專利名稱：電路裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及防止連接半導(dǎo)體元件的焊料流出的電路裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，因?yàn)榘惭b在電子設(shè)備上的電路裝置用在移動電話、手提式電子計算機(jī)等上，所以要求小型化、薄型化、輕量化。例如，若以半導(dǎo)體裝置為例說明電路裝置，作為一般的半導(dǎo)體裝置，現(xiàn)在有用普通的傳遞模封裝的插件型半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置如圖11安裝在印刷基片PS上。
再有，該插件型半導(dǎo)體裝置61是用樹酯層63覆蓋半導(dǎo)體芯片62的周圍，并且從該樹酯層63的側(cè)部引出用于連接外部的導(dǎo)線端子64。但是，該插件型半導(dǎo)體裝置61其導(dǎo)線端子64從樹酯層63向外引出，全體尺寸增大，不滿足小型化、薄型化及輕量化。為此各廠家競爭開發(fā)可以實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化及輕量化的各種各樣的構(gòu)造。最近，開發(fā)了稱作CSP(芯片尺寸插件)的與芯片尺寸相等的芯片規(guī)模CSP或者尺寸比芯片大一點(diǎn)的CSP。
圖12表示采用玻璃環(huán)氧樹酯基片65作為支持基片的、比芯片尺寸大一些的CSP66。在此，作為在玻璃樹酯基片65上安裝了晶體管芯片T的插件進(jìn)行說明。
在該玻璃環(huán)氧樹酯基片65的表面形成第一電極67、第二電極68以及焊墊69，在背面形成第一背面電極70和第二背面電極71。而且，通過通孔TH上述第一電極67和第一背面電極70、第二電極68和第二背面電極71電氣連接。再有，在焊墊69上固定上述裸的晶體管芯片T，晶體管的發(fā)射極和第一電極67通過金屬細(xì)線72連接，晶體管的基極和第二電極68通過金屬細(xì)線72連接。再有，在玻璃環(huán)氧樹酯基片65上設(shè)置樹酯層73，使其覆蓋晶體管芯片T。
上述CSP66盡管采用玻璃環(huán)氧樹酯基片65，然而和芯片規(guī)模CSP不同，只是簡單的從芯片T引出到外部連接用的背面電極70、71的結(jié)構(gòu)，具有制造價格低的優(yōu)點(diǎn)。再有，如圖11所示，上述CSP66安裝在印刷基片PS上。印刷基片PS上設(shè)置構(gòu)成電路的電極、配線，電氣連接固定著上述CSP66、插件型半導(dǎo)體裝置61、芯片電阻CR或者芯片電容CC等。而且，用該印刷基片構(gòu)成的電路安裝在了各種各樣的裝置中。
但是，在上述那樣的半導(dǎo)體裝置中通過將涂布在焊墊69上的焊錫等釬焊材料熔化的回流工序固定晶體管T。因而，當(dāng)將晶體管T放置在熔化的焊錫上時，焊錫從焊墊69上流出，而發(fā)生焊墊69和其他的電極短路的問題。
再有，為了防止從焊墊69流出的焊錫流到第二電極68上，要使焊墊69和第二電極68隔開間隙，這導(dǎo)致了裝置整體的大型化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于這樣的問題而產(chǎn)生。本發(fā)明的主要目的是提供一種電路裝置，其在用釬焊材料在焊墊上安裝半導(dǎo)體元件時，能防止釬焊材料從焊墊上流出。
本發(fā)明的第一方面，電路裝置包括通過釬焊材料安裝的半導(dǎo)體元件和形成幾乎同等大小的焊墊；靠近所述焊墊設(shè)置的結(jié)合墊；包圍所述半導(dǎo)體元件，在所述焊墊周圍形成且防止所述釬焊材料流出的槽；使所述焊墊和所述結(jié)合墊的背面露出，密封所述焊墊、所述結(jié)合墊和所述半導(dǎo)體元件的絕緣樹脂。
本發(fā)明的第二方面，所述槽比所述焊墊的厚度更淺地形成。
本發(fā)明的第三方面，在所述槽中充填所述絕緣樹脂。
本發(fā)明的第四方面，所述半導(dǎo)體裝置是IC芯片。
本發(fā)明的第五方面，所述半導(dǎo)體裝置通過細(xì)金屬線與所希望的所述導(dǎo)電圖模電連接。
本發(fā)明的第六方面，所述釬焊材料是焊錫或Ag焊糊。
本發(fā)明的第七方面，用絕緣粘合劑代替所述釬焊材料。
本發(fā)明的第八方面，在由所述焊墊的所述槽包圍的區(qū)域中再形成槽。
本發(fā)明的第九方面，在由所述焊墊的所述槽包圍的區(qū)域中按格子狀形成槽。
本發(fā)明的第十方面，電路裝置的制造方法包括準(zhǔn)備導(dǎo)電箔的工序；在形成焊墊和結(jié)合墊的同時形成槽的工序，其中所述焊墊和結(jié)合墊在所述導(dǎo)電箔上形成比其厚度還淺的分隔槽而構(gòu)成多個電路裝置部，所述槽包圍預(yù)定固定的半導(dǎo)體元件的區(qū)域在所述焊墊上比所述分隔槽還淺；在所述焊墊上用釬焊材料固定半導(dǎo)體元件的工序；對所述半導(dǎo)體元件和所希望的所述結(jié)合墊進(jìn)行導(dǎo)線連接的工序；覆蓋所述半導(dǎo)體元件，用絕緣樹脂共同成型，填充所述分隔槽和所述槽的共同成型工序；清除所述導(dǎo)電箔背面，直到露出所述絕緣樹脂的工序；通過將所述絕緣樹脂切塊，分隔成各個電路裝置的工序。
本發(fā)明的第十一方面，所述槽比所述焊墊還淺地形成。
本發(fā)明的第十二方面，所述釬焊材料是焊錫或Ag焊糊。
本發(fā)明的第十三方面，用絕緣粘合劑代替所述釬焊材料。


圖1(A)是說明本發(fā)明的電路裝置的平面圖、圖1(B)是剖面圖；圖2(A)是說明本發(fā)明的電路裝置的背面圖、圖2(B)是剖面圖；圖3(A)是說明本發(fā)明的電路裝置的剖面圖、圖3(B)是平面圖；圖4(A)是說明本發(fā)明的電路裝置制造方法的剖面圖、圖4(B)是平面圖；圖5是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖；圖6(A)是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖、圖6(B)是平面圖；圖7(A)是說明本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖、圖7(B)是平面圖；圖8(A)是說明本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖、圖8(B)是平面圖；圖9(A)是說明本發(fā)明電路裝置的制造方法的剖面圖、圖9(B)是平面圖；圖10是說明本發(fā)明電路裝置的制造方法的平面圖；圖11是說明現(xiàn)有的電路裝置的剖面圖；圖12是說明現(xiàn)有的電路裝置的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
(說明電路裝置10的結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施方式)參照圖1，說明本發(fā)明的電路裝置10的構(gòu)成等。圖1(A)是電路裝置10的平面圖，圖1(B)是電路裝置10的剖面圖。
參照圖1(A)和圖1(B)，電路裝置10具有如下的結(jié)構(gòu)。即由焊墊11、結(jié)合墊12、槽14、絕緣樹脂16構(gòu)成，其焊墊11通過釬焊材料19形成與安裝的半導(dǎo)體元件13幾乎相同大??；其結(jié)合墊12靠近焊墊1 1設(shè)置；其槽14包圍半導(dǎo)體元件13，在焊墊11的周圍形成且防止釬焊材料19流出；其絕緣樹脂16使焊墊11和結(jié)合墊12的背面露出，密封焊墊11、結(jié)合墊12及半導(dǎo)體元件13。下面對這樣的各構(gòu)成元素進(jìn)行說明。
焊墊11是安裝半導(dǎo)體元件13的導(dǎo)電圖模，由銅箔等金屬制成，露出背面而埋入絕緣性樹酯16內(nèi)。而且，形成焊墊11的平面要比安裝的半導(dǎo)體元件大一些，在其周圍形成槽14。在圖1(A)，在中央部形成焊墊11，通過釬焊材料19安裝在由IC芯片制成的半導(dǎo)體元件13，再有，在與安裝半導(dǎo)體元件13的范圍相對應(yīng)的焊墊11的表面用Ag等形成電鍍膜。
結(jié)合墊12是結(jié)合細(xì)金屬線15的導(dǎo)電圖模，露出背面而埋入絕緣性樹酯16內(nèi)。在此，包圍在裝置的中央部形成的焊墊11形成多個圓形的結(jié)合墊12。在圖1(A)，在焊墊11的左右兩側(cè)形成的結(jié)合墊12A電氣獨(dú)立設(shè)置。而且，在焊墊11的上下兩側(cè)形成的結(jié)合墊12B和焊墊11電氣連接。而且，為了提高結(jié)合的金屬細(xì)線的結(jié)合性，在結(jié)合墊12的表面用Ag等形成電鍍膜。
通過釬焊材料19在焊墊11的表面安裝半導(dǎo)體元件13。在此，通過釬焊材料19安裝在半導(dǎo)體元件中也是比較大的IC芯片。而且，通過細(xì)金屬線15電氣連接在半導(dǎo)體元件13的表面形成的電極和結(jié)合墊12。再有，和焊墊11電氣連接的結(jié)合墊12也通過細(xì)金屬線15和半導(dǎo)體元件13電氣連接。在此，可以使用焊錫或銀焊糊等導(dǎo)電性結(jié)合材料作為釬焊材料。而且，也能用絕緣樹脂將半導(dǎo)體元件13安裝在焊墊11上。
槽14圍繞半導(dǎo)體元件13在焊墊11的周圍形成，并填充絕緣樹脂16。形成槽14的深度比焊墊11的厚度還淺。通過包圍安裝半導(dǎo)體元件13的區(qū)域形成槽14，可以在將半導(dǎo)體元件13安裝在熔化的釬焊材料19上部的工序中防止釬焊材料19從焊墊11流出。具體而言，即使釬焊材料19從安裝半導(dǎo)體元件13的區(qū)域流出，釬焊材料19也貯留在槽14中。因而，槽14發(fā)揮作為防止釬焊材料19從焊墊11流出的阻止區(qū)域的機(jī)能。另外，有關(guān)槽14的制造方法將在后面講述，槽14與分隔槽16一起通過蝕刻制造。因而形成槽14的剖面寬度比分隔槽16的寬度更窄。
絕緣性樹酯16露出焊墊11和結(jié)合墊12的背面而封住全體。再有，在焊墊11表面上形成的槽14中也充填著絕緣性樹酯16。在此，封住半導(dǎo)體元件13、金屬細(xì)線15、焊墊11和結(jié)合墊12。作為絕緣樹酯16的材料可以采用通過傳遞模形成的熱硬性樹酯或者通過注塑成形的熱塑性樹酯。
釬焊材料19是焊錫或銀焊糊等導(dǎo)電性的焊糊，具有結(jié)合半導(dǎo)體元件13和焊墊11的作用。釬焊材料19是導(dǎo)電性材料，因此半導(dǎo)體元件13的背面和焊墊11形成電氣連接。再有，在焊墊11的上下兩側(cè)形成的結(jié)合墊12B和焊墊11電氣地連接。從而，通過用金屬線連接半導(dǎo)體元件13的電極和結(jié)合墊12B，就能電氣連接在半導(dǎo)體元件13的表面上形成的電路和半導(dǎo)體元件13的背面。
參照圖2，對在電路裝置的背面形成的外部電極17進(jìn)行說明。外部電極17在包圍焊墊11設(shè)置的結(jié)合墊12的背面形成。而且，在焊墊11的背面也設(shè)置了多個外部電極。從而，外部電極17在電路裝置10背面的整個區(qū)域中矩陣狀等間隔地設(shè)置多個。因此，通過外部電極17在將電路裝置10安裝在主基片等安裝基片上時可以減少對外部電極17作用的應(yīng)力。
參照圖2(B)，在焊墊11的背面形成的外部電極17的位置和大小由保護(hù)層18的開口部限定。而在結(jié)合墊12的背面形成的外部電極17的位置和大小由結(jié)合墊12的背面形成。作為結(jié)合墊12的材料的銅等金屬是潤濕性良好的材料。由該潤濕性限定外部電極17的位置和大小。這樣，通過用結(jié)合墊12的潤濕性限定在結(jié)合墊12的背面形成的外部電極17的位置和大小，即使保護(hù)層18的開口部位置偏離也能形成精度良好的外部電極17。
本發(fā)明的特征是在焊墊11的周圍形成槽14以包圍半導(dǎo)體元件13。即在熔化了的釬焊材料19上安裝半導(dǎo)體元件13后，由半導(dǎo)體元件13的重量等釬焊材料19向周圍擴(kuò)散，由于向周圍擴(kuò)散的釬焊材料19貯留在槽14中，因此能夠防止釬焊材料19從焊墊11的表面流出。因而可以防止流出的釬焊材料19與結(jié)合墊12接觸而產(chǎn)生的墊之間的短路。因此，可以與在焊墊11上安裝的半導(dǎo)體元件13幾乎一樣地形成焊墊11。進(jìn)而可以使焊墊11和結(jié)合墊12靠近形成，能使電路裝置10整體尺寸變小。而且，由于通過這樣在焊墊11的表面上形成槽14，能使焊墊11與絕緣樹脂16接觸面積增大，可以提高焊墊11和絕緣樹脂13的結(jié)合力。
參照圖3，說明另一例的電路裝置10A。圖3(A)是電路裝置10A的剖面圖，圖3(B)是圖3(A)的X-X’平面圖。電路裝置10A具有與圖1中所說明的電路裝置10幾乎相同的結(jié)構(gòu)，在由在焊墊11的表面上形成的槽14所包圍的區(qū)域中，進(jìn)一步形成格子狀槽14A。
槽14以防止固定半導(dǎo)體元件13的釬焊材料19從焊墊11的表面流出為目的，設(shè)在焊墊11的周圍。而且，在此，在用槽14包圍的區(qū)域中槽14A形成格子狀。形成格子狀的槽14A也具有和槽14相同的剖面形狀。由于通過這樣形成格子狀的槽14可以把更多的釬焊材料19貯留在槽14中，故可以防止釬焊材料19從焊墊11的表面流出。另外，由于焊墊11與絕緣樹脂16接觸面積進(jìn)一步增大，可以提高焊墊11和絕緣樹脂16的結(jié)合力。
敘述設(shè)置槽14的優(yōu)點(diǎn)。釬焊材料19用分配器等供給釬焊材料的機(jī)械涂布在焊墊11的表面上，由該分配器決定能供給的釬焊材料20的最小涂布量。從而在分配器的最小涂布量比為將半導(dǎo)體元件13安裝在焊墊11上所希望要的釬焊材料19的量大的情況下，存在釬焊材料19從焊墊11的表面流出的問題。因此，通過設(shè)置槽14可以防止釬焊材料19流出。
(說明電路裝置10的制造方法的第二實(shí)施例)在本實(shí)施例，說明電路裝置10的制造方法。在本實(shí)施方式，電路裝置10用如下的工序制造，即準(zhǔn)備導(dǎo)電箔40的工序；形成焊墊11和結(jié)合墊12的工序，其在導(dǎo)電箔40上形成比導(dǎo)電箔40的厚度淺的分離槽16而構(gòu)成多個電路裝置部45；在焊墊11上形成槽14的工序，其包圍預(yù)定固定半導(dǎo)體元件13的區(qū)域，且該槽比分隔槽16還淺；安裝工序，其在焊墊11上通過釬焊材料19安裝半導(dǎo)體元件13；導(dǎo)線結(jié)合工序，其進(jìn)行半導(dǎo)體元件13和所希望的結(jié)合墊12的導(dǎo)線結(jié)合；共同成型工序，其覆蓋半導(dǎo)體元件13，用絕緣樹脂16共同成型，填充分隔槽16和槽14；清除工序，其清除導(dǎo)電箔40的背面，直到露出絕緣樹脂16；分隔工序，其通過切割絕緣樹脂16分隔成各電路裝置10。下面參照圖4～圖10說明本發(fā)明的各工序。
如圖4～圖6所示，本發(fā)明的第一工序是準(zhǔn)備導(dǎo)電箔40形成焊墊11和結(jié)合墊12，即在導(dǎo)電箔40上形成比其厚度淺的分離槽16而構(gòu)成多個電路裝置部45。同時，在焊墊11上包圍預(yù)定固定半導(dǎo)體元件13的區(qū)域形成比分隔槽16還淺的槽14。
在本工序，首先如圖4(A)，準(zhǔn)備片狀的導(dǎo)電箔40。該導(dǎo)電箔40要考慮釬焊材料的附著性、結(jié)合性、電鍍性而選擇其材料，作為材料采用以Cu為主材料的導(dǎo)電箔、以Al為主材料的導(dǎo)電箔或者由Fe-Ni等的合金形成的導(dǎo)電箔等。
導(dǎo)電箔的厚度要考慮以后的蝕刻工序，最好為10μm～300μm程度，然而，300μm以上、10μm以下也基本可以，如后所述，能形成比導(dǎo)電箔40的厚度淺的分離槽16就行。
再有，片狀的導(dǎo)電箔40可以按規(guī)定的寬度準(zhǔn)備成例如45mm卷成筒狀，再運(yùn)送到后面的各工序，也可以準(zhǔn)備按規(guī)定的大小切成短冊狀的導(dǎo)電箔40，再運(yùn)送到后述的各工序。
具體地如圖4(B)所示，在短冊狀的導(dǎo)電箔40上離開間隔并列著四～五個形成多個電路裝置部45的方塊42。在各方塊42間設(shè)置間隙43，用來吸收在成形工序由于加熱處理產(chǎn)生的導(dǎo)電箔40的應(yīng)力。再有，在導(dǎo)電箔40的上下周端上以規(guī)定間隔設(shè)置指示孔44，用于決定在各工序的位置。然后，形成導(dǎo)電圖模。
首先，如圖5所示，在導(dǎo)電箔40上形成耐光保護(hù)層(耐腐蝕刻掩膜)PR，在耐光保護(hù)層上制圖模，使除去成為導(dǎo)電圖模51的區(qū)域之外的導(dǎo)電箔40露出。而且，如圖6(A)所示，選擇地蝕刻導(dǎo)電箔40。在此，導(dǎo)電圖模51形成各電路裝置部45的焊墊11和結(jié)合墊12。
參照圖6(A)，在形成槽14和分隔槽16的地方設(shè)置耐光保護(hù)層的開口部。而形成槽14的地方的開口部寬度比形成分隔槽16的地方寬度窄。具體而言，其寬度形成為一半以下。由于用蝕刻除去導(dǎo)電箔40具有各向同性，所以通過這樣很窄地形成與槽14對應(yīng)的耐光保護(hù)層的開口部，能比分隔槽16還淺地形成槽14的深度。另外，上述的蝕刻工序可以通過把導(dǎo)電箔40浸漬在蝕刻液中進(jìn)行。
圖6(B)中表示形成焊墊11和結(jié)合墊12的導(dǎo)電圖模51。本圖對應(yīng)放大的在圖4(B)表示的一個方塊42。一個影線部分是一個電路裝置部45，在一個方塊42中兩行兩列矩陣狀地配列著多個電路裝置45，每個電路裝置45上設(shè)置相同的導(dǎo)電圖模51。在各方塊的四周邊上設(shè)框狀的圖模46，在圖46的內(nèi)側(cè)離開一點(diǎn)間隔設(shè)置切割時的定位標(biāo)記47?？驙畹膱D模46用于和成型模具嵌合，并且在導(dǎo)電箔40的背面蝕刻后具有增強(qiáng)絕緣樹酯16的作用。再有，在各電路裝置部，在焊墊11的上下兩側(cè)形成的結(jié)合墊12和焊墊11形成一體化、兩者也電連接。
如圖7所示，本發(fā)明的第二工序是通過釬焊材料19把半導(dǎo)體元件13固定在各電路裝置部45的焊墊11上。
參照圖7(A)，通過釬焊材料19把半導(dǎo)體元件13安裝在焊墊11上。在此，作為釬焊材料19，使用焊錫或Ag焊糊等導(dǎo)電糊。本工序由于釬焊材料19是熔化狀態(tài)，通過把半導(dǎo)體元件13放在釬焊材料19的上部，由半導(dǎo)體元件13的重量等使釬焊材料19向周圍擴(kuò)散。在此，由于在焊墊11的周圍形成槽14，使其包圍承載半導(dǎo)體元件13的區(qū)域，所以擴(kuò)散的釬焊材料19不從焊墊11流出。由于到達(dá)槽14的釬焊材料19成為流入槽14的狀態(tài)，所以槽14發(fā)揮作為阻止焊錫流出的阻止區(qū)域的機(jī)能。另外，用絕緣樹脂也可以把半導(dǎo)體元件13安裝在焊墊11上。
本發(fā)明的第三工序如圖8所示，是進(jìn)行半導(dǎo)體元件13和所希望的結(jié)合墊12的導(dǎo)線連接。
具體而言，通過熱壓用球焊及使用超聲波的V形焊總括導(dǎo)線結(jié)合接裝在各電路裝置部上的半導(dǎo)體元件13的電極和所希望的結(jié)合墊12。
本發(fā)明的第四工序如圖9所示，是覆蓋半導(dǎo)體元件13，用絕緣樹脂16共同成型，填充分隔槽16和槽14。
如圖9(A)所示，在本工序絕緣樹酯16完全地覆蓋了半導(dǎo)體元件13、多個焊墊11和結(jié)合墊12，在分離槽16和槽14內(nèi)充填了絕緣樹酯16，并與分離槽41嵌合牢固地結(jié)合。而且，通過絕緣樹酯16支持焊墊11和結(jié)合墊12。
再有，在本工序能通過傳遞模成型法、注塑成型法或者澆注法完成。作為樹酯材料，環(huán)氧樹酯等熱硬性樹酯用傳遞模成型法，聚酰亞胺、聚苯硫化物等熱塑性樹酯用注塑成型法。
再有，在本工序進(jìn)行傳遞模成型或者注塑成型時，如圖9(B)中所示地各方塊42的電路裝置部63收放在一個共同的成型模具內(nèi)，每個方塊用一種絕緣樹酯16進(jìn)行共同成型。因此，和現(xiàn)在的傳遞模成型等那樣地將各電路裝置部單獨(dú)地成型的方法相比，實(shí)現(xiàn)了大幅度減少樹酯使用量。
本工序的特征在于，到覆蓋絕緣樹酯16前，作為導(dǎo)電圖模51的導(dǎo)電箔40成為支持基片。現(xiàn)有技術(shù)是采用原本就不必要的支持基片形成導(dǎo)電圖模，然而，在本發(fā)明成為支持基片的導(dǎo)電箔40是作為電極的必要的材料。因此，具有能非常省構(gòu)成材料而制造的優(yōu)點(diǎn)，并且也能實(shí)現(xiàn)降低成本。
再有，由于形成分離槽41比導(dǎo)電箔的厚度淺，因此導(dǎo)電箔40沒被分離成一個一個的導(dǎo)電圖模51，因而，能整體地處理片狀的導(dǎo)電箔40，具有在成型絕緣樹酯16時向模具運(yùn)送、在模具上安裝的操作非常舒適的特征。
本發(fā)明的第五工序是除去導(dǎo)電箔40的背面直到露出絕緣樹酯的工序。
本工序是用化學(xué)方法或者物理方法除去導(dǎo)電箔40的背面，分隔成導(dǎo)電圖模51的工序。本工序通過研磨、蝕刻、激光蒸發(fā)金屬等進(jìn)行。
在實(shí)驗(yàn)中全面濕蝕刻導(dǎo)電箔40，使絕緣樹酯16從分離槽41露出。在圖9(A)用虛線表示該露出面。結(jié)果，分隔成導(dǎo)電圖模51，形成在絕緣樹酯16上露出導(dǎo)電圖模51的背面的構(gòu)造。即，成為填充在分離槽41內(nèi)的絕緣樹酯16的表面和導(dǎo)電圖模51的表面實(shí)質(zhì)上一致的構(gòu)造。
再有，進(jìn)行導(dǎo)電圖模51的表面處理，得到例如圖1所示的最終構(gòu)造。即，根據(jù)需要在露出的導(dǎo)電圖模51上覆蓋焊錫等導(dǎo)電材料，完成電路裝置。
另外，在本工序中，填充分隔槽16的絕緣樹脂16在背面露出，填充槽14的絕緣樹脂16在背面不露出。
如圖10所示，本發(fā)明的第六工序是將絕緣樹酯16按每個電路裝置45切割分隔。
在本工序，將方塊42用真空吸附在切割裝置的放置臺上，用切割片49沿著各電路裝置45之間的切割線(點(diǎn)劃線)切割分離槽41的絕緣樹酯16，分離成單獨(dú)的電路裝置。
在本工序，切割刀49以幾乎切斷絕緣性樹酯16的切削深度進(jìn)行，在從切割裝置中取出方塊42之后用輥?zhàn)酉蠓指钋煽肆⑵鋽嚅_就行。切割時預(yù)先確認(rèn)在上述第一工序設(shè)置的各方塊的定位標(biāo)記47，以定位標(biāo)記47為基準(zhǔn)進(jìn)行。
以下說明眾所周知的切割方式，在縱方向?qū)⑷康那懈罹€切割完之后，使放置臺轉(zhuǎn)動90°，沿著橫方向的切割線70進(jìn)行切割。
發(fā)明的效果在本發(fā)明能產(chǎn)生如下的效果。
第一，在本發(fā)明，包圍半導(dǎo)體元件13在焊墊11的四周邊緣部設(shè)置槽14，防止了結(jié)合半導(dǎo)體元件13的釬焊材料19流出，因此能防止由于流出的釬焊材料19造成導(dǎo)電圖模之間短路。
第二，因?yàn)槟芡ㄟ^槽14防止釬焊材料19流出，所以可使焊墊11和結(jié)合墊12接近，能使裝置整體小型化。
第三，在安裝半導(dǎo)體元件13的工序中，設(shè)在結(jié)合墊12周圍的槽14作為阻止釬焊材料流出的阻止區(qū)域發(fā)揮機(jī)能，可以防止由于釬焊材料19流到外部導(dǎo)致導(dǎo)電圖模之間的短路。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置，其特征在于，包括通過釬焊材料安裝的半導(dǎo)體元件和形成幾乎同等大小的焊墊；靠近所述焊墊設(shè)置的結(jié)合墊；包圍所述半導(dǎo)體元件，在所述焊墊周圍形成且防止所述釬焊材料流出的槽；使所述焊墊和所述結(jié)合墊的背面露出，密封所述焊墊、所述結(jié)合墊和所述半導(dǎo)體元件的絕緣樹脂。
2.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述槽比所述焊墊的厚度更淺地形成。
3.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在所述槽中充填所述絕緣樹脂。
4.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是IC芯片。
5.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件通過細(xì)金屬線與所希望的所述導(dǎo)電圖模電連接。
6.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述釬焊材料是焊錫或Ag焊糊。
7.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，用絕緣粘合劑代替所述釬焊材料。
8.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在由所述焊墊的所述槽包圍的區(qū)域中再形成槽。
9.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在由所述焊墊的所述槽包圍的區(qū)域中按格子狀形成槽。
10.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備導(dǎo)電箔的工序；在形成焊墊和結(jié)合墊的同時形成槽的工序，其中所述焊墊和結(jié)合墊在所述導(dǎo)電箔上形成比其厚度還淺的分隔槽而構(gòu)成多個電路裝置部，所述槽包圍預(yù)定固定的半導(dǎo)體元件的區(qū)域在所述焊墊上比所述分隔槽還淺；在所述焊墊上用釬焊材料固定半導(dǎo)體元件的工序；對所述半導(dǎo)體元件和所希望的所述結(jié)合墊進(jìn)行導(dǎo)線連接的工序；覆蓋所述半導(dǎo)體元件，用絕緣樹脂共同成型，填充所述分隔槽和所述槽的共同成型工序；清除所述導(dǎo)電箔背面，直到露出所述絕緣樹脂的工序；通過將所述絕緣樹脂切塊，分隔成各個電路裝置的工序。
11.如權(quán)利要求10所述的電路裝置的制造方分隔法，其特征在于，所述槽比所述焊墊還淺地形成。
12.如權(quán)利要求10所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述釬焊材料是焊錫或Ag焊糊。
13.如權(quán)利要求10所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，用絕緣粘合劑代替所述釬焊材料。
全文摘要
一種防止釬焊材料19從焊墊11流出的電路裝置。在焊墊11的表面的四周邊緣部上，圍著安裝半導(dǎo)體元件13的區(qū)域設(shè)置槽14。在用釬焊材料19在焊墊11上安裝半導(dǎo)體元件13的工序中，通過在熔化的釬焊材料19的上部放置半導(dǎo)體元件13，釬焊材料19雖漫延，槽14作為阻止區(qū)域起防止流出的作用。因而，能夠防止由于漫延的釬焊材料19造成焊墊11和結(jié)合墊12的短路。
文檔編號B23K101/42GK1501490SQ0315261
公開日2004年6月2日 申請日期2003年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月7日
發(fā)明者高橋幸嗣, 坂本則明, 明 申請人:三洋電機(jī)株式會社, 關(guān)東三洋半導(dǎo)體股份有限公司