專利名稱：在液晶顯示器的基板上形成排列層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示器(LCD)，尤其有關(guān)于一種在基板上形成 有機排列層的方法及裝置，以對多域垂直排歹U(multi-domain vertical alignment)
液晶顯示器中的液晶分子排列。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)從最初用在如電子計算機和數(shù)字顯示電子表的簡單的 單色顯示器變成主導顯示器的科技，LCD目前取代了陰極射線管(CRT)而經(jīng) 常使用在電腦顯示器及電視顯示器上，且在克服各種LCD缺點后的品質(zhì)更 為改善，例如，有源式陣列顯示器(利用薄膜晶體管)取代無源矩陣顯示器以 改善分辨率、對比度、視角、反應時間，并且降低殘影(ghosting)。
然而，常用LCD最主要的缺點就在于視角非常窄，而且對比度較低， 即使有源式矩陣的視角仍然遠小于常用陰極射線管(CRT)顯示器的視角，特 別是一個觀看者如果直接在LCD前方可接收到高品質(zhì)的圖像，但如果在LCD 側(cè)方則無法接收到高品質(zhì)的圖像。多域垂直排列液晶顯示器(MVALCD)被用 來改善LCD的視角與對比度，但MVALCD的主要缺點則是制造成本較高。 請參看圖1A與圖1B所示，其表示多域垂直排列液晶顯示器(MVALCD)IOO 的基本結(jié)構(gòu)與像素功能，更清楚地說，圖1A與圖IB所示的MVA LCD100 可操作用以表示灰階。
MVA LCD100具有第一偏光板105、第一基板110、第一電極120、第 一排列層125、液晶135和137、第二排列層140、第二電極145、第二基板 150、第二偏光板155以及突出物(protmsion)160，典型的排列層125、 140 是用一層聚亞酰胺(polyimide, PI)薄膜涂層所形成的，光源(圖中未示)從設(shè)置 在第一基板110上的第一偏光板105射出，第一偏光板105的偏振性方向通 常是指第一方向，而第二偏光板155的偏振光是垂直于第一偏光板105，因 此，從光源射出的光無法穿透第一偏光板105以及第二偏光板155，除非光
的偏振性在第一偏光板105以及第二偏光板155之間旋轉(zhuǎn)90度才行。在此
加以說明，圖1中只有非常少的液晶被表示出來。在實際的顯示器中，液晶
分子是像桿狀結(jié)構(gòu)，其寬度大約是5埃(angstroms)，而長度大約是20~25埃。 因此一個尺寸為100微米Oim)的寬度、300微米的長度以及3微米的高度的 像素中大概有超過1千萬個液晶分子。
在圖1A中，液晶135、 137是直立式排列，特別的是排列層125、 140 將液晶排列在所要的靜止位置，使其呈直立式排列。在直立式的排列中，液 晶135、 137將不會旋轉(zhuǎn)從燈源發(fā)射出來的光的偏振性，因此，第二偏光板 155遮蔽了在第一方向通過第一偏光板(105)偏振化的光，所以MVA LCD 100 的像素可提供一個在光學上完全黑色的狀態(tài)，結(jié)果MVALCD IOO可在任何 顏色與任何基板間隙提供非常高的對比度。請參看圖1B所示，當電壓施加 在第一電極120與第二電極145之間時，則該液晶135、 137重新定位為呈 偏斜狀態(tài)，特別的是通過突出物160使液晶135傾向至左邊以形成第一區(qū)域， 而液晶137傾向至右邊以形成第二區(qū)域。處于傾向位置的液晶將從第一偏光 板105透出的偏振光的偏振性旋轉(zhuǎn)90度，使該光能繼續(xù)穿透第二偏光板155。 傾斜的程度能控制光的偏振化的旋轉(zhuǎn)，因此穿透LCD的光的量(如像素的亮 度)是取決于電場所施加的電壓。而多個區(qū)域(例如液晶135與液晶137)的 產(chǎn)生就可增加MVA LCD的視角)。通常一個單一薄膜晶體管(TFT)用于各 個像素中，然而在彩色顯示器中， 一個彩色像素被劃分為三個顏色單元，且 每個顏色單元(通常是紅、綠、藍色)都各有一個獨立的TFT。
MVALCD的主要缺點就是在制作LCD時的成本較高，雖然聚亞酰胺的 材料成本很低，但形成排列層125、 140的方法卻非常耗費成本。再者，常 用的聚亞酰胺方法會產(chǎn)生灰塵以及顆粒狀的污染物，因此需要昂貴的清潔設(shè) 備與花費。排列層制造成本的減少可以大量減少制造液晶熒幕的整體費用。 另外，常用的MVA排列層制造方法每次僅能加工單一一個基板，因此導致 非常低的產(chǎn)率。
另一種在MVA LCD制造排列層的常見方法為在高真空室中將如二氧化 硅(Silicon Dioxide, Si02)或一氧化硅(Silicon Monoxide, SiO)與硅氧化合物 (SiOx)的無機材料熱蒸鍍(thermal evaporation)在基板上。此方法可以制造 出一個穩(wěn)定的直立式液晶排列層。然而該方法須在高真空室中進行，且僅可
實施在小基板(通常為小于io英寸)上，該制造出來的液晶排列層對于表面清 潔度及質(zhì)地非常敏感，且與二氧化硅蒸鍍的角度相關(guān)，只有一些蒸鍍角度才 能制造出想要得到的液晶排列角度。再者，此方法每次亦僅能加工單一或是 非常少量的基板(一般而言不超過6個基板)，因此，此方法并不適合用于大 量的批次制造工藝，且不能用于超過10英寸的基板，而且此方法通常因為 表面的顆粒污染物而有高不合格率，除此之外，以一氧化硅形成的排列層具 有受潮濕的問題。
因此需要一個在MVA液晶顯示器中制造排列層的低成本制造工藝及裝
置。另外在此低成本的方法中亦能讓多個基板在同一時間加工(如批次制造方法)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，提出本發(fā)明。
本發(fā)明提供一種在液晶顯示器的基板上形成排列層的方法，其包括歩
驟在真空室中放置基板；凈化該真空室；以及利用氣相沉積法沉積排列層。
如上所述的方法，其中該利用氣相沉積法沉積排列層的步驟包括利用化 學氣相沉積法沉積該排列層。
如上所述的方法，其中該利用氣相沉積法沉積排列層的步驟包括利用等 離子體輔助氣相沉積法沉積該排列層。
如上所述的方法，其中用于該等離子體輔助氣相沉積法的等離子體的來 源設(shè)置在真空室外。
如上所述的方法，其中該凈化該真空室的步驟包括將水蒸氣從該真空室 中移除。
如上所述的方法，其中該凈化該真空室的步驟還包括排空該真空室至 低壓狀態(tài)；以及再在該真空室中填充惰性氣體。
如上所述的方法，其中該凈化該真空室的步驟還包括排空該真空室一 段時間至低壓狀態(tài)；以及再在該真空室中填充惰性氣體一段時間。
如上所述的方法，其中該惰性氣體是預熱至80 20(TC的溫度，其包括 80。C與200。C。
如上所述的方法，其中該惰性氣體是氮氣。
如上所述的方法，其中該低壓為10 30毫托，其包括10毫托以及30毫托。
如上所述的方法，其還包括在基板上執(zhí)行低壓穩(wěn)定的步驟。 如上所述的方法，其中該低壓穩(wěn)定的步驟包括排空該真空室至低壓；
以及維持低壓一段時間。
如上所述的方法，其中該低壓為l托，而該一段時間為10分鐘。 如上所述的方法，其中該利用氣相沉積法沉積排列層的步驟還包括氣化
至少一種化學物質(zhì)。
如上所述的方法，其中該利用氣相沉積法沉積排列層的步驟還包括從
具有化學物質(zhì)的原料瓶中排空氣體；以及以惰性氣體充填原料瓶。
如上所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括硅烷物質(zhì)。 如上所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括過氟辛基三乙氧基硅烷。 如上所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括十八烷基三乙氧基硅烷。 如上所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括三氯硅垸。 如上所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括含氟聚合物。 如上所述的方法，其中該含氟聚合物包括聚四氟乙烯。 如上所述的方法，其還包括在以氣相沉積法沉積排列層的步驟后凈化該 真空室。
如上所述的方法，其中凈化該真空室的步驟還包括排空該真空室；以
及填充惰性氣體于真空室中。
如上所述的方法，其中該排列層具有小于800埃的厚度。 如上所述的方法，其中該排列層具有小于50埃的厚度。 如上所述的方法，其還包括在利用氣相沉積法沉積該排列層后硬化該基
板的步驟。
如上所述的方法，其還包括承載該基板于卡匣內(nèi)的步驟。 如上所述的方法，其還包括將卡匣承載至烘烤爐中的步驟。 如上所述的方法，其中該硬化的步驟操作于80~200°C。 如上所述的方法，其中該硬化步驟操作30 120分鐘。 如上所述的方法，其在放置基板于真空室的步驟前還包括清洗該基板的 步驟。如上所述的方法板。
如上所述的方法， 該基板的步驟。
如上所述的方法，
如上所述的方法，
如上所述的方法， 定步驟。
如上所述的方法， 薄的粘著層的步驟。
如上所述的方法，
如上所述的方法，
如上所述的方法，
如上所述的方法，
如上所述的方法，
如上所述的方法，
如上所述的方法，
本發(fā)明提供一種在多域垂直排列液晶顯示器(MVA LCD)基板上制作排 列層的低成本制造工藝及裝置，其制作方法為將基板放置于真空室中，凈化 該真空室且接著填充惰性氣體，重多次該真空室的凈化與填充以排除真空室 中的水蒸氣。再者，該惰性氣體可被事先預熱，使得基板在凈化與再填充步 驟中被加溫，該排列層接著通過使用硅烷材料的氣相沉積法形成于基板上。
使用本發(fā)明的方法很容易達成批次制作多個基板，例如，許多基板(通常 是80 120個基板)可一起放置在該真空室中以方便同時在全部基板上制作排 列層，因此本發(fā)明的制造工藝可在高產(chǎn)率以及低成本下制造非常薄的有機液 晶排列層。
而且本發(fā)明可使用對環(huán)境無毒性的MSDS(物質(zhì)安全數(shù)據(jù))特性的材料(全 氟辛基三乙氧基硅烷(lH,lH，2H，2H-perfluorooctyltriethoxysilane, PFOTES))以
制造直立式LC排列層。大多數(shù)其它的硅烷材料都是有毒的，因此并不適合 作為LC排列層，然而，通過將特定的硅烷材料用于化學氣相沉積法使得最
，其中清潔該基板的步驟包括利用等離子體清洗該基
其還包括在以氣相沉積法沉積該排列層的步驟前清潔
其中清潔該基板包括以等離子體清潔該基板的步驟。 其中該等離子體清潔的步驟發(fā)生在真空室中。 其中在等離子體清潔的步驟前還包括等離子體低壓穩(wěn)
其中在以氣相沉積法沉積排列層的步驟前還包括沉積
其中該薄的粘著層包括硅基材。
其中該硅基材包括氧硅化物。
其中該硅基材包括氮硅化物。
其中該硅基材包括氮氧化硅物。
其中該排列層對于水及水蒸氣具有低滲透性。
其中該排列層為濕氣屏障層。
其中該排列層專門用于濕氣屏障層。 后涂布于基板上的材料為無毒。除此之外，本發(fā)明所使用的如全氟辛基三乙 氧基硅烷、三甲基硅垸基二乙胺、十八垸基三乙氧基硅烷以及三氯硅烷的硅
烷材料，其可附著于ITO(Indium Tin Oxide銦錫氧化物)或其它材料上，這些 材料可被用于直接形成液晶排列層或被用于作為附著于ITO的中間層，以讓 其它無法附著于ITO的硅烷附著于其上。特別的是，在隨后所述的本發(fā)明實 施例中使用全氟辛基三乙氧基硅烷，這是由于其對環(huán)境為無毒性質(zhì)、絕佳的 MSDS性質(zhì)以及對于ITO以及其它材料的高附著性。
再者，在本發(fā)明中，等離子體法可被結(jié)合在氣相沉積步驟中，該等離子 體法為在氣相沉積法中尚未讓基板接觸到可能污染表面的氣體前，對基板提 供基板的等離子體清潔步驟。在其它情形中，等離子體輔助氣相沉積法被用 于對直立式液晶排列層提供涂布材料以及制造被涂布的材料，等離子體的產(chǎn) 生刺激了化學物質(zhì)，并產(chǎn)生與基板更活潑的反應。除此之外，本發(fā)明使用如 四氟甲烷或六氟丙烯的材料以制造聚四氟乙烯等含氟材料，其可附著于ITO 以及其它材料上，這些材料可被用于直接形成液晶排列層或作為在ITO上的 中間附著層，以供其它無法附著于ITO上的硅烷附著。
本發(fā)明的方法很容易實現(xiàn)批次制作多個基板。


圖1A及圖1B為常用的多域垂直排列LCD(MVALCD)的像素的示意圖。 圖2為常用制造MVALCD排列層的方法流程圖。
圖3A及圖3B為本發(fā)明制造MVA液晶顯示器排列層的方法的兩個流程 實施例的流程圖。
圖4A及圖4B為本發(fā)明制造MVA液晶顯示器排列層的方法的兩個流程 實施例的流程圖。
其中，附圖標記說明如下
100多域垂直排列液晶顯^g器(MVA LCD)
105第一偏光板iio第一基板
120第一電極125第一排列層
135、137液晶140第二排列層
145第二電極150第二基板 155第二偏光板 160突出物
200形成排列層的傳統(tǒng)方法
204承載基板步驟
206卸下基板至輸送帶步驟
208清洗及干燥基板步驟
212承載基板步驟
214卸下基板至輸送帶步驟
216聚亞酰胺薄膜涂布步驟
220聚亞酰胺預烘烤步驟
224聚亞酰胺薄膜檢驗步驟
226承載基板步驟
228卸下基板至輸送帶步驟
230聚亞酰胺薄膜硬化步驟
232承載基板步驟
234卸下基板至輸送帶步驟
236超音波清洗步驟
240基板干燥步驟
244承載基板步驟
300a、 300b MVALCD的液晶排列層的制造方法
302將基板承載至卡匣步驟
304承載卡匣至真空室步驟
308真空室凈化步驟
309等離子體低壓穩(wěn)定步驟
310等離子體清潔步驟
312第一低壓穩(wěn)定步驟
316a第一氣相沉積步驟
316b第一等離子體輔助氣相沉積步驟
320第一化學凈化步驟
322第二低壓穩(wěn)定步驟
324a第二氣相沉積步驟
324b第二等離子體輔助氣相沉積步驟
326第二化學凈化步驟 328增壓與冷卻步驟 330卸除卡匣步驟
400a、 400b MVALCD的液晶排列層的制造方法
402承載基板于卡匣步驟
404卸除基板至輸送帶步驟
408真空室凈化步驟
409等離子體低壓穩(wěn)定步驟
410等離子體清潔步驟
412第一低壓穩(wěn)定步驟
416a第一氣相沉積步驟
416b第一等離子體輔助氣相沉積步驟
420第一化學凈化步驟
422第二低壓穩(wěn)定步驟
424a第二氣相沉積步驟
424b第二等離子體輔助氣相沉積步驟
426第二化學凈化步驟
428 增壓與冷卻步驟
430承載基板至卡匣步驟
434承載卡匣至硬化烘烤機步驟
438硬化步驟
442卸除卡匣步驟
具體實施例方式
請參看圖2所示，其為常用于多域垂直排列液晶顯示器中形成排列層傳 統(tǒng)方法200的流程圖，常用方法200需要利用許多不同的機器，例如基板清 洗機、聚亞酰胺涂布機、聚亞酰胺預硬化爐、聚亞酰胺后硬化爐、超音波清 洗機以及多個基板載/卸機。在制造過程中，在具有一個或多個基板的LCD 中，多個基板會先被承載于卡匣上，再放置在機器上以進行隨后的步驟。
在承載基板步驟204中，該基板會被承載至卡匣中，且被放置在第一基
板載/卸機中；在卸下基板至輸送帶步驟206中，第一基板載/卸機從卡匣中 卸下基板，并且將其放置在輸送帶上以前往基板清洗機；在清洗及干燥基板 步驟208中，該清洗機隨后會將基板進行一連串的清洗并干燥；隨后在承載 基板步驟212中，該基板會通過第二載/卸機被承載至第二卡匣中；在卸下基 板至輸送帶步驟214中，位于第二卡匣中的基板會接著被卸下至輸送帶，以 前往聚亞酰胺涂布機；在聚亞酰胺薄膜涂布步驟216中，該聚亞酰胺涂布機 一連串地將聚亞酰胺薄膜涂布在每一個基板上；在聚亞酰胺預烘烤步驟220 中，每一個基板接著會被輸送帶傳送至聚亞酰胺預烘烤爐以依序進行預硬化 聚亞酰胺薄膜。
在聚亞酰胺薄膜檢驗步驟224中，每一個基板會分別地被檢驗，如果沒 通過檢驗的基板則會被移除；在承載基板步驟226中，通過檢驗的基板會被 承載至第三卡匣以準備硬化；在卸下基板至輸送帶步驟228中，該基板會從 第三卡匣被卸下并放置在輸送帶以前往聚亞酰胺硬化爐；隨后在聚亞酰胺薄 膜硬化步驟230中，該聚亞酰胺爐依序?qū)⒚恳粋€基板上的聚亞酰胺薄膜硬化； 接著在承載基板步驟232中，另一個載/卸機從聚亞酰胺硬化爐中將基板承載 至第四卡匣以準備進行基板的清洗；在卸下基板至輸送帶步驟234中，基板 載/卸機將基板從第四卡匣卸除，并將其放置于輸送帶上以前往超音波清洗機 以及刷洗機；在超音波清洗步驟236中，該超音波清洗機以及刷洗機一連串 地將基板進行超音波的清洗及刷洗；在基板干燥步驟240中，基板被干燥； 最后，在承載基板步驟244中，基板載/卸機將基板從超音波清洗與刷洗機輸 送帶承載至第五卡匣。
因此，利用常用方法200制造LCD排列層包括昂貴的機械裝置以及幾 個動作密集或昂貴的自動化載卸步驟，而且每一個使用在常用方法200的機 器都需耗費數(shù)百萬美元，再者，常用方法200損耗大量的水，并且制造出大 量的廢棄物或塵粒，另外，很多用于常用方法200的機器只能依序?qū)寮?工，因此導致很低的產(chǎn)率。
請參看圖3A所示，其為本發(fā)明MVA LCD的液晶排列層的實施例制造 方法300a的流程圖，此新穎方法300a的執(zhí)行需要利用基板載/卸機以及真空 烘烤/氣相涂布機，該真空烘烤/氣相涂布機可由不同的來源所提供，例如Yield Engineering Systems Inc., of San Jose的模塊(Model) 1224。在將基板承載 至卡匣步驟302中，該基板被承載至卡匣中；之后在承載卡匣至真空室步驟 304中，該基板載/卸機承載該卡匣至真空烘烤/氣相涂布機；購自Yield Engineering Systems的模塊1224可支撐寬度達16英寸且長度長達17英寸的 基板，具有大尺寸的基板可通過本發(fā)明公開的涂布過程以大型的涂布機加 工，例如在本發(fā)明的實施例中，四個卡匣中的每一個卡匣都承載了總共具有 非常大尺寸(例如150公分X 180公分)的20 25個基板，且被放置在涂布 室中，因此在這個實施例中，80至100個大尺寸基板可同時在一個沉積步驟 中被加工。
在真空室凈化步驟308中，為了完全地移除可能存在于真空室或基板的 水蒸氣，特別的是，該真空室被排氣至如10 30毫托(millitorrs)的低壓，再 在80~200 。C下填充已預先加熱的惰性氣體，如氮氣，其中排氣/再填充氮氣 的步驟可以重復多次，以確保水蒸氣完全從真空室被移除。另外由于預先加 熱的惰性氣體以及真空室的加熱元件，使得基板能夠達到更適合氣相沉積的 溫度(如下所述)。
接著在第一低壓穩(wěn)定步驟312中，該真空室保持在低壓(約1托)下大約 10分鐘，第一低壓穩(wěn)定步驟312可讓整個基板被加熱到設(shè)定溫度，因此，較 厚的基板在這個低壓過程的時間會比較薄的基板長。
而實際上排列層形成于第一氣相沉積步驟316a以及一個選擇性的第二 氣相沉積步驟324a。根據(jù)本發(fā)明特別的實施例，氣相沉積所包含的技術(shù)有化 學氣相沉積、物理氣相沉積或二者的合并，然而，在本發(fā)明大部分的實施例 中，氣相沉積包括至少一些化學反應，例如在本發(fā)明的一些實施例中，硅烷 (silane)化學物會直接從原料瓶抽至氣相反應室中，而在將硅烷轉(zhuǎn)移至氣相反 應室前，該原料瓶可將內(nèi)部氣體排空并填充如氮氣的惰性氣體以減少化學物 的降解(chemical degradation)。而用于第一氣相沉積歩驟316a的各參數(shù)會根 據(jù)使用的化學物不同而有所改變，基本上時間是5 10分鐘，溫度為15(TC。 在第一氣相沉積步驟316a進行中，測定量的化學物先被引入蒸氣量瓶中， 再直接導入氣相反應室中。各種硅烷物質(zhì)皆可被使用，例如氨基硅垸(amino silanes)、石圭火完環(huán)氧牛對酉旨(epoxy silanes)以及硫醇基硅烷(mercapto silanes)，這 些硅烷物質(zhì)可被用來構(gòu)成直立式或平行式的液晶排列層。在本發(fā)明的實施例
中，該硅烷物質(zhì)為100%的純?nèi)粱已趸柰?br> (lH,lH,2H,2H-perfluorooctyltriethoxysilane， PFOTES);在另一個本發(fā)明的實 施例中，該硅垸物質(zhì)為100%的純?nèi)谆枸野?(Trimethylsiyldiethylamine);另 一 個合適的硅烷物質(zhì)包括三氯硅烷 (Trichlorosilane)、 3-胺丙基三乙氧基石圭烷(3-Aminopropyltriethoxysilane)、十 八烷基三乙氧基硅烷(Octyltriethoxysilane)、 二甲基十八烷基[3-(三甲氧甲硅 烷基)丙基]氯化銨(Dimethyle octadecyl[3-(trimethoxysilyl) propyl]ammonium chloride, DMOAP)、 二氧基二氯硅烷(Dimethyldichlorosilane)以及L-a-膽堿磷 月旨(L-alpha-phosphatidylcholine)。這些化學物可從Alfa Aesar公司(a Johnson Matthey Company of Windham, NH或鄰Sigma-Aldrich Corp of St. Louis, MO.) 獲得。
在第一氣相沉積步驟316a之后，該氣相反應室中的化學物被第一化學 凈化步驟320所凈化，特別的是該氣相反應室被排空再被如氮氣的惰性氣體 所充滿，重復多次后移除化學物，在真空排放管線中的氣體排放管可被用來 防止硅烷化學物質(zhì)進入真空泵內(nèi)。如果第二氣相沉積的流程(例如前述第二氣 相沉積步驟324a未被使用，則第二低壓穩(wěn)定步驟322、第二氣相沉積步驟 324a以及第二化學凈化步驟326將被省略，接著如果有需要，該真空室在增 壓與冷卻步驟328中可正常增壓以及允許被冷卻，隨后卡匣可在卸除卡匣歩 驟330中通過載/卸機被卸下。
然而，如果想進行第二氣相沉積步驟，則在第二低壓穩(wěn)定步驟322中該 真空室則會被排空以維持在低壓(如1托)大約10分鐘，該第二低壓穩(wěn)定步驟 322可讓全部的基板都被加熱到設(shè)定的溫度，在第二氣相沉積步驟324a中， 化學物質(zhì)會如同前述第一氣相沉積步驟316a —樣直接從原料瓶抽至氣相反 應室中，在第二氣相沉積步驟324a之后的第二化學凈化步驟326中，該真 空室會排除化學物質(zhì)，特別的是該真空室會先排空，再重新灌入如氮氣的惰 性氣體，重復多次以移除化學物，如果需要，在增壓與冷卻步驟328中該真 空室會被正常增壓并且可被冷卻，接著該卡匣可在卸除卡匣步驟330中通過 載/卸機被卸除。經(jīng)過兩次的氣相沉積步驟，該第二化學物可在蒸氣之間沒有 任何交互作用的情形下沉積于第一化學物的上方。然而，在本發(fā)明的一些實 施例中，第一化學凈化歩驟320被省略，而當?shù)谝换瘜W凈化步驟320被省略時，該第一化學物可在第一氣相沉積步驟316a中被注入，而第二化學物可
在第二氣相沉積步驟324a中被注入，因此第一及第二化學物可能會被混合 或產(chǎn)生交互作用以形成新的化學物層。在大多數(shù)的MVALCD的電極通常會 用氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO))以及氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide, IZO)，
其皆為透明導電物質(zhì)，大部分的硅垸物質(zhì)不會附著于ITO或IZO上，例如硅 烷物質(zhì)DMOAP會附著于玻璃基材上，但不會附著于ITO或IZO上，然而氟 辛基三乙氧基硅烷、三甲基硅烷基二乙胺、辛基三乙氧基硅烷和三氟硅垸會 良好地附著于ITO與IZO上。除此之外，很多材料都不會附著于ITO或IZO 上，而會附著于氟辛基三乙氧基硅烷、三甲基硅垸基二乙胺和三氟硅烷。因 此，本發(fā)明的一些實施例中，在第一氣相沉積步驟316a，許多粘性對準層材 料如氟辛基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷和三氟硅烷會沉積于ITO或 IZO電極上，隨后在第二氣相沉積步驟324a中，沉積第二排列層材料在較具 有粘性的材料上用來形成液晶排列層。
再者，在本發(fā)明一些實施例中，等離子體法結(jié)合于氣相沉積法中，特別 的是一個合適的等離子體系統(tǒng)會被設(shè)置于氣相初始步驟中，在基板上以等離 子體清潔或執(zhí)行等離子體輔助氣相沉積步驟，該等離子體的產(chǎn)生會刺激化學 物，并且可能造成化學物更具有活性地與基板反應。合適的等離子體系統(tǒng)可 從化學氣相沉積(CVD)或等離子體輔助化學氣相沉積(PECVD)所用儀器的供 應商所獲得，例如Yield Engineering Systems的模塊(Model) 1224P。
請參看圖3B所示，其為本發(fā)明一些包括等離子體法的方法300b的實施 例，因為該方法300b與圖3A的方法300相似，因此下面只敘述其不同之處。 特別的是，在真空室凈化步驟308之后的等離子體低壓穩(wěn)定步驟309中，該 真空室會維持在低壓(例如100 300毫托)約10~20分鐘以準備進行等離子體 清潔。
接著，在等離子體清潔步驟310中，此步驟用于清潔基板?；旧鲜窃?等離子體清潔流程中使用流程方法，例如，公開在Dommann等人的美國專 利第6,203,637號"一個清潔方法、傾倒方法、連接方法及工作部件組的使 用方法(Use of a cleaning process, a leaning process, a connection process and a workpiecepair)"中的氫氣法，其可用在本發(fā)明的某些實施例中。在本發(fā)明的 其它實施例中，等離子體清潔法包括以氬氣或氧氣的加工氣體的回充填。在
本發(fā)明另外一些實施例中，等離子體清潔法包括以熱絲產(chǎn)生一個低壓直流等 離子體，等離子體的低能離子以及原子團會與基板表面臟污反應以形成活潑 的化合物。在又一些本發(fā)明其它的實施例中，如濺鍍等等離子體物理清潔法 亦可被用在該等離子體清潔法中。
通過將等離子體清潔法與氣相沉積法結(jié)合至一項儀器中，基板就可在氣 相沉積前經(jīng)過等離子體處理，而且因為不用曝露于大氣環(huán)境下，且不用轉(zhuǎn)送 至不同的儀器，因此不會接觸到可能污染基板的氣體(例如環(huán)境中的氣體)。
除了等離子體清潔之外，方法300b也可使用等離子體輔助氣相沉積法，
特別的是，第一氣相沉積步驟316a可被第一等離子體輔助氣相沉積步驟316b 所取代，在本發(fā)明的實施例中，等離子體在第一等離子體輔助氣相沉積步驟 316b被使用，特別的是等離子體的產(chǎn)生能激發(fā)化學物質(zhì)，并且讓化學物質(zhì)更 活潑地與基板反應。在本發(fā)明的一些實施例中，該等離子體輔助氣相沉積法 還包括減壓至小于100毫托(mToiT)，接著回充填加工氣體。另外，在本發(fā)明 的一些實施例中，該加工氣體的激發(fā)可通過在氣相沉積涂布室外的等離子體 來源來達成，等離子體輔助氣相沉積非常適合六氟丙烯(hexafluoropropylene, HFP)氣體，因此，本發(fā)明的實施例在能夠使用等離子體輔助化學氣相沉積 (PECVD)涂布方法下能維持氣相沉積法的低成本以及基板尺寸級的制造工 藝。第二等離子體輔助氣相沉積步驟324b與上述第一等離子體輔助氣相沉 積步驟316b相似，可代替第二氣相沉積步驟324a，盡管方法300b包括有等 離子體清潔以及等離子體輔助氣相沉積，但本發(fā)明其它實施例可在沒有使用 等離子體輔助氣相沉積下利用等離子體清潔，再在另外的實施例中可能在沒 有等離子體清潔的狀況下利用等離子體輔助氣相沉積。
在本發(fā)明中利用等離子體輔助氣相沉積可讓如四氟甲烷(CF4))、多氟甲
垸(CFx)、聚四氟乙烯CF2-CF2-CF2.，.(即(CF2-)n)等含氟聚合物沉積，這些材
料非常適合用于直立式液晶排列層，且無毒性，并且不會有殘留的離子或電 荷，各種起始物質(zhì)可被用于本發(fā)明，例如本發(fā)明的一個實施例就是用四氟甲 垸，第二個實施例適用六氟丙烯(hexafluoropropylene，C3F6(HFP))，而另一個 本發(fā)明的實施例，反應可借著少量氫氣伴隨著四氟甲烷或HFP而被加強。本 發(fā)明的其它實施例可用如含氟聚合物膜的多氟甲烷與氟垸基、氫氟烷基、環(huán) 氟垸基、氟苯及不飽合物的含氟單體。因此，本發(fā)明的新穎方法通過比常用還少的裝置以及勞力或自動化設(shè)備 (如載/卸基板裝置)就可制造排列層，執(zhí)行本發(fā)明的方法的裝置成本估計只有 常用方法所需的裝置成本的20%就可在液晶顯示器中形成排列層。再者，由 于化學廢棄物及廢水大量的減少也因此降低成本，除此之外，由于所需的機 器少，因此所需的工廠空間也隨之大量減少。
本發(fā)明另一個優(yōu)點就是可以批次加工基板。如上所述，常用聚亞酰胺排 列層形成方法的許多部分都是以連續(xù)式處理基板(如在同一時間)，因此，本 發(fā)明比常用方法有更高的生產(chǎn)率，此高產(chǎn)率可以降低排列層的制造成本，而 且此批次處理方法可降低制造成本以及材料成本。
本發(fā)明除了成本上的優(yōu)勢外，利用本發(fā)明技術(shù)所制造的排列層以及基板 在功能上還提供許多比常用排列層好的優(yōu)點，特別是利用本發(fā)明所形成的排 列層可以做的較薄，并且比常用排列層均勻，例如，利用本發(fā)明所制作的排
列層厚度一般僅有5 10埃(A)，而常用排列層厚度則為800 3000埃(A)，這 種非常薄的排列層相比較厚的聚亞酰胺排列層有許多優(yōu)點，例如在排列層中 所形成的電壓降在薄的排列層中會明顯的降低。除此之外，薄排列層不需要 非常昂貴的聚亞酰胺對準掩模(mask)，而且利用氣相沉積法的污染機會比液 態(tài)涂抹的污染機會少很多。
該基板的表面清潔在涂布膜于基板表面的粘著強度方面扮演了相當重 要的角色，用于TFT LCD產(chǎn)業(yè)中的常用等離子體清潔方法以及常用基板清 潔方法可在開始進行方法300a前清洗基板，等離子體的清潔可在承載基板 至氣相沉積系統(tǒng)(如承載基板至卡匣步驟302)前在分離式等離子體清潔系統(tǒng) 中被執(zhí)行，等離子體清潔可選擇性地結(jié)合于氣相沉積系統(tǒng)作為內(nèi)部(in-site) 系統(tǒng)，使等離子體清潔步驟可在氣相沉積法(如第一氣相沉積步驟316a)前執(zhí) 行。
該基板的材料也在涂布膜于基板表面的粘著強度方面扮演了相當重要 的角色， 一般而言，如二氧化硅(silicon dioxide, Si02), —氧化硅(silicon monoxide, SiO)以及氧硅化物(siliconOxide，SiOx)、氮化硅(Si3N4)、氮硅化物 (silicon nitride, SiNx)， and氮氧化硅物(silicon oxynitride， SiOxNy)等硅基材對 于硅烷材料而言皆具有良好的粘性強度，所以這些材料的薄膜皆適合作為本 發(fā)明實施例的基板表面材料，例如本發(fā)明的一個實施例中，薄的粘著層涂布
于涂有ITO層的基板以促進硅烷材料涂布于ITO基板表面，該薄的粘著層可 為任何一種以上所述的硅基材。
使用上述特別的真空烘烤/氣相涂布機提供了許多優(yōu)點，在本發(fā)明的實施 例可用較少復雜的裝置即可完成，例如在常用光致抗蝕劑工藝中被用于沉積
六甲基二硅氮(hexamethyldisilazane, HMDS，如同光致抗蝕劑粘著增強劑)的 常用裝置可被用于執(zhí)行本發(fā)明一些實施例。該LPCVD(低壓化學氣相沉積法) 或簡單的氣相沉積法可用于HMDS的沉積，然而，HMDS并非用作為MVA LCD的LC排列層，因為HMDS所制造的是一個平行、非直立的LC排列層， 另外，HMDS并不會粘著于ITO層上，但用于沉積HMDS的方法可在對應 的壓力、溫度及時間調(diào)整下被用于沉積其它硅烷材料。
請參看圖4A所示，其為制造本發(fā)明實施例的MVA LCD的液晶排列層 的新穎方法400a流程圖，該新穎方法400a可利用常用裝置來執(zhí)行，例如曰 本東京的Tokyo Ohka Kogyo CO.、日本東京的Active CO., LTD of Sakitama、 日本東京的Electron of Tokyo以及美國加州舊金山的Aviza Technology of San Francisco的HMDS沉積系統(tǒng)。 一般而言，HMDS沉積系統(tǒng)連續(xù)式地加工 基板，因此HMDS沉積系統(tǒng)是執(zhí)行一連串的硅烷氣相沉積，額外的裝置被用 于執(zhí)行批次的硬化步驟。
此新穎的方法400a與方法300a相似，然而，由于常用裝置額外的步驟 限制而必須適當?shù)赜不帕袑樱诔休d基板于卡匣歩驟402中，該基板最初 先被承載至卡匣內(nèi)，接著在卸除基板至輸送帶步驟404中，基板被卸下而依 序放置在輸送帶上，使其將基板依序送往真空室中。在真空室凈化步驟408 中，其完全地將可能出現(xiàn)于真空室或基板上的水蒸氣移除，特別的是該真空 室先被排氣至如10-30毫托的低壓，再填充預熱至80 20(TC的惰性氣體，如 氮氣，其中排氣/再填充氮氣的步驟可以重復多次，以確保水蒸氣完全從真空 室被移除。另外由于預先加熱的惰性氣體以及真空室中的加熱元件，該基板 會達到可幫助氣相沉積的溫度(如下所述)。
接著在第一低壓穩(wěn)定步驟412中，該真空室保持在低壓(約1托)下大約 10分鐘，第一低壓穩(wěn)定步驟412可讓整個基板被加熱到設(shè)定的溫度，因此， 較厚的基板在這個低壓過程的時間會比較薄的基板長。
而實際上排列層形成于第一氣相沉積步驟416a以及一個選擇性的第二
氣相沉積步驟424a中，特別的硅烷化學物會直接從原料瓶抽至氣相反應室
中，而在將硅烷轉(zhuǎn)移至氣相反應室前，該原料瓶可將內(nèi)部氣體排空并填充如
氮氣的惰性氣體以減少化學物的降解(chemical degradation)。而用于第一氣相 沉積步驟416a的各參數(shù)會根據(jù)使用的化學物不同而有所改變，然而，基本 上時間是5 10分鐘，溫度為15(TC。在第一氣相沉積步驟416a進行時，測 定量的化學物先被引入蒸氣量瓶中，再直接導入氣相反應室中。如同圖3A 中，可使用各種硅烷物質(zhì)，例如氨基硅烷(amino silanes)、硅烷環(huán)氧樹酯(epoxy silanes)以及硫醇基石圭《完(mercapto silanes)。
在第一氣相沉積步驟416a之后，該氣相反應室中的化學物被第一化學 凈化步驟420所凈化，特別的是該氣相反應室被排空再被如氮氣的惰性氣體 所充滿，重復多次后移除化學物，在真空排放管線中的氣體排放管可被用來 防止硅烷化學物質(zhì)進入真空泵內(nèi)。如果第二氣相沉積的流程(例如前述第二氣 相沉積步驟424a未被使用，則如有需要，該真空室可在增壓與冷卻歩驟428 中被正常增壓以及被冷卻，隨后基板可在承載基板至卡匣步驟430中通過載 /卸機被承載至卡匣中。
然而，若想進行第二氣相沉積步驟，則在第二低壓穩(wěn)定步驟422中該真 空室則會被排空以維持在低壓(如1托)大約10分鐘，該第二低壓穩(wěn)定步驟 422可使全部的基板都被加熱到一樣的溫度。在第二氣相沉積步驟424a中， 化學物質(zhì)會如同前述第一氣相沉積步驟416a —樣直接從原料瓶抽至氣相反 應室中。
在第二氣相沉積步驟424a之后的第二化學凈化步驟426中，該真空室 會排除化學物質(zhì)，特別的是該真空室會先排空，再重新灌入如氮氣的惰性氣 體，重復多次以移除化學物，如需要，在增壓與冷卻步驟428中該真空室會 被正常增壓并且可被冷卻，接著該基板可在承載基板至卡匣步驟430中通過 載/卸機被承載至卡匣中。
在承載卡匣至硬化烘烤機步驟434中，該具有基板的卡匣接著被承載至 硬化烘烤機中，而在硬化步驟438中，位于硬化烘烤機內(nèi)的排列層會被硬化， 特別的是該硬化步驟是在硬化爐中執(zhí)行的，而溫度是在80 20(TC下操作 30~120分鐘，該硬化爐是日本東京的ESPEC Corp, Osaka, Japan、 Yamato Scientific Co., Ltd、中國臺灣臺北的CSUN Manufacturing Ltd.以及中國臺灣 臺南的Contrel Corporation所提供，最后，在卸除卡匣步驟442中，在卡匣 中已完成的基板會被卸下。
如同方法300a，等離子體清潔或其它基板清潔步驟也可以被使用在方法 400a中。本發(fā)明的一些實施例在開始方法400a前會先執(zhí)行清潔步驟，而本 發(fā)明其它實施例會在第一氣相沉積步驟416a前執(zhí)行等離子體或基板清潔。 例如圖4B所示的方法(400b)，其包括等離子體清潔以及等離子體輔助氣相沉 積，因為方法400b與圖4A的方法400a相似，其不同之處如下所述，其中 特別的是在真空室凈化步驟408之后的等離子體低壓穩(wěn)定步驟409，該真空 室會維持在低壓(例如100毫托至300毫托)約10~20分鐘以準備進行等離子 體清潔，隨后在等離子體清潔步驟410的一個如上所述的等離子體清潔法會 被執(zhí)行以清潔基板，再者，在方法400b中，第一氣相沉積步驟416a被第一 等離子體輔助氣相沉積步驟416b取代，而第二氣相沉積步驟424a被第二等 離子體輔助氣相沉積步驟424b取代，該等離子體輔助氣相沉積步驟如前所 述。
本發(fā)明也可以用于需要平行排列液晶的LCD,例如當沒有電壓施加于液 晶時具有與基板表面平行方向的液晶的排列層，這種平行液晶排列層的適當 材料包括六甲基二硅氮(hexamethyldisilazane C6H19Si2N)、各種二氯硅垸衍生 物(dichlorosilanes derivatives)(例如二甲基二氯石圭烷(dimethyl dichlorosilanes)、 二苯基二氯硅烷(diphenyl dichlorosilanes))、各種三氯硅烷衍生物 (trichlorosilanes derivatives)(例如甲基三氯石圭烷(Methyl trichlorosilanes)、 乙基 三氯石圭烷(Ethyl trichlorosilanes)、苯基三氯石圭烷(Phenyl trichlorosilanes)、乙烯 基三氯石圭》完(Vinyl trichlorosilanes)、硬月旨三氯硅烷(Stearyl trichlorosilanes))、 二甲基二乙基硅烷(Dimethyl DES)、各種三甲氧基硅烷衍生物 (trimethoxysilane derivative)(例如甲基三甲氧基硅烷(Methyl trimethoxysilane)、 乙烯基三甲氧基石圭烷(Vinyl trimethoxysilane)、 3-胺丙基三 甲氧基硅烷(3-Aminopropyl trimethoxysilane)、 N-3-胺乙基-3-胺丙基三甲氧基 石圭烷(N-3-Aminoethyl-3-Aminoproply trimethoxysilane))。 一般而言，該形成的 液晶排列層與LC材料、排列層材料以及沉積條件有關(guān)。在本發(fā)明的實施例 中，兩個基板表面皆加工有此平行排列層，這種方式的表面處理是可實施于 使用賓-主型(Guest-Host)LC材料、膽固醇液晶材料或膽固醇高分子液晶材料
的LCD。在本發(fā)明另一實施例中，混雜型(hybrid)排列層的LCD的制作是使 基板為直立式LC排列層，而另一個基板為平行式LC排列層，這種方式的 混雜型表面處理可實施于向列型(nematic)LC材料或賓-主型LC材料的LCD。 其它可由本發(fā)明所得到的優(yōu)點有改善LC排列層的錨定強度(anchoring strength),特別是在平行排列層材料上，雖然該涂布材料的厚度非常薄，但 所得到的LC排列層的附著強度卻非常強，因此，該材料可被用于全面涂布 于其它LC排列層上以維持相同的LC排列角同時改善LC排列層的附著強 度。關(guān)于直立式排列層材料，所涂布的材料的厚度也非常薄，而且所得到的 LC排列層的附著強度亦非常強，因此直立式排列層材料也可被用來全面涂 布于其它LC排列層上，以改善具有良好LC排列角度的LC排列層的附著強 度，除此之外，很多用于實施例中的材料對于水及水蒸氣有低的可滲透性， 因此排列層也可以作為濕氣屏障層，本發(fā)明的方法也可選擇性地用于形成濕 氣屏障層。
本發(fā)明也可用于需要有液晶預傾角的LCD,例如即使沒有施加電壓于液 晶亦可維持液晶在稍微傾斜狀態(tài)的排列層。在本發(fā)明的實施例中，光敏感材 料以及光排列(photo-alignment)法被用以制造具有傾斜排列層以及均勻平面 (homogenous planer)的LC排列層，這些LC排列層可被用來制作單一區(qū)域和 多域扭轉(zhuǎn)向列型(twisted nematic, TN)、電力誘導雙折射型(electrically-induced birefringence mode, ECB)、共平面切換型(in-plane switching, IPS)以及多域垂 直排列液晶顯示器(MVALCDs)。本發(fā)明也可以用來制作混雜型LCD的上下 兩排列層， 一側(cè)基板為垂直排列，另一側(cè)為平行排列或是傾斜平行排列。本 發(fā)明除了可用來制作液晶排列層，也可用來制作應用在軟性(可撓式)基板 液晶顯示器的防水氣隔離層。
在本發(fā)明各種實施例中，在上述公開用以制作液晶顯示器的排列層的新 穎結(jié)構(gòu)及方法中，上述本發(fā)明各種結(jié)構(gòu)與方法的實施例僅用于說明本發(fā)明的 原則，并非用以將本發(fā)明的范圍限制在所述的特別實施例，例如，在本區(qū)域 技術(shù)人員可根據(jù)上述的公開而界定其它真空室凈化步驟，低壓穩(wěn)定步驟、氣 相沉積步驟、化學凈化步驟、化學物質(zhì)、爐、真空室、真空烘烤/氣相涂布機 等，并且根據(jù)本發(fā)明的原則選擇性地使用這些特征去設(shè)計一個方法，因此本 發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種在液晶顯示器的基板上形成排列層的方法，其包括步驟在真空室中放置基板；凈化該真空室；以及利用氣相沉積法沉積排列層。
2 .如權(quán)利要求1所述的方法，其中該利用氣相沉積法沉積排列層的步 驟包括利用化學氣相沉積法沉積該排列層。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該利用氣相沉積法沉積排列層的步 驟包括利用等離子體輔助氣相沉積法沉積該排列層。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其中用于該等離子體輔助氣相沉積法的 等離子體的來源設(shè)置在該真空室外。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該凈化該真空室的步驟包括將水蒸 氣從該真空室中移除。
6. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該凈化該真空室的步驟還包括 排空該真空室至低壓狀態(tài)；以及 再在該真空室中填充惰性氣體。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中該凈化該真空室的步驟還包括 排空該真空室一段時間至低壓狀態(tài)；以及 再在該真空室中填充惰性氣體一段時間。
8. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中該惰性氣體是預熱至80 20(TC的溫 度，其包括80。C與20(TC。
9. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中該惰性氣體是氮氣。
10. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中該低壓為10 30毫托，且包括10 毫托以及30毫托。
11. 如權(quán)利要求1所述的方法，其還包括在基板上執(zhí)行低壓穩(wěn)定的步驟。
12. 如權(quán)利要求ll所述的方法，其中該低壓穩(wěn)定的步驟包括 排空該真空室至低壓；以及維持低壓一段時間。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中該低壓為1托，而該一段時間為 IO分鐘。
14. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該利用氣相沉積法沉積排列層的步 驟還包括氣化至少一種化學物質(zhì)。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該利用氣相沉積法沉積排列層的 步驟還包括從具有化學物質(zhì)的原料瓶中排空氣體；以及 以惰性氣體充填原料瓶。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括硅垸物質(zhì)。
17. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括過氟辛基三乙氧 基硅垸。
18. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括十八垸基三乙氧 基硅烷。
19. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括三氯硅烷。
20. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該化學物質(zhì)包括含氟聚合物。
21. 如權(quán)利要求20所述的方法，其中該含氟聚合物包括聚四氟乙烯。
22. 如權(quán)利要求l所述的方法，其還包括在以氣相沉積法沉積排列層的 步驟后凈化該真空室。
23. 如權(quán)利要求22所述的方法，其中凈化該真空室的步驟還包括 排空該真空室；以及填充惰性氣體于該真空室中。
24. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該排列層具有小于800埃的厚度。
25. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該排列層具有小于50埃的厚度。
26. 如權(quán)利要求1所述的方法，其還包括在利用氣相沉積法沉積該排列 層后硬化該基板的步驟。
27. 如權(quán)利要求26所述的方法，其還包括承載該基板于卡匣內(nèi)的步驟。
28. 如權(quán)利要求27所述的方法，其還包括將卡匣承載至烘烤爐中的步驟。
29. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中該硬化的步驟操作于80 20(TC。
30. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中該硬化步驟操作30 120分鐘。
31. 如權(quán)利要求l所述的方法，其在放置基板于該真空室的步驟前還包 括清洗該基板的步驟。
32. 如權(quán)利要求31所述的方法，其中清潔該基板的歩驟包括利用等離 子體清洗該基板。
33. 如權(quán)利要求l所述的方法，其還包括在以氣相沉積法沉積該排列層的步驟前清潔該基板的步驟。
34. 如權(quán)利要求33所述的方法，其中清潔該基板包括以等離子體清潔 該基板的步驟。
35. 如權(quán)利要求34所述的方法，其中該等離子體清潔的步驟發(fā)生在該 真空室中。
36. 如權(quán)利要求34所述的方法，其中在等離子體清潔的步驟前還包括 等離子體低壓穩(wěn)定步驟。
37. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中在以氣相沉積法沉積排列層的步驟 前還包括沉積薄的粘著層的步驟。
38. 如權(quán)利要求37所述的方法，其中該薄的粘著層包括硅基材。
39. 如權(quán)利要求38所述的方法，其中該硅基材包括氧硅化物。
40. 如權(quán)利要求38所述的方法，其中該硅基材包括氮硅化物。
41. 如權(quán)利要求38所述的方法，其中該硅基材包括氮氧化硅物。
42. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該排列層對于水及水蒸氣具有低滲 透性。
43. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該排列層為濕氣屏障層。
44. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該排列層專門用于濕氣屏障層。
全文摘要
本發(fā)明為一種在液晶顯示器(LCD)的基板上形成排列層的方法，其中該基板被放置于真空室并且經(jīng)過凈化步驟，該凈化步驟加熱該基板且從真空室中移除水蒸氣，特別的是重復多次地將該真空室排空至低壓狀態(tài)，并將已預熱的惰性氣體填充至真空室，該排列層接著以氣相沉積法沉積，等離子體輔助氣相沉積法亦可選擇性地用于沉積該排列層，再者，等離子體清潔法可在沉積該排列層前清潔該基板。本發(fā)明的方法很容易實現(xiàn)批次制作多個基板。
文檔編號C23C16/00GK101191198SQ20071016573
公開日2008年6月4日 申請日期2007年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月1日
發(fā)明者王協(xié)友 申請人:王協(xié)友;協(xié)立光電股份有限公司