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一種陰極支承裝置的制作方法

文檔序號(hào):3402121閱讀:121來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種陰極支承裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于熱處理設(shè)備領(lǐng)域,涉及離子滲氮爐,特別是一種陰極支承裝置背景技術(shù)離子滲氮具有滲速快、滲層組織易于控制、熱效率高、工件變形小、節(jié)約能源、脆性小、無(wú)公害污染、勞動(dòng)條件好、防滲容易、在真空中處理工件不氧化、不脫碳和處理后的工件表面質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。經(jīng)離子滲氮后的零件,表面硬度高,耐磨性好,且耐腐蝕性和疲勞強(qiáng)度都有較大的提高,可用于解決磨擦條件下的許多問(wèn)題,如磨損、疲勞、腐蝕、粘著等。它可以用來(lái)對(duì)碳鋼、合金鋼、不銹鋼、熱強(qiáng)鋼、鑄鐵、球墨鑄鐵、鈦及鈦合金等進(jìn)行離子滲氮工藝處理。用于完成這種工件表面強(qiáng)化工藝的專(zhuān)用設(shè)備為離子滲氮爐。而離子滲氮爐的核心之一是陰極支承裝置,由于被處理的工件都放在陰極盤(pán)上,因此所有的工件和陰極盤(pán)重量全部靠陰極支承裝置支承并保持與爐體絕緣。
為了保證陰極支承裝置正常工作,應(yīng)滿(mǎn)足①與陰極盤(pán)接觸處不打弧。②屏蔽間隙不能被破壞。③不能因?yàn)R射物使本身絕緣失效。
在已有的陰極支承裝置中存在著一些不足之處只有縱向或橫向屏蔽間隙、只存在金屬與非金屬之間的屏蔽間隙,這樣在出現(xiàn)打弧時(shí)很容易損壞非金屬表面,屏蔽間隙一旦遭到破壞,就會(huì)使陰陽(yáng)極導(dǎo)通,設(shè)備立即無(wú)法使用,因此對(duì)整個(gè)裝置的每一件,需用砂紙經(jīng)常打磨,這樣既需對(duì)陰極支承裝置經(jīng)常清理,又需經(jīng)常更換因打磨而改變屏蔽間隙尺寸的非金屬絕緣件。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)上的不足,本實(shí)用新型提出一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,具有縱、橫向綜合屏蔽間隙,非金屬絕緣件永不打弧,使其表面不被破壞并與爐底座永遠(yuǎn)絕緣的一種陰極支承裝置。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是,、一種陰極支承裝置,由支承螺栓1、調(diào)節(jié)螺帽2、外屏蔽套4和絕緣支承座6組成,絕緣支承座6的上端設(shè)有屏蔽盤(pán)3,支承螺栓1通過(guò)屏蔽盤(pán)3插入絕緣支承座6中,屏蔽盤(pán)3與外屏蔽套4之間形成橫向屏蔽間隙a,絕緣支承座6上設(shè)有內(nèi)屏蔽套5,外屏蔽套4和內(nèi)屏蔽套5之間形成屏蔽間隙b,絕緣支承座6上設(shè)有溝槽8,絕緣支承座6的下端設(shè)有保護(hù)底座7并與絕緣支承座6形成屏蔽間隙C。屏蔽盤(pán)3的直徑大于外屏蔽套4的直徑,絕緣支承座6設(shè)有的溝槽8為3道,支承螺栓1的頂端為球面蓋型。屏蔽間隙a與屏蔽長(zhǎng)度m之比a∶m=0.75-1∶10-30,屏蔽間隙b與屏蔽長(zhǎng)度n之比b∶n=0.75-1∶10-30。
根據(jù)輝光放電的特點(diǎn),陰極位降區(qū)小于一個(gè)額定的距離或被某一種物體堵塞,輝光即自行熄滅的原理,在橫向屏蔽中,將產(chǎn)生輝光的屏蔽盤(pán)3和不產(chǎn)生輝光的外屏蔽套4之間制作一種縫隙a,如圖2所示,只要m∶a=10-11∶0.75-1并且a的寬度大約為0.8mm左右,就可成為一種“氣隙保護(hù)”裝置。同理在縱向屏蔽中,n∶b=10-11∶0.75-1時(shí),可成為一種“氣隙保護(hù)”裝置。
本實(shí)用新型的有益效果是,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,具有縱、橫向綜合屏蔽間隙,陰極與爐體絕緣并具有多重保護(hù),非金屬絕緣件永不打弧,表面不被破壞,平時(shí)不需維護(hù)清理,工作安全可靠。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)正視剖面示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的屏蔽間隙結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中1、支撐螺栓,2、螺帽,3、屏蔽盤(pán),4、外屏蔽套,5、內(nèi)屏蔽套,6.、絕緣支承座,7、保護(hù)底座,8、溝槽。
具體實(shí)施方式
陰極支承裝置由支撐螺栓1、調(diào)節(jié)螺帽2、屏蔽盤(pán)3、外屏蔽套4、內(nèi)屏蔽套5、絕緣支承座6和保護(hù)底座7組成。支撐螺栓1與陰極盤(pán)接觸時(shí),由于是球面與平面的點(diǎn)接觸,所以支撐螺栓與陰極盤(pán)之間不產(chǎn)生打弧現(xiàn)象。調(diào)節(jié)螺帽2可調(diào)節(jié)陰極盤(pán)的高度。屏蔽盤(pán)3與外屏蔽套4之間形成橫向屏蔽間隙保護(hù),以便使屏蔽盤(pán)3以下部分不輝光,并且屏蔽盤(pán)3的直徑大于外屏蔽套4,導(dǎo)電物體不會(huì)落入兩體之間使兩者導(dǎo)通。內(nèi)屏蔽套5通過(guò)絕緣支承座6與外屏蔽套4屏蔽并形成縫隙b,一旦屏蔽盤(pán)3和外屏蔽套4因?qū)ǘ雇馄帘翁?輝光,外屏蔽套4和內(nèi)屏蔽套5之間的間隙b自動(dòng)形成縱向的屏蔽間隙進(jìn)行二次保護(hù),內(nèi)屏蔽套5采用金屬制成,將非金屬絕緣件6罩在其中,使其不打弧而不遭損壞??v、橫向的屏蔽間隙全部為金屬與金屬之間形成的間隙,因此屏蔽間隙的尺寸不會(huì)改變。絕緣支承座6有三道溝槽,可防止濺射物布滿(mǎn)其表面而使絕緣支承座6變成一導(dǎo)體。保護(hù)底座7具有保護(hù)絕緣支承座6的作用,同時(shí)又有與絕緣支承座6因存在保護(hù)縫隙C(C=1mm),而使?fàn)t底座與陰極盤(pán)絕緣的作用。
權(quán)利要求1.一種陰極支承裝置,由支承螺栓(1)、調(diào)節(jié)螺帽(2)、外屏蔽套(4)和絕緣支承座(6)組成,其特征在于,絕緣支承座(6)的上端設(shè)有屏蔽盤(pán)(3),支承螺栓(1)通過(guò)屏蔽盤(pán)(3)插入絕緣支承座(6)中,屏蔽盤(pán)(3)與外屏蔽套(4)之間形成橫向屏蔽間隙a,絕緣支承座(6)上設(shè)有內(nèi)屏蔽套(5),外屏蔽套(4)和內(nèi)屏蔽套(5)之間形成屏蔽間隙b,絕緣支承座(6)上設(shè)有溝槽(8),絕緣支承座(6)的下端設(shè)有保護(hù)底座(7)并與絕緣支承座(6)形成屏蔽間隙C。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陰極支承裝置,其特征在于,所述的屏蔽盤(pán)(3)的直徑大于外屏蔽套(4)的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陰極支承裝置,其特征在于,所述的絕緣支承座(6)設(shè)有的溝槽(8)為3道。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陰極支承裝置,其特征在于,所述的支承螺栓(1)頂部為球面蓋型。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陰極支承裝置,其特征在于,所述的屏蔽間隙a與屏蔽長(zhǎng)度m之比a∶m=0.75-1∶10-30。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陰極支承裝置,其特征在于,所述的屏蔽間隙b與屏蔽長(zhǎng)度n之比b∶n=0.75-1∶10-30。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及離子滲氮爐用的一種陰極支承裝置,由支承螺栓、調(diào)節(jié)螺帽、外屏蔽套和絕緣支承座組成,絕緣支承座的上端設(shè)有屏蔽盤(pán),支承螺栓通過(guò)屏蔽盤(pán)插入絕緣支承座中,屏蔽盤(pán)與外屏蔽套之間形成橫向屏蔽間隙,絕緣支承座上設(shè)有內(nèi)屏蔽套,外屏蔽套和內(nèi)屏蔽套之間形成屏蔽間隙,絕緣支承座上設(shè)有溝槽,絕緣支承座的下端設(shè)有保護(hù)底座并與絕緣支承座形成屏蔽間隙。本實(shí)用新型的有益效果是,具有縱、橫向綜合屏蔽間隙,陰極與爐體絕緣并具有多重保護(hù),非金屬絕緣件不打弧,表面不被破壞,平時(shí)不需維護(hù)清理。
文檔編號(hào)C23C8/36GK2823272SQ20052009191
公開(kāi)日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2005年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月19日
發(fā)明者劉偉 申請(qǐng)人:大連海事大學(xué)
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