進(jìn)行抽真空，使真空度達(dá)到8X 10 4~10X10 4 Pa ; 2)在光學(xué)玻璃基體上蒸鍍一層氟化鎂膜，蒸鍍條件為:采用鎢或鉬作為蒸發(fā)源材料，蒸發(fā)電流設(shè)為100A，時(shí)間為15min; 3)在氟化鎂膜的基礎(chǔ)上磁控濺射一層二氧化硅膜，條件為:采用硅為靶材，在真空鍍膜設(shè)備中通入氬氣作為濺射氣體，通入氧氣作為反應(yīng)氣體，所述的氬氣流量為30SCCH1，設(shè)備內(nèi)壓力0.1-1.0pa，氬氣和氧氣的比例為1:4 ; 4)在二氧化硅膜的基礎(chǔ)上通過電子束熱蒸的方式鍍上二氧化鋯膜，條件為:烘烤溫度設(shè)為300°C，時(shí)間為lh，電子束流為100mA。3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的光學(xué)玻璃復(fù)合膜鍍膜工藝，其特征在于，所述的氟化鎂為晶體狀，由水合氟化鎂經(jīng)機(jī)械破碎、烘干和低溫真空脫水后作為鍍膜靶材；所述的晶體氟化鎂在蒸鍍前進(jìn)行預(yù)熔，預(yù)熔電流為60A，預(yù)熔時(shí)間為lOmin。4.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的光學(xué)玻璃復(fù)合鍍膜工藝，其特征在于，所述的二氧化鋯采用氧化釔進(jìn)行穩(wěn)定后再作為鍍膜靶材。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光學(xué)玻璃復(fù)合膜，從里至外共3層，第一層為氟化鎂膜，第二層為二氧化硅膜，第三層為二氧化鋯膜；本發(fā)明還公開了該光學(xué)玻璃復(fù)合膜的鍍膜工藝，采用電阻蒸鍍法鍍氟化鎂膜，采用磁控濺射法鍍二氧化硅膜，采用電子束熱蒸法鍍二氧化鋯膜。本發(fā)明公開的光學(xué)玻璃復(fù)合膜可較大地提高光學(xué)玻璃的透光率和折射率，并且具有較好的防劃耐磨性。
【IPC分類】C03C17/34, C04B35/48, C04B35/622
【公開號(hào)】CN105399343
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510804442
【發(fā)明人】奚建安
【申請(qǐng)人】常熟市光學(xué)儀器有限責(zé)任公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年11月20日