一種圖案化裝置及系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種圖案化裝置及系統(tǒng)，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠?qū)崿F(xiàn)局部ALD鍍膜。該圖案化裝置包括至少一個(gè)氣體打印頭以及氣體傳輸單元。其中，氣體打印頭的一端在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與基板相接觸，以使得通過(guò)氣體打印頭形成于基板上的薄膜層圖案在所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)。上述氣體打印頭另一端連接用于傳輸氣體的所述氣體傳輸單元。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種圖案化裝置及系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種圖案化裝置及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED (Organic Electroluminesence Display,有機(jī)電致發(fā)光顯不器)具有自發(fā)光，不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，具備了許多LED不可比擬的優(yōu)勢(shì)，目前已經(jīng)逐漸成為顯示領(lǐng)域的主流。
[0003]在制作OLED的過(guò)程中通常會(huì)采用納米金屬薄層作為OLED的陰極或采用有機(jī)材料形成其他層級(jí)結(jié)構(gòu)。然而，上述有機(jī)材料以及構(gòu)成OLED陰極的金屬對(duì)水、氧氣的敏感度很高。因此，較其它類(lèi)型的顯示器，例如LED而言，在制作OLED的過(guò)程中，需要采用密閉性更好的封裝技術(shù)。從而避免由于封裝不牢固，使得水和氧氣從周?chē)h(huán)境滲入OLED內(nèi)部，造成陰極金屬的氧化和有機(jī)材料的變質(zhì)，導(dǎo)致顯示器件損壞，減小OLED的壽命縮短。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，在OLED的制作過(guò)程中可以采用ALD(Atomic Layer Deposition,原子力沉積)鍍膜封裝方式，在整個(gè)鍍膜沉積腔體中，可以將薄膜沉積過(guò)程以單原子層沉積步驟進(jìn)行實(shí)施，即將物質(zhì)以單原子層的形式一層一層的鍍?cè)诨宓谋砻?。原子層的沉積是活性分子前驅(qū)體和基板之間發(fā)生化學(xué)吸附的結(jié)果，新一層原子層的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。該鍍膜方式具有很好的封裝效果，例如可以使得 WVTR (water vapor transmission rate,水蒸汽滲透速率)< 10_6g/m2/day。從而能夠延長(zhǎng)OLED的壽命。
[0005]然而，采用上述ALD鍍膜封裝方式制作OLED在制作OLED時(shí)時(shí)，由于ALD鍍膜方式具有很好的包裹特性(Step Coverage)，在薄膜層圖案化的過(guò)程中，會(huì)導(dǎo)致薄膜圖案化困難，即使使用掩膜板進(jìn)行遮擋，也會(huì)在掩膜板的遮擋區(qū)域的下方形成原子層，從而使得應(yīng)該裸露的區(qū)域(例如，IC Bonding，驅(qū)動(dòng)綁定區(qū)域)被鍍膜，降低了薄膜圖案化的精度。這樣一來(lái)，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的綁定造成不利的影響，使得顯示區(qū)的可視區(qū)域減小，降低了顯示器的質(zhì)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種圖案化裝置及系統(tǒng)，沉積于基板上的薄膜層能夠位于預(yù)設(shè)定的區(qū)域內(nèi)。
[0007]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]本實(shí)用新型的一方面，提供一種圖案化裝置及系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)局部ALD鍍膜。
[0009]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0010]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種圖案化裝置，設(shè)置于基板的待成膜一側(cè)；包括:至少一個(gè)氣體打印頭以及氣體傳輸單元；
[0011]所述氣體打印頭的一端在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述基板相接觸，以使得通過(guò)所述氣體打印頭形成于所述基板上的薄膜層圖案在所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)；
[0012]所述氣體打印頭另一端連接用于傳輸氣體的所述氣體傳輸單元。
[0013]優(yōu)選地，所述氣體打印頭包括用于通過(guò)氣體沉積以形成所述薄膜層圖案的原子沉積腔。
[0014]優(yōu)選地，所述原子沉積腔與所述基板相對(duì)的一端的開(kāi)口形狀與預(yù)設(shè)圖案的形狀、尺寸相匹配。
[0015]優(yōu)選地，還包括:用于通入隔離氣體的隔離腔，所述隔離腔設(shè)置于所述原子沉積腔的四周，包裹所述原子沉積腔。
[0016]優(yōu)選地，還包括:用于回收尾氣的尾氣回收腔，所述尾氣回收腔設(shè)置于所述原子沉積腔與所述隔離腔之間，包裹所述原子沉積腔。
[0017]優(yōu)選的，所述氣體打印頭上設(shè)置有第一進(jìn)氣口、第二進(jìn)氣口以及排氣口 ；
[0018]所述第一進(jìn)氣口與所述原子沉積腔相連接；
[0019]所述第二進(jìn)氣口與所述隔離腔相連接；
[0020]所述排氣口與所述尾氣回收腔相連接。
[0021]優(yōu)選地，所述氣體打印頭靠近所述基板的一側(cè)設(shè)置有打印噴嘴，所述打印噴嘴的開(kāi)口形狀與所述預(yù)設(shè)圖案的形狀、尺寸相匹配。
[0022]優(yōu)選地，所述氣體打印頭與所述打印噴嘴之間設(shè)置有用于拆卸所述打印噴嘴的安裝部。
[0023]優(yōu)選地，所述氣體打印頭與所述打印噴嘴之間設(shè)置有密封圈。
[0024]優(yōu)選地，多個(gè)所述氣體打印頭以矩陣形式排列。
[0025]本實(shí)用新型提供的另一方面，一種圖案化系統(tǒng)，包括至少一個(gè)如上所述的任意一種圖案化裝置。
[0026]本實(shí)用新型提供一種圖案化裝置及系統(tǒng)，該圖案化裝置包括至少一個(gè)氣體打印頭以及氣體傳輸單元。其中，氣體打印頭的一端在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與基板相接觸，以使得通過(guò)氣體打印頭形成于基板上的薄膜層圖案在所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)。上述氣體打印頭另一端連接用于傳輸氣體的所述氣體傳輸單元。這樣一來(lái)，沉積于基板上的薄膜層能夠位于上述預(yù)設(shè)定的區(qū)域內(nèi)，從而使得薄膜圖案化易于實(shí)現(xiàn)，并提高了薄膜圖案化的精度。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種圖案化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種圖案化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種圖案化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種圖案化裝置工作示意圖；
[0032]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種氣體傳輸單元結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種圖案化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；[0034]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種圖案化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種圖案化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種圖案化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種圖案化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]附圖標(biāo)記:
[0039]01-基板；10_氣體打印頭；101-原子沉積腔；102-隔離腔；103_尾氣回收腔；104-打印噴嘴；11_氣體傳輸單元；110-第一進(jìn)氣口 ；111-第二進(jìn)氣口 ；112_排氣口 ；120-安裝部；121-密封圈；200_預(yù)設(shè)區(qū)域；201-基板的待成膜一側(cè)；202_密封墊。
【具體實(shí)施方式】
[0040]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0041]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種圖案化裝置，設(shè)置于基板01的待成膜一側(cè)；如圖1所示，可以包括:至少一個(gè)氣體打印頭10以及氣體傳輸單元11。
[0042]其中，氣體打印頭10的一端在預(yù)設(shè)區(qū)域200內(nèi)與基板01相接觸，以使得通過(guò)上述氣體打印頭10形成于基板01上的薄膜層圖案在上述預(yù)設(shè)區(qū)域200內(nèi)。
[0043]需要說(shuō)明的是，上述預(yù)設(shè)定區(qū)域是指，在基板01上預(yù)先設(shè)置一塊用于通過(guò)ALD鍍膜方式形成薄膜層的區(qū)域。即在該預(yù)設(shè)區(qū)域200內(nèi)的基板上沉積有薄膜層，而在上述預(yù)設(shè)區(qū)域200以外的基板上無(wú)需形成上述薄膜層。這樣可以避免在預(yù)設(shè)區(qū)域200以外的基板上形成薄膜層。從而能夠提高鍍膜圖案化的精度。其中，上述預(yù)設(shè)區(qū)域200的邊界可以與氣體打印頭10的邊界相重疊。圖1中為了增加可視性，預(yù)設(shè)區(qū)域200的邊界小于氣體打印頭10的邊界。
[0044]氣體打印頭10另一端連接用于傳輸氣體的氣體傳輸單元11。
[0045]需要說(shuō)明的是，用于傳輸氣體的氣體傳輸單元11是指，在ALD鍍膜方式中，氣體傳輸單元11需要向氣體打印頭10內(nèi)通入各種氣體。具體的，因?yàn)锳LD加工方法用于利用至少兩種前驅(qū)體分子氣體(第一前驅(qū)體分子氣體Precusorl、第二前驅(qū)體分子氣體Precusor2)沉積步驟將原子水平的材料單層沉積到基板01的待成膜一側(cè)201 (如圖2所示)。其中，每個(gè)氣體沉積步驟均產(chǎn)生單原子層。所以，氣體傳輸單元11需要向氣體打印頭10內(nèi)輸入至少兩種前驅(qū)體分子氣體Precusorl、Precusor2。例如，首先，氣體傳輸單元11向氣體打印頭10內(nèi)通入Precusorl,在基板01上飽和吸附一層單原子層。由于Precusorl與Precusor2活性高，為了避免腔體內(nèi)Precusorl與Precusor2直接發(fā)生反應(yīng),所以氣體傳輸單元11需要在向氣體打印頭10內(nèi)通入Precusor2之前,通入一種惰性氣體,例如IS(Ar)氣。從而將氣體打印頭10內(nèi)的游離的Precusorl去除干凈。然后氣體傳輸單元11向氣體打印頭10內(nèi)通入Precusor2,該P(yáng)recusor2與吸附在基板01上的Precusorl產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)從而沉積新的一層單原子層薄膜；而后氣體傳輸單元11向氣體打印頭10內(nèi)通入上述惰性氣體，將氣體打印頭10內(nèi)游離的Precusor2去除干凈,為再次向氣體打印頭10內(nèi)通入Precusorl做準(zhǔn)備。因此，傳輸單元11向氣體打印頭10內(nèi)依次通入Precusorl、惰性氣體、Precusor2>惰性氣體；并循環(huán)上述通入氣體的順序，以實(shí)現(xiàn)將單原子層一層一層的鍍?cè)诨?1表面的目的。
[0046]此外，為了提高密封性，可以如圖2所示，當(dāng)采用氣體打印頭10進(jìn)行ALD鍍膜時(shí)，在氣體打印頭10與基板01的接觸面之間設(shè)置密封墊202，可以防止氣體打印頭10內(nèi)的氣體發(fā)生泄漏，導(dǎo)致在預(yù)設(shè)區(qū)域200以外的基板上形成薄膜層。從而能夠提高鍍膜圖案化的精度。
[0047]本實(shí)用新型提供一種圖案化裝置，該圖案化裝置包括至少一個(gè)氣體打印頭以及氣體傳輸單元。其中，氣體打印頭的一端在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與基板相接觸，以使得通過(guò)氣體打印頭形成于基板上的薄膜層圖案在所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)。上述氣體打印頭另一端連接用于傳輸氣體的所述氣體傳輸單元。這樣一來(lái)，沉積于基板上的薄膜層能夠位于上述預(yù)設(shè)定的區(qū)域內(nèi)，從而使得薄膜圖案化易于實(shí)現(xiàn)，并提高了薄膜圖案化的精度。
[0048]進(jìn)一步地，如圖3所示，氣體打印頭10可以包括用于通過(guò)氣體沉積以形成上述薄膜層圖案的原子沉積腔101。這樣一來(lái)，如圖4所示，氣體傳輸單元11可以向原子沉積腔101輸入至少兩種前驅(qū)體分子氣體Precusorl、Precusor2 (如圖4中，點(diǎn)畫(huà)線箭頭所示),通過(guò)活性分子前驅(qū)體和基板之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而可以在原子沉積腔101內(nèi)將物質(zhì)以單原子層的形式一層一層的鍍?cè)诨?1的表面。由于在原子沉積腔101內(nèi)薄膜層以單原子層為量級(jí)進(jìn)行生長(zhǎng)，因此沉積與基板01上的薄膜厚度均勻、純度高、保形性好，同時(shí)能夠精確的控制膜層的厚度和組分。
[0049]需要說(shuō)明的是，在原子沉積腔101內(nèi)輸入Precusor2之前，氣體傳輸單元11需要向該原子沉積腔101內(nèi)通入惰性氣體，以清除原子沉積腔101內(nèi)游離的Precusorl，從而防止腔體內(nèi)或管路中Precusorl與Precusor2直接接觸而發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生污染。該惰性氣體可以是，氬(Ar)氣、氖(Ne)氣、氦(He)氣等等。
[0050]進(jìn)一步地，原子沉積腔101與基板01相對(duì)的一端的開(kāi)口形狀與預(yù)設(shè)圖案的形狀、尺寸相匹配。這樣一來(lái)，沉積于基板01表面的單原子層的圖案與預(yù)設(shè)圖案相同，可以實(shí)現(xiàn)鍍膜的圖案化。具體的，例如，當(dāng)預(yù)設(shè)圖案為圓形時(shí)，原子沉積腔101的開(kāi)口形狀為圓形，這樣在基板01上形成的薄膜層的圖案也為圓形。當(dāng)預(yù)設(shè)圖案為L(zhǎng)形時(shí)，原子沉積腔101的開(kāi)口形狀也為L(zhǎng)形，這樣在基板01上形成的薄膜層的圖案為L(zhǎng)形。從而容易實(shí)現(xiàn)薄膜層的圖案化。當(dāng)然上述原子沉積腔101的開(kāi)口形狀僅僅是舉例說(shuō)明，原子沉積腔101的其它類(lèi)型的開(kāi)口形狀在這里不再一一舉例，但都應(yīng)當(dāng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0051]進(jìn)一步地，如圖3所示，該圖案化裝置還可以包括:用于通入隔離氣體的隔離腔102，該隔離腔102設(shè)置于原子沉積腔101的四周，包裹原子沉積腔101。
[0052]由于隔離腔102設(shè)置于原子沉積腔101的四周，并包裹該原子沉積腔101，因此通入該隔離腔102的隔離氣體將原子沉積腔101內(nèi)的用于形成單原子層的Precusorl或Precusor2進(jìn)行包裹,從而防止Precusorl或Precusor2泄露出氣體打印頭10,導(dǎo)致在預(yù)設(shè)區(qū)域200以外的基板上形成薄膜層。從而能夠提高鍍膜圖案化的精度。需要說(shuō)明的是，該隔離氣體可以是上述惰性氣體，例如，氬(Ar)氣、氖(Ne)氣、氦(He)氣等等。
[0053]進(jìn)一步地，如圖3所示，氣體打印頭10還可以包括:
[0054]用于回收尾氣的尾氣回收腔103，該尾氣回收腔設(shè)置于原子沉積腔101與隔離腔102之間，包裹原子沉積腔101。需要說(shuō)明的是，上述尾氣(如圖4，點(diǎn)畫(huà)線箭頭所示)包括第一沉積過(guò)程中多余的Precusorl,以使得在Precusor2進(jìn)入原子沉積腔101之前,原子沉積腔101內(nèi)沒(méi)有Precusorl。從而防止腔體內(nèi)或管路中Precusorl與Precusor2直接接觸而發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生污染。此外，還包括通入到氣體打印頭10中的Precusor2以及惰性氣體。
[0055]進(jìn)一步地，如圖5所示，氣體打印頭10上設(shè)置有第一進(jìn)氣口 110、第二進(jìn)氣口 111以及排氣口 112 ；
[0056]其中，第一進(jìn)氣口 110與原子沉積腔101相連接，以向原子沉積腔101中通入用于形成單原子層的至少兩種前驅(qū)體分子氣體(第一前驅(qū)體分子氣體Precusorl、第二前驅(qū)體分子氣體Precusor2)以及用于清除原子沉積腔101中游離的第一前驅(qū)體分子氣體Precusorl和第二前驅(qū)體分子氣體precusor2的惰性氣體。
[0057]第二進(jìn)氣口 111與隔離腔102相連接，以向該隔離腔102通入用于防止第一前驅(qū)體分子氣體Precusorl以及第二前驅(qū)體分子氣體Precusor2泄露出氣體打印頭10的隔離氣體，例如，氬(Ar)氣、氖(Ne)氣、氦(He)氣等等。
[0058]排氣口 112與尾氣回收腔103相連接，用于對(duì)氣體打印頭10中的尾氣進(jìn)行排出，以使得原子沉積腔101滿足沉積下一單原子層的條件。
[0059]進(jìn)一步地，如圖6所示，氣體打印頭10靠近基板01的一側(cè)設(shè)置有打印噴嘴104。該打印噴嘴104的開(kāi)口形狀與預(yù)設(shè)圖案的形狀、尺寸相匹配。這樣一來(lái)，沉積于基板01表面的單原子層的圖案與預(yù)設(shè)圖案相同，可以實(shí)現(xiàn)鍍膜的圖案化。具體的，例如，當(dāng)預(yù)設(shè)圖案為圓形時(shí)，如圖7所示，打印噴嘴104的開(kāi)口形狀為圓形，這樣在基板01上形成的薄膜層的圖案也為圓形。當(dāng)預(yù)設(shè)圖案為方形時(shí)，如圖8所示，打印噴嘴104的開(kāi)口形狀也為方形，這樣在基板01上形成的薄膜層的圖案為方形。從而容易實(shí)現(xiàn)薄膜層的圖案化。當(dāng)然上述打印噴嘴104的開(kāi)口形狀僅僅是舉例說(shuō)明，打印噴嘴104的其它類(lèi)型的開(kāi)口形狀在這里不再一一舉例，但都應(yīng)當(dāng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0060]進(jìn)一步地，氣體打印頭101與打印噴嘴104之間設(shè)置有用于拆卸上述打印噴嘴104的安裝部120。該安裝部可以是，用于將打印噴嘴104固定于氣體打印頭101上的固定部件，例如螺栓和螺母，或者如圖6所示，安裝部120可以為設(shè)置于氣體打印頭101內(nèi)壁上的卡槽以及位于打印噴嘴104上的尺寸及位置與該卡槽相互匹配的凸起。這樣一來(lái)，通過(guò)上述安裝部120可以根據(jù)需要對(duì)打印噴嘴104進(jìn)行拆卸。例如，可以更換開(kāi)口形狀不同的打印噴嘴104，以在基板04的表面形成不同形狀的薄膜層。當(dāng)然上述對(duì)安裝部120的描述僅僅是舉例說(shuō)明，其它類(lèi)型的安裝部，在此不再一一舉例，但都應(yīng)當(dāng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0061]進(jìn)一步地，如圖9所示，為了提高氣體打印頭10的密封性，氣體打印頭10與打印噴嘴104之間可以設(shè)置有密封圈121。這樣一來(lái)，可以避免氣體打印頭10中的前驅(qū)體分子氣體(Precusorl或Precusor2)泄露后,在基板01上的預(yù)設(shè)區(qū)域200以外形成薄膜層。從而能夠提高薄膜層圖案化的精度。
[0062]進(jìn)一步地，如圖10所示，多個(gè)上述氣體打印頭10以矩陣形式排列。這樣一來(lái)，可以在基板01上同時(shí)形成相同的薄膜層圖案，從而可以實(shí)現(xiàn)顯示器件的批量生產(chǎn)。
[0063]本實(shí)施例提供一種圖案化系統(tǒng)，包括如上所述的任意一種圖案化裝置。具有與本實(shí)用新型前述實(shí)施例提供的圖案化裝置相同的有益效果，由于圖案化裝置在前述實(shí)施例中已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，此處不再贅述。[0064]本實(shí)用新型提供一種圖案化系統(tǒng)，包括圖案化裝置，該圖案化裝置包括至少一個(gè)氣體打印頭以及氣體傳輸單元。其中，氣體打印頭的一端在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與基板相接觸，以使得通過(guò)氣體打印頭形成于基板上的薄膜層圖案在所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)。上述氣體打印頭另一端連接用于傳輸氣體的所述氣體傳輸單元。這樣一來(lái)，沉積于基板上的薄膜層能夠位于上述預(yù)設(shè)定的區(qū)域內(nèi)，從而使得薄膜圖案化易于實(shí)現(xiàn)，并提高了薄膜圖案化的精度。
[0065]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種圖案化裝置，設(shè)置于基板的待成膜一側(cè)；其特征在于，包括:至少一個(gè)氣體打印頭以及氣體傳輸單兀； 所述氣體打印頭的一端在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述基板相接觸，以使得通過(guò)所述氣體打印頭形成于所述基板上的薄膜層圖案在所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)； 所述氣體打印頭另一端連接用于傳輸氣體的所述氣體傳輸單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化裝置，其特征在于，所述氣體打印頭包括用于通過(guò)氣體沉積以形成所述薄膜層圖案的原子沉積腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖案化裝置，其特征在于，所述原子沉積腔與所述基板相對(duì)的一端的開(kāi)口形狀與預(yù)設(shè)圖案的形狀、尺寸相匹配。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的圖案化裝置，其特征在于，所述氣體打印頭還包括:用于通入隔離氣體的隔離腔，所述隔離腔設(shè)置于所述原子沉積腔的四周，包裹所述原子沉積腔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖案化裝置，其特征在于，所述氣體打印頭還包括: 用于回收尾氣的尾氣回收腔，所述尾氣回收腔設(shè)置于所述原子沉積腔與所述隔離腔之間，包裹所述原子沉積腔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖案化裝置，其特征在于，所述氣體打印頭上設(shè)置有第一進(jìn)氣口、第二進(jìn)氣口以及排氣口 ； 所述第一進(jìn)氣口與所述原子沉積腔相連接； 所述第二進(jìn)氣口與所述隔離腔相連接； 所述排氣口與所述尾氣回收腔相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖案化裝置，其特征在于，所述氣體打印頭靠近所述基板的一側(cè)設(shè)置有打印噴嘴，所述打印噴嘴的開(kāi)口形狀與所述預(yù)設(shè)圖案的形狀、尺寸相匹配。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖案化裝置，其特征在于，所述氣體打印頭與所述打印噴嘴之間設(shè)置有用于拆卸所述打印噴嘴的安裝部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的圖案化裝置，其特征在于，所述氣體打印頭與所述打印噴嘴之間設(shè)置有密封圈。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化裝置，其特征在于，多個(gè)所述氣體打印頭以矩陣形式排列。
11.一種圖案化系統(tǒng)，其特征在于，包括至少一個(gè)如權(quán)利要求1-10所述的任意一種圖案化裝置。
【文檔編號(hào)】C23C16/04GK203754803SQ201420149136
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
【發(fā)明者】曾慶慧, 藤野誠(chéng)治 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司