一種一體式冷凍弧源的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種一體式冷凍弧源，涉及真空離子鍍技術領域，包括引弧組件、蒸發(fā)源、水冷套、調節(jié)套、屏蔽組件、法蘭和磁場微調組件，所述蒸發(fā)源設于法蘭的右側并通過調節(jié)套固定在法蘭上，所述水冷套設于法蘭的左側，水冷套與法蘭一體焊接成型并組成一水冷腔，水冷腔左側上下分別設有進水口和出水口，所述引弧組件安裝在法蘭上并位于蒸發(fā)源的側面，所述磁場微調組件設于水冷套的左側并通過封蓋固定，所述屏蔽組件安裝于法蘭的側面，本實用新型采用整體焊接工藝，水冷套與法蘭一體化焊接，使其燃燒材料時，表面溫度低，同時增加大水冷套，使其流量大，效果佳，避免產生過熱現(xiàn)象，整體結構緊湊，安裝方便。
【專利說明】
_種_體式冷凍弧源
技術領域
[0001 ]本實用新型涉及真空離子鍍技術領域，具體涉及一種一體式冷凍弧源。
【背景技術】
[0002]電弧離子鍍(Arc1n Plating)離子鍍膜，是70年代由蘇聯(lián)人發(fā)明，80年代初，美國的Muti Arc公司將其應用于工業(yè)生產，后來在世界范圍內得到蓬勃發(fā)展。鍍出的膜層速度快、致密度高，結合力好等特點。世界上比較知名的鍍膜設備廠如荷蘭的hauzer;瑞士balzers；日本kobelco等。國內有普斯特;實力源;丹普等。
[0003]該技術具備很多優(yōu)點，離化率高70%?80 %，所以沉積速度快、繞鍍性好、膜基結合力和膜層性能好;不產生熔池可以合理分配靶的位置，膜層均勻性好;可以施加負偏壓，入射離子能量高，膜層致密度高，由于可以活化膜基界面，促進原子擴散，因而膜基結合力好;一弧多用是蒸發(fā)源、離化源加熱源、清洗;可以低溫沉積;應用廣泛，主要牽涉到各種刀具;車輛零部件;航空業(yè);鐘表行業(yè);各種裝飾。
[0004]目前的電弧源主要存在以下問題:靶材表面燃燒溫度太高，濺射速率低，對于燃燒高熔點材料，容易產生過熱現(xiàn)象。申請?zhí)枮镃N 201520486173.9公開了一種陰極電弧源，包括陰極底座，所述陰極底座的內側壁上螺紋連接有永磁塊，外側壁上通過螺絲固定有法蘭板，且所述法蘭板在陰極底座的外側接裝有陽極筒，其中所述陰極底座與法蘭板、以及陽極筒之間相互絕緣設置;所述陽極筒在背離所述法蘭板的一側裝配有連接柱，并通過該連接柱接裝有陽極罩;所述陰極底座上開設有水冷內腔，并在該水冷內腔的頂壁上通過卡環(huán)連接件卡接有靶材，且所述靶材貼合于陰極底座中水冷內腔的頂壁設置;所述頂壁設為具有彈性的隔膜板，并可在水冷內腔水壓的作用下發(fā)生形變以貼合靶材。但是該種電弧源仍沒有解決靶材表面燃燒溫度太高、濺射速率低的問題。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型的目的在于提供一種一體式冷凍弧源，以解決現(xiàn)有技術中導致的上述多項缺陷。
[0006]—種一體式冷凍弧源，包括引弧組件、蒸發(fā)源、水冷套、調節(jié)套、屏蔽組件、法蘭和磁場微調組件，所述蒸發(fā)源設于法蘭的右側并通過調節(jié)套固定在法蘭上，所述水冷套設于法蘭的左側，水冷套與法蘭一體焊接成型并組成一水冷腔，水冷腔左側上下分別設有進水口和出水口，所述引弧組件安裝在法蘭上并位于蒸發(fā)源的側面，所述磁場微調組件設于水冷套的左側并通過封蓋固定，所述屏蔽組件安裝于法蘭的側面。
[0007]優(yōu)選的，所述磁場微調組件包括調節(jié)桿、安裝板和永磁體，調節(jié)桿穿設在封蓋內并可在封蓋內來回滑動，調節(jié)桿的里端連接有所述安裝板，永磁體固定在安裝板的里端。
[0008]優(yōu)選的，所述調節(jié)桿的外端連接有提拉塊。
[0009]優(yōu)選的，所述法蘭與屏蔽組件之間還設有絕緣套件。
[0010]優(yōu)選的，所述永磁體的形狀具體為環(huán)形。
[0011]本實用新型的優(yōu)點在于:該種電弧源采用整體焊接工藝，水冷套與法蘭一體化焊接，使其燃燒材料時，表面溫度低，同時增加大水冷套，使其流量大，效果佳，避免產生過熱現(xiàn)象，整體結構緊湊，安裝方便。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型所述的一種一體式冷凍弧源的正剖視圖。
[0013]圖2為本實用新型所述的一種一體式冷凍弧源中永磁體的結構示意圖。
[0014]其中:I一引弧組件，2—蒸發(fā)源，3—水冷套，4一調節(jié)套，5—屏蔽組件，6—絕緣套件，7—水冷腔，8—法蘭，9一調節(jié)桿，1—安裝板，11 一永磁體，12—提拉塊，13—封蓋，14一進水口，15—出水口。
【具體實施方式】
[0015]為使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合【具體實施方式】，進一步闡述本實用新型。
[0016]如圖1所示，一種一體式冷凍弧源，包括引弧組件1、蒸發(fā)源2、水冷套3、調節(jié)套4、屏蔽組件5、法蘭8和磁場微調組件，所述蒸發(fā)源2設于法蘭8的右側并通過調節(jié)套4固定在法蘭8上，所述水冷套3設于法蘭8的左側，水冷套3與法蘭8—體焊接成型并組成一水冷腔7，水冷腔7左側上下分別設有進水口 14和出水口 15，所述引弧組件I安裝在法蘭8上并位于蒸發(fā)源2的側面，所述磁場微調組件設于水冷套3的左側并通過封蓋13固定，所述屏蔽組件5安裝于法蘭8的側面，該種電弧源采用整體焊接工藝，水冷套3與法蘭8—體化焊接，使其燃燒材料時，表面溫度低，同時增加大水冷套3，使其流量大，效果佳，避免產生過熱現(xiàn)象，整體結構緊湊，安裝方便。
[0017]值得注意的是，所述磁場微調組件包括調節(jié)桿9、安裝板10和永磁體11，調節(jié)桿9穿設在封蓋13內并可在封蓋13內來回滑動，調節(jié)桿9的里端連接有所述安裝板1，永磁體11固定在安裝板10的里端，所述調節(jié)桿9的外端連接有提拉塊12，所述永磁體11的形狀具體為環(huán)形。
[0018]在本實施例中，所述法蘭8與屏蔽組件5之間還設有絕緣套件6。
[0019]基于上述，本實用新型采用整體焊接工藝，水冷套3與法蘭8—體化焊接，使其燃燒材料時，表面溫度低，同時增加大水冷套3，使其流量大，效果佳，避免產生過熱現(xiàn)象，整體結構緊湊，安裝方便，鍍膜效果好。
[0020]由技術常識可知，本實用新型可以通過其它的不脫離其精神實質或必要特征的實施方案來實現(xiàn)。因此，上述公開的實施方案，就各方面而言，都只是舉例說明，并不是僅有的。所有在本實用新型范圍內或在等同于本實用新型的范圍內的改變均被本實用新型包含ο
【主權項】
1.一種一體式冷凍弧源，其特征在于，包括引弧組件、蒸發(fā)源、水冷套、調節(jié)套、屏蔽組件、法蘭和磁場微調組件，所述蒸發(fā)源設于法蘭的右側并通過調節(jié)套固定在法蘭上，所述水冷套設于法蘭的左側，水冷套與法蘭一體焊接成型并組成一水冷腔，水冷腔左側上下分別設有進水口和出水口，所述引弧組件安裝在法蘭上并位于蒸發(fā)源的側面，所述磁場微調組件設于水冷套的左側并通過封蓋固定，所述屏蔽組件安裝于法蘭的側面。2.根據(jù)權利要求1所述的一種一體式冷凍弧源，其特征在于:所述磁場微調組件包括調節(jié)桿、安裝板和永磁體，調節(jié)桿穿設在封蓋內并可在封蓋內來回滑動，調節(jié)桿的里端連接有所述安裝板，永磁體固定在安裝板的里端。3.根據(jù)權利要求2所述的一種一體式冷凍弧源，其特征在于:所述調節(jié)桿的外端連接有提拉塊。4.根據(jù)權利要求1所述的一種一體式冷凍弧源，其特征在于:所述法蘭與屏蔽組件之間還設有絕緣套件。5.根據(jù)權利要求2所述的一種一體式冷凍弧源，其特征在于:所述永磁體的形狀具體為環(huán)形。
【文檔編號】C23C14/32GK205688002SQ201620436071
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年5月14日 公開號201620436071.0, CN 201620436071, CN 205688002 U, CN 205688002U, CN-U-205688002, CN201620436071, CN201620436071.0, CN205688002 U, CN205688002U
【發(fā)明人】武文全
【申請人】佛山市佛欣真空技術有限公司