本技術(shù)屬于晶圓生產(chǎn)，具體涉及一種改善硅晶圓拋光過程中顆粒聚集的裝置。

背景技術(shù)：

1、硅晶圓表面的潔凈度會(huì)影響芯片微影制程中光阻旋涂的厚度，使得device(設(shè)備)線路斷路、短路，造成芯片電性能失效，影響芯片的可靠性。隨著ic制造技術(shù)發(fā)展遵循摩爾定律，工藝線寬越來越窄，對(duì)硅晶圓表面潔凈度要求越來越高。

2、目前硅晶圓的平坦度主要采用單面拋光控制，其中使用粘合劑和載具貼合后進(jìn)行拋光，拋光后的晶片進(jìn)行簡(jiǎn)易清洗，清洗去除晶片表面的拋光漿，防止?jié){料干結(jié)在晶片表面。清洗和涂布粘合劑在相同的機(jī)構(gòu)加工，導(dǎo)致此機(jī)構(gòu)位置有粘合劑殘留污染，晶片在此清洗甩干過程中，清洗液帶著粘合劑回濺到晶片表面，造成污染，使晶片表面的顆粒量測(cè)數(shù)值偏高。如何防止粘合劑殘留污染晶片，是目前急需解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的就在于為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種改善硅晶圓拋光過程中顆粒聚集的裝置。

2、本實(shí)用新型的目的是以下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

3、一種改善硅晶圓拋光過程中顆粒聚集的裝置，由上至下包括依次連接的喇叭口段、中間段和尾部支撐段；

4、所述中間段和所述尾部支撐段為臺(tái)階式設(shè)置，所述中間段的內(nèi)徑大于所述尾部支撐段的內(nèi)徑；所述中間段用于容納硅晶圓和硅晶圓支撐基座；所述尾部支撐段用于容納基座支撐柱；

5、所述喇叭口段的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有防污染涂層。

6、優(yōu)選的，所述中間段的內(nèi)徑大于所述尾部支撐段的內(nèi)徑15～25mm。

7、優(yōu)選的，所述中間段內(nèi)徑大于所述基座直徑105～115mm，所述中間段高度大于所述基座高度20～25mm，所述基座位于所述中間段中心位置。

8、優(yōu)選的，所述防污染涂層材料為特氟龍。

9、本申請(qǐng)將相關(guān)技術(shù)的兩段式設(shè)置改進(jìn)為三段式設(shè)置，將放置基座的中間段和上方的喇叭口段內(nèi)徑擴(kuò)大，減少了粘合劑的回濺，將放置基座支撐柱的尾部支撐段保持原有內(nèi)徑，以盡量減少裝置占用空間，方便與拋光機(jī)臺(tái)連接。另外去除了小斜臂，減少了由小斜臂減少的回濺污染，同時(shí)為了替代小斜臂，防止金屬污染，在喇叭口段的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有防污染涂層，有效改善了硅晶圓表面的顆粒聚集的問題。

技術(shù)特征：

1.一種改善硅晶圓拋光過程中顆粒聚集的裝置，其特征在于，由上至下包括依次連接的喇叭口段、中間段和尾部支撐段；

2.如權(quán)利要求1所述的改善硅晶圓拋光過程中顆粒聚集的裝置，其特征在于，

3.如權(quán)利要求1所述的改善硅晶圓拋光過程中顆粒聚集的裝置，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1所述的改善硅晶圓拋光過程中顆粒聚集的裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種改善硅晶圓拋光過程中顆粒聚集的裝置，由上至下包括依次連接的喇叭口段、中間段和尾部支撐段；所述中間段和所述尾部支撐段為臺(tái)階式設(shè)置，所述中間段的內(nèi)徑大于所述尾部支撐段的內(nèi)徑；所述中間段用于容納硅晶圓和硅晶圓支撐基座；所述尾部支撐段用于容納基座支撐柱；所述喇叭口段的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有防污染涂層。本申請(qǐng)將相關(guān)技術(shù)的兩段式設(shè)置改進(jìn)為三段式設(shè)置，減少了粘合劑的回濺，有效改善了硅晶圓表面的顆粒聚集的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：吳泓明,鐘佑生,黃郁璿,侯國(guó)輝,孫耀威,張帥航
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鄭州合晶硅材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240511
技術(shù)公布日：2025/1/9