專利名稱：永磁鐵及永磁鐵的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及永磁鐵及永磁鐵的制造方法，尤其涉及通過使Dy及Tb擴散到Nb—Fe一B系的燒結磁鐵的晶界相中形成的高磁特性的永磁鐵及該永磁鐵的制造方法。
背景技術：
Nd—Fe—B系的燒結磁鐵(所謂釹磁鐵)，由于其是由鐵和價格低廉、資源豐富、可穩(wěn)定供給的Nd、 B元素組合而成的，可廉價制造出，同時還具有高磁特性(最大能積是鐵氧體磁鐵的10倍左右)，因而被廣泛使用于電子設備等多種產品，近年來，油電混合型汽車用的馬達及發(fā)電機上的采用也取得了進展。
另一種面，由于上述燒結磁鐵的居里溫度很低，僅為30(TC，因而存在下述問題，當采用它的產品在有些使用狀態(tài)下溫度上升到超過規(guī)定溫度時，就會因熱而減磁。此外還存在下述問題當把上述燒結磁鐵用于所需的產品中時，有時需要把燒結磁鐵加工成一定形狀，由于該加工，燒結磁鐵的晶粒上會產生缺陷(裂紋等)及畸變，使其磁性顯著惡化。
因此，當取得Nd—Fe—B系燒結磁鐵時，可考慮添加具有比Nd大的4f電子的磁各向異性、帶有與Nd相同的負斯蒂芬斯因子，可大幅提高主相的結晶磁性各向異性的Dy及Tb,但由于Dy、 Tb在主相晶格中采用與Nd反向的自旋排列的費里磁結構，因而存在磁場強度，進而言之，表示磁特性的最大能積大幅下降的問題。
為此，有人建議在Nd—Fe—B系燒結磁鐵的整個表面上形成具有規(guī)定膜厚(可根據磁鐵的體積形成3 um以上的膜厚)的Dy及Tb膜，繼而在規(guī)定溫度下實施熱處理，即可使表面上成膜的Dy及Tb均勻地向磁鐵的晶界相擴散(參照非專利文獻l)。
根據非專利文獻l的報告，用上述方法制作出的永磁鐵具有下述優(yōu)點由于擴散到晶相界中的Dy及Tb提高了各晶粒表面結晶磁各向異性，強化了晶核形成型的頑磁力發(fā)生機制，因而可生產出在頑磁力飛速提高的同時，最大能積也幾乎沒有損失(例如剩磁通密度14.5kG U.45T)、最大能積50MGOe (400Kj/m3)、頑磁力23kOe (3MA/m))性能的永磁鐵。
非專利文獻1: (Improvement of coercivity on thin Nd2Fel4B sintered permenantmagnets (薄型Nd2Fel4B系燒結磁鐵中的頑磁力提高)/樸起兌、東北大學、博士論文，平成12年3月23曰)

發(fā)明內容
不過，作為成膜材料的Dy金屬及Tb金屬，由于要求其高品質，因而通?？上扔霉母煞?、濕法等制造出Dy、 Tb的氟化物，繼而用氯、氧等雜質少，且可望提高磁特性的氟化物溶融鹽浴氧化物投入電解法生產，但經上述工序獲得的Dy金屬及Tb金屬存在價格昂貴的問題。在此情況下，由于使用的是不僅價格高而且資源匱乏、無望穩(wěn)定供給的Dy及Tb，因而需要使Dy、 Tb在燒結磁鐵表面上的成膜以及向晶界相的擴散更加高效地進行，提高其生產效率，實現(xiàn)低成本化。另外，由于如能進一步提高頑磁力，即使永磁鐵的厚度變薄，仍可獲得具有很強磁力的永磁鐵。因此，要想實現(xiàn)使用此種永磁鐵的產品本身的小型、輕量化及小功率化就需要開發(fā)出一種與上述現(xiàn)有技術相比具有更高頑磁力、高磁特性的永磁鐵。
為此，鑒于上述各點，本發(fā)明的第一目的在于提供一種永磁鐵，其具有極高的頑磁力以及高磁特性。此外，本發(fā)明的第二目的在于提供一種永磁鐵的制造方法，其能以高生產率和低成本制作出具有極高頑磁力以及高磁特性的永磁鐵。
為了解決上述課題，權利要求1所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于在處理室內配置鐵一硼一稀土類系的燒結磁鐵，加熱到規(guī)定溫度的同時，使配置在相同或另一處理室內的至少含有Dy及Tb中的一種的氟化物構成的蒸發(fā)材料蒸發(fā)，使該蒸發(fā)的蒸發(fā)材料附著到燒結磁鐵表面，使該附著的蒸發(fā)材料的Dy、 Tb的金屬原子擴散到燒結磁鐵的晶界相中。
若采用本發(fā)明，至少含有蒸發(fā)的Dy及Tb中的一種的氟化物(分子)被提供給加熱到規(guī)定溫度(例如可獲得最佳擴散速度的溫度)的燒結磁鐵表面后附著，該附著的蒸發(fā)材料的Dy、 Tb的金屬原子依次向燒結磁鐵的晶界相擴散。也就是說，蒸發(fā)材料向燒結磁鐵表面的供給和Dy、 Tb向燒結磁鐵的晶界相的擴散可用同一次處理(真空蒸氣處理)進行。在此情況下，由于作為蒸發(fā)材料使用的是Dy及Tb的氟化物，因而可用從礦石中制造Dy金屬及Tb金屬的過程中生成的中間生成物(Dy及Tb的氟化物)作為蒸發(fā)材料，由于其價格低，因而與把Dy金屬及Tb金屬作為蒸發(fā)材料時相比，可降低永磁鐵的制造成本。此外，由于多元共晶效應降低了Nd富相(含5 80。/。范圍內的Dy、Tb相)的熔點，因而可進一步加快蒸發(fā)材料Dy及Tb的金屬原子的擴散速度。B卩，當向晶界相擴散時，形成Nd—F—O—Dy (Tb)等復雜的共晶。在此情況下，由于處于晶界附近的Nd富相的共晶點較之Dy (Tb) —Fe的二元系共晶點，多元系的更低，因而Dy、 Tb的金屬原子的擴散速度更快。可通過縮短擴散時間實現(xiàn)高生產效率。
前述蒸發(fā)材料若是至少還包括Nd以及Pr中的一種的氟化物，除可通過Dy及Tb與晶粒的Nd置換提高結晶的磁各向異性外，由于還可修復晶粒的畸變及缺陷，而具有更高的頑磁力，除此而外，由于Nd及Pr不同于Dy及Tb，采用的是與鐵同向磁化的自旋排列，因而剩磁通密度及最大能積變高，其結果是與現(xiàn)用品相比，可獲得具有更高磁性的永磁鐵。此外，通過利用多元共晶效應降低Nd富相的熔點，可進一步加快Dy及Tb的金屬原子的擴散速度。
此外，前述金屬蒸發(fā)材料含有從Al、 Ag、 B、 Ba、 Be、 C、 Ca、 Ce、 Co、 Cr、 Cs、Cu、 Dy、 Er、 Eu、 Fe、 Ga、 Gd、 Ge、 Hf、 Ho、 In、 K、 La、 Li、 Lu、 Mg、 Mn、 Mo、Na、 Nb、 Nd、 Ni、 P、 Pd、 Pr、 Ru、 S、 Sb、 Si、 Sm、 Sn、 Sr、 Ta、 Tb、 Tm、 Ti、 V、W、 Y、 Yb、 Zn以及Zr中選擇出至少一種時，也可獲得與上述同樣的效果。艮卩，擴散時，Al、 Cu及Ga元素進入Nd富相，形成Dy (Tb) —Nd (Pr) —Fe—Al (Cu、 Ga)等的復雜共晶。在此情況下，由于處于晶界附近的Nd富相的共晶點較之Dy—Fe (Tb—Fe)的二元系共晶點，多元系的更低，因而Dy、 Tb的金屬原子的擴散速度更快。
若預先將前述燒結磁鐵和蒸發(fā)材料隔離配置，則可防止蒸發(fā)材料蒸發(fā)時，熔化的蒸發(fā)材料直接附著到燒結磁鐵上。
此外，最好通過改變配置在前述處理室內的前述蒸發(fā)材料的表面系數(shù)來增減一定溫度下的蒸發(fā)量，調節(jié)蒸發(fā)的蒸發(fā)材料提供給燒結磁鐵表面的供給量。在此情況下，例如若為防止蒸發(fā)材料形成薄膜(層)而調節(jié)燒結磁鐵表面上的蒸發(fā)材料供給量，則永磁鐵的表面狀態(tài)與實施上述處理前的狀態(tài)大致相同，可防止制作出的永磁鐵表面惡化(表面粗度變差)，此外，特別是可抑制Dy及Tb過量地擴散到靠近燒結磁鐵表面的粒界內，由于無需其它后續(xù)工序因而可實現(xiàn)高生產效率。此外，例如在處理室內設置用來增減蒸發(fā)原料在燒結磁鐵表面上的供給量的其它部件，則不必改變裝置構成，即可簡單調節(jié)燒結磁鐵表面上的供給量。
為了去除Dy及Tb等金屬原子擴散到晶界相之前燒結磁鐵表面上吸附的污垢、氣體及水分，最好在加熱收容前述燒結磁鐵的處理室之前，將處理室內減壓到規(guī)定壓力并保持之。
在此情況下，為了促進表面上吸附的污垢、氣體及水分的去除，最好在把前述處理室減壓到規(guī)定壓力之后，把處理室內加熱到規(guī)定溫度并保持之。
另外，為了在Dy及Tb等的金屬原子擴散到晶界相之前去除燒結磁鐵表面上的氧化膜，最好在加熱收容前述燒結磁鐵的處理室之前，釆用等離子清洗前述燒結磁鐵表面。
此外，若在使Dy及Tb等的金屬原子擴散到前述燒結磁鐵的晶界相之后，在比上述溫度低的規(guī)定溫度下實施去除永磁鐵畸變的熱處理，則可獲得磁化及頑磁力進一步提高或恢復的高磁特性的永磁鐵。
此外，使前述金屬原子擴散到前述燒結磁鐵的晶界相中之后，可在垂直于磁場定向方向的方向上切割為規(guī)定厚度。這樣即可將具有規(guī)定尺寸的塊狀燒結磁鐵切割成多個薄片，以該狀態(tài)排列收容到處理室中之后，與實施上述真空蒸氣處理時相比，可縮短燒結磁鐵進出處理室的時間，由于實施上述真空蒸氣處理的前期準備更為簡單，因而可提高生產效率。
在此情況下，若用線切割機等切割為所需形狀，有時會在作為燒結磁鐵表面主相的晶粒上產生裂紋，使磁特性顯著變壞，但是由于如果實施真空蒸氣處理，晶界相中具有Dy富相，且Dy僅僅擴散到晶粒的表面附近，因而即使在后續(xù)工序中切割成多個薄片獲得永磁鐵，仍可防止磁性惡化，與無需精加工相結合，可獲得生產效率良好的永磁鐵。
此外，為了解決上述課題，權利要求11所述的永磁鐵，其特征在于具有鐵一硼一稀土類系的燒結磁鐵，將該燒結磁鐵配置在處理室內加熱到規(guī)定溫度的同時，使配置在同一或另一處理室內的至少含Dy及Tb中的一種的氟化物構成的蒸發(fā)材料蒸發(fā)，使該蒸發(fā)的蒸發(fā)材料附著到燒結磁鐵表面，使該附著的蒸發(fā)材料的Dy、 Tb的金屬原子擴散到燒結磁鐵的晶界相中后形成。
在此情況下，前述蒸發(fā)材料最好是至少還含有Nd以及Pr中的一種的氟化物。
此外，前述金屬蒸發(fā)材料至少還可含有從Al、 Ag、 B、 Ba、 Be、 C、 Ca、 Ce、 Co、Cr、 Cs、 Cu、 Dy、 Er、 Eu、 Fe、 Ga、 Gd、 Ge、 Hf、 Ho、 In、 K、 La、 Li、 Lu、 Mg、Mn、 Mo、 Na、 Nb、 Nd、 Ni、 P、 Pd、 Pr、 Ru、 S、 Sb、 Si、 Sm、 Sn、 Sr、 Ta、 Tm、 Ti、V、 W、 Y、 Yb、 Zn以及Zr中選擇出的一種。
還有，至少使Dy及Tb中的一種擴散到前述燒結磁鐵的晶界相中之后，最好在垂直于磁場定向的方向上切割為規(guī)定厚度后形成。(發(fā)明效果)
正如上文所述，本發(fā)明的永磁鐵具有以下效果與現(xiàn)有技術相比是具有更高頑磁力
的高磁特性的永磁鐵，此外，本發(fā)明的永磁鐵的制造方法，可用高生產性及低成本制造出具有更高頑磁力的高磁特性的永磁鐵。
具體實施例方式
下面參照圖1及圖2加以說明，本發(fā)明的永磁鐵M是通過同時進行使后述的金屬蒸發(fā)材料V蒸發(fā)，使該蒸發(fā)的金屬原子附著到加工成規(guī)定形狀的Nd—Fe—B系的燒結
8磁鐵S表面上的第一工序，以及使附著在燒結磁鐵S表面上的蒸發(fā)材料中的Dy及Tb的金屬原子均勻地擴散晶界相中的第二工序的一系列處理制作出的(真空蒸氣處理)。
作為基礎材料的Nd—Fe—B系的燒結磁鐵S是用公知的方法按下述制作的，即首先按照一定的組分比例配比Fe、 B、 Nd，用公知的脫模鑄造法制作出0.05mm 0.5mm的合金。此外，也可用公知的離心鑄造法制作出厚度為5mm左右的合金。此外在配比時也可少量添加Cu、 Zr、 Dy、 Tb、 Al及Ga。接著將制作出的合金先用公知的氫化裂解工序破碎，再用射流碾磨微粉化工序微粉化，獲得合金原料粉末。繼而用公知的壓縮成形機將合金原料粉末磁場定向，用模具成形為長方體、圓柱體等規(guī)定形狀后，通過在規(guī)定條件下燒結，即可制作出上述燒結磁鐵。
當把合金原料粉末壓縮成形時，在合金原料粉末中添加公知的潤滑劑情況下，最好在制作燒結磁鐵S的各道工序中，將條件分別最佳化，使燒結磁鐵S的平均結晶粒徑處于4nm 8um的范圍內。這樣即不會受殘留在燒結磁鐵內部的碳的影響，使附著在燒結磁鐵表面的Dy及Tb高效擴散到晶界相中，實現(xiàn)高生產效率。
在此情況下，如果平均結晶粒徑小于4um， Dy及Tb擴散到晶界相中成為具有高頑磁力的永磁鐵，但在磁場中壓縮成形時，為確保流動性提高定向性而往合金原料粉末中添加潤滑劑的效果減弱，從而使燒結磁鐵的定向性變差，其結果是表示磁特性的剩磁通密度以及最大能積低下。另外，如果平均粒徑大于8ixm，由于結晶過大，頑磁力低下，除此而外，由于晶界的表面積減少，晶界附近的殘留碳的濃度比升高，使頑磁力進一步大幅下降。此外，由于殘留碳與Dy及Tb發(fā)生反應，妨礙Dy向晶界相擴散，使擴散時間延長，因而生產效率差。
如圖2所示，實施上述處理的真空蒸氣處理裝置1具有經渦輪分子泵、低溫泵、擴散泵等真空排氣手段11減壓并保持在規(guī)定壓力(例如1X10—5Pa)的真空容器12。真空容器12內設有箱體2，其由上面開口的長方體形狀的箱部21、以及可在箱部21的開口面上靈活裝卸的蓋部22構成。
蓋部22的整個外周緣部上形成向下方彎曲的突緣22a，若將蓋部22安裝到箱部21
9的上面，突緣22a即可通過與箱部21的外壁緊配合(此時未設置金屬密封條之類的真空密封條)，形成與真空容器11隔絕的處理室20，并且若經真空排氣手段11把真空容器12減壓到規(guī)定壓力(例如1 X l(T5Pa)，處理室20即被減壓到比真空容器12約高半位數(shù)的壓力(例如5X10—4Pa)。
處理室20的容積可在考慮到蒸發(fā)材料V的平均自由行程的基礎上，蒸氣氣氛中的蒸發(fā)材料V (分子)直接或經反復撞擊后從多個方向提供給燒結磁鐵加以設定。此外，箱部21以及蓋部22的壁厚可根據用后述的加熱手段加熱時不會產生熱變形加以設定，由不會與蒸發(fā)材料V發(fā)生反應的材料構成。
也就是說，當蒸發(fā)材料是氟化鏑時，若使用普通真空裝置常用的A1203，蒸氣氣氛中的Dy及Nd很可能與Al203發(fā)生反應，在其表面形成反應生成物的同時，Al原子進入Dy及Tb蒸氣氣氛中。因此，箱體2可用Mo、 W、 V、 Ta或它們的合金(包括稀土類添加型Mo合金、Ti添加型Mo合金等)及CaO、 Y203、或稀土類氧化物制作，或者將這些材料作為內襯膜在其它隔熱材料表面成膜。此外，在處理室20內距底面規(guī)定高度的位置上，例如可通過將多根Mo線(例如4)0.1 10mm)網格狀配置，形成承載部21a，可將多個燒結磁鐵S并列承載在該承載部21a上。另外，蒸發(fā)材料V可適當配置于處理室20的底面、側面或上面等處。
作為蒸發(fā)材料V可使用能大幅提高主相的結晶磁各向異性的含Dy及Tb的氟化物、氟化鏑、氟化鋱。氟化鏑及氟化鋱可用公知的方法制造，作為制造方法，例如可用使Dy、 Tb的氧化物和無水氟化氫氣流在高溫狀態(tài)下(例如75(TC)發(fā)生反應的干法，以及將Dy、 Tb的氧化物和酸性氟化胺混合，使之在較低溫度(例如30(TC)下發(fā)生反應的方法，或者使用在Dy、 Tb化合物的氯化物等的水溶液中添加氟化氫酸，使其發(fā)生反應，獲得沉淀物后，清洗獲得的沉淀物，過濾然后干燥、焙燒的濕法。這樣即可將從礦石中制造Dy、 Tb金屬過程中生成的中間生成物(氟化鏑及氟化鋱)作為蒸發(fā)材料V，由于其價格低，因而與把Dy金屬及Tb金屬作為蒸發(fā)材料V時相比，可降低永磁鐵的制造成本。此外，若在進行真空蒸氣處理時使用氟化鏑及氟化鋱，由于多元共晶效應Nd富相 (含5 80c/。Dy、 Tb的相)的熔點下降，因而可進一步加快Dy及Tb的金屬原子的擴散 速度。艮卩，在向晶界相擴散時可形成Nd—F—0—Dy (Tb)之類的復雜共晶。在此情況 下，由于處于晶界近旁的Nd富相的共晶點與Dy (Tb) —Fe的二元系共晶點相比，多 元系的更低，因而可進一步加快蒸發(fā)材料V中的Dy、 Tb的金屬原子向晶界相擴散的速 度，通過縮短擴散時間可實現(xiàn)高生產效率。
在此情況下，對于蒸發(fā)材料V，可以使用在氟化鏑及氟化鋱中至少含有Nd及Pr中 的一種(此時也可使用作為Nd和Pr合金的釹鐠)的合金或其氟化物。在此情況下，蒸 發(fā)材料V用規(guī)定的混合比配比，例如用電弧爐獲得散粒狀的合金后配置在處理室20內 的規(guī)定位置上。也可將散粒狀或顆粒狀的氟化鏑及氟化鋱和Nd、 Pr或它們的合金及至 少含有Dy、 Pr中的一種的氟化物按照規(guī)定的重量比分別單獨配置在處理室20內。
這樣即可在進行真空蒸氣處理時通過Dy及Tb與晶粒的Nd置換提高結晶的磁各向 異性，此外，可修復晶界的畸變及缺陷，具有更高的頑磁力，除此之外，由于Nd等不 同于Dy、 Tb，采用與鐵同向磁化的自旋排列，因而剩磁通密度及最大能積升高，其結 果是與現(xiàn)用品相比，可獲得具有更高磁特性的永磁鐵。此外，由于多元共晶效應，Nd 富相的熔點下降，因而可進一步加快Dy、 Tb金屬原子的擴散速度。
此外，蒸發(fā)材料V至少還可以含有從A1、 Ag、 B、 Ba、 Be、 C、 Ca、 Ce、 Co、 Cr、 Cs、 Cu、 Dy、 Er、 Eu、 Fe、 Ga、 Gd、 Ge、 Hf、 Ho、 In、 K、 La、 Li、 Lu、 Mg、 Mn、 Mo、 Na、 Nb、 Nd、 Ni、 P、 Pd、 Pr、 Ru、 S、 Sb、 Si、 Sm、 Sn、 Sr、 Ta、 Tb、 Tm、 Ti、 V、 W、 Y、 Yb、 Zn以及Zr (下文稱之為"A元素")中選擇出的至少一種，用以取代 或在此基礎上增加Nd、 Pr或它們的合金及至少含有Nd、 Pr中的一種的氟化物。這樣即 可在向晶界相擴散時，Al、 Cu及Ga元素進入Nd富相，形成Dy (Tb) —Nd (Pr)— Fe—Al (Cu、 Ga)等復雜共晶。此時，由于處于晶界近旁的Nd富相的共晶點與Dy— Fe (Tb—Fe)的二元系的共晶點相比，多元系的更低，因而可進一步加快Dy、 Tb金屬 原子的擴散速度。此外，在真空容器12內設有加熱手段3。與箱體21相同，加熱手段3用不與蒸發(fā) 材料V發(fā)生反應的材料制成，例如可由圍繞在箱體21四周，內側具有反射面的Mo制 隔熱材料，和配置在其內側、具有Mo制熱絲的電加熱器構成。并由于是在減壓下用加 熱手段3加熱箱體21，經箱體21間接加熱處理室20內的，因而可大致均勻地加熱處理 室20內。
下面說明用上述真空處理裝置1制造永磁鐵M的過程。首先，將用上述方法制作 出的燒結磁鐵S承載到箱部21的承載部21a上的同時，在箱部21的底面上設置作為蒸 發(fā)材料V的氟化鏑(這樣即可在處理室20內將燒結磁鐵S和蒸發(fā)材料V隔離配置)。 并在把蓋部22安裝到箱部21上面開口部上之后，將箱體2設置在真空容器12內四周 被加熱手段3圍繞的規(guī)定位置上(參照圖2)，并用真空排氣手段11將真空容器12真空 排氣減壓到規(guī)定壓力(例如1X10"4pa，處理室20被真空排氣到約高半位數(shù)的壓力)， 真空容器12—達到規(guī)定壓力，即通過使加熱手段3動作，加熱處理室20。
在減壓下處理室20內的溫度一達到規(guī)定溫度，設置在處理室20底面上的氟化鏑即 被加熱到與處理室20大致相同的溫度，并開始蒸發(fā)，在處理室20內形成蒸氣氣氛。在 氟化鏑開始蒸發(fā)的情況下，由于燒結磁鐵S和氟化鏑是隔離配置的，因而熔化的氟化鏑 不會直接附著到表面Nd富相熔化的燒結磁鐵S上。并且蒸氣氣氛中的氟化鏑(分子) 直接或經反復撞擊后從多個方向提供并附著到被加熱到與蒸發(fā)材料V同溫的燒結磁鐵S 表面，蒸發(fā)材料V中的Dy向燒結磁鐵S的晶界相擴散后即可獲得永磁鐵M。
然而如圖3所示，為了形成由蒸發(fā)材料V構成的層(薄膜)Ll，蒸氣氣氛中的蒸 發(fā)材料V —被提供到燒結磁鐵S表面，附著并沉積到燒結磁鐵S表面上的蒸發(fā)材料V 再結晶時，使永磁鐵M表面顯著惡化(表面粗度變差)，此外，附著并沉積在處理期間 被加熱到大致同溫的燒結磁鐵S表面上的蒸發(fā)材料V熔化后過量的Dy擴散到靠近燒結 磁鐵S表面的區(qū)域R1的晶界內，從而無法使磁特性有效提高或恢復。
艮P，在燒結磁鐵S表面上一旦形成由蒸發(fā)材料V構成的薄膜，與薄膜相鄰的燒結磁 鐵S表面的平均組分即成為Dy富相， 一出現(xiàn)Dy富相，其液相溫度即下降，使燒結磁鐵s表面熔化(即主相熔化，液相的量增加)。其結果是燒結磁鐵s表面附近熔化變形，
使凹凸增加。除此而外，過量的Dy與大量液相一道進入晶粒內，導致表示磁特性的最 大能積以及剩磁通密度進一步下降。
在本實施方式中，是以燒結磁鐵的1~10重量％的比例將單位體積的表面積(表面 系數(shù))小的散粒狀(大致呈球狀)的氟化鏑配置在處理室20的底面上，使一定溫度下 的蒸發(fā)量減少的。除此而外，當蒸發(fā)材料V是氟化鏑時，通過控制加熱手段3，將處理 室20內的溫度設定在800 105(TC范圍內，最好是在900。C 1000。C范圍內。
處理室20內的溫度(進而言之，燒結磁鐵S的加熱溫度)若低于800'C，附著在 燒結磁鐵S表面上的蒸發(fā)材料V的Dy原子向晶界層的擴散速度將變慢，無法使之在燒 結磁鐵S表面上形成薄膜之前均勻擴散到晶界相中。另外，當溫度超過1050'C時，由 于蒸氣壓過高，蒸氣氣氛中的氟化鏑分子被過量地提供到燒結磁鐵S表面。此外，Dy 很可能擴散到晶粒內，由于Dy—旦擴散到晶粒內，晶粒內的磁化將大幅下降，因而最 大能積及剩磁通密度進一步下降。
為了使Dy在燒結磁鐵S表面上形成由蒸發(fā)材料V構成的薄膜前向其晶界相擴散， 可將與設置在處理室20的承載部21a上的燒結磁鐵S的表面積的總和所對應的處理室 20的底面上設置的散粒狀的蒸發(fā)材料V的表面積的總和之比設定在1X10"^2X1()S范 圍內。當該比例在1X10"^2X10S范圍之外時，有時會在燒結磁鐵S表面上形成薄膜，
此外，無法獲得高磁特性的永磁鐵。在此情況下，上述比例最好在ixi(rMxios范圍
內，此外，上述比例如能在1X10、1X1(^范圍內則更好。
這樣即可通過降低蒸氣壓的同時減少蒸發(fā)材料V的蒸發(fā)量，抑制提供給燒結磁鐵s 的蒸發(fā)材料V的量，將燒結磁鐵s的平均粒徑控制在規(guī)定范圍內的同時以規(guī)定溫度范圍 加熱燒結磁鐵s、并通過作為蒸發(fā)材料使用氟化鏑加快擴散速度，上述二者相結合，即 可使蒸發(fā)材料V沉積在燒結磁鐵S表面上形成薄膜之前使Dy原子均勻而又高效地向燒 結磁鐵S的晶界相擴散(參照圖l)。其結果是可防止永磁鐵M表面惡化，此外，可抑 制過量的Dy擴散到靠近燒結磁鐵表面的區(qū)域內的晶界內，晶界相中具有Dy富相(含有5 8(P/。范圍內的Dy的相)，此外，由于Dy僅擴散到晶粒表面附近，因而可有效提高 磁化及頑磁力獲得無需進行精加工的生產效率好的永磁鐵M。
然而，如圖4所示，在制作出上述燒結磁鐵之后，作為后續(xù)工序若用線切割等加工 成所需形狀，有時會因作為燒結磁鐵表面主相的晶粒上產生裂紋而使磁特性顯著惡化 (參照圖4(a))，若實施上述真空蒸氣處理，由于在表面附近的晶粒裂紋內側形成Dy 富相(參照圖4 (b))，因而磁化及頑磁力恢復。另外，若實施上述真空蒸氣處理，由于 晶界相中具有Dy富相，且Dy僅向晶粒的表面附近擴散，因而即使在塊狀的燒結磁鐵 上實施上述真空蒸氣處理之后，作為后續(xù)工序用線切割等切割為多個薄片獲得永磁鐵時 該永磁鐵的磁特性也難以惡化。這樣即可將具有規(guī)定尺寸的散塊狀燒結磁鐵切割為多個 薄片，與以該狀態(tài)排列收容在處理室中后，實施上述真空蒸氣處理時相比，由于可縮短 燒結磁鐵進出處理室的時間因而實施上述真空蒸氣處理的前期準備變得更加簡單，與無 需精加工相結合可實現(xiàn)高生產效率。
此外，現(xiàn)有的釹磁鐵出于防銹考慮添加了 Co，但由于較之Nd，具有極高耐蝕性、 耐風化性的Dy富相存在于表面附近的晶粒裂紋的內側及晶界相中，因而無需使用Co, 即可成為具有極強耐蝕性，耐風化性的永磁鐵。而且由于Dy (Tb)擴散時，燒結磁鐵 S的晶界中沒有含Co的金屬間化合物，因而Dy (Tb)的金屬原子可更高效地擴散。
最后，實施規(guī)定時間(例如1 72小時)的上述處理之后，使加熱手段3停止動作 的同時，經未圖示的氣體導入手段給處理室20內導入10kPa的氬氣，使蒸發(fā)材料V停 止蒸發(fā)，使處理室20內的溫度先降到例如50(TC。繼而使加熱手段3再次動作，將處理 室20內的溫度設定在450'C 65(TC范圍內，為了進一步提高頑磁力或使之恢復，實施去 除永磁鐵畸變的熱處理。最后快速冷卻到室溫，取出箱體2。
在本實施方式中，作為蒸發(fā)材料V是以使用氟化鏑為例加以說明的，但在可加快擴 散速度的燒結磁鐵S的加熱溫度范圍(90(TC 100(TC的范圍)內，也可使用蒸氣壓低的 氟化鋱，或這些的合金。此外，為了減少一定溫度條件下的蒸發(fā)量，設定為使用表面系 數(shù)小的散粒狀的蒸發(fā)材料V，但并不局限于此，例如也可在箱部21內設置剖面為凹形的料盤，通過將散粒狀或顆粒狀的蒸發(fā)材料v收容到料盤內，減少表面系數(shù)，此外，還 可在把蒸發(fā)材料v收容到料盤中之后，安裝設有多個開口的蓋部(未圖示)。
此外，在本實施方式中，是針對處理室20內配置了燒結磁鐵S和蒸發(fā)材料V的情 況加以說明的，但為了能以不同的溫度加熱燒結磁鐵S和蒸發(fā)材料V，例如可在真空容 器12內在處理室20之外單獨設置蒸發(fā)室(另一處理室、未圖示)的同時，設置加熱蒸 發(fā)室的其它加熱手段，使蒸發(fā)材料V在蒸發(fā)室內蒸發(fā)之后，通過連通處理室20和蒸發(fā) 室的通道，給處理室20內的燒結磁鐵提供蒸氣氣氛中的蒸發(fā)材料V。
在此情況下，當蒸發(fā)材料是氟化鏑的情況下，可在700。C 1050'C范圍內加熱蒸發(fā)室。 如果溫度低于700'C，則達不到給燒結磁鐵S表面提供蒸發(fā)材料V使Dy足以均勻擴散 到晶界相中的蒸氣壓。另外，當蒸發(fā)材料V是氟化鋱時，可在900 1150'C范圍內加熱 蒸發(fā)室。溫度低于90(TC時，達不到可給燒結磁鐵S表面提供蒸發(fā)材料V的蒸氣壓。另 外，當溫度超過1150'C時，Tb會擴散到晶粒內，從而使最大能積及剩磁通密度下降。
此外，在使Dy及Tb擴散到晶界相中之前，為了去除吸附在燒結磁鐵S表面上的 污垢、氣體及水分，也可用真空排氣手段11將真空容器12減壓到規(guī)定壓力(例如IX 10—5Pa),處理室20減壓到比真空容器12高半位數(shù)的壓力(例如5X10""Pa)之后，保 持規(guī)定時間。此時，還可通過使加熱手段3動作將處理室20內加熱到例如100'C，并保 持規(guī)定時間。
另外，還可在真空容器12內設置產生Ar或He等離子的具有公知結構的等離子發(fā) 生裝置(未圖示)，在實施真空容器12內的處理之前，實施利用等離子清潔燒結磁鐵S 表面的前處理。當在同一處理室20內配置燒結磁鐵S和蒸發(fā)材料V的情況下，可在真 空容器12內設置公知的傳送機器人，可在真空容器12內清潔完畢后安裝蓋部22。
還有，本實施方式是針對在箱部21的上面安裝蓋部22構成箱體2的情況加以說明 的，但如果處理室20能與真空容器12隔絕，而且能隨著真空容器12的減壓而減壓， 則并不受此局限，例如也可采用下述構成將燒結磁鐵S收容到箱部21中之后在其上 面開口部覆蓋Mo制的箔。另外，也可采用能在真空容器12內密封處理室20,使之可
15獨立于真空容器12保持規(guī)定壓力的構成。
由于作為燒結磁鐵S氧含量越少，Dy及Tb向晶界相的擴散速度越快，因而燒結磁 鐵S自身的氧含量應在3000ppm以下，最好在2000ppm以下，如能在1000ppm以下則 更理想。
實施例1
在實施例1中，作為Nd—Fe—B系燒結磁鐵，使用了組分為27Nd-3Dy— 1B—O.lCu 一bal.Fe，燒結磁鐵S自身的氧含量為1500ppm以及平均粒徑為5um，加工成20X10 X5 (厚)mm的工件。在此情況下，將燒結磁鐵S的表面精加工成具有10um以下的 表面粗度后用丙酮進行了清洗。
接著用上述真空蒸氣處理裝置l，通過上述真空蒸氣處理獲得了永磁鐵M。在此情 況下，作為箱部21使用具有50X150X60mm尺寸的Mo制箱體，在承載部21a上等間 隔配置了60塊燒結磁鐵S。此外，作為蒸發(fā)材料V,將氟化鏑(99.5%、和光純藥株式 會社制)或氟化鋱(99.5%、和光純藥株式會社制)以100g的總量分別配置在處理室 20的底面上。
接著，通過使真空排氣手段動作使真空容器先行減壓到lX10^Pa (處理室內的壓 力約5Xl(^Pa)的同時，采用加熱手段3將處理室20的加熱溫度，蒸發(fā)材料V為氟化 鏑時設定為850'C (實施例la)，蒸發(fā)材料V是氟化鋱時設定為IOOO'C (實施例la), 處理室20的溫度達到上述溫度后，在該狀態(tài)下保持l、 10或18小時，進行上述真空蒸 氣處理。接著進行了去除永磁鐵畸變的熱處理。在此情況下，將處理溫度設為550'C, 處理時間設定為60分鐘。然后用線切割加工成4) 10X5mm的尺寸。
圖5及圖6示出通過上述獲得永磁鐵時的磁特性的平均值， 一并示出作為蒸發(fā)材料 使用純度為99.9%的散粒狀Dy (比較例la)以及作為蒸發(fā)材料使用純度為99.9%的散 粒狀Tb (比較例lb)，在與實施例la及l(fā)b相同條件下通過上述真空蒸氣處理獲得永磁 鐵時的磁特性的平均值。由此可知，含Dy的蒸發(fā)材料V情況下，在比較例la中，隨 著真空蒸氣處理時間的延長，頑磁力升高，將處理時間設為18小時時頑磁力約24kOe。
16與之相對應，在實施例la中，僅實施約10小時真空蒸氣處理，即獲得了24kOe以上的 頑磁力(參照圖5)。
另外，含Tb的蒸發(fā)材料情況下，在比較例lb中隨著真空蒸氣處理時間的延長，頑 磁力升高，將處理時間設為18小時時頑磁力約28kOe。與之相對應，在實施例lb中， 僅實施約IO小時的真空蒸氣處理，即獲得了 28kOe以上的頑磁力(參照圖6)。從上述 可知可縮短處理時間即Dy、 Tb的擴散時間。
實施例2
在實施例2中使用與實施例l相同的Nd—Fe—B系燒結磁鐵，在此情況下，將燒 結磁鐵S的表面精加工成具有100iim以下的表面粗度之后，用異丙醇(<乂匕°々7々 3—》)進行清洗。
接著，用上述真空蒸氣處理裝置l，通過上述真空蒸氣處理，獲得永磁鐵M。在此 情況下，作為箱部21，使用了具有200X170X60mm尺寸的Mo制箱體，將120個燒結 磁鐵S等間隔配置在承載部21a上。此外，作為蒸發(fā)材料V,將DyF3 (99.5%，和光純 藥株式會社制)或TbF3 (99.5%，和光純藥株式會社制)以及NdF3按規(guī)定的混合比配 比，用電弧爐獲得約4)lmm的散粒狀合金，以200g的總量配置在處理室20的底面上。 作為蒸發(fā)材料V，按照50DyF3或50TbF3和50PrF3的比例配比，用電弧爐獲得約4)lmm 的散粒狀合金后，以200g的總量一并配置在處理室20的底面上。
接著，通過使真空排氣手段動作，將真空容器先行減壓到lX104Pa (處理室內的 壓力約5X l(r3Pa)的同時，采用加熱手段3，把處理室20的加熱溫度，蒸發(fā)材料含DyF3 時設為850'C (實施例2a)，蒸發(fā)材料V含DyF3時設為1000'C (實施例2a)，處理室 20的溫度達到上述溫度后，在該狀態(tài)下保持10小時，實施上述真空蒸氣處理。繼而進 行了去除永磁鐵畸變的熱處理。在此情況下，將處理溫度設為550°C,處理時間設定為 60分鐘。然后用線切割加工成cl)10X5mm的尺寸。
圖7及圖8示出通過上述獲得永磁鐵時的磁特性的平均值表， 一并示出作為蒸發(fā)材 料V使用Dy金屬或Tb金屬，達到上述溫度后在該狀態(tài)下保持5小時(比較例2a、 2c)或10小時(比較例2b、 2d)，實施上述真空蒸氣處理后獲得永磁鐵時的磁特性的平均值 表。由此可知，使用含Dy的蒸發(fā)材料V時(比較例2a、 2b)，隨著真空蒸氣處理時間 的延長，頑磁力升高，頑磁力約為24kOe。與之相對應，在實施例2a中，當蒸發(fā)材料V 是DyF3及NdF3的合金情況下，即使以99重量％的比例配比Nd，頑磁力仍為26kOe以 上，具有比比較例2a、 2b高的頑磁力，可獲得高磁特性的永磁鐵。此外還可知，在蒸 發(fā)材料V是DyF3及PrF3的合金情況下也獲得了 27.5kOe的高頑磁力(參照圖7)。
另外，蒸發(fā)材料含Tb的情況下，(比較例2c、 2d)時也一樣，隨著真空蒸氣處理 時間延長頑磁力升高，頑磁力約28kOe。與之相對應，在實施例2b中，蒸發(fā)材料V為 TbF3及NdF3的合金情況下，即使以10~99重量％的比例配比Nd，頑磁力仍為32kOe 以上，具有比比較例2a、 2b高的頑磁力，可獲得高磁特性的永磁鐵。此外還可知，在 蒸發(fā)材料V是TbF3及PrF3的合金情況下也獲得了 35.7kOe的高頑磁力(參照圖8)。
實施例3
在實施例3中，作為Nd—Fe—B系燒結磁鐵，使用的是組分為27Nd-3Dy—1B— O.lCu—bal.Fe，燒結磁鐵自身的氧含量為1500ppm以及平均粒徑為5 U m，加工成40X 10X4 (厚)mm形狀的工件。在此情況下，將燒結磁鐵S的表面粗加工成具有50ym 以下的表面粗度之后，用硝酸進行了化學蝕刻。
接著用上述真空蒸氣處理裝置l，通過上述真空蒸氣處理獲得了永磁鐵M。在此情 況下，作為箱部21使用的是具有200X170X60mm尺寸的Mo—Y制箱體，在承載部 21a上等間隔配置了60個燒結磁鐵S。此外，作為蒸發(fā)材料V，將氟化鏑(99.5%，和 光純藥株式會社制)或氟化鋱(99.5%，和光純藥株式會社制)和A合金以成為卯DyF3 或90TbF3以及10A合金的比例稱量之后，用電弧爐獲得散粒狀合金(約lmm)，以300g 的總量配置在處理室20的底面上。
繼而，通過使真空排氣手段動作，將真空容器先行減壓到lX10^Pa (處理室內的 壓力約5Xl(^Pa)的同時，釆用加熱手段3把處理室20的加熱溫度，蒸發(fā)材料V含氟 化鏑時設定為850'C (實施例3a),此外，蒸發(fā)材料V含氟化鋱時設定為IOOO'C (實施例3b)，處理室20的溫度達到上述溫度后在該狀態(tài)下保持10小時，進行了上述真空蒸 氣處理。接著進行了去除永磁鐵畸變的熱處理。在此情況下，將處理溫度設為550。C， 處理時間設定為60分鐘。此后，用線切割加工成cH0X5mm的尺寸。
圖9及圖10是用上述實施例3獲得的磁特性的平均值表， 一并示出未配比A元素， 與實施例3同樣獲得永磁鐵時的磁特性的平均值(比較例3a、 3b)。由此可知，在比較 例3a中，頑磁力約24kOe。與之相對應，在實施例3a中，作為蒸發(fā)材料V通過在氟化 鏑中配比了 A元素，獲得了 26.4kOe以上，有些條件下為28kOe以上的頑磁力，頑磁 力進一步提高(參照圖9)。
另外，在比較例3b中頑磁力約28kOe。與之相對應，在實施例3b中，作為蒸發(fā)材 料V,通過在氟化鋱中配比A元素，獲得了 29.4kOe以上，有些條件下為30kOe的頑磁 力，由此可知頑磁力進一步提高。
實施例4
在實施例4中，使用的是與實施例1相同的Nd—Fe—B系燒結磁鐵。但在實施例4 中，使用的是燒結磁鐵S自身的氧含量1500ppm以及平均粒徑為5um，加工成10X10 X10 (厚)mm的塊狀體。接著，用上述真空蒸氣處理裝置1，作為蒸發(fā)材料V，使用 的是與實施例1同樣制作的DyF3 (99.5%，和光純藥株式會社制)，在與實施例1相同 條件下進行了真空蒸氣處理。在此情況下，將處理室20的加熱溫度達到90(TC后的處理 時間設為12小時，此夕卜，作為箱體13，使用的是200X170X60mm尺寸的Mo制箱體， 在承載部21上等間隔配置30個燒結磁鐵S。
接著進行了去除永磁鐵畸變的熱處理。在此情況下將處理溫度設為55(TC，處理時 間設為60分鐘。此后，用線切割在垂直于磁場定向方向的方向上切割為lmm厚度，制 作出厚度為lmm的永磁鐵。
圖11是用上述實施例4獲得的永磁鐵片的磁特性平均值表， 一并示出塊狀燒結磁 鐵(比較例4a)、未在該燒結磁鐵上實施真空蒸氣處理即切割成厚度為Imm的磁片(比 較例4b)，以及實施了真空蒸氣處理后的塊狀永磁鐵(比較例4c)的磁特性平均值表。由此可知，通過實施真空蒸氣處理，頑磁力進一步提高，在此之后即使切割，頑磁力也 不會下降，仍獲得了 18.2kOe的頑磁力。


圖1是用本發(fā)明制作的永磁鐵的剖面的示意圖。 圖2是實施本發(fā)明的處理的真空處理裝置的簡圖。 圖3是用現(xiàn)有技術制作的永磁鐵的剖面的示意圖。
圖4 (a)是燒結磁鐵表面的加工惡化的說明圖。(b)是通過實施本發(fā)明制作的永磁 鐵的表面狀態(tài)的說明圖。
圖5是用實施例la制作的永磁鐵的磁特性平均值表。 圖6是用實施例lb制作的永磁鐵的磁特性平均值表。 圖7是用實施例2a制作的永磁鐵的磁特性平均值表。 圖8是用實施例2b制作的永磁鐵的磁特性平均值表。 圖9是用實施例3a制作的永磁鐵的磁特性平均值表。 圖10是用實施例3b制作的永磁鐵的磁特性平均值表。 圖11是用實施例4制作的永磁鐵的磁特性平均值表。
圖中標號說明
1、真空蒸氣處理裝置，12、真空容器，2、箱體，21、箱部，22、蓋部，20、處理 室，3、加熱手段，S、燒結磁鐵，M、永磁鐵，V、蒸發(fā)材料。
權利要求
1、一種永磁鐵的制造方法，其特征在于在處理室內配置鐵-硼-稀土類系的燒結磁鐵，加熱到規(guī)定溫度的同時，使配置在同一或另一處理室內的至少含有Dy及Tb中的一種的氟化物構成的蒸發(fā)材料蒸發(fā)，使該蒸發(fā)的蒸發(fā)材料附著到燒結磁鐵表面，使該附著的蒸發(fā)材料的Dy、Tb的金屬原子擴散到燒結磁鐵的晶界相中。
2、 根據權利要求1所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于前述蒸發(fā)材料還含有氟化物，其至少含有Nd及Pr中的一種。
3、 根據權利要求1或2所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于前述蒸發(fā)材料至少含有從A1、 Ag、 B、 Ba、 Be、 C、 Ca、 Ce、 Co、 Cr、 Cs、 Cu、 Dy、 Er、 Eu、 Fe、 Ga、Gd、 Ge、 Hf、 Ho、 In、 K、 La、 Li、 Lu、 Mg、 Mn、 Mo、 Na、 Nb、 Nd、 Ni、 P、 Pd、Pr、 Ru、 S、 Sb、 Si、 Sm、 Sn、 Sr、 Ta、 Tb、 Tm、 Ti、 V、 W、 Y、 Yb、 Zn以及Zr中選擇出的一種。
4、 根據權利要求1 3任一項所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于將前述燒結磁鐵和蒸發(fā)材料隔離配置。
5、 根據權利要求1~4任一項所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于通過改變配置在前述處理室內的前述蒸發(fā)材料的表面系數(shù)，增減一定溫度下的蒸發(fā)量，調節(jié)蒸發(fā)的蒸發(fā)材料在燒結磁鐵表面上的供給量。
6、 根據權利要求1~5任一項所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于在前述成膜工序之前，將燒結磁鐵配置到處理室內之后，將該處理室內減壓到規(guī)定壓力并保持之。
7、 根據權利要求6所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于將前述處理室減壓到規(guī)定壓力后，將處理室內加熱到規(guī)定溫度并保持之。
8、 根據權利要求1~7任一項所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于在前述成膜工序之前，采用等離子清潔前述燒結磁鐵表面。
9、 根據權利要求1~8任一項所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于使前述金屬原子擴散到前述燒結磁鐵的晶界相中之后，用比前述溫度低的規(guī)定溫度實施去除永磁鐵畸變的熱處理。
10、 根據權利要求1~9任一項所述的永磁鐵的制造方法，其特征在于至少使Dy及Tb中的一種擴散到前述燒結磁鐵的晶界相中之后，在垂直于磁場定向方向的方向上切割為規(guī)定厚度。
11、 一種永磁鐵，其特征在于具有鐵一硼一稀土類系的燒結磁鐵，將該燒結磁鐵配置在處理室內，加熱到規(guī)定溫度的同時，使配置在同一或另一處理室內的由至少含有Dy及Tb中的一種的氟化物構成的蒸發(fā)材料蒸發(fā)，使該蒸發(fā)的蒸發(fā)材料附著到燒結磁鐵表面，使該附著的蒸發(fā)材料的Dy、 Tb的金屬原子擴散到燒結磁鐵的晶界相中后形成。
12、 根據權利要求11所述的永磁鐵，其特征在于前述蒸發(fā)材料還含有氟化物，其至少含有Nd及Pr中的一種。
13、 根據權利要求11或12所述的永磁鐵，其特征在于前述蒸發(fā)材料至少含有從Al、 Ag、 B、 Ba、 Be、 C、 Ca、 Ce、 Co、 Cr、 Cs、 Cu、 Dy、 Er、 Eu、 Fe、 Ga、 Gd、 Ge、Hf、 Ho、 In、 K、 La、 Li、 Lu、 Mg、 Mn、 Mo、 Na、 Nb、 Nd、 Ni、 P、 Pd、 Pr、 Ru、 S、Sb、 Si、 Sm、 Sn、 Sr、 Ta、 Tb、 Tm、 Ti、 V、 W、 Y、 Yb、 Zn以及Zr中選擇出的一種。
14、 根據權利要求11~13任一項所述的永磁鐵，其特征在于至少使Dy及Tb中的一種擴散到前述燒結磁鐵的晶界相中后，在垂直于磁場定向方向的方向上切割為規(guī)定厚度后形成。
全文摘要
能夠以高生產效率及低成本制造出永磁鐵，其使Dy、Tb附著到規(guī)定形狀的鐵—硼—稀土類系的燒結磁鐵表面，并擴散到其晶界相中后形成。在處理室內配置鐵—硼—稀土類系的燒結磁鐵，加熱到規(guī)定溫度的同時，使配置在同一或另一處理室內的至少含有Dy及Tb中的一種的氟化物構成的蒸發(fā)材料V蒸發(fā)，使該蒸發(fā)的蒸發(fā)材料附著到燒結磁鐵表面，使該附著的蒸發(fā)材料的Dy、Tb的金屬原子在燒結磁鐵表面上形成由蒸發(fā)材料構成的薄膜之前擴散到燒結磁鐵的晶界相中。
文檔編號C01B35/04GK101563737SQ20078004714
公開日2009年10月21日 申請日期2007年12月19日 優(yōu)先權日2006年12月21日
發(fā)明者中塚篤, 中村久三, 伊藤正美, 加藤丈夫, 吉泉良, 向江一郎, 新垣良憲, 永田浩 申請人:株式會社愛發(fā)科