一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，包括底座和非標(biāo)工作臺；所述底座上設(shè)有行程調(diào)節(jié)軸，所述行程調(diào)節(jié)軸上一側(cè)活動連接有電機(jī)，另一側(cè)固定連接有箱體；所述箱體內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸下端伸出所述箱體連接有非標(biāo)刀頭；所述箱體一側(cè)連接有進(jìn)給操作手輪；所述非標(biāo)工作臺固定在所述底座上，且位置正對所述非標(biāo)刀頭下端；所述非標(biāo)工作臺中間活動連接有硅片吸盤，所述硅片吸盤周圍依次間隔設(shè)置有若干非標(biāo)定制入刀槽和密封圈。本發(fā)明所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，由于通過進(jìn)給操作手輪的操作可進(jìn)行切割，實現(xiàn)硅片的取中掏圓的目的，邊角料可得到保護(hù)，從原來的粉末狀態(tài)變?yōu)榭招钠瑺?，?jié)省了原料資源。
【專利說明】
一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于工業(yè)半導(dǎo)體硅片加工生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其是涉及一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]硅片切割是電子工業(yè)主要原材料一硅片(晶圓)生產(chǎn)的上游關(guān)鍵技術(shù)，切割的質(zhì)量與規(guī)模直接影響到整個產(chǎn)業(yè)鏈的后續(xù)生產(chǎn)。硅片切割對于切片工藝技術(shù)的原則要求是:①切割精度高、表面平行度高、翹曲度和厚度公差小;②斷面完整性好，消除拉絲、刀痕和微裂紋;③提高成品率，縮小刀(鋼絲)切縫，降低原材料損耗;④提高切割速度，實現(xiàn)自動化切割。
[0003]目前對硅片切割多采用將批量硅片放置在磨床上研磨切割，這種方法在切割加持中產(chǎn)生原材料破碎，從而造成浪費。而另一方面，隨著市場的發(fā)展，客戶針對半導(dǎo)體硅片直徑尺寸的要求不斷變化，應(yīng)對不同需求的客戶要求，在提供客戶滿意的產(chǎn)品同時，降低生產(chǎn)企業(yè)成本成為一種迫切需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明旨在提出一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，以解決目前硅片切割中多片切割在夾持中原料易破碎，造成企業(yè)生產(chǎn)成本上升的問題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0006]—種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，包括底座和非標(biāo)工作臺；
[0007]所述底座上設(shè)有行程調(diào)節(jié)軸，所述行程調(diào)節(jié)軸上一側(cè)活動連接有電機(jī)，另一側(cè)固定連接有箱體;所述箱體內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸下端伸出所述箱體連接有非標(biāo)刀頭;所述箱體一側(cè)連接有進(jìn)給操作手輪；
[0008]所述非標(biāo)工作臺固定在所述底座上，且位置正對所述非標(biāo)刀頭下端;所述非標(biāo)工作臺中間活動連接有硅片吸盤，所述硅片吸盤周圍依次間隔設(shè)置有若干非標(biāo)定制入刀槽和密封圈。
[0009]進(jìn)一步的，所述非標(biāo)工作臺與所述底座之間設(shè)有若干立柱，所述立柱一端連接所述非標(biāo)工作臺，另一端連接所述底座。
[0010]進(jìn)一步的，所述硅片吸盤與所述底座之間設(shè)有彈性件，所述彈性件內(nèi)部設(shè)有真空栗管;所述真空栗管一端連接所述硅片吸盤。
[0011]進(jìn)一步的，所述硅片吸盤位于所述非標(biāo)工作臺臺面的幾何中心;所述硅片吸盤為圓形，其直徑為4_8cm
[0012]進(jìn)一步的，所述彈性件為彈簧。
[0013]進(jìn)一步的，所述非標(biāo)定制入刀槽和密封圈的橫截面形狀均為環(huán)形;所述非標(biāo)定制入刀槽橫截面環(huán)形寬度大于所述密封圈的橫截面環(huán)形寬度;所述非標(biāo)定制入刀槽和密封圈的數(shù)量均為5個。
[0014]進(jìn)一步的，所述非標(biāo)刀頭橫截面為圓形;所述非標(biāo)刀頭下端正對所述硅片吸盤，且兩者間距為20-45cm;所述非標(biāo)刀頭刀片表面鍍有400號金剛砂，刀片厚度為0.2-0.5mm。
[0015]進(jìn)一步的，所述轉(zhuǎn)軸平行于所述行程調(diào)節(jié)軸;所述非標(biāo)工作臺橫截面為圓形，其直徑大于等于所述底座寬度;所述非標(biāo)工作臺的直徑為20-30cm。
[0016]進(jìn)一步的，所述底座上表面設(shè)有冷卻液回收孔;所述冷卻液回收孔位于所述非標(biāo)工作臺和所述行程調(diào)節(jié)軸之間；所述箱體上面固定連接有保護(hù)罩，所述保護(hù)罩一側(cè)外表面設(shè)有冷卻水出口、真空栗開關(guān)和電機(jī)開關(guān)，所述冷卻水出口連接有冷卻水管;所述保護(hù)罩下面連接所述電機(jī)。
[0017]進(jìn)一步的，所述冷卻水管末端連接有冷卻水噴嘴，所述冷卻水噴嘴緊鄰所述非標(biāo)刀頭。
[0018]本發(fā)明所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備所采用的工作原理為:非標(biāo)工作臺真空系統(tǒng)將待加工硅片固定在非標(biāo)工作臺上，非標(biāo)刀頭在轉(zhuǎn)軸進(jìn)給的作用下進(jìn)行定位旋轉(zhuǎn)切割，非標(biāo)刀頭上的金剛砂與硅片進(jìn)行小面積接觸磨切，可成功保留切割后的外延邊角料，實現(xiàn)回收利用。
[0019]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備具有以下優(yōu)勢:
[0020]本發(fā)明所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，由于設(shè)置了非標(biāo)工作臺、非標(biāo)定制入刀槽和密封圈，可按照硅片實際需求尺寸進(jìn)行加工;在非標(biāo)工作臺臺面幾何中心位置設(shè)置硅片吸盤，并在硅片吸盤與底座之間設(shè)置彈性件和真空栗管，可利用真空栗和彈性件來實現(xiàn)硅片的固定和彈出；通過進(jìn)給操作手輪的操作可進(jìn)行切割，實現(xiàn)硅片的取中掏圓的目的，與以往的直接磨削到需求直徑相比，邊角料得到了保護(hù)，從原來的粉末狀態(tài)變?yōu)榭招钠瑺?，?jié)省了原料資源，從而可有效的回收利用，降低生產(chǎn)成本;此外，將真空栗的開關(guān)設(shè)置在保護(hù)罩外部，可方便操作。
【附圖說明】
[0021]構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0022]圖1為本發(fā)明實施例所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備的立體示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明實施例所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備的左視圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實施例所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備非標(biāo)工作臺、硅片吸盤、彈性件、真空栗管、立柱和底座相對位置示意圖。
[0025]附圖標(biāo)記說明:
[0026]1-底座;2-非標(biāo)工作臺；3-行程調(diào)節(jié)軸;4-電機(jī);5-箱體;6_轉(zhuǎn)軸;7_非標(biāo)刀頭;8_進(jìn)給操作手輪;9-硅片吸盤；10-非標(biāo)定制入刀槽;11-密封圈；12-立柱;13-彈性件；14-真空栗管；15-冷卻液回收孔;16-保護(hù)罩;17-真空栗開關(guān);18-電機(jī)開關(guān);19-冷卻水管。
【具體實施方式】
[0027]需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0028]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
[0029]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機(jī)械連接，也可以是電連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以通過具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0030]下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0031]如圖1-3所示，一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，包括底座I和非標(biāo)工作臺2;
[0032]所述底座I上設(shè)有行程調(diào)節(jié)軸3，所述行程調(diào)節(jié)軸3上一側(cè)活動連接有電機(jī)4，另一側(cè)固定連接有箱體5;所述箱體5內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)軸6，所述轉(zhuǎn)軸6下端伸出所述箱體5連接有非標(biāo)刀頭7 ；所述箱體5—側(cè)連接有進(jìn)給操作手輪8;
[0033]所述非標(biāo)工作臺2固定在所述底座I上，且位置正對所述非標(biāo)刀頭7下端;所述非標(biāo)工作臺2中間活動連接有硅片吸盤9，所述硅片吸盤9周圍依次間隔設(shè)置有若干非標(biāo)定制入刀槽10和密封圈11。
[0034]所述非標(biāo)工作臺2與所述底座I之間設(shè)有若干立柱12，所述立柱12—端連接所述非標(biāo)工作臺2，另一端連接所述底座I。
[0035]所述硅片吸盤9與所述底座I之間設(shè)有彈性件13，所述彈性件13內(nèi)部設(shè)有真空栗管14;所述真空栗管14 一端連接所述硅片吸盤9。
[0036]所述硅片吸盤9位于所述非標(biāo)工作臺2臺面的幾何中心;所述硅片吸盤9為圓形，其直徑為6 cm
[0037]所述彈性件13為彈簧。
[0038]所述非標(biāo)定制入刀槽10和密封圈11的橫截面形狀均為環(huán)形;所述非標(biāo)定制入刀槽10橫截面環(huán)形寬度大于所述密封圈11的橫截面環(huán)形寬度;所述非標(biāo)定制入刀槽10和密封圈11的數(shù)量均為5個。
[0039]所述非標(biāo)刀頭7橫截面為圓形;所述非標(biāo)刀頭7下端正對所述硅片吸盤9，且兩者間距為30cm;所述非標(biāo)刀頭7刀片表面鍍有400號金剛砂，刀片厚度為0.3mm。
[0040]所述轉(zhuǎn)軸6平行于所述行程調(diào)節(jié)軸3;所述非標(biāo)工作臺2橫截面為圓形，其直徑大于等于所述底座I寬度;所述非標(biāo)工作臺2的直徑為25cm。
[0041]所述底座I上表面設(shè)有冷卻液回收孔15;所述冷卻液回收孔15位于所述非標(biāo)工作臺2和所述行程調(diào)節(jié)軸3之間;所述箱體5上面固定連接有保護(hù)罩16，所述保護(hù)罩16—側(cè)外表面設(shè)有冷卻水出口、真空栗開關(guān)17和電機(jī)開關(guān)18，所述冷卻水出口連接有冷卻水管19;所述保護(hù)罩16下面連接所述電機(jī)4。
[0042]所述冷卻水管19末端連接有冷卻水噴嘴，所述冷卻水噴嘴緊鄰所述非標(biāo)刀頭7。
[0043]本實施例的工作過程為:
[0044]工作時，將本實施例所述一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備與現(xiàn)有真空栗、抽液栗連接;首先調(diào)節(jié)所述行程調(diào)節(jié)軸3至合適位置，再將硅片放置在所述非標(biāo)工作臺2上，選取需要切割部位以所述硅片吸盤9中心為參考點進(jìn)行對中，完成后接通所述真空栗開關(guān)17，此時硅片在所述硅片吸盤9和密封圈11的作用下成功吸附在所述非標(biāo)工作臺2上，再打開所述電機(jī)開關(guān)18和冷卻水噴嘴，緩慢勻速調(diào)節(jié)所述進(jìn)給操作手輪8進(jìn)行切割加工，直至硅片切透后，刀片入至所述非標(biāo)定制入刀槽10內(nèi)，松開進(jìn)給操作手輪8，所述轉(zhuǎn)軸6將回至原點，此時斷開所述真空栗開關(guān)17及電機(jī)開關(guān)18，所述硅片吸盤9在所述彈性件13的作用下將成品硅片彈出，操作人員可進(jìn)行取片工作，切割過程完成;切割過程中的冷卻水通過所述冷卻液回收孔15進(jìn)行回收后，在抽液栗的作用下重新補(bǔ)給到冷卻水噴嘴的位置，可實現(xiàn)冷卻水循環(huán)使用，降低水資源消耗。
[0045]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:包括底座(I)和非標(biāo)工作臺(2); 所述底座(I)上設(shè)有行程調(diào)節(jié)軸(3)，所述行程調(diào)節(jié)軸(3)上一側(cè)活動連接有電機(jī)(4)，另一側(cè)固定連接有箱體(5);所述箱體(5)內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)軸(6)，所述轉(zhuǎn)軸(6)下端伸出所述箱體(5)連接有非標(biāo)刀頭(7);所述箱體(5)—側(cè)連接有進(jìn)給操作手輪(8); 所述非標(biāo)工作臺(2)固定在所述底座(I)上，且位置正對所述非標(biāo)刀頭(7)下端;所述非標(biāo)工作臺(2)中間活動連接有硅片吸盤(9)，所述硅片吸盤(9)周圍依次間隔設(shè)置有若干非標(biāo)定制入刀槽(10)和密封圈(11)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:所述非標(biāo)工作臺(2)與所述底座(I)之間設(shè)有若干立柱(12)，所述立柱(12)—端連接所述非標(biāo)工作臺(2)，另一端連接所述底座(I)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:所述硅片吸盤(9)與所述底座(I)之間設(shè)有彈性件(13)，所述彈性件(13)內(nèi)部設(shè)有真空栗管(14);所述真空栗管(14) 一端連接所述硅片吸盤(9)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:所述硅片吸盤(9)位于所述非標(biāo)工作臺(2)臺面的幾何中心;所述硅片吸盤(9)為圓形，其直徑為4-8cm。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:所述彈性件(13)為彈簧。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:所述非標(biāo)定制入刀槽(10)和密封圈(11)的橫截面形狀均為環(huán)形；所述非標(biāo)定制入刀槽(10)橫截面環(huán)形寬度大于所述密封圈(11)的橫截面環(huán)形寬度;所述非標(biāo)定制入刀槽(10)和密封圈(11)的數(shù)量均為5個。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:所述非標(biāo)刀頭(7)橫截面為圓形;所述非標(biāo)刀頭(7)下端正對所述硅片吸盤(9)，且兩者間距為20-45cm;所述非標(biāo)刀頭(7)刀片表面鍍有400號金剛砂，刀片厚度為0.2-0.5mm。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:所述轉(zhuǎn)軸(6)平行于所述行程調(diào)節(jié)軸(3);所述非標(biāo)工作臺(2)橫截面為圓形，其直徑大于等于所述底座(I)寬度;所述非標(biāo)工作臺(2)的直徑為20-30cm。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:所述底座(I)上表面設(shè)有冷卻液回收孔(15);所述冷卻液回收孔(15)位于所述非標(biāo)工作臺(2)和所述行程調(diào)節(jié)軸(3)之間；所述箱體(5)上面固定連接有保護(hù)罩(16)，所述保護(hù)罩(16)—側(cè)外表面設(shè)有冷卻水出口、真空栗開關(guān)(17)和電機(jī)開關(guān)(18)，所述冷卻水出口連接有冷卻水管(19);所述保護(hù)罩(16)下面連接所述電機(jī)(4)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種新型半導(dǎo)體硅片割圓技術(shù)設(shè)備，其特征在于:所述冷卻水管(19)末端連接有冷卻水噴嘴，所述冷卻水噴嘴緊鄰所述非標(biāo)刀頭(7)。
【文檔編號】B24B55/02GK106078461SQ201610626884
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月29日 公開號201610626884.0, CN 106078461 A, CN 106078461A, CN 201610626884, CN-A-106078461, CN106078461 A, CN106078461A, CN201610626884, CN201610626884.0
【發(fā)明人】周明月, 劉嘉, 李仕權(quán), 王彥君, 周超, 張雪囡, 由佰玲
【申請人】天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司