專利名稱：結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，通過(guò)一承載架、至 少一發(fā)光芯片及一熒光層的組合設(shè)計(jì)，該熒光層與該承載架之間形成 容置空間，該容置空間可釆真空(或充填惰性氣體)，以避免降低激 發(fā)熒光粉的效率，或避免造成色衰，以及避免因空氣而易造成該至少 一發(fā)光芯片氧化與因氧化造成溫度提高而降低整體的發(fā)光效率等問(wèn) 題，進(jìn)而可提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率與使用壽命，而適用于發(fā)光二 極管或類似結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，如圖5所示，主要包括有一具凹陷槽的 承載架A、 一芯片B及一透光層D，該芯片B結(jié)合于承載架A的凹陷 槽之中，該芯片B的外層被一層熒光粉層C所包覆，而該透光層D為 透明膠體，以灌入承載架A的凹陷槽之中而包覆于該熒光粉層C外， 因熒光粉層C與芯片B直接接觸，以使芯片B發(fā)出的光線未被中間的 介質(zhì)吸收，而可得到較佳的發(fā)光效率，但因芯片B發(fā)光會(huì)生熱，造成 該熒光粉層C過(guò)熱而使發(fā)光二極管產(chǎn)生色衰，減少了發(fā)光二極管的使 用壽命。另一種現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，如圖6所示，其與前述的差 異在于該承載架A上的芯片B的上方設(shè)有一透光膠層C1，該透光膠層 Cl上方又結(jié)合有一透光層D1，該透光層D1可采熒光粉與透光膠混 合構(gòu)成(或光學(xué)透鏡)，進(jìn)而避免芯片B與熒光粉直接接觸之因過(guò)熱而 造成色衰的問(wèn)題，但是，因該芯片B所發(fā)出的光線會(huì)穿入該透光膠層 Cl中，造成有部分的光線被該透光膠層C1中的透明膠體吸收而降低 激發(fā)熒光粉的效率。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提出一 種結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，通過(guò)一承載架、至少一發(fā)光芯片及一熒光 層的組合設(shè)計(jì)，該熒光層位于該至少一發(fā)光芯片的上方并涵蓋該至少 一發(fā)光芯片的發(fā)光區(qū)，該熒光層與該承載架之間形成容置空間，該容 置空間可采真空(或充填惰性氣體)，以避免因該至少一發(fā)光芯片發(fā)光 產(chǎn)生的熱與該熒光層直接接觸而因過(guò)熱造成色衰的問(wèn)題，進(jìn)而可提高 發(fā)光二極管的使用壽命及得到混光均勻的效果，以增進(jìn)整體的實(shí)用性。本實(shí)用新型的次一目的在于，提出一種結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管， 通過(guò)一承載架、至少一發(fā)光芯片及一熒光層的組合設(shè)計(jì)，且通過(guò)熒光 層與該承載架之間形成有容置空間，而該容置空間可采真空或充填惰 性氣體，以供降低熱的傳導(dǎo)，可避免該至少一發(fā)光芯片發(fā)出的光線與 空氣中的氧氣作用而易造成該至少一發(fā)光芯片氧化，可避免因?yàn)檠趸?而使溫度提高而導(dǎo)致降低發(fā)光效率，以及可避免該至少一發(fā)光芯片發(fā) 出的光線直接穿入該透光膠體(或混合熒光粉的透光膠體)而造成部 份光線被吸收使激發(fā)熒光粉的效率變低，進(jìn)而使發(fā)光效率降低的問(wèn)題， 進(jìn)而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率與使用壽命，以增進(jìn)其實(shí)用性。為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，包 括 一承載架，該承載架形成一凹陷部；至少一發(fā)光芯片，該至少一 發(fā)光芯片設(shè)于該承載架的凹陷部?jī)?nèi)；以及一熒光層，該熒光層結(jié)合于 該承載架的壁緣上，且于該熒光層下方與該承載架之間形成一容置空 間，該容置空間為真空。為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型還提供一種結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管， 包括 一承載架，該承載架形成一凹陷部；至少一發(fā)光芯片，該至少 一發(fā)光芯片設(shè)于該承載架的凹陷部?jī)?nèi)；以及一熒光層，該熒光層結(jié)合 于該承載架的壁緣上，且于該熒光層下方與該承載架之間形成一容置 空間，該容置空間充填有惰性氣體。本實(shí)用新型具有以下有益技術(shù)效果1、 通過(guò)一承載架、至少一發(fā)光芯片及一熒光層的組合設(shè)計(jì)，該 熒光層位于該至少一發(fā)光芯片的上方并涵蓋該至少一發(fā)光芯片的發(fā)光 區(qū)，該熒光層與該承載架之間形成容置空間，該容置空間可釆真空(或 充填惰性氣體)，以避免因該至少一發(fā)光芯片發(fā)光產(chǎn)生的熱與該熒光層 直接接觸而因過(guò)熱造成色衰的問(wèn)題，進(jìn)而可提高發(fā)光二極管的使用壽 命及得到混光均勻的效果，以增進(jìn)整體的實(shí)用性。2、 通過(guò)一承載架、至少一發(fā)光芯片及一熒光層的組合設(shè)計(jì)，且 通過(guò)熒光層與該承載架之間形成有容置空間，而該容置空間可采真空 或充填惰性氣體，以供降低熱的傳導(dǎo)，可避免該至少一發(fā)光芯片發(fā)出 的光線與空氣中的氧氣作用而易造成該至少一發(fā)光芯片氧化，可避免 因?yàn)檠趸箿囟忍岣叨鴮?dǎo)致降低發(fā)光效率，以及可避免該至少一發(fā) 光芯片發(fā)出的光線直接穿入該透光膠體(或混合熒光粉的透光膠體) 而造成部份光線被吸收使激發(fā)熒光粉的效率變低，進(jìn)而使發(fā)光效率降 低的問(wèn)題，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率與使用壽命，以增進(jìn)其實(shí) 用性。本實(shí)用新型的其它特點(diǎn)及具體實(shí)施例可于以下配合附圖的詳細(xì)說(shuō) 明中，進(jìn)一步了解。


圖1為本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的剖面示意圖； 圖2為本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的組件分解圖； 圖3為本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的剖面示意圖； 圖4為本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的組件分解圖； 圖5為一現(xiàn)有發(fā)光二極管的剖面示意圖； 圖6為另一現(xiàn)有發(fā)光二極管的剖面示意圖。圖中符號(hào)說(shuō)明10 承載架11凹陷部20發(fā)光芯片30熒光層31透光層40容置空間A承載架B芯片C熒光粉層D透光層C 1透光膠層D 1透光層具體實(shí)施方式
請(qǐng)參圖1 2所示，本實(shí)用新型為一種結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，包括一承載架IO，該承載架IO形成一凹陷部11，該凹陷部ll設(shè)為凹 杯狀，以利集光。至少一發(fā)光芯片20，該至少一發(fā)光芯片20固設(shè)(該固設(shè)方式可 采覆晶或連接導(dǎo)線的方式)于該承載架IO的凹陷部11內(nèi)。一熒光層30，該熒光層30結(jié)合于該承載架IO的壁緣上，且于該 熒光層30下方與該承載架10之間形成一容置空間40，該容置空間40 為真空。其中，該熒光層30上方可進(jìn)一步結(jié)合一透光層31 (請(qǐng)另參圖3 4，本實(shí)用新型的第二實(shí)施例)，該透光層31可為光學(xué)透鏡(Lens)、玻 璃或透光膠體，以利聚光，該透光膠體可采環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy，簡(jiǎn)稱EP)、 聚肽酰胺(Polyphthalamide，簡(jiǎn)稱PPA)或硅膠(Silicone)等其中的任一種。再者，雖在第一實(shí)施例及第二實(shí)施例中，該容置空間40釆真空， 但于實(shí)際實(shí)施時(shí)，亦可于該容置空間40中充填惰性氣體，例如氮(N2)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氤(Xe)、氡(Rn)…等其中任一種氣體。 組裝時(shí)，先將該至少一發(fā)光芯片20固設(shè)結(jié)合于承載架10上，以及將 熒光粉體與透光膠混合形成該熒光層30 (或是如圖3 4所示，將熒光 粉體均勻涂布或均勻噴灑于該透光層31的底層而形成該熒光層30)， 通過(guò)將該熒光層30與該結(jié)合有至少一發(fā)光芯片20的承載架10 —同置 于真空或充滿氮?dú)?或其它惰性氣體)的環(huán)境下，將該熒光層30卡合、 套合或跨置于該承載架10的壁緣上時(shí)，并使該熒光層30下方與該承 載架10之間具有一段距離差而形成一容置空間40,以使該容置空間 40成為真空或充滿氮?dú)?或其它惰性氣體)，由此，以完成本實(shí)用新型 的組裝。請(qǐng)?jiān)賲D1 4，承上結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管， 其特點(diǎn)在于通過(guò)一承載架10、至少一發(fā)光芯片20及一熒光層30的組 合設(shè)計(jì)，該熒光層30結(jié)合于該承載架IO上并形成一容置空間40，該 容置空間40使該至少一發(fā)光芯片20與熒光層30之間具有一段距離， 以避免該熒光層30與該至少一發(fā)光芯片20直接接觸而受該至少一發(fā) 光芯片20發(fā)光生熱造成該熒光層30因過(guò)熱產(chǎn)生色衰的情形；又通過(guò) 該容置空間40中為真空(或充滿了惰性氣體)，以避免該至少一發(fā)光 芯片20發(fā)出的光線與空氣中的氧氣作用而易造成該至少一發(fā)光芯片20 氧化，及可避免因氧化作用而使溫度提高導(dǎo)致發(fā)光效率變低的問(wèn)題， 亦可避免因?yàn)樵撝辽僖话l(fā)光芯片20發(fā)出的光線直接穿入透光膠體(或 混合熒光粉的透光膠體)中，造成部份光線被吸收而導(dǎo)致激發(fā)熒光粉 的效率降低，進(jìn)而影響發(fā)光效率的問(wèn)題；再通過(guò)該熒光層30與該承載 架10之間形成的容置空間40采真空或充填惰性氣體，以供降低熱的 傳導(dǎo)，進(jìn)而可提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率及增加發(fā)光二極管的使用壽 命，并因?yàn)樵摕晒鈱?0結(jié)合于該至少一發(fā)光芯片20的上方，并于上 方涵蓋該至少一發(fā)光芯片20的發(fā)光區(qū)，使該至少一發(fā)光芯片20發(fā)出 的光線經(jīng)由與該熒光層30的作用，可達(dá)成均勻混光，進(jìn)而使本實(shí)用新型具混光均勻、發(fā)光效率佳及使用壽命增長(zhǎng)等效果，以增加其實(shí)用性 及便利性。以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，當(dāng)不能用以限定本實(shí) 用新型可實(shí)施的范圍，凡本領(lǐng)域技術(shù)人員所明顯可作變化與修飾，皆 應(yīng)視為不悖離本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求1.一種結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于，包括一承載架，該承載架形成一凹陷部；至少一發(fā)光芯片，該至少一發(fā)光芯片設(shè)于該承載架的凹陷部?jī)?nèi)；以及一螢光層，該螢光層結(jié)合于該承載架的壁緣上，且于該螢光層下方與該承載架之間形成一容置空間，該容置空間為真空。
2. 如權(quán)利要求l所述的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于，該 熒光層上方進(jìn)一步結(jié)合一透光層。
3. 如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于，該 透光層為光學(xué)透鏡。
4. 如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于，該 透光層為透光膠體，而該透光膠體為環(huán)氧樹(shù)脂、聚肽酰胺、硅膠中的 任一種。
5. 如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于，該 透光層為玻璃。
6. —種結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于，包括 一承載架，該承載架形成一凹陷部；至少一發(fā)光芯片，該至少一發(fā)光芯片設(shè)于該承載架的凹陷部?jī)?nèi)；以及一熒光層，該熒光層結(jié)合于該承載架的壁緣上，且于該熒光層下 方與該承載架之間形成一容置空間，該容置空間充填有惰性氣體。
7. 如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于，該熒光層上方進(jìn)一步結(jié)合一透光層。
8. 如權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于，該 透光層為光學(xué)透鏡。
9. 如權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于，該 透光層為透光膠體，該透光膠體為環(huán)氧樹(shù)脂、聚肽酰胺、硅膠中的任 一種。
10. 如權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于， 該透光層為玻璃。
11. 如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，其特征在于， 該惰性氣體為氮、氦、氖、氬、氪、氙、氡中的任一種氣體。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管，該結(jié)構(gòu)改良的發(fā)光二極管包括有一承載架、至少一發(fā)光芯片及一熒光層。其中該承載架形成一凹陷部；該至少一發(fā)光芯片設(shè)于該承載架的凹陷部?jī)?nèi)；而該熒光層結(jié)合于該承載架的壁緣上，且于該熒光層下方與該承載架之間形成一容置空間，該容置空間可為真空或惰性氣體，以避免降低激發(fā)熒光粉的效率，或避免造成色衰，以及避免因空氣而易造成發(fā)光芯片氧化與因氧化造成溫度提高而降低整體的發(fā)光效率等問(wèn)題，進(jìn)而可提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率與使用壽命。
文檔編號(hào)F21V19/00GK201126162SQ20072012555
公開(kāi)日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2007年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月24日
發(fā)明者吳慶輝, 吳志賢 申請(qǐng)人:東貝光電科技股份有限公司