專利名稱：用于化學機械拋光的多層拋光墊材料的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于化學機械拋光的無粘合劑的多層拋光墊材料。
背景技術：
化學機械拋光(“CMP”)制程用于微電子裝置的制造，以在半導體晶片、場發(fā)射顯示器和許多其它微電子襯底上形成平坦表面。例如，半導體裝置的制造通常涉及形成各種處理層、選擇性去除或圖案化部分所述層且在一半導體襯底的表面上沉積其它處理層以形成半導體晶片。例如，所述處理層可包括絕緣層、閘氧化層、導電層和金屬或玻璃層等。在晶片制程的某些步驟中，通常希望處理層的最上表面為平面(即，平坦的)，以用于隨后各層的沉積。CMP用于平面化處理層，其中拋光一沉積的材料(諸如，導電或絕緣材料)來平面化所述晶片，以用于隨后的制程步驟。
在一典型CMP制程中，將一晶片上面朝下安裝到CMP工具中的載具上。一個力推動所述載具和所述晶片向下移向一拋光墊。所述載具和所述晶片均在CMP工具的拋光臺上的旋轉拋光墊上方旋轉。在拋光制程期間，通常將拋光組合物(也稱為拋光漿料)引入旋轉晶片與旋轉拋光墊之間。所述拋光組合物通常含有一化學物質(其與部分晶片最頂層相互作用或將其溶解)和一研磨劑材料(其以物理方式去除部分所述層)。根據(jù)所實施的特定拋光制程的需要，所述晶片和所述拋光墊可在相同方向或相反方向上旋轉。所述載具還可在拋光臺上的整個拋光墊上振蕩。CMP拋光墊通常包含兩個或兩個以上的層，例如，一拋光層和一底(例如，副墊)層，通過使用粘合劑(諸如，熱熔融粘合劑或壓敏粘合劑)將所述層結合在一起。此多層拋光墊揭示于(例如)美國專利第5,257,478號中。
在拋光一工件的表面時，在原位監(jiān)視所述拋光制程通常較有利。一種在原位監(jiān)視所述拋光制程的方法涉及使用一具有一“窗”的拋光墊，所述窗提供一光可通過的入口以允許在拋光制程期間檢查工件表面。所述具有窗的拋光墊已為所知，且已用于拋光工件，諸如，半導體裝置。例如，美國專利第5,893,796號揭示如下內容去除拋光墊的一部分以提供一孔徑，并將一透明聚氨酯或石英栓塞置于所述孔徑中以提供一透明窗。類似地，美國專利第5,605,760號提供一具有透明窗的拋光墊，所述窗由澆鑄為一棒或栓塞的固態(tài)均一聚合物材料形成。所述透明栓塞或窗通常在拋光墊形成期間(例如，在墊模制期間)整體粘結到拋光墊或通過使用粘合劑附裝在拋光墊的孔徑中。
現(xiàn)有技術的拋光墊依靠粘合劑將拋光墊各層結合在一起或將窗附裝在拋光墊內，其具有許多缺點。例如，粘合劑通常具有令人難以忍受的煙霧且固化時間通常超過24小時或更多。此外，粘合劑可易受拋光組合物組份的化學侵蝕的影響，且因而應基于將使用的拋光系統(tǒng)類型來選擇用于結合各墊層或將窗附著到墊的粘合劑類型。而且，拋光墊各層間的粘結或窗到拋光墊的粘結往往隨時間流逝出現(xiàn)缺陷或劣化。這可導致墊層剝層或翹曲和/或墊與窗之間的拋光組合物泄漏。在某些情況下，隨時間流逝窗可從拋光墊移位。用于形成整體模制拋光墊窗的方法可成功地避免至少某些所述問題，但所述方法通常較昂貴且在可使用的墊材料類型和可制造的墊構造類型方面受限。
因此，仍需要有效的多層拋光墊和包含半透明區(qū)域(例如，窗)的拋光墊，其可使用有效且廉價的方法來制造而無需依賴使用粘合劑。本發(fā)明提供所述拋光墊和其使用方法。從本文所提供的本發(fā)明的描述可明了本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點及另外的發(fā)明性特征。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種用于化學機械拋光的多層拋光墊。所述拋光墊包含一拋光層和一底層，其中所述拋光層和底層大體上共延伸且未使用粘合劑而結合在一起。本發(fā)明還提供一種包含多層光學透射區(qū)域的拋光墊，其包含兩個層或兩個以上的層，所述層大體上共延伸且未使用粘合劑而結合在一起。
本發(fā)明進一步提供一種化學機械拋光設備和拋光一工件的方法。所述CMP設備包含(a)一旋轉壓板；(b)本發(fā)明的一拋光墊；和(c)一載具，所述載具用以固持待通過接觸所述旋轉拋光墊來拋光的工件。所述拋光方法包含以下步驟(i)提供本發(fā)明的一拋光墊；(ii)用所述拋光墊接觸一工件；和(iii)相對于所述工件移動所述拋光墊以研磨所述工件，且借此拋光所述工件。
本發(fā)明進一步提供制造本發(fā)明的拋光墊的方法。第一方法包含(i)在超臨界氣體存在的情況下，將一聚合物板置于高壓下保持一預定時段；(ii)允許聚合物板部分地解吸附所述超臨界氣體；和(iii)通過使所述板經(jīng)受一比聚合物板的玻璃化轉變溫度高的溫度，使所述部分解吸附的聚合物板發(fā)泡。第二方法包含(i)在超臨界氣體存在的情況下，將具有第一表面和第二表面的聚合物板置于高壓下保持一預定時段；(ii)使聚合物板的第一表面經(jīng)受一比聚合物板的玻璃化轉變溫度高的第一溫度；(iii)使聚合物板的第二表面經(jīng)受一比第一溫度低的第二溫度；和(iv)使聚合物板發(fā)泡。


圖1描繪現(xiàn)有技術的多層拋光墊的截面?zhèn)纫晥D，所述多層拋光墊包含使用一粘合劑結合在一起的一拋光層和一底層。
圖2描繪本發(fā)明的一多層拋光墊的截面?zhèn)纫晥D，所述多層拋光墊包含未使用粘合劑而結合在一起的一拋光層和一底層。
圖3描繪本發(fā)明的一多層拋光墊的截面?zhèn)纫晥D，所述多層拋光墊包含一拋光層和一底層，其中所述底層為光學透射的且已去除部分拋光層以露出一光學檢測口。
圖4描繪本發(fā)明的一多層拋光墊的截面?zhèn)纫晥D，所述多層拋光墊包含未使用粘合劑而結合在一起的一拋光層、一中間層和一底層。
圖5描繪本發(fā)明的一多層拋光墊的截面?zhèn)纫晥D，所述多層拋光墊包含一拋光層、一中間層和一底層，其中所述中間層為光學透射的且已去除部分拋光層和底層以露出一光學檢測口。
圖6描繪一包含多層光學透射窗部分的拋光墊的截面?zhèn)纫晥D，其中窗部分的所述層未使用粘合劑而結合在一起，且窗部分焊接到拋光墊中。
圖7為一用于固態(tài)聚氨酯板的CO2飽和的CO2濃度(毫克/克)與時間(小時)的曲線圖。
圖8為一用于固態(tài)聚氨酯板的CO2解吸附的CO2濃度(毫克/克)與時間(小時)的曲線圖。
圖9為一通過在93℃下CO2解吸附20分鐘后發(fā)泡所制造的多層拋光墊(樣品A))的SEM圖像。
圖10為一通過在93℃下CO2解吸附120分鐘后發(fā)泡所制造的多層拋光墊(樣品B)的SEM圖像。
具體實施例方式
本發(fā)明針對一種包含多層拋光墊材料的拋光墊，其中所述拋光墊材料包含兩個或兩個以上的層，所述層未使用粘合劑而結合在一起。視需要，所述拋光墊材料包含三個或三個以上(例如，四個或四個以上、六個或六個以上的層，或甚至八個或八個以上)的層，所述層未使用粘合劑而結合在一起。在第一實施例中，所述多層拋光墊材料用作多層拋光墊。在第二實施例中，所述多層拋光墊材料用作拋光墊內的光學透射區(qū)域。
拋光墊材料層的層間不含有任何粘合劑。粘合劑是指所屬領域中已知的任何常用粘合劑材料，例如，熱熔粘合劑、壓敏粘合劑、膠粘劑等。更確切地，所述拋光墊的各層通過每一層間的聚合物樹脂的物理重疊、交替和/或纏結結合在一起。希望所述層大體共延伸。
所述多層拋光墊材料的優(yōu)點在于每一層可具有不同的物理或化學性質。例如，在某些應用中，可能希望每一層具有相同的聚合物組合物但具有不同的物理性質，諸如，硬度、密度、孔隙度、可壓縮度、剛性、拉伸模量、松密度模量、流變、蠕變、玻璃化轉變溫度、熔融溫度、粘度或透明度。在其它應用中，可能希望拋光墊的各層具有相似的物理性質但具有不同的化學性質(例如，不同的化學組成)。當然，拋光墊層可既具有不同的化學性質還具有不同的物理性質。優(yōu)選地，拋光墊材料層具有至少一種不同的化學或物理性質。
希望每一層拋光墊材料均包含一種聚合物樹脂，所述聚合物樹脂可為任何適當?shù)木酆衔飿渲?。通常，所述聚合物樹脂選自由以下各物組成的群熱塑性彈性體、熱固性聚合物、聚氨酯(例如，熱塑性聚氨酯)、聚烯烴(例如，熱塑性聚烯烴)、聚碳酸酯、聚乙烯醇、尼龍、彈性體橡膠、彈性體聚乙烯、聚四氟乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚芳酰胺、聚伸芳基、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、其共聚物和其混合物。優(yōu)選地，所述聚合物樹脂為熱塑性聚氨酯。
所述層可包含相同的聚合物樹脂，或可包含不同的聚合物樹脂。例如，一層可包含一熱塑性聚氨酯，而一第二層可包含選自由以下各物組成的群的聚合物樹脂聚碳酸酯、尼龍、聚烯烴、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯和其混合物。一優(yōu)選的拋光墊材料包含一與包含聚合物樹脂的層結合的熱塑性聚氨酯層，其中所述聚合物樹脂選自交聯(lián)聚丙烯酰胺或聚乙烯醇(例如，交聯(lián)或未交聯(lián))。另一優(yōu)選拋光墊材料包含一與包含聚合物樹脂的層結合的聚碳酸酯層，其中所述聚合物樹脂選自交聯(lián)丙烯酰胺或丙烯酸。
所述拋光墊材料的各層可為親水的、疏水的或所述兩者的組合。拋光墊層的親水性/疏水性在很大程度上取決于用于制造所述層的聚合物樹脂的類型。通常認為臨界表面張力為34毫牛頓/米(mN/m)或更大的聚合物樹脂為親水的，而通常認為臨界表面張力為33nM/m或更小的的聚合物樹脂為疏水的。某些常用聚合物樹脂的臨界表面張力如下(括號中所示的數(shù)值)聚四氟乙烯(19)、聚二甲基硅氧烷(24)、硅酮橡膠(24)、聚丁二烯(31)、聚乙烯(31)、聚苯乙烯(33)、聚丙烯(34)、聚酯(39-42)、聚丙烯酰胺(35-40)、聚乙烯醇(37)、聚甲基丙烯酸甲酯(39)、聚氯乙烯(39)、聚砜(41)、尼龍6(42)、聚氨酯(45)和聚碳酸酯(45)。通常，至少一拋光墊材料層為親水的。優(yōu)選兩個或兩個以上的層為親水的。
所述拋光墊材料的各層可具有任何適當?shù)挠捕?例如，30-50蕭氏A或25-80蕭氏D)。類似地，所述層可具有任何適當?shù)拿芏群?或孔隙度。例如，所述層可為無孔的(例如，實心)、近似實心的(例如，具有小于10％的空隙體積)或多孔的，且可具有0.3克/立方厘米或更高(例如，0.5克/立方厘米或更高或0.7克/立方厘米或更高)或甚至0.9克/立方厘米(例如，1.1克/立方厘米或高達所述材料的理論密度的99％)的密度。就某些應用而言，可能希望拋光墊材料的其中一層(例如，拋光層)為硬質的、致密的和/或具有較低的孔隙度，而其它層為軟質的、高度多孔的和/或具有較低的密度。
所述拋光墊材料的各層可具有任何適當?shù)耐该鞫?即，對光的透射率)。例如，其中一層可大體透明，而其它層大體上不透明?；蛘?，拋光墊材料的所有層均可光學透射。當存在三個或三個以上的層時，中間層可大體上透明，而外層大體不透明。當所述拋光墊與光學終點檢測系統(tǒng)結合使用時，需要光學透明。拋光墊各層的透明度至少部分地取決于(a)所選定的聚合物樹脂的類型；(b)孔的密集度和大小；和(c)任何嵌入的顆粒的密集度和大小。優(yōu)選地，在至少一200納米與10,000納米之間(例如，200納米與1000納米之間)的光波長下，光學透射率(即，透射穿過墊材料的光的總量)至少為10％(例如，20％或30％)。
當所述多層拋光墊材料為光學透射時，所述材料視需要可進一步包含一染料，其使所述拋光墊材料能夠選擇性地透射特定波長的光。所述染料濾除非所要的波長的光(例如，背景光)，因而改進檢測的信噪比。所述透明窗可包含任何適當染料，或可包含若干種染料的組合。適當染料包括聚次甲基染料、二芳基和三芳基次甲基染料、二芳基次甲基染料的氮雜類似物、氮雜(18)輪烯染料、天然染料、硝基染料、亞硝基染料、偶氮染料、蒽醌染料、硫化染料等。希望所述染料的透射光譜與用于在原位終點檢測的光波長相匹配或重疊。例如，當用于終點檢測(EPD)系統(tǒng)的光源為HeNe激光器時，其產(chǎn)生波長為633納米的可見光，所述染料優(yōu)選為紅色染料，其能夠透射波長為633納米的光。
所述拋光墊材料各層可具有任何適當?shù)暮穸?。?yōu)選地，每一層的厚度為多層拋光墊材料的總厚度的至少10％或以上(例如，20％或20％以上，或30％或30％以上)。每一層的厚度部分地取決于拋光墊材料層的總數(shù)。此外，每一拋光墊材料層可具有相同的厚度，或各層的厚度各不相同。
在第一實施例中，所述多層拋光墊材料用作多層拋光墊。圖1中描繪了一典型的現(xiàn)有技術的多層拋光墊(10)，其中拋光層(12)通過其中間的粘合劑(16)粘附到底層(14)。對比地，所述第一實施例的多層拋光墊包含未使用粘合劑而結合在一起的第一層(例如，拋光層)和第二層(例如，底層)，如(例如)圖2-6中所描繪。具體而言，圖2描繪一包含一拋光層(12)和一底層(14)的拋光墊(10)。所述拋光層和底層可包含相同的聚合物樹脂(例如，聚氨酯)或不同的聚合物樹脂(例如，聚氨酯和聚碳酸酯)。希望所述拋光層的壓縮模量比底層高。例如，所述拋光層可為實心的或可具有極低的孔隙度，而底層為高度多孔的(例如，一發(fā)泡聚合物)。
當?shù)谝粚嵤├亩鄬訏伖鈮|與一原位終點檢測系統(tǒng)結合使用時，可希望所述多層拋光墊的至少一層在介于200納米與10,000納米(例如，200納米至1,000納米或200納米至800納米)之間的至少一波長下具有10％或10％以上(例如，20％或20％以上，或30％或30％以上)的光透射率。在某些情況下，拋光層和底層兩者均可光學透射使得整個拋光墊至少部分光學透射。在其它情況下，僅拋光層和底層中的一層可大體上不透明而另一層可光學透射。例如，拋光層可大體上不透明而底層可光學透射。為使此拋光墊配合在原位終點檢測系統(tǒng)而使用，可去除部分拋光層以在拋光層(12)中產(chǎn)生一孔徑(20)，其露出大體光學透射的底層(14)的一區(qū)域(22)，如圖3中所描繪。因此通過拋光層中的孔徑露出的底層(14)光學透射區(qū)域(22)從拋光表面(13)凹入，以保護所述“窗”在拋光制程期間免遭拋光組合物劃傷。在一光學透射拋光層和一大體上不透明底層的情況下，去除部分底層以在底層中形成一孔徑，其露出大體光學透射拋光層的一區(qū)域。
本發(fā)明的多層拋光墊還可為一上述拋光墊，其進一步包含一個或一個以上的安置于拋光層與底層之間的中間層。圖4中描繪此拋光墊(10)，其包含一拋光層(12)、底層(14)和一中間層(18)。所述拋光墊的各層可具有上述任何適當?shù)幕瘜W和物理性質(各層之間可相同或不同)。就某些應用而言，可能希望每一層具有至少一種不同的化學或物理性質。例如，一拋光墊可包含一包含微多孔聚氨酯的拋光層，一包含固態(tài)聚氨酯的中間層，和一包含軟多孔聚氨酯的底層?；蛘?，所述拋光層可包含一親水聚合物，而中間層和底層分別包含一疏水聚合物和一親水聚合物。
在其它應用中，可能希望拋光層和底層具有相同的化學和物理性質，而中間層具有至少一種不同的性質。例如，中間層可具有低可壓縮度而拋光層與底層則具有較高的可壓縮度?；蛘?，中間層可大體透明而拋光層和底層則大體上不透明。通過去除一部分拋光層(12)和一部分底層(14)以在拋光層(12)中產(chǎn)生一孔徑(20)和在底層中產(chǎn)生一孔徑(24)，此拋光墊(10)可與原位終點檢測系統(tǒng)配合使用。當孔徑(20)與孔徑(24)對準(即，安置于彼此的頂部)時，露出大體光學透射的中間層(18)的一區(qū)域(26)，如圖5所描繪。在此拋光墊中，通過拋光層和底層中的孔徑露出的中間層(18)的光學透射區(qū)域(26)從拋光表面(13)凹入，以在拋光過程期間保護所述“窗”免受拋光組合物劃傷。
第一實施例的多層拋光墊可具有任何適當?shù)某叽纭Ｍǔ?，所述多層拋光墊將具有500微米或500微米以上(例如，750微米或750微米以上，或1000微米或1000微米以上)的厚度。多層拋光墊的形狀最好為圓形(當用于旋轉式拋光工具時)或制成環(huán)狀線性帶(當用于線性拋光工具時)。所述多層拋光墊的拋光層視需要可進一步包含凹槽、穿孔、通道或其它此類圖案，所述圖案可促進拋光組合物在整個拋光墊表面上的流動。所述凹槽、通道等可為同心圓、螺旋狀、XY交叉圖案或任何其它適當圖案的形狀。
視需要，第一實施例的多層拋光墊進一步包含一個或一個以上的光學透射窗，其插入一在所述拋光墊中(例如，位于拋光層、中間層和底層中的至少一層中)切割的孔徑中。最好是，所述窗(若存在)通過除使用粘合劑以外的方式粘結到所述拋光墊。例如，所述窗可通過焊接技術(例如，超聲波焊接)附著到所述拋光墊。
視需要，第一實施例的多層拋光墊進一步包含任何適當?shù)那度腩w粒，例如，研磨劑顆粒、水溶性顆粒、吸水性顆粒(例如，遇水可膨脹的顆粒)等。所述研磨劑顆粒可為無機顆?；蛴袡C顆粒，包括金屬氧化物顆粒、聚合物顆粒、金剛石顆粒、碳化硅顆粒等。所述水溶性顆?？蔀槿魏芜m當?shù)幕瘜W機械拋光劑，諸如氧化劑、絡合劑、酸、堿、分散劑、表面活性劑等。所述吸水顆?？蔀檫m當?shù)奈酆衔镱w粒。
在第二實施例中，所述多層拋光墊材料對光通路來說至少部分透明且用作一另外不透明的拋光墊中的光學透射區(qū)域(例如，一拋光墊的“窗”)。圖6中描繪了此拋光墊，其中光學透射區(qū)域(32)包含第一光學透射層(34)和第二光學透射層(36)，且所述光學透射區(qū)域(32)附裝于拋光墊(30)中。當所述光學透射拋光墊材料結合終點檢測系統(tǒng)使用時，希望所述拋光墊材料在200納米與10,000納米(例如，200納米與1,000納米，或200納米與800納米)之間的至少一波長下的光(例如，激光)透射率為10％或10％以上(例如，20％或20％以上，或30％或30％以上)。優(yōu)選地，光學透射拋光墊材料在200納米到35,000納米(例如，200納米到10,000納米，或200納米到1,000納米，或甚至200納米到800納米)的至少一波長下的光透射率為40％或40％以上(例如，50％或50％以上，或甚至60％或60％以上)。
盡管所述光學透射拋光墊材料的每一層必須具有某種程度的光透射率，但每一層所透射的光量可不同。例如，所述拋光墊材料的第一透射層(例如，拋光層)可為微孔或含有嵌入顆粒，且因而對光通路來說較不透射，而第二透射層(例如，底層)為一對光通路來說高度透射的的無孔實心板?；蛘?，第一和第二透射層兩者均可大體透射但具有不同的聚合物組合物。因此，通過適當選擇所述多層拋光墊材料每一層的化學和物理性質，可“調諧”透射穿過多層拋光墊材料的光的波長。光透射率部分地取決于所用的聚合物樹脂的類型。例如，在一包含第一透射層(例如，拋光層)和第二透射層(例如，底層)的拋光墊材料中，所述第一層可包含對某些波長范圍的光具有透射的第一聚合物樹脂，且第二層可包含對一不同但重疊的波長范圍的光具有透射的第二聚合物樹脂。因此，拋光墊材料的整體透射可調諧到一狹窄的波長范圍。
第二實施例的光學透射拋光墊材料的各層可具有任何適當?shù)某叽?即，長度、寬度和厚度)和任何適當?shù)男螤?例如，可為圓形、橢圓形、正方形、矩形、三角形等)。通常，所述層具有大體相同的長度和寬度(例如，直徑)使得它們彼此完全共延伸。所述光學透射拋光墊材料可位于拋光墊內，以與拋光墊的拋光表面齊平(即，共平面)或從拋光墊的拋光表面凹入。當光學透射拋光墊材料與拋光墊的拋光表面齊平時，第一光學透射層將構成拋光墊的拋光表面的一部分。
第二實施例的光學透射多層拋光墊材料可具有任何適當?shù)暮穸?，且所述厚度將至少部分地根?jù)以下因素而改變所述拋光墊材料置于其中的拋光墊的厚度和拋光墊材料的上表面與拋光墊的拋光表面之間所要的凹入量。通常，當位于一厚度為1000微米或1000微米以上(例如，2000微米或2000微米以上、或甚至3000微米或3000微米以上)的拋光墊(例如，堆疊拋光墊)內時，所述光學透射多層拋光墊材料的總厚度(即，從第一透射層的上表面到第二透射層的下表面)至少為10微米或10微米以上(例如，50微米或50微米以上、100微米或100微米以上、200微米或200微米以上、或甚至500微米或500微米以上)。優(yōu)選地，對于厚度為1250微米或1250微米以上(例如，1600微米或1600微米以上)的拋光墊來說，所述光學透射多層拋光墊材料的厚度為350微米或350微米以上(例如，500微米或500微米以上)。所述光學透射多層拋光墊材料的各層的厚度可相同或不同。通常，所述光學透射多層拋光墊材料的第一層的厚度至少為所述光學透射多層拋光墊材料總厚度的10％或10％以上(例如，20％或20％以上、或30％或30％以上)。類似地，所述光學透射多層拋光墊材料的第二層的厚度通常至少為所述光學透射多層拋光墊材料總厚度的10％或10％以上(例如，20％或20％以上、或30％或30％以上)。
第二實施例的光學透射多層拋光墊材料置于其中的拋光墊可包含任何適當?shù)木酆衔飿渲＠?，所述拋光墊通常包含選自由以下各物組成的群的聚合物樹脂熱塑性彈性體、熱塑性聚氨酯、熱塑性聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、尼龍、彈性體橡膠、彈性體聚乙烯、其共聚物和其混合物。所述拋光墊可通過任何適當?shù)姆椒ㄖ圃?，所述方法包括燒結、注入成型、吹塑、擠壓等。所述拋光墊可為實心的且無孔，可含有微孔封閉胞(closed cell)，可含有打開胞(open cell)，或可含有上面模制有聚合物的纖維網(wǎng)。所述拋光墊通常為不透明的或僅部分半透明的。
包含第二實施例的光學透射多層拋光墊材料的拋光墊具有一拋光表面，其視需要進一步包含可促進拋光組合物在整個拋光墊表面上的橫向輸送的凹槽、通道和/或穿孔。所述凹槽、通道或穿孔可為任何適當?shù)膱D案且可具有任何適當?shù)纳疃群蛯挾?。所述拋光墊可具有兩種或兩種以上不同的凹槽圖案，例如如美國專利第5,489,233號中所描述的大凹槽與小凹槽的組合。所述凹槽可為斜凹槽、同心凹槽、螺旋狀或圓形凹槽、XY交叉圖案的形式，且在連續(xù)性上可為連續(xù)或不連續(xù)。優(yōu)選地，所述拋光墊至少包含通過標準墊整飾方法形成的小凹槽。
包含第二實施例的光學透射多層拋光墊材料的拋光墊除包含光學透射多層拋光墊材料之外，還可包含一種或一種以上的其它特征或組成部分。例如，所述拋光墊視需要可包含不同密度、硬度、孔隙度和化學成份的區(qū)域。所述拋光墊視需要可包含固體顆粒，所述固體顆粒包括研磨劑顆粒(例如，金屬氧化物顆粒)、聚合物顆粒、水溶性顆粒、吸水性顆粒、中空顆粒等。
本發(fā)明的拋光墊尤其適于與化學機械拋光(CMP)設備結合使用。通常，所述設備包含一壓板，其使用時處于運動狀態(tài)且具有一由軌道、線性或環(huán)形運動而產(chǎn)生的速率；一本發(fā)明的拋光墊，其與壓板接觸且當壓板運動時隨其運動；和一載具，其固持待通過接觸和相對于拋光墊表面運動而研磨的工件。工件的拋光通過以下步驟實施放置工件使其與拋光墊接觸，然后使所述拋光墊相對于工件運動(其中間通常有拋光組合物)，以研磨所述工件的至少一部分而拋光所述工件。所述拋光組合物通常包含液態(tài)載劑(例如，水性載劑)、pH調節(jié)劑和視需要而定的研磨劑。取決于正拋光工件的類型，拋光組合物視需要可進一步包含氧化劑、有機酸、絡合劑、pH緩沖劑、表面活性劑、腐蝕抑制劑、抗發(fā)泡劑等。CMP設備可為任何適當?shù)腃MP設備，其多數(shù)在所屬領域中已知。本發(fā)明的拋光墊還可結合線性拋光工具來使用。
希望CMP設備進一步包含原位拋光終點檢測系統(tǒng)，其多數(shù)在所屬領域已熟知。在所屬領域中已知通過分析從工件表面反射的光或其它輻射來檢查和監(jiān)視拋光制程的技術。所述方法在以下專利中描述(例如)美國專利第5,196,353號、美國專利第5,433,651號、美國專利第5,609,511號、美國專利第5,643,046號、美國專利第5,658,183號、美國專利第5,730,642號、美國專利第5,838,447號、美國專利第5,872,633號、美國專利第5,893,796號、美國專利第5,949,927號和美國專利第5,964,643號。希望關于正拋光工件的拋光制程的進度所實施的檢查或監(jiān)視能夠決定拋光終點，即，決定何時終止關于一特定工件的拋光制程。
包含本發(fā)明的多層拋光墊材料的拋光墊適用于拋光許多類型的工件(例如，襯底或晶片)和工件材料。例如，所述拋光墊可用于拋光包括存儲器存儲裝置、半導體襯底和玻璃襯底在內的工件。適于用所述拋光墊進行拋光的工件包括存儲器或硬磁盤、磁頭、MEMS裝置、半導體晶片、場發(fā)射顯示器和其它微電子襯底，尤其是包含絕緣層(例如，二氧化硅、氮化硅或低介電材料)和/或含金屬的層(例如，銅、鉭、鎢、鋁、鎳、鈦、鉑、釕、銠、銥或其它貴金屬)的微電子襯底。
可通過任何適當?shù)姆椒▉碇圃毂景l(fā)明的多層拋光墊材料。其中一適當方法涉及當所述層的至少一層至少部分熔融時，通過接觸所述層的共延伸表面將拋光墊材料的各層結合在一起。例如，拋光墊各層之間的粘結可通過焊接(例如，超聲波焊接)、熱粘結、輻射活化粘結、層壓或共擠壓來形成。一優(yōu)選的方法為共擠壓。擠壓涉及通常在高溫和/或高壓下，通過迫使聚合物顆粒通過一成形模來形成聚合物板或薄膜。在共擠壓過程中，通過使用兩個或兩個以上的擠出模來使兩個或兩個以上的聚合物樹脂層形成共延伸多層聚合物板。視所要的應用而定，通過共擠壓形成的多層聚合物板可具有任何適當?shù)膶訑?shù)。
另一適當方法涉及使單層聚合物板(例如，單層拋光墊)的一個或兩個表面經(jīng)受一改變所述單層聚合物板的一個或兩個表面的物理性質的制程。例如，可選擇性地使一實心聚合物板發(fā)泡，使得將孔隙引入所述聚合物板的一表面中，從而獲得一具有多孔層的兩層聚合物板(例如，兩層拋光墊)，所述多孔層未使用粘合劑而附著到實心層。還可選擇性地在實心聚合物板的兩個表面上發(fā)泡，以產(chǎn)生一具有實心中間層和多孔頂層和底層的三層聚合物板(例如，三層拋光墊)。
形成多層拋光墊材料的一適當方法包含以下步驟(i)在一超臨界氣體存在的條件下，將一聚合物板置于高壓下保持一預定時段；和(ii)通過使所述板經(jīng)受比所述聚合物板的玻璃化轉變溫度(Tg)高的溫度而使所述聚合物板發(fā)泡。所述聚合物板可為實心聚合物板或多孔聚合物板。步驟(i)中的壓力可為任何適當?shù)膲毫η覒暰酆衔锇宓念愋秃统R界氣體的種類而定。例如，當所述聚合物板包含熱塑性聚氨酯時，所述壓力應在1.5MPa與10MPa之間(例如，在2MPa與8MPa之間)。所述超臨界氣體可為聚合物中具有足夠溶解度的任何適當氣體(例如，N2或CO2)且優(yōu)選為CO2。希望所述超臨界氣體的溶解度至少為0.1毫克/克(例如，1毫克/克或10毫克/克)。所述預定時間量應由氣體吸收到聚合物板內的比率和所要的吸收程度而定。通常，所述時間量為1小時或1小時以上(例如，2小時或2小時以上，或甚至5小時或5小時以上)。發(fā)泡溫度可為任何適當?shù)臏囟?。發(fā)泡溫度應至少部分地視聚合物板的Tg而定。盡管還可使用高于所述聚合物板的Tm的發(fā)泡溫度，但是發(fā)泡溫度通常在聚合物板的Tg與熔融溫度(Tm)之間。
在一優(yōu)選實施例中，應防止聚合物板均勻吸收超臨界氣體。例如，可通過限制吸收時間來使超臨界氣體僅部分地吸收到聚合物板中，使得僅聚合物板的外層部分吸收超臨界氣體。此方法可進一步包含如下一步驟在吸收超臨界氣體前冷卻聚合物板，以阻滯超臨界氣體擴散到聚合物板中。或者，可通過施加一如下超臨界氣體阻障材料將超臨界氣體的吸收限制或阻止于聚合物板一側，所述超臨界氣體阻障材料諸如，薄膜、箔、厚襯底或可阻止或限制超臨界氣體被吸收到聚合物板中的其它適當材料。在某些實施例中，所述阻障材料為一聚合物板。聚合物板吸收較多超臨界氣體的部分與吸收較少或沒有吸收超臨界氣體的其余部分相比具有較高的孔隙度。
形成本發(fā)明的多層拋光墊材料的更優(yōu)選的方法涉及以下步驟(i)在一超臨界氣體存在的條件下，將聚合物板置于高壓下保持一預定時段；(ii)允許聚合物板部分地解吸附超臨界氣體；和(iii)通過使所述板經(jīng)受一比聚合物板的Tg高的溫度而使部分解吸附的聚合物板發(fā)泡。步驟(i)和(iii)可在上述條件下實施。所述解吸附的超臨界氣體的聚合物板部分與其余保留超臨界氣體的部分相比具有較低的孔隙度。在某些實施例中，希望在步驟(i)期間使臨界氣體充斥于聚合物板。通常，聚合物板通常在60小時或60小時以下(例如，40小時或40小時以下，或30小時或30小時以下)時間內達到完全飽和。解吸附步驟可在任何適當溫度和任何適當壓力下實施。通常，可在室溫和大氣壓下實施解吸附步驟?？赏ㄟ^升高溫度(以增加解吸附率)或降低溫度(以降低解吸附率)來控制氣體從聚合物板的解吸附率。解吸附步驟所需的時間量將取決于聚合物種類和解吸附條件(例如，溫度和壓力)，且通常為5分鐘或5分鐘以上(例如，10分鐘或10分鐘以上)。
在另一優(yōu)選方法中，通過控制施加到聚合物板的不同表面的溫度來選擇性地使聚合物發(fā)泡。因為聚合物板中的發(fā)泡程度部分地與溫度相關，所以對實心聚合物板的任一表面施加不同的溫度可在所述聚合物板內產(chǎn)生兩種不同的發(fā)泡程度(例如，不同的孔隙度和/或不同的孔大小)。因此，所述方法包含如下步驟(i)在一超臨界氣體存在的條件下，將具有第一表面和第二表面的聚合物板置于高壓下保持一預定時段；(ii)將聚合物板的第一表面置于高于聚合物板的Tg的第一溫度下，(ii)將聚合物板的第二表面置于低于第一溫度的第二溫度下；和(iii)使所述聚合物板發(fā)泡。第二溫度可低于聚合物板的Tg，借此大體上防止聚合物的所述表面的發(fā)泡；或者，第二溫度可高于聚合物板的Tg但低于聚合物板第一表面的溫度，使得所述第二表面經(jīng)受比第一表面較少的發(fā)泡。所述方法視需要可進一步包含上述解吸附步驟。在所述方法的一實施例中，實心聚合物板的第一表面經(jīng)受快速熱退火而發(fā)泡，而聚合物板的第二表面大體上保持于室溫下，且不發(fā)泡且保持無孔狀態(tài)。
在相關技術中，由包含具有不同物理性質(例如，不同的Tg)的不同聚合物樹脂層構成的多層聚合物板可經(jīng)受相同的發(fā)泡制程。具體而言，所述方法包含以下步驟(i)在一超臨界氣體存在的條件下，將所述多層聚合物板置于高壓下保持一預定時段；(ii)使所述多層聚合物板經(jīng)受一高于聚合物板中至少一層的Tg的溫度；和(iii)使聚合物板發(fā)泡。當拋光墊的各層具有不同的熱屬性時，每一層的發(fā)泡程度將不同。因此，盡管使用相同的發(fā)泡條件來發(fā)泡，但拋光墊各層可達到不同孔隙度。發(fā)泡制程和條件可為上述那些制程和條件中的任一種。類似地，可對一單層多孔拋光墊進行處理，以消除或減少拋光墊的一個或兩個表面的孔隙度，借此形成包含實心層和多孔層的拋光墊。
上述方法通常涉及選擇性地將實心聚合物板轉化為多孔聚合物板。形成本發(fā)明的多層拋光墊材料的替代方法涉及選擇性地將多孔聚合物板轉化為無孔聚合物板。具體而言，所述方法涉及使單層多孔聚合物板的一個或兩個表面經(jīng)受高于聚合物的Tg的溫度，使得所述聚合物開始流動并充滿空隙空間。因此，可減少聚合物板的一個或兩個表面上孔的數(shù)量，以形成一具有較低孔隙度或甚至不具有孔隙度的聚合物層。例如，可在聚合物板的一個表面上對一多孔徑聚合物板進行選擇性退火；可使一多孔聚合物板穿過一燒結帶，所述燒結帶加熱所述聚合物板的一個或兩個表面；或可在一模具中加熱一多孔徑聚合物板，所述模具選擇性地冷卻聚合物板的一個或一個以上的層。利用所述技術，可不需要粘合劑層而形成各種多層拋光墊。具體而言，可形成包含一實心層和一多孔層的兩層拋光墊和具有實心中間層和多孔上層及下層(或相反地，具有多孔中間層和實心上層及下層)的三層拋光墊。
當形成本發(fā)明的多層拋光墊材料時，希望最小化各層之間的構造邊界。在共擠壓多層拋光墊中，第一層與第二層之間存在由各層之間聚合物重疊的區(qū)域所界定的構造邊界。然而，利用一選擇性修飾一或兩個表面以具有不同物理性質的單層聚合物板的其它技術(例如上述發(fā)泡技術)不會產(chǎn)生此界定構造邊界。不存在構造邊界會使得抗剝層性能提高且拋光一致性更好。
以下實例將進一步說明本發(fā)明，但，當然不應解釋為以任何方式限制本發(fā)明的范疇。
實例所述實例說明一種形成本發(fā)明的多層拋光墊的方法，所述拋光墊包含未使用粘合劑而粘結到無孔層的一多孔層。
在室溫和5MPa壓力下，使CO2(約50毫克/克熱塑性聚氨酯樣品)充斥于平均厚度為1500微米的實心熱塑性聚氨酯板(樣品A與B)。圖7展示CO2攝取與時間的函數(shù)關系曲線。然后，在室溫下和大氣壓下將經(jīng)CO2飽和的樣品A與B分別保持20分鐘和120分鐘，在此期間出現(xiàn)CO2從聚合物板部分解吸附的情況。圖8展示CO2損耗與時間的函數(shù)關系曲線。從所述樣品的CO2損耗量分別為4.5毫克/克(9％)和13.5毫克/克(27％)熱塑性聚氨酯樣品。部分解吸附后，在93℃下使樣品發(fā)泡。圖9與圖10分別展示發(fā)泡樣品A和B的SEM圖像。樣品A的總平均厚度為1500微米且包含一50微米的實心拋光墊層和一1450微米的多孔拋光墊層。樣品B的總平均厚度為1500微米且包含一200微米的實心拋光墊層和一1300微米的多孔拋光墊層。
此實例展示了一種不需要使用粘合劑層來制備本發(fā)明的多層拋光墊的方法。
權利要求
1.一種用于化學機械拋光的多層拋光墊，其包含一拋光層和一底層，其中所述底層與所述拋光層大體共延伸，且其中所述拋光層和所述底層未使用一粘合劑而結合在一起。
2.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層和所述底層具有至少一不同的性質。
3.根據(jù)權利要求2所述的拋光墊，其中所述不同的性質選自由以下性質組成的群組硬度、密度、孔隙度、可壓縮度、剛性、拉伸模量、體積模量、透明度、化學組成、流變、蠕變、玻璃化轉變溫度、熔融溫度、粘度和其組合。
4.根據(jù)權利要求3所述的拋光墊，其中所述拋光層為多孔的且所述底層為無孔的。
5.根據(jù)權利要求3所述的拋光墊，其中所述拋光層為無孔的且所述底層為多孔的。
6.根據(jù)權利要求3所述的拋光墊，其中所述拋光層包含一第一聚合物樹脂且所述底層包含一第二聚合物樹脂。
7.根據(jù)權利要求6所述的拋光墊，其中所述拋光層包含一熱塑性聚氨酯且所述底層包含一選自由以下各物組成的群組的聚合物樹脂聚碳酸酯、尼龍、聚烯烴、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚四氟乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚芳酰胺、聚伸芳基、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、其共聚物和其混合物。
8.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層大體上透明。
9.根據(jù)權利要求8所述的拋光墊，其中所述拋光層包含一孔徑。
10.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊，其中所述底層大體上透明。
11.根據(jù)權利要求10所述的拋光墊，其中所述拋光層包含一孔徑。
12.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光層和所述底層包含一聚合物樹脂。
13.根據(jù)權利要求12所述的拋光墊，其中所述聚合物樹脂選自由以下各物組成的群組熱塑性彈性體、熱固性聚合物、聚氨酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、尼龍、彈性體橡膠、彈性體聚乙烯、聚四氟乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚芳酰胺、聚伸芳基、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、其共聚物和其混合物。
14.根據(jù)權利要求13所述的拋光墊，其中所述聚合物樹脂為一熱塑性聚氨酯。
15.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊，其進一步包含一個或一個以上安置于所述拋光層與所述底層之間的中間層，其中所述中間層或中間層各層與所述拋光層和所述底層大體共延伸，且其中所述拋光層、中間層或中間層各層和所述底層未使用任何粘合劑而結合在一起。
16.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光墊不包含一安置于所述拋光層與所述底層之間的中間層。
17.根據(jù)權利要求15所述的拋光墊，其中所述拋光層、中間層或中間層各層和底層中至少一者具有一不同性質。
18.根據(jù)權利要求17所述的拋光墊，其中所述不同性質選自由以下性質組成的群組硬度、孔隙度、可壓縮度、光學透射率、化學組成、流變、蠕變、玻璃化轉變溫度、熔融溫度、粘度和其組合。
19.根據(jù)權利要求17所述的拋光墊，其中所述拋光層和所述底層為多孔的且所述中間層或中間層各層為無孔的。
20.根據(jù)權利要求15所述的拋光墊，其中所述拋光層和所述底層中至少一者為光學透射的。
21.根據(jù)權利要求15所述的拋光墊，其中所述中間層為光學透射的且所述拋光層和底層大體上不透明。
22.根據(jù)權利要求21所述的拋光墊，其中所述拋光層包含一第一孔徑且所述底層包含一第二孔徑，且其中所述第一孔徑與所述第二孔徑對準。
23.根據(jù)權利要求15所述的拋光墊，其中所述拋光層、中間層和所述底層均包含一聚合物樹脂。
24.根據(jù)權利要求23所述的拋光墊，其中所述聚合物樹脂選自由以下各物組成的群組熱塑性彈性體、熱固性聚合物、聚氨酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、尼龍、彈性體橡膠、彈性體聚乙烯、聚四氟乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚芳酰胺、聚伸芳基、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、其共聚物和其混合物。
25.根據(jù)權利要求24所述的拋光墊，其中所述聚合物樹脂為一熱塑性聚氨酯。
26.一種化學機械拋光設備，其包含(a)一旋轉壓板，(b)附裝到所述旋轉壓板的根據(jù)權利要求1所述的拋光墊，和(c)一載具，其固持一通過接觸所述旋轉拋光墊而拋光的工件。
27.根據(jù)權利要求26所述的化學機械拋光設備，其進一步包含一原位終點檢測系統(tǒng)。
28.一種拋光一工件的方法，其包含(i)提供根據(jù)權利要求1所述的拋光墊，(ii)使一工件與所述拋光墊相接觸，和(iii)相對于所述工件移動所述拋光墊以研磨所述工件，并借此拋光所述工件。
29.一種化學機械拋光設備，其包含(a)一旋轉壓板，(b)附裝到所述旋轉壓板的根據(jù)權利要求15所述的拋光墊，和(c)一載具，其固持一通過接觸所述旋轉拋光墊而拋光的工件。
30.根據(jù)權利要求29的所述化學機械拋光設備，其進一步包含一原位終點檢測系統(tǒng)。
31.一種拋光一工件的方法，其包含(i)提供根據(jù)權利要求15所述的拋光墊，(ii)使一工件與所述拋光墊相接觸，和(iii)相對于所述工件移動所述拋光墊以研磨所述工件，并借此拋光所述工件。
32.一種形成一根據(jù)權利要求1所述的拋光墊的方法，其包含共擠壓兩個或兩個以上聚合物樹脂層。
33.一種形成一根據(jù)權利要求1所述的拋光墊的方法，其包含以下步驟(i)在存在一超臨界氣體的條件下，將一聚合物板置于高壓下保持一預定時段；和(ii)通過使所述板經(jīng)受一比所述聚合物板的玻璃化轉變溫度高的溫度使所述部分解吸附的聚合物板發(fā)泡。
34.根據(jù)權利要求33所述的方法，其進一步包含在步驟(i)后，允許所述聚合物板部分地解吸附所述超臨界氣體的步驟。
35.一種形成一根據(jù)權利要求1所述的拋光墊的方法，其包含以下步驟(i)在存在一超臨界氣體的條件下，將一具有一第一表面和一第二表面的聚合物板置于高壓下保持一預定時段；(ii)使所述聚合物板的所述第一表面經(jīng)受比所述聚合物板的玻璃化轉變溫度高的一第一溫度；(iii)使所述聚合物板的所述第二表面經(jīng)受一比所述第一溫度低的溫度；和(iv)使所述聚合物板發(fā)泡。
36.一種形成一根據(jù)權利要求2所述的拋光墊的方法，其包含以下步驟(i)在存在一超臨界氣體的條件下，將一包含含有不同聚合物樹脂層的多層聚合物板置于高壓下保持一預定時段；(ii)使所述多層聚合物板經(jīng)受一比所述聚合物板的至少一個層的所述聚合物樹脂的玻璃化轉變溫度高的溫度；和(iii)使所述聚合物板發(fā)泡。
37.一種用于化學機械拋光的拋光墊，其包含一光學透射的多層拋光墊材料，其中所述光學透射拋光墊材料包含未使用一粘合劑而結合在一起的兩個或兩個以上的層。
38.根據(jù)權利要求37所述的拋光墊，其中所述光學透射多層拋光墊材料通過共擠壓來形成。
39.根據(jù)權利要求37所述的拋光墊，其中所述光學透射多層拋光墊材料包含一第一透射層和一第二透射層。
40.根據(jù)權利要求39所述的拋光墊，其中所述第一透射層和所述第二透射層均包含一聚合物樹脂。
41.根據(jù)權利要求40所述的拋光墊，其中所述聚合物樹脂選自由以下各物組成的群組熱塑性彈性體、熱固性聚合物、聚氨酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、尼龍、彈性體橡膠、彈性體聚乙烯、聚四氟乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚芳酰胺、聚伸芳基、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、其共聚物和其混合物。
42.根據(jù)權利要求41所述的拋光墊，其中所述聚合物樹脂為一熱塑性聚氨酯。
43.根據(jù)權利要求39所述的拋光墊，其中所述第一透射層和第二透射層具有至少一不同性質。
44.根據(jù)權利要求43所述的拋光墊，其中所述不同性質選自由以下性質組成的群組硬度、孔隙度、可壓縮度、光學透射率、化學組成和其組合。
45.根據(jù)權利要求44所述的拋光墊，其中所述第一透射層為多孔的且所述第二透射層為無孔的。
46.根據(jù)權利要求44所述的拋光墊，其中所述第一透射層包含一第一聚合物樹脂，所述第二透射層包含一第二聚合物樹脂，且所述第一和第二聚合物樹脂不同。
47.根據(jù)權利要求46所述的拋光墊，其中所述第一透射層包含一熱塑性聚氨酯，且所述第二透射層包含一選自由以下各物組成的群組的聚合物樹脂聚碳酸酯、尼龍、聚烯烴、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚四氟乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚芳酰胺、聚伸芳基、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、其共聚物和其混合物。
48.根據(jù)權利要求39所述的拋光墊，其中所述光學透射多層拋光墊材料進一步包含一安置于所述第一透射層與所述第二透射層之間的第三透射層。
49.根據(jù)權利要求39所述的拋光墊，其中所述光學透射多層拋光墊材料不包含一置于所述第一透射層與所述第二透射層之間的層。
50.根據(jù)權利要求37所述的拋光墊，其中所述光學透射多層拋光墊材料在200納米到10,000納米范圍內的至少一波長下具有一10％或10％以上的光透射率。
51.一種化學機械拋光設備，其包含(a)一旋轉壓板，(b)根據(jù)權利要求37所述的所述拋光墊，和(c)一載具，其固持一待通過接觸所述旋轉拋光墊而拋光的工件。
52.根據(jù)權利要求51所述的化學機械拋光設備，其進一步包含一原位終點檢測系統(tǒng)。
53.一種拋光一工件的方法，包含(i)提供根據(jù)權利要求37所述的拋光墊，(ii)使一工件與所述拋光墊相接觸，和(iii)相對于所述工件移動所述拋光墊以研磨所述工件，并借此拋光所述工件。
全文摘要
本發(fā)明針對一種用于化學機械拋光的多層拋光墊(10)，其包含一拋光層(12)和一底層(14)，其中所述拋光層和底層未使用一粘合劑而結合在一起。本發(fā)明還針對一種包含一光學透射多層拋光墊材料的拋光墊，其中所述拋光墊材料的所述各層未使用一粘合劑而結合在一起。
文檔編號B24B7/30GK1805826SQ200480016709
公開日2006年7月19日 申請日期2004年6月3日 優(yōu)先權日2003年6月17日
發(fā)明者阿班納沙瓦·普拉薩德, 羅蘭·K·塞維利亞, 邁克爾·S·萊西 申請人:卡博特微電子公司