專利名稱：制造熒光屏組件的電照相方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用電照相屏蔽(EPS)成象法使用摩擦充電熒光屏結構材料制造用于陰極射線管(CRT)的發(fā)光熒光屏組件的方法，更具體的說，以消除因預先沉淀的EPS矩陣的充電特性而引起的依次沉淀的熒光物質的顯示不準確，并且以形成一個可為熒光屏組件提供一個平滑表面的“平面化了的”層的方法。
公開在于1990年5月1日授予Datta等人的美國專利4921767和于1993年7月20日授予Riddle等人的美國專利5229234中的電照相屏蔽法，均是在其上具有干粉狀的、可摩擦帶電的光吸收矩陣的可靜電帶電的光感受器上，依次沉積干粉狀的、可摩擦帶電的彩色熒光物質。該光感受器具有最好為疊覆著的一有機光導層(OPC)，一有機導電層(OC)，這兩層可依次沉積在陰極射線管CRT的熒光屏面板的內(nèi)表面上。首先，用1992年6月28日授予Datta等人的美國專利5083959中公開的那種適用的電暈放電裝置，將光感受器的有機光導層靜電充電到某一正電位。然后使光感受器的選定區(qū)域曝光在可見光下，以對這些區(qū)域放電，同時不改變未曝光區(qū)域的電荷。隨后在光感受器已帶電的未曝光區(qū)域上，用直接顯像方式，沉積可摩擦帶負電的光吸收材料，以形成在其上具有開孔區(qū)域的光吸收材料的基本上連續(xù)的圖形，在下面將其稱為矩陣。為了獲得電照相屏蔽(EPS)沉積矩陣的有效的光密度，或稱不透光性，必須要形成足夠量的光吸收材料。然而，這將使矩陣的表面相當粗糙。用電暈放電裝置對光感受器和矩陣再次充電，以向其注入靜電電荷。一般希望在光感受器上的電荷與預先沉積的矩陣上的電荷量相等；然而現(xiàn)已經(jīng)確認，光感受器和矩陣不必充電到同一電位。在事實上，矩陣的電荷接收能力和光感受器的電荷接收能力是不相同的。因此，當使光感受器的不同的選定區(qū)域暴露在可見光下，以對這些區(qū)域放電時，為了易于用可摩擦帶正電的彩色發(fā)射熒光材料進行逆轉顯像，矩陣所保留的正電荷的量不同于光感受器的未曝光區(qū)域的正電荷的。這一電荷量的差，將影響到已帶正電的彩色發(fā)射熒光材料的沉積，使得矩陣上的電荷對熒光物質的排斥，比光感受器的未曝光區(qū)域上的電荷對熒光物質的排斥更強。這一矩陣的更強的排斥效應，將導致彩色發(fā)射熒光物質的沉積定位，較它們在光感受器上的預定位置有輕微的偏移。盡管這一矩陣的排斥影響相當小，但這一影響足以使彩色發(fā)射熒光物質的線條寬度變窄，從而使線條不能與矩陣的邊緣相接觸并且部分重疊。因此，在熒光物質線條和與其周圍的矩陣之間將形成微小的間隙。由于這將使每一圖象元素中的熒光物質的亮度變?nèi)酰赃@種間隙是不能接受的。而且，當對熒光屏組件鍍鋁以形成與熒光屏組件的陽極接觸件和反射背時，甚至可以用肉眼看到這些間隙。
一種用于減少電照相屏蔽沉積矩陣的這種排斥影響的方法，已公開在Ritt等人于1994年5月27日遞交的尚未授權的美國專利申請中，該申請的申請?zhí)枮?50231，題目為“電照相熒光物體沉積方法”。在這一申請中，與使用電照相屏蔽沉積矩陣的方法不同，它是用1971年1月26日授予Mayaud的美國專利3558310中公開的方法，來形成常規(guī)的潮濕漿液型矩陣的。該常規(guī)矩陣直接形成在熒光屏面板的內(nèi)側表面。這種常規(guī)的矩陣是薄的，平滑的，而且具有所需的不透光性，所以可以將有機導電層和有機光導層直接沉積在其上。而且，疊覆的有機導電層和有機光導層還可以消除在矩陣和電照相屏蔽沉積熒光物質之間的靜電干擾。但是，為了改進熒光屏的運行效率，為了獲得完全干燥的屏蔽工藝，仍然需要有某種可用電照相屏蔽法來沉積矩陣，并且不會出現(xiàn)上述的有害的靜電干擾的方法。
因此，這需要使在先技術中的電照相屏蔽沉積矩陣電絕緣，以便在三種彩色發(fā)射熒光物質的電照相屏蔽沉積過程中不使矩陣靜電充電，而且要形成一個可為熒光屏組件的后續(xù)處理提供一個平滑表面的平面化層，以便使熒光物質可以準確的相對于矩陣進行位置定位。
本發(fā)明提供了一種用電照相法在彩色陰極射線管的熒光屏面板的內(nèi)側表面上的制造熒光屏組件的方法，它包括以下步驟用易揮發(fā)的有機導電材料涂覆所述的熒光屏面板的所述的內(nèi)側表面，以形成一個有機導電(OC)層，在所述的有機導電層上再次用易揮發(fā)的光導材料進行涂覆，以形成有機光導(OPC)層。然后在所述的有機光導層上建立基本上均勻的電位，將所述的有機光導層上的選定區(qū)域曝光在可見光下，以改變其上的電位，而不改變有機光導層上的未曝光區(qū)域的電位。隨后在所述的有機光導層上的未曝光區(qū)域上，沉積可摩擦帶電的光吸收熒光屏結構材料，以形成在其上具有開孔區(qū)域的光吸收材料的基本上連續(xù)的矩陣。本發(fā)明的方法較在先技術的改進在于，本發(fā)明還進一步包括以下步驟在該有機光導層上形成一平面化層，在所述的平面化層上用所述的易揮發(fā)的有機導電材料再次進行第二次涂覆，以形成第二有機導電層，在所述的第二有機導電層上用所述的易揮發(fā)的有機導光材料再次進行第二次涂覆，以形成第二有機光導層。
下面參考附圖給出更詳細的說明。


圖1為表示根據(jù)本發(fā)明構造的彩色陰極射線管的平面圖，其中部分已沿軸線剖開。
圖2為表示如圖1所示的管子的熒光屏組件的剖面圖。
圖3至8為表示在電照相屏蔽法中的幾個常規(guī)步驟中的熒光屏面板的剖面圖。
圖9為表示根據(jù)本發(fā)明的新方法的一種實施方式的熒光屏面板的剖面圖。
圖10為表示根據(jù)本發(fā)明的新方法的第二種實施方式構造的熒光屏面板的剖面圖。
圖1示出了一個具有玻璃泡11的彩色陰極射線管10，其中的玻璃泡11包括一個矩形的熒光屏面板12和一個通過矩形的玻錐15與其相連接的管頸14。玻錐15具有一個與陽極按鈕16相接觸的且伸延至管頸14的內(nèi)側導電涂層(未示出)。面板12包括一個觀看屏或稱襯底18和一個周邊凸緣或稱側壁20，并通過玻璃粉21密封在玻錐15上。三彩色熒光屏22設置在觀看屏18的內(nèi)表面。如圖2所示，熒光屏22是一個線屏，它包括許多含有分別激發(fā)紅色、激發(fā)綠色和激發(fā)蘭色的熒光條帶R、G和B的熒光屏單元，后者分別以循環(huán)順序，設置成彩色組，或稱三條帶圖象單元，亦稱為三元組。這些條帶沿通常與將要產(chǎn)生電子束的平面正交的方向伸延。在本實施例的正常觀察位置處，這些熒光物質條帶沿垂直的方向伸延。如果象在先技術中已知的那樣，使熒光物質條帶的至少一部分與一相當薄的光吸收矩陣23部分重疊，則更好些。也可以用這一新技術形成點屏。一個薄薄的導電層24疊蓋在熒光屏22上，并且構成為向該熒光屏提供均勻電位以及反射由熒光物質單元發(fā)射并穿過觀看屏18的光的裝置。這一導電層24最好為鋁層。熒光屏22和疊蓋著的鋁層24構成為熒光屏組件。一個多孔彩色選擇電極或稱陰罩25，以常規(guī)方式可移動的安裝在相對于熒光屏組件有一預定空間的位置處。
如圖1中的虛線所示，電子槍26安裝在管頸14的中心，以沿會聚通路定向產(chǎn)生穿過陰罩25上的小孔而到達屏22的三束電子束28。該電子槍是常規(guī)的，并且可以是在先技術中的任何一種適用的電子槍。
陰極射線管10被設計成與諸如軛鐵30等的、位于玻錐-管頸連接區(qū)域中的外設磁偏轉軛鐵一并使用。在激發(fā)時，軛鐵30使三束電子束28受到磁場作用，以使電子束在覆蓋熒光屏22的整個矩形屏面上水平的和垂直的掃描。偏轉的初始平面(零偏轉平面)，如圖1中的線P-P所示，位于軛鐵30的中心附近。為簡單起見，在偏轉區(qū)域中的偏轉電子束通道的實際曲率并沒有示出。
可以用美國專利4921767中公開的電照相屏蔽法來制造該熒光屏。該方法的一部分已示出在圖3至圖8中。首先，象在先技術中公知的那樣，用苛性溶液清洗面板，將其在水里漂洗，用稀釋了的氫氟酸進行酸洗，再將其在水里漂洗，以制備出可進行制造光吸收矩陣23沉積的面板12。然后，將熒光屏面板12的觀看屏區(qū)域18的內(nèi)表面用易揮發(fā)的有機導電材料涂覆，以形成有機導電(OC)層32，后者作為蓋覆在其上的、易揮發(fā)的材料制作的有機光導(OPC)層34的電極。有機導電層32和有機光導層34組合而形成為光感受器36。具有由有機導電層32和有機光導層34組合而形成為光感受器36的面板結構已示出在圖3中。適用于制造有機導電層32的材料，包括由在1994年12月6日授予Datta等人的美國專利5370952中公開的某些四元銨聚合電解質材料?？梢杂眠m當?shù)臉渲娮邮┲鞑牧?，電子受主材料，表面劑和有機溶劑，來構成蓋覆在有機導電層32上的溶液，并形成有機光導層34?？蛇m用于形成有機光導層34的某些材料的實例，已公開在由Datta等人于1993年12月22日申請的申請?zhí)枮?68486的、尚未授權的美國專利申請中。
為了用電照相屏蔽法形成矩陣23，可以利用如圖4所示的和美國專利5083959所公開的那種電暈放電裝置38，將有機光導層34的穩(wěn)定電位靜電充電到+200至+700伏特之間的某一電位。然后，將陰罩25插入到熒光屏面板12，并且將該面板放入至如圖5所示的三結合曝光臺，以作為裝置40，從而將有機光導層34暴露在可通過陰罩上的小孔發(fā)射光的光源42給出的可見光下。用所放置的光源再重復進行兩次這樣的曝光，以便模擬在由陰極射線管10上的電子槍26發(fā)射出的三束電子束的通道。光束將使有機光導層34上的曝光區(qū)域放電，其后熒光材料將沉積在該處，但是卻在有機光導層34的非曝光區(qū)域留下正電荷。該曝光區(qū)域是熒光材料的主要沉積區(qū)域。在第三次曝光之后，將面板從曝光臺處移開，將陰罩由面板處移開。
可以用在其上沉積光吸收材料的可摩擦帶電的帶負電荷的粒子的方法，直接在有機光導層34上的帶正電荷的區(qū)域上用顯影劑44進行顯像，顯影劑可以采用由Riddle等人于1993年10月6日申請的申請?zhí)枮?32263的、尚未授權的美國專利申請中所公開的那種顯像劑44。適當?shù)墓馕詹牧贤ǔ０ㄔ?50℃的陰極射線管制造溫度下仍可以保持穩(wěn)定的黑色染料?？捎糜谥圃旃馕詹牧系倪m當?shù)暮谏玖习ㄨF錳氧化物；鐵鈷氧化物；鋅鐵硫化物；以及絕緣碳黑等等?？梢杂萌劢饣旌显撊玖希酆衔锖湍撤N適當?shù)?、可控制賦予材料的摩擦帶電的電荷量的電荷控制劑的方法，來制備光吸收材料，這一點也已公開在上述的美國專利4921767中。在顯像劑44中，摩擦帶電槍46中的顯影劑44可以為光吸收矩陣粒子提供負電荷。矩陣材料中的帶有負電荷的光吸收粒子并不被有機光導層34的已放電區(qū)域所吸引，而是被該已放電區(qū)域周圍的帶正電荷的區(qū)域所吸引，從而在否則為基本上連續(xù)的矩陣上形成開孔或稱窗口，而發(fā)光熒光物質基本上重疊形成在這些開孔位置上。正如上述的美國專利5229234中所示，還可以進行矩陣材料的第二次沉積，以提高矩陣的不透明度。顯像處理后的矩陣23如圖7所示。對于對角線尺寸為51厘米(20英寸)的熒光屏面板，形成在矩陣上的窗口開孔的寬度大約為0.13至0.18毫米，而矩陣線的寬度大約為0.1至0.15毫米。正如圖8和上述的美國專利4921767中所示，矩陣23的光吸收材料會融合在下面的有機光導層34上，以防止在后續(xù)工序中的材料移動。
在在先技術中的電照相屏蔽法中，如美國專利4921767所示，矩陣蓋覆的熒光屏面板可以通過使可見光穿過陰罩的孔口，再次被均勻地充電到某一正電位，以形成電荷圖象，并再次用彩色發(fā)射熒光物質進行顯像處理。然而，如上所述，在在先技術中的工藝中，矩陣23在再次充電過程中，帶有不同于有機光導層34的而且比后者更高的靜電電位。矩陣23的這一更高的正電位，會排斥摩擦帶正電的熒光粒子，從而使熒光粒子不能完全充滿矩陣上的孔口，而是遺留有一點間隙，這是不合適的。
為了消除這種間隙，矩陣23必須與隨后沉積形成的熒光物質靜電絕緣。這可以用在有機光導層34上形成平面化層35，然后再用第二有機導電層132和第二有機光導層134蓋覆住平面化層35的方式來實現(xiàn)。如圖9所示，在本發(fā)明方法的第一實施方式中，平面化層35并不是一個分離的層，它是用上述的熔合方式，將矩陣23熔合在有機光導層34上而形成的層。這可以用熔解蓋覆在光吸收材料上的聚合物的方式，或是用熔合操作方式將矩陣材料吸收入有機光導層34的方式來實現(xiàn)。然后，用與制作有機導電層32的材料相同的易揮發(fā)的有機導電涂覆材料，在平面化層35上涂覆上第二次的涂層，以形成第二有機導電層132。用與制作有機光導層34的材料相同的易揮發(fā)的有機導電涂覆材料，在有機導電層132上進行涂覆，以形成第二有機光導層134。這種結構可有效地提供電照相屏蔽沉積矩陣23的電絕緣，從而使矩陣在下述的熒光物質沉積過程中，不會影響第二有機光導層134的電荷。
本發(fā)明的方法的第二實施方式如圖10所示。第二實施方式特別適用于電照相屏蔽沉積矩陣23已經(jīng)形成以提供其所需的不透光性，并且具有一個粗糙的不能直接形成連續(xù)的有機導電層的涂層的表面的場合。在這兒，可以用施加諸如ROHM&HAAS Co.，Philadephia，PA提供的、商標名稱為RHOPLEX B-74的成膜乳液的方式，將一個分離的平面化層135設置在矩陣和有機光導層34上。這種成膜乳液包含有易揮發(fā)的樹脂，后者可以用在適當?shù)臏囟认潞婵緹晒馄撩姘宓姆绞綄⑵涑?。在平面化?35形成后，將上述的第二有機導電層132蓋覆在其上，再將有機光導層134蓋覆在有機導電層132上。平面化層135將提供一個平滑的且基本上平整的表面，在其上可形成熒光屏組件的第二有機導電層132和第二有機光導層134，并可以在矩陣23和隨后沉積的彩色發(fā)射熒光物質之間確保關聯(lián)和對準。第二實施方式中的一種可能會出現(xiàn)的缺陷是，要將更多量的有機薄膜材料施加在熒光屏結構上，而且必須在熒光屏烘烤工序中將其除去。
熒光屏的其它處理工序與在先技術中的電照相屏蔽工序相類似。第二有機光導層134可以用諸如美國專利5083959所公開的那種電暈放電裝置進行均勻的靜電充電，這種裝置可以對第二有機光導層134充電至大約+200至+700伏特的范圍內(nèi)。然后將陰罩25插入熒光屏面板12，用設置在曝光臺(未示出)中的頻閃氙燈，或是諸如汞弧燈等等的適當?shù)木哂凶銐驈姸鹊墓庠窗l(fā)出的穿過陰罩25的光，對已帶有正電荷的第二有機光導層134曝光。光線按與管子的電子槍發(fā)出的電子束中的一束相同的角度穿過陰罩25上的孔口，并使光入射的第二有機光導層134上的被照射區(qū)域放電。將陰罩從熒光屏面板12處移去，并將熒光屏面板放入在第一熒光物質顯像劑(未示出)中，這一技術已公開上述的在申請?zhí)枮?32263的尚未授權的美國專利申請中。第一彩色發(fā)射熒光材料在顯像劑中被摩擦帶正電，并直接導向第二有機光導層134。該帶正電荷的第一彩色發(fā)射熒光材料被第二有機光導層134上的帶正電的區(qū)域排斥，并且用在先技術中已知的所謂“反轉”顯影方式，沉積在已放電區(qū)域內(nèi)。在反轉顯影中，熒光屏結構材料上的已摩擦帶正電的粒子，被該有機光導層134上的已充電區(qū)域排斥，并且沉積在已放電的區(qū)域中。第一彩色發(fā)射熒光物質的每一線條的尺寸，比矩陣上的孔口的尺寸略大一些，以對每一孔口提供完全的覆蓋，并且在孔口周圍的光吸收矩陣材料上有一些重疊。然后利用上述的電暈放電裝置對熒光屏面板12再次充電。在第二有機光導層134和沉積在其上的第一彩色發(fā)射熒光材料上形成正電位。對于剩下的兩種彩色激發(fā)熒光物質中的每一種，重復進行曝光和熒光物質顯像，且對于每一次曝光，光位置均在曝光臺內(nèi)，均可采用上述的尚未授權的申請?zhí)枮?50231的美國專利所公開的方法進行。在第二有機光導層134上的其它兩種彩色發(fā)射熒光物質中的每一種的每一線條的尺寸，亦比矩陣上的孔口的尺寸略大一些，以確保沒有間隙產(chǎn)生，并且在孔口周圍的光吸收矩陣材料上有一些重疊?？砂凑沼蒖itt等人于1994年8月30日申請的、申請?zhí)枮?97740的、尚未授權的美國專利中公開的方式，將三種光發(fā)射熒光物質固定在第二有機光導層134上。該熒光屏結構呈薄膜狀，而且是鍍鋁的，從而形成了熒光屏組件。由于在熒光屏組件制造時使用的有機材料的高質量，故像已有技術一樣在鍍鋁之前，可將硼酸或是錳乙二酸鹽濺射到薄膜狀的熒光屏結構上，以在鋁層上形成可使易揮發(fā)的有機物逃逸出的小孔，這樣便不會在鋁層上形成氣泡，這一點也是可由在先技術中獲知的。可將熒光屏組件在大約425℃的溫度下烘烤大約30分鐘，以排出熒光屏組件中的易揮發(fā)成分。
權利要求
1.一種用電照相法在彩色陰極射線管(10)的熒光屏面板(12)的內(nèi)側表面上制造熒光屏組件的方法，包括以下步驟用易揮發(fā)的有機導電材料涂覆所述的熒光屏面板的所述的內(nèi)側表面，以形成第一有機導電(OC)層(32)；在所述的第一有機導電層上用易揮發(fā)的光導材料涂覆，以形成第一有機光導(OPC)層(34)；在所述的第一有機光導層上建立基本上均勻的靜電電位；將所述的第一有機光導層上的選定區(qū)域曝光在可見光下，以改變其上的電位，而不改變所述的第一有機光導層上的未曝光區(qū)域的電位；在所述的第一有機光導層上的未曝光區(qū)域上，沉積可摩擦帶電的光吸收熒光屏結構材料，以形成在其上具有開孔區(qū)域的光吸收材料的基本上連續(xù)的矩陣(23)；其改進部分包括(a)形成一平面化層(35，135)；(b)在所述的平面化層上用所述的易揮發(fā)的有機導電材料再次進行第二次涂覆，以形成第二有機導電層(132)；(c)在所述的第二有機導電層上用所述的易揮發(fā)的有機導光材料再次進行第二次涂覆，以形成第二有機光導層(134)。
2.一種如權利要求1所述的方法，其特征在于所述的平面化層(35)是用在所述的第一有機光導層(34)上熔化所述的光吸收材料的方式而形成的。
3.一種如權利要求1所述的方法，其特征在于所述的平面化層(135)是用施加一適當?shù)谋∧ざ纬傻?，所述的薄膜重疊蓋覆在所述的第一有機光導層(34)和所述的光吸收矩陣(23)材料上的。
4.一種如權利要求1所述的方法，它還包括以下步驟(d)在所述的第二有機光導層(134)上再次建立基本上均勻的靜電電位；(e)將所述的第二有機光導層上的選定區(qū)域曝光在可見光下，以改變其上的電位；(f)在所述的第二有機光導層上的已曝光的選定區(qū)域上，沉積可摩擦帶電的第一光發(fā)射熒光物質，以使所述的第一光發(fā)射熒光物質蓋覆所述的矩陣(23)上的與第一彩色位置相對應的所述的開孔區(qū)域上，并且蓋覆在所述的開孔區(qū)域周圍的至少一部分所述的光吸收材料上；(g)使所述的第一彩色發(fā)射熒光物質和所述的第二有機光導層上的未曝光區(qū)域再次充電，以再次在其上建立靜電電位；(h)將所述的第二有機光導層上的選定區(qū)域曝光在光源發(fā)出的可見光下，以改變其上的電位，而不改變所述的第二有機光導層上的未曝光區(qū)域的和未受到影響的所述的第一彩色發(fā)射熒光物質的電位；(i)在所述的第二有機光導層上的所述的已曝光的選定區(qū)域上，沉積可摩擦帶電的第二彩色發(fā)射熒光物質，以使所述的第二彩色發(fā)射熒光物質蓋覆在所述的矩陣上的與第二彩色位置相對應的所述的開孔區(qū)域上，并且蓋覆在所述的開孔區(qū)域周圍的至少一部分所述的光吸收材料上。
5.一種如權利要求4所述的方法，它還包括以下步驟(j)使所述的第一和第二彩色發(fā)射熒光物質和所述的第二有機光導層(134)上的已曝光區(qū)域再次充電，以再次在其上建立靜電電位；(k)將所述的第二有機光導層上的選定區(qū)域曝光在光源發(fā)出的可見光下，以改變其上的電位，而不改變所述的第二有機光導層上的未曝光區(qū)域的和未受到影響的所述的第一和第二彩色激發(fā)熒光物質的電位；(l)在所述的第二有機光導層上的所述的已曝光的選定區(qū)域上，沉積可摩擦帶電的第三彩色發(fā)射熒光物質，以使所述的第三彩色發(fā)射熒光物質蓋覆在所述的矩陣(23)上剩余的所述的開孔區(qū)域上，并且蓋覆在所述的開孔區(qū)域周圍的至少一部分所述的光吸收材料上。
6.一種如權利要求5所述的方法，它還包括以下步驟(m)將所述的熒光物質固定在所述的熒光屏上的所述的第二有機光導層(134)上；(n)在固定的熒光屏上涂膜；(o)在該涂膜后的熒光屏上鍍鋁；(p)烘烤鍍鋁后的熒光屏以除去其中的易揮發(fā)組分，形成所述的熒光屏組件。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用電照相法在彩色陰極射線管(10)的熒光屏面板(12)的內(nèi)側表面上的制造熒光屏組件的方法，包括以下步驟用易揮發(fā)的有機導電材料涂覆所述的熒光屏面板的所述的內(nèi)側表面，以形成第一有機導電層(32)，在所述的第一有機導電層上再次用易揮發(fā)的光導材料涂覆，以形成第一有機光導層(34)。然后在所述的第一有機光導層上建立基本上均勻的靜電電位，將所述的第一有機光導層上的選定區(qū)域曝光在可見光下，以改變其上的電位，而不改變所述的第一有機光導層上的未曝光區(qū)域的電位。隨后在所述的第一有機光導層上的未曝光區(qū)域上，沉積可摩擦帶電的光吸收熒光屏結構材料，以形成在其上具有開孔區(qū)域的光吸收材料的基本上連續(xù)的矩陣(23)。本發(fā)明的較在先技術的改進在于，本發(fā)明還進一步包括以下步驟在該有機光導層上形成一平面化層(35，135)，在所述的平面化層上用所述的易揮發(fā)的有機導電材料再次進行第二次涂覆，以形成第二有機導電層(132)，在所述的第二有機導電層上用所述的易揮發(fā)的有機導光材料再次進行第二次涂覆，以形成第二有機光導層(134)。在所述的已適當帶電的已曝光的第二有機光導層上，沉積熒光材料，以使該熒光物質完全蓋覆住所述的矩陣上的孔口，并且蓋覆與該孔口鄰接的矩陣的至少一部分上。
文檔編號H01J9/22GK1160456SQ95195546
公開日1997年9月24日 申請日期1995年8月3日 優(yōu)先權日1994年8月30日
發(fā)明者I·戈羅, P·M·列特 申請人:湯姆森消費電子有限公司