專(zhuān)利名稱(chēng)：圖像顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖像顯示設(shè)備。
技術(shù)背景近來(lái)，人們一直積極地研究使用電子發(fā)射器件的平板顯示器。平 板顯示器具有裝備有電子發(fā)射器件的背板、裝備有發(fā)光元件(例如熒 光體)的前板、以及通過(guò)借助于框架連接背板和前板而獲得的面板。 由于在面板中保持減壓氣氛，該面板包含隔板，該隔板充當(dāng)能夠抵制 大氣壓以防止面板被大氣壓折斷的支撐結(jié)構(gòu)。已知暴露于電子和前板 所反射的其他輻射的隔板的表面被靜電充電，從而影響來(lái)自電子發(fā)射 器件的電子束的軌跡。為了解決該問(wèn)題，設(shè)計(jì)具有各種特征的隔板。 具體地說(shuō)，給隔板表面施加抗靜電涂層，或者，將隔板的表面幾何結(jié) 構(gòu)制得凹凸不平。與抗靜電技術(shù)一起，創(chuàng)造性方案通過(guò)在隔板附近控 制來(lái)自電子發(fā)射器件的電子束的軌跡來(lái)使隔板的靜電電荷不顯明。專(zhuān)利文獻(xiàn)l描述借助于熱拉伸(hot drawing)的隔板制造方法， 并且披露一種有效地制造在表面上形成有凹凸圖案的隔板的方法。專(zhuān)利文獻(xiàn)2披露，隔板表面上的高電阻膜的電阻值取決于膜形成 的方向，專(zhuān)利文獻(xiàn)3披露，隔板和電子源之間的距離越短，對(duì)電子束的軌 跡的影響就越大。這意味著，像素間距越窄，要校正的電子束入射位 置偏離就越大，專(zhuān)利文獻(xiàn)4披露，在隔板附近的電子束位置由掃描布線(xiàn)的高度限定。專(zhuān)利文獻(xiàn)5披露，在用于靜電控制的隔板表面上形成凹凸圖案， 并且以這種方式確定凹槽形狀以便減少隔板表面的二次電子發(fā)射系
數(shù)8的入射角依存性。專(zhuān)利文獻(xiàn)6和7披露，在隔板表面上形成凹凸圖案，凹凸圖案具 有間距分布，通過(guò)間距分布在隔板表面上產(chǎn)生電阻分布。專(zhuān)利文獻(xiàn)8披露一種通過(guò)以與隔板的縱向方向垂直的方向傾斜 器件電極的相對(duì)表面，控制隔板附近的來(lái)自表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件的 電子束軌跡的技術(shù)，其中每一個(gè)表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件都具有一對(duì)器 件電極。<專(zhuān)利文獻(xiàn)1>日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2000-311608(美國(guó)專(zhuān)利No. 6494757 )<專(zhuān)利文獻(xiàn)2>日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2003-282000 <專(zhuān)利文獻(xiàn)3>日本專(zhuān)利申請(qǐng)^>開(kāi)No. 2003-331761 (美國(guó)專(zhuān)利No. 6992447 )<專(zhuān)利文獻(xiàn)4>日本專(zhuān)利申請(qǐng)乂>開(kāi)No. H08-315723 (美國(guó)專(zhuān)利No. 5905335 )<專(zhuān)利文獻(xiàn)5>日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2000-311632(美國(guó)專(zhuān)利No. 6809469 )<專(zhuān)利文獻(xiàn)6>日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2003-223858 (美國(guó)專(zhuān)利No. 6963159)<專(zhuān)利文獻(xiàn)7>日本專(zhuān)利申請(qǐng)乂〉開(kāi)No. 2003-223857<專(zhuān)利文獻(xiàn)8>日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2006-019253 (美國(guó)專(zhuān)利公 開(kāi)2005/264166 )圖2所示的圖像顯示設(shè)備包括背板81，其具有矩陣布線(xiàn)和電 子發(fā)射器件；前板82,其具有面向相應(yīng)電子發(fā)射器件的被照射部分； 以及支撐框架86，上述背板81、前板82以及支撐框架86—起形成 外殼90。該圖像顯示設(shè)備具有保護(hù)內(nèi)部空間不受大氣壓影響的隔板 100，在該圖像顯示設(shè)備中保持高度真空。圖3A示出在隔板附近從Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)89所觀(guān)看到的橫截面。該隔 板被安裝成夾于背板側(cè)上Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)和前板側(cè)上的抵靠元件131之間。 由于隔板所形成的電場(chǎng)，隔板附近的電子束軌跡不同于遠(yuǎn)離隔板的電
子束軌跡。由于電子束軌跡不同，隔板附近的電子束和遠(yuǎn)離隔板的電 子束在電子束入射在前板上的位置不同。因此，在隔板附近，發(fā)光點(diǎn) 的密度改變，這導(dǎo)致在圖像中將看出明線(xiàn)或暗線(xiàn)，從而引起圖像質(zhì)量 降級(jí)。圖4示出由于隔板電場(chǎng)而引起隔板附近電子束在電子束入射位 置上如何偏離。隨著距離隔板的距離減小，電場(chǎng)對(duì)電子束軌跡的影響 增大，并且隨著距離隔板的距離增大，電場(chǎng)對(duì)電子束軌跡的影響減少。發(fā)明人近來(lái)研究提出，隔板附近的電子束偏離大致分成三種。第 一種是"原始電子束偏離"，第二種是"溫差相關(guān)電子束偏離"，第三種 是"充電相關(guān)電子束偏離"。"原始電子束偏離"是由于隔板表面上的電 勢(shì)分布而引起電子束入射位置偏離，而且，該偏離僅僅是歸因于前板 和背板之間的電勢(shì)差。"溫差相關(guān)電子束偏離"是由于隔板表面上的高 阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜的電阻值改變而引起電子束入射位置偏離，高阻電勢(shì)調(diào) 節(jié)膜的電阻值改變是由于前板和背板之間的溫差而引起的。"充電相 關(guān)電子束偏離，，是由于當(dāng)由金屬背面反射的電子束到達(dá)隔板表面時(shí)對(duì) 隔板表面進(jìn)行充電而引起電子束入射位置偏離。充電可以是正的或負(fù) 的，取決于隔板表面的二次電子發(fā)射系數(shù)。因此，隔板附近的電子束 偏離由于這三種偏離的疊加而產(chǎn)生。為了校正電子束偏離，專(zhuān)利文獻(xiàn)3描述一種通過(guò)根據(jù)入射位置偏 離提高隔板附近的像素間距來(lái)校正電子束入射位置偏離的方法。此 外，專(zhuān)利文獻(xiàn)4描述通過(guò)調(diào)節(jié)抵靠所述隔板的元件的高度來(lái)校正電子 束入射位置偏離的方法。盡管這些方法可以校正"原始電子束偏離"到 一定程度，但是這些方法不能充分地校正"溫差相關(guān)電子束偏離"和 "充電相關(guān)電子束偏離"。在校正隔板附近的電子束偏離的過(guò)程中，在隔板表面上形成凹凸 的方法覆蓋了寬范圍校正，并且可以解決三種電子束偏離中的原始電 子束偏離和充電相關(guān)電子束偏離。在專(zhuān)利文獻(xiàn)l中所描述的熱拉伸過(guò) 程中，可以容易地制造縱向表面上具有條形的凹凸圖案的隔板。此技 術(shù)也可以用于本發(fā)明實(shí)例中。為了使用隔板表面上的凹凸圖案來(lái)最小
化隔板充電，有必要考慮二次電子發(fā)射系數(shù)5，該系數(shù)是通過(guò)將發(fā)射 電子數(shù)除以隔板表面上單位面積的入射電子數(shù)而得到的值。當(dāng)8是1 時(shí)，發(fā)射電子數(shù)等于入射電子數(shù)，從而沒(méi)有對(duì)隔板充電。當(dāng)3大于1 時(shí)，發(fā)射電子的比例增大，從而對(duì)隔板表面充正電。當(dāng)3小于1時(shí)， 發(fā)射電子的比例減小，從而對(duì)隔板表面充負(fù)電。8的值取決于隔板表 面上的抗靜電膜的材料、隔板的表面幾何結(jié)構(gòu)和入射電子的入射角。 如果假設(shè)當(dāng)電子垂直地入射到隔板表面時(shí)入射角等于0,則二次電子 發(fā)射系數(shù)隨著入射角增大而增大。電子很少垂直地入射到隔板上，并 且在大多數(shù)情況下從前板側(cè)或背板側(cè)入射。因此，當(dāng)隔板表面是平坦 的時(shí)，3變成遠(yuǎn)大于1，從而傾向于對(duì)隔板表面充正電。相反，當(dāng)隔 板表面包含形成深凹槽的凹凸時(shí)，入射角可以在凹槽中保持低，從而 可以減少3。基于這些原理，專(zhuān)利文獻(xiàn)5描述了通過(guò)在隔板上形成凹 凸圖案而減小3來(lái)減少充電的方法。該方法可以減少"充電相關(guān)電子 束偏離"，但是，隔板表面上的凹凸圖案也影響隔板表面上的電阻分 布并因此影響"原始電子束偏離"，從而難以如所期望的那樣控制這兩 種偏離。使用凹凸分布校正"原始電子束偏離，，的原理導(dǎo)致使用凹凸分布 在隔板表面上產(chǎn)生電阻分布，從而產(chǎn)生所需的電勢(shì)分布。也就是說(shuō)， 由于爬電距離(cre印age distance)隨著凹凸變化，可以根據(jù)凹凸圖 案分布隔板表面上的電阻。在專(zhuān)利文獻(xiàn)6和7中描述此技術(shù)。隨便提一下，作為用于校正電子束位置的技術(shù)，專(zhuān)利文獻(xiàn)8公開(kāi) 一種用于精巧地調(diào)節(jié)一對(duì)器件電極取向的技術(shù)。具體地說(shuō)，該技術(shù)通 過(guò)以與隔板的縱向方向垂直的方向傾斜器件電極的相對(duì)表面，控制隔 板附近來(lái)自表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件的電子束軌跡，其中每一個(gè)表面導(dǎo) 電電子發(fā)射器件都具有一對(duì)器件電極。下文中，相對(duì)表面以與隔板的 縱向方向垂直的方向被傾斜的器件電極稱(chēng)為"傾斜器件電極"。然而， 具有窄像素間距的圖像顯示設(shè)備導(dǎo)致漂移距離減少以及器件電極的傾斜角度減少，這是傾斜器件電極的重要要素，從而減少了其校正量。 鑒于上述的常規(guī)問(wèn)題，本發(fā)明的目的是通過(guò)校正由于距離隔板的
間隔距離之差而引起的電子束入射位置之差來(lái)實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的圖像 顯示設(shè)備。發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明具有下述特征。本發(fā)明提供一種圖像顯示設(shè)備，該圖像顯示設(shè)備包括背板，在 其上包括第一電子發(fā)射器件和第二電子發(fā)射器件，每一個(gè)電子發(fā)射器 件都具有一對(duì)器件電極和位于所述一對(duì)器件電極之間的電子發(fā)射區(qū)域，所述一對(duì)器件電極彼此相對(duì)設(shè)置且其間夾有一個(gè)間隙；前板，其 具有熒光體;以及板狀隔板，其設(shè)置在所述背板和所述前板之間，更 靠近所述第一電子發(fā)射器件而非所述第二電子發(fā)射器件，其中所述第 一電子發(fā)射器件的所述間隙的縱向方向相對(duì)于與所述隔板的縱向方 向垂直的方向成第一傾斜角度傾斜，所述第二電子發(fā)射器件的所述間 隙的縱向方向相對(duì)于與所述隔板的縱向方向垂直的方向成第二傾斜角度傾斜，并且所述第二傾斜角度大于所述第一傾斜角度。根據(jù)下面參照附圖對(duì)范例實(shí)施例的描述，本發(fā)明的其他特征將顯而易見(jiàn)。


圖l示出背板的視圖，其中傾斜器件電極安裝在第二最接近器件中。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的圖像顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)，是圖像顯示設(shè)備的 部分剖面透視圖和圖像顯示設(shè)備的密封部分的放大橫截面圖。 圖3A是示出隔板附近的結(jié)構(gòu)和電子束軌跡的視圖。 圖3B是示出隔板附近的結(jié)構(gòu)和電子束軌跡的視圖。 圖4是前板的頂視圖，示出隔板附近的電子束偏離。 圖5是示出隔板的凹凸圖案和各隔板部分的名稱(chēng)的視圖。 圖6是示出隔板上的各種膜的視圖。 圖7是示出膜形成的角度依存性的視圖。 圖8是示出表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件的基本結(jié)構(gòu)的視圖。圖9是示出表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件的基本特性的視圖。圖IO是示出隔板的熱拉伸過(guò)程的視圖。圖ll是示出圖像顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的視圖。圖12是示出漂移距離的視圖。圖13A示出第一最接近傾斜器件電極和第二最接近傾斜器件電 極的安裝例子的視圖。圖13B、 13C、 13D、 13E和13F示出隔板間的第三和后續(xù)的最 接近傾斜器件電極的變體的視圖。圖14示出電子發(fā)射器件的一對(duì)器件電極的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
認(rèn)真研究的結(jié)果是發(fā)明人最新發(fā)現(xiàn)，根據(jù)像素間距，距離隔板第 二最接近的電子發(fā)射器件比距離隔板最接近的電子發(fā)射器件受隔板 充電影響更大。本發(fā)明是基于此新的發(fā)現(xiàn)。下文中，距離隔板最接近 的電子發(fā)射器件可以稱(chēng)為"第一最接近器件"或者"最接近的器件"。另 一方面，距離隔板第二最接近的電子發(fā)射器件可以稱(chēng)為"第二最接近 器件"。普通認(rèn)為，通過(guò)下述事實(shí)可以解釋我們的發(fā)現(xiàn)在前板側(cè)對(duì) 隔板充正電，在背板側(cè)對(duì)隔板充負(fù)電，盡管前板相對(duì)比較平坦，在背 板上存在布線(xiàn)和其它突起結(jié)構(gòu)。更具體地，通過(guò)隔板表面上的正電荷 和負(fù)電荷二者影響從第一最接近器件發(fā)射的電子束。關(guān)于從第二最接近器件發(fā)射的電子束，通過(guò)對(duì)布線(xiàn)進(jìn)行電勢(shì)屏蔽，減少隔板的背板側(cè) 上的負(fù)電荷的影響，但是隔板的前板側(cè)上的正電荷直接影響隔板。以 這樣的方式，由于對(duì)隔板充電不同地影響第一最接近器件和第二最接 近器件，很難提供能夠如所需的那樣控制第一最接近器件和第二最接 近器件二者的電子束軌跡的隔板。因此，提供能夠以與常規(guī)方式不同的方式分別地控制第一最接近器件和第二最接近器件的技術(shù)是重要 的。本發(fā)明是基于此新的知識(shí)。接下來(lái)，描述本發(fā)明的范例實(shí)施例。圖2是根據(jù)本發(fā)明的圖像顯 示設(shè)備的部分剖面透視圖。如圖2所示，圖像顯示設(shè)備包括背板81， 其具有以矩陣形式布置的X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)88和Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)89 (掃描布線(xiàn))以 及電子發(fā)射器件；前板82，其與背板相對(duì)設(shè)置，并且裝備有被照射部 分；以及隔板100，其豎立在背板和前板之間，所有這些都在理想真 空氣氛下被封閉在外殼90中。外殼的內(nèi)部必須保持所需的真空下以 連續(xù)地驅(qū)動(dòng)電子發(fā)射器件87。背板上的矩陣布線(xiàn)必須具有足以驅(qū)動(dòng)電子源的低電阻。但是，圖 2所示的X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)和Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)不必具有相同的電阻值。為了避免X 側(cè)導(dǎo)線(xiàn)和Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)之間的電接觸，在這兩種導(dǎo)線(xiàn)之間安裝絕緣層。絕 緣層必須足夠厚，以避免這兩種導(dǎo)線(xiàn)之間串?dāng)_。隔板與這兩種導(dǎo)線(xiàn)的 上部抵靠設(shè)置，優(yōu)選地，盡可能地增大抵靠表面，以使電子發(fā)射器件 附近的電場(chǎng)均勻。根據(jù)本發(fā)明，理想地，電子發(fā)射器件是表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件。 這是因?yàn)楸景l(fā)明使用電子束傳播曲線(xiàn)特性的緣故，電子束傳播的曲線(xiàn) 特性是表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件的特征。如圖2、 3A和3B所示，前板包括黑底91、熒光體92和金屬背 面93。為了減少電子束沒(méi)有到達(dá)的前板區(qū)域上的外部反射以及避免相 鄰熒光體的色彩混合，需要黑底。當(dāng)電子碰撞受激發(fā)時(shí)，熒光體發(fā)光 以顯示圖像。在熒光體的內(nèi)側(cè)上形成的金屬背面具有通過(guò)朝外鏡面反 射來(lái)自熒光體的光而提高亮度的功能、以及在前板整個(gè)圖像顯示區(qū)域 上施加加速電子所需的加速電壓的功能。接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明的電子束位置校正。在圖3A和圖3B 中，電子發(fā)射器件87表示為按距離隔板100的順序第一最接近、第 二最接近等。此外，在隔板兩側(cè)上的電子發(fā)射器件中，較早掃描一即 較早施加電壓到其上的器件表示為上部器件，較晚掃描的器件表示為 下部器件。從電子發(fā)射器件定位在其上的玻璃表面到隔板在其上與Y 側(cè)導(dǎo)線(xiàn)89抵靠的表面的高度表示為掃描布線(xiàn)(Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn))高度。在 電子束從電子發(fā)射器件發(fā)出之后，電子束在受隔板和矩陣布線(xiàn)的電場(chǎng) 作用下加速入射到前板側(cè)上的金屬背面93上。 一些電子通過(guò)金屬背
面93，以致使熒光體92發(fā)光， 一些電子被金屬背面93反射后入射在 隔板上。入射在隔板上的電子致使對(duì)隔板充電。隨便提一下，圖3A 示出沒(méi)有應(yīng)用本發(fā)明的情況，圖3B示出應(yīng)用本發(fā)明的情況。用像素間距的百分比表示電子束偏離。0%的偏離對(duì)應(yīng)于非隔板 部分，-10%的偏離是指距離隔板10%像素間距的偏離。在圖4中，當(dāng)沒(méi)有電子束偏離時(shí)，電子束發(fā)光圖像94的重心與 熒光體的開(kāi)口中心重合。在該實(shí)例中，由于第三最接近器件和后續(xù)器 件的電子束發(fā)光圖像距離隔板很遠(yuǎn)，即使由于矩陣結(jié)構(gòu)中的制造誤差 或者未對(duì)準(zhǔn)(稍后描述)而導(dǎo)致重心位置或多或少偏離，該偏離通常 對(duì)人來(lái)說(shuō)也是不可察覺(jué)到的。然而，在隔板電場(chǎng)的作用下，隔板附近 的電子束發(fā)光圖像均勻地偏離。在圖4中，第一最接近器件的電子束 發(fā)光圖像以這種方式偏離從而距離隔板的均勻地移開(kāi)(稱(chēng)為排斥)， 第二最接近器件的電子束發(fā)光圖像以這種方式偏離從而朝隔板均勻 地移動(dòng)(稱(chēng)為吸引)。隔板附近的電子束偏離取決于結(jié)構(gòu)，而不是第 一/第二器件或者上部/下部器件。圖5示出隔板的凹凸圖案和各隔板部分的名稱(chēng)。在圖像顯示設(shè)備 的厚度方向上的隔板長(zhǎng)度稱(chēng)為橫向隔板長(zhǎng)度102，與圖像顯示設(shè)備的 圖像顯示區(qū)域平行地延伸的隔板長(zhǎng)度稱(chēng)為縱向隔板長(zhǎng)度。隨便提一 下，縱向隔板長(zhǎng)度與在圖2中的Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)89延伸的方向平行，與圖 1中的掃描方向垂直。此外，與橫向長(zhǎng)度垂直的方向上的厚度稱(chēng)為隔 板厚度101?？v向隔板長(zhǎng)度取決于圖像顯示設(shè)備的尺寸?；诟舭鍙?qiáng) 度和隔板對(duì)電子束軌跡的影響，確定隔板厚度。在暴露于背板的電子 發(fā)射器件和前板的被照射部分之間的隔板的那個(gè)表面(下文稱(chēng)為側(cè) 面)上形成凹凸。在隔板的凹凸部分和背板側(cè)上的隔板末端之間以及 在隔板的凹凸部分和前板側(cè)上的隔板末端之間存在平坦部分。在背板 側(cè)上的端面和背板側(cè)上的第一凹槽的最深部分之間的距離表示為背 板側(cè)平坦部分長(zhǎng)度108。在前板側(cè)上的端面和前板側(cè)上的第一凹槽的 最深部分之間的距離表示為前板側(cè)平坦部分長(zhǎng)度104。將凹凸部分分 成三個(gè)區(qū)域背板側(cè)上的區(qū)域、其凹槽深度不同于背板側(cè)上的深度的
前板側(cè)上的區(qū)域、以及其凹槽深度在上述兩個(gè)區(qū)域之間連續(xù)地變化 (即，凹槽深度在背板側(cè)區(qū)域和前板側(cè)區(qū)域之間平滑地結(jié)合)的區(qū)域。這些區(qū)域分別稱(chēng)為背板側(cè)凹槽深度區(qū)域107、前板側(cè)凹槽深度區(qū)域105 和過(guò)渡區(qū)域106。三角函數(shù)或者梯形主要用作凹槽形狀。為了改變凹 槽的深度，對(duì)該形狀進(jìn)行線(xiàn)性增加或減少。對(duì)凹凸圖案的加工方法沒(méi) 有特殊限制，只要可以得到所需形狀即可?？尚械姆椒òㄖT如切割 和研磨之類(lèi)的機(jī)械方法以及諸如光刻加蝕刻之類(lèi)的化學(xué)方法。機(jī)械方 法例如切割或研磨和熱拉伸可以結(jié)合使用，如本發(fā)明的實(shí)例的情況一 樣。如圖6所示，在隔板表面上形成具有不同功能的膜。在背板側(cè)端 面上形成背板側(cè)邊緣表面電勢(shì)調(diào)節(jié)膜123，以均衡隔板整個(gè)背板側(cè)抵 靠表面的電勢(shì)。由于電場(chǎng)作用在電子束具有低速度的區(qū)域上，在隔板 的背板側(cè)上的電場(chǎng)對(duì)電子束軌跡有大影響。這樣，膜的電阻必須足夠 低，以使電勢(shì)變化最小。與凹凸表面上形成的高阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜的比值 表示為電阻值。通常，優(yōu)選的是，該比值為1000: l或者更大。以不 伸出進(jìn)入凹凸表面的這種方式形成低阻膜，以避免增大對(duì)電子束軌跡 的影響。在前板側(cè)端面上形成前板側(cè)邊緣表面電勢(shì)調(diào)節(jié)膜120，也均 衡前板側(cè)上的電勢(shì)。在形成端面電極膜之后，在隔板的側(cè)面上形成高阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜 121。圖7示出如何形成該膜。接下來(lái)，在高阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜上形成高阻抗靜電膜122。以電阻比 值而言，高阻抗靜電膜具有100: 1或者更大的高電阻，從而不影響 高阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜的功能。高阻抗靜電膜的功能是借助于入射在隔板上 的電子控制二次電子發(fā)射系數(shù)以及保護(hù)高阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜。因此，高阻 抗靜電膜使用具有低二次電子發(fā)射系數(shù)的膜材料，并且具有相對(duì)較大 的膜厚度?？梢允褂玫湫偷臑R射或氣相沉積過(guò)程在隔板表面上形成這些膜。 圖像顯示設(shè)備的外殼通過(guò)密封過(guò)程來(lái)制造。 該外殼由驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)以顯示圖像。為了避免由于電壓降低而亮
度下降，通過(guò)每次在X和Y方向中的一個(gè)方向上掃描一條至幾條線(xiàn) 來(lái)驅(qū)動(dòng)圖像顯示設(shè)備。根據(jù)本實(shí)施例，在圖3A、 3B和4中用箭頭表 示的方向上進(jìn)行掃描(掃描信號(hào)輸入給Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn))。優(yōu)選地，從減少 閃動(dòng)的角度來(lái)看，掃描周期短，但是掃描周期的上限由通過(guò)高阻電勢(shì) 調(diào)節(jié)膜除去聚集在隔板上的電子所需的時(shí)間常量確定。將描述傾斜器件電極。圖8中箭頭表示從表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件 發(fā)出的電子組的平均初始速度矢量。產(chǎn)生該結(jié)果是因?yàn)殡娮釉锤浇?宏觀(guān)電場(chǎng)平行于電極彼此相對(duì)的方向。所發(fā)射的電子組在加速電壓 Va下加速，并且到達(dá)前板上的被照射部分。與前板平行的方向上從 電子發(fā)射器件到入射位置的距離稱(chēng)為漂移距離do。如圖l所示，根據(jù) 本發(fā)明，隔板附近的電子發(fā)射器件的器件電極3和2的相對(duì)面與垂直 于隔板縱向方向的方向(掃描方向)成0角度傾斜。換句話(huà)說(shuō)，器件 電極3和2之間間隙的縱向方向與垂直于隔板縱向方向的方向成0角 度傾斜。隨便提一下，當(dāng)一對(duì)器件電極之間間隙的縱向方向以這樣的 方式相對(duì)于與所述隔板縱向方向垂直的方向傾斜時(shí)，在下文中器件電 極稱(chēng)為傾斜器件電極(inclined device electrodes)。如果傾斜器件電極的傾斜度是ed，則由傾斜器件電極所校正的電子束位置校正量表示為dy=d0xcos ( 9O-0d)。另 一方面，從具有傾斜器件電極的電子發(fā)射器件發(fā)出的電子束和 從沒(méi)有傾斜器件電極的電子發(fā)射器件發(fā)出的電子束之間的漂移距離 之差A(yù)dx表示為△dx=d0x (1 - sin ( 90-ed ))。Adx通常是lpm或更小，從而通?？梢院雎圆挥?jì)。傾斜器件電 極對(duì)電子束的校正影響隨著d。和0d增大而增大，從而更加實(shí)用。然 而，隨著像素間距減小，如圖l所示布線(xiàn)包圍的器件電極在設(shè)計(jì)靈活 性方面下降，從而可用的0d值變小。此外，如圖12所示，漂移距離 受相鄰X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)電場(chǎng)的影響，原本應(yīng)該是&4的值減小到dx3。減少量 取決于電子發(fā)射器件和X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)之間的距離xd以及X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)的高度hd。由于上述原因，像素間距越小，傾斜器件電極對(duì)電子束軌跡的校 正影響就越小。在這些情況下，本發(fā)明人基于位于距離隔板更遠(yuǎn)的"第二最接近 器件"比位于最靠近隔板的"第一最接近器件"需要更多校正的這一新 發(fā)現(xiàn)提出了本發(fā)明。如上所述，本發(fā)明是基于這樣的新發(fā)現(xiàn)，即距離隔板第二最接近 的電子發(fā)射器件比距離隔板最接近的電子發(fā)射器件受隔板充電的影 響更大?；诖税l(fā)現(xiàn)，本發(fā)明人開(kāi)發(fā)了一種新結(jié)構(gòu)，其中，第二最接 近器件的器件電極比位于最靠近隔板的第一最接近器件的器件電極 更加傾斜。隨便提一下，第二最接近器件受隔板充電影響更大的原因 在于隔板表面上的電荷分布以及前板和背板之間表面幾何結(jié)構(gòu)的不 同。也就是說(shuō)，原因是對(duì)隔板的前板側(cè)充正電，而對(duì)隔板的背板側(cè)充 負(fù)電，并且在背板上存在布線(xiàn)和其他突起結(jié)構(gòu)，而前板是相對(duì)較平坦 的。更具體地說(shuō)，從第一最接近器件發(fā)出的電子束受隔板表面上的正 電荷和負(fù)電荷二者的影響。至于從第二最接近器件發(fā)出的電子束，由 于布線(xiàn)的電勢(shì)屏蔽，負(fù)電荷對(duì)背板側(cè)的影響減少，但是前板側(cè)的正電 荷直接影響隔板。這樣，第二最接近器件被隔板充電不均勻地影響， 即，受前板側(cè)上的正電荷的影響更大。因此，第二最接近器件比第一 最接近器件受隔板充電的影響更大。基于此新發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明人提供了 一種新結(jié)構(gòu)，其中第二最接近器件比位于最靠近隔板的第一最接近器 件更加傾斜。接下來(lái)，描述本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例中的所需條件。 (笫一實(shí)施例)將描述這樣的范例實(shí)施例，其中只在第二最接近器件上安裝傾斜器件電極。該實(shí)施例示于圖13A中。即，第二最接近器件的器件電極 之間間隙的縱向方向相對(duì)于與所述隔板縱向方向垂直的方向傾斜，而 第一最接近器件的器件電極相對(duì)于與所述隔板的縱向方向垂直的方 向不傾斜。因此，第二最接近器件的傾斜器件電極比第一最接近器件 的器件電極更加傾斜。
(第二實(shí)施例)將描述這樣的范例實(shí)施例，其中在第二最接近器件上安裝傾斜器 件電極，以及在第一最接近器件上補(bǔ)充安裝傾斜器件電極。該實(shí)施例示于圖13D至13F。即，在笫一最接近器件和第二最接近器件中，器 件電極之間間隙的縱向方向相對(duì)于與所述隔板縱向方向垂直的方向 都傾斜，但是第二最接近器件中的傾斜度大于在第一最接近器件中的 傾斜度。當(dāng)?shù)谝蛔罱咏骷碾娮邮x大于第一實(shí)施例中的電子束 偏離時(shí)，使用此結(jié)構(gòu)。 (第三實(shí)施例)將描述這樣的范例實(shí)施例，其中不僅在第 一最接近器件和第二最 接近器件中，而且在第三最接近器件和后續(xù)的最接近器件中，安裝傾 斜器件電極。該實(shí)施例示于圖13B、 13C、 13E和13F。當(dāng)?shù)谝蛔罱咏?器件的電子束入射位置的偏離太大而不能被第一實(shí)施例或第二實(shí)施 例校正時(shí)，使用此結(jié)構(gòu)。<實(shí)例> (實(shí)例1 )將描述根據(jù)本發(fā)明的圖像顯示設(shè)備的實(shí)例。圖2是圖像顯示設(shè)備的透視圖，示出內(nèi)部結(jié)構(gòu)的局部剖面。此外， 在該透視圖的下面用虛框示出圖像顯示設(shè)備的密封部分的放大截面 圖。如圖2所示，根據(jù)該實(shí)例的圖像顯示設(shè)備包括背板81、與背板相 對(duì)設(shè)置的前板82和用于支撐這兩個(gè)板的支撐框架86，所有這些由外 殼90包裝。在背板81上，以矩陣形式布置大量電子發(fā)射器件87，在 這種情況下電子發(fā)射器件87是表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件。在每個(gè)表面 導(dǎo)電電子發(fā)射器件87上的一對(duì)器件電極連接到X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)88和Y側(cè) 導(dǎo)線(xiàn)89。根據(jù)該實(shí)例，X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)和Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)主要由銀(Ag)構(gòu)成。X 側(cè)導(dǎo)線(xiàn)和Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)被主要由氧化鉛(PbO)的中間絕緣層(未圖示) 絕緣。X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)和Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)以及中間絕緣層構(gòu)成三維結(jié)構(gòu)，并且在不 小程度上影響電子束軌跡。前板82由玻璃基底83構(gòu)成。在玻璃基底 83內(nèi)壁上形成熒光體92和金屬背面93。由于在前板82和背板81之
間維持高度真空，隔板100設(shè)置在作為掃描布線(xiàn)的Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)上，以保 護(hù)內(nèi)部真空區(qū)域不受大氣壓影響。圖3B是在圖像顯示設(shè)備的隔板附近的截面圖。隔板100安裝在 前板82和背板81之間.隔板抵靠一個(gè)前板側(cè)抵靠元件131和Y側(cè)導(dǎo) 線(xiàn)89。
根據(jù)該實(shí)例，安裝在背板81上的電子發(fā)射器件是表面導(dǎo)電電子 發(fā)射器件。將描述表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件的基本器件結(jié)構(gòu)。圖8分別是器件 結(jié)構(gòu)的頂視圖和側(cè)視圖。如圖8所示，表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件包括在 基底1上形成的一對(duì)器件電極2和3，其中器件電極間隔是L，器件 電極長(zhǎng)度是We。在器件電極2和3(即，該實(shí)例中的傾斜器件電極)之間間隙的縱向方向與垂直于隔板縱向方向的方向成e角度傾斜。此外，形成導(dǎo)電薄膜4，其橋接器件電極2和3，在導(dǎo)電薄膜4的中心 附近形成電子發(fā)射部分5。與基底l相對(duì)地安裝陽(yáng)極，該相對(duì)表面涂 敷有熒光體。
根據(jù)該實(shí)例，非堿性玻璃用于基底l。器件電極2和3由導(dǎo)電材 料(在該實(shí)例中，即，鈦(Ti)和鉑(Pt))構(gòu)成。膜厚度取決于材 料的導(dǎo)電率，根據(jù)該實(shí)例，為約45nm。器件電極間隔L為約IO ju m，器件電極長(zhǎng)度We為約120 jam,器件長(zhǎng)度Wd為約60 jam。 使用濺射和光刻的組合方法形成器件電極2和3。因此，不難以對(duì)傾 斜器件電極進(jìn)行圖案化。
顆粒構(gòu)成的顆粒膜用作導(dǎo)電薄膜4，以獲得良好電子發(fā)射特性。 導(dǎo)電薄膜4的厚度為約10nm。在該實(shí)例中，導(dǎo)電薄膜4由Pd構(gòu)成。 在施加溶液之后，通過(guò)烘烤成型導(dǎo)電薄膜4。電子發(fā)射部分5通過(guò)在導(dǎo)電薄膜4成型之后在稱(chēng)為成型的工序中 施加電壓來(lái)形成。根據(jù)該實(shí)例，在施加有機(jī)鈀溶液之后，通過(guò)烘烤， 形成氧化鈀(PdO)膜，從而形成導(dǎo)電薄膜4。然后，通過(guò)在氫氣共 存的減壓氣氛中在高溫下施加電壓，將氧化鈀(PdO )膜還原成鈀(Pd ) 膜。同時(shí)，形成裂縫以得到電子發(fā)射部分5。通常，所施加的電壓為20V。接下來(lái)，執(zhí)行稱(chēng)為激勵(lì)的工序，以增加電子發(fā)射效率。在真空 下引入含碳的氣體，以在電子源中的裂縫附近沉積碳膜。根據(jù)該實(shí)例， trinitrile用作碳源。如上所構(gòu)造的表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件在這對(duì)器件電極2和3之間 施加電壓，使電流(發(fā)射電流)經(jīng)過(guò)導(dǎo)電薄膜4的表面(器件表面)， 從而在電子發(fā)射部分5中從裂縫附近釋放電子。所釋放的電子通過(guò)在 其上施加約12kV電壓的陽(yáng)極電極加速，入射在陽(yáng)極的熒光體上，從 而發(fā)光。電子發(fā)射器件具有如圖9所示的特性，即，按照如下的切換 特性當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓Vf超過(guò)閾值電壓Vth時(shí)，發(fā)射電流指數(shù)地增大， 從而增大陽(yáng)極側(cè)熒光體的發(fā)射亮度。閾值電壓Vth是約IOV，驅(qū)動(dòng)電 壓Vf是約19V。該器件被基于交流的矩形脈沖驅(qū)動(dòng)，隨著脈沖寬度 Pw增大，亮度增大。脈沖寬度Pw為0至約12 jisec,表示降級(jí)。接下來(lái)，將描述具有多個(gè)電子源的背板的制造。首先，在電子源 基底上作為主要涂層形成5 nm膜厚的鈦(Ti)膜，通過(guò)'減射，在鈦 膜上形成40nm厚的鉑(Pt)膜。通過(guò)使用光刻的圖案化，形成器件 電極。接著，對(duì)銀(Ag)光涂料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷、千燥、曝光和顯影。 然后，在約480。C下烘烤銀光涂料，以形成X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)，即調(diào)制布線(xiàn)。 在烘烤之后，調(diào)制布線(xiàn)被設(shè)計(jì)成約8 nm高、約45nm寬。接下來(lái)， 對(duì)主要由氧化鉛(PbO)構(gòu)成的光涂料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷、干燥、膝光和 顯影。這樣提供中間絕緣層，該中間絕緣層用來(lái)保護(hù)X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)并將使 X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)和Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)相互絕緣。X側(cè)導(dǎo)線(xiàn)為約60 nm寬、約16 nm高， 包括絕緣層。在Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)下方的絕緣層是約435 jim寬、約25 fim高。 在Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)下方的中間絕緣層中設(shè)置接觸孔，以能夠與在前述過(guò)程中 安裝的底層電極電接觸。接下來(lái)，在絕緣層上形成Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)。對(duì)主要 由氧化鉛(PbO)構(gòu)成的光涂料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷、干燥、瀑光和顯影， 從而在Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)的絕緣層上形成Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)。充當(dāng)掃描布線(xiàn)的Y側(cè)導(dǎo) 線(xiàn)是400 nm寬、約35jim高。根據(jù)該實(shí)例，如圖3B所示，Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn) 具有兩層結(jié)構(gòu)，以提高其高度尺寸。當(dāng)上述過(guò)程完成時(shí)，徹底地沖洗 電子源基底，用包含揮發(fā)性物質(zhì)的溶液對(duì)電子源基底的表面進(jìn)行處
理，以使電子源基底的表面成為疏水性的。然后，通過(guò)噴墨工藝在器 件電極之間施加主要由有機(jī)鈀構(gòu)成的溶液。此時(shí)，由于前述的疏水性 處理，在器件電極上形成具有合適面積和厚度的薄膜，根據(jù)該實(shí)例，Wd是60 nm。隨后的烘烤產(chǎn)生上述的主要由氧化鈀(PdO)構(gòu)成的 導(dǎo)電薄膜。隨后，通過(guò)上述的成型和激勵(lì)過(guò)程，形成所述背板。圖4是在圖2所示的圖像顯示設(shè)備的前板82上的電子束發(fā)光圖 像94的頂視圖。前板82包括黑底91和熒光體92。在通過(guò)絲網(wǎng)印刷 在玻璃表面上形成黑色條紋之后，滴下并印刷熒光體。然后，鋁(A1) 沉積為金屬背面。黑色條紋防止色彩混合和由于外部反射而引起對(duì)比 度減少。金屬背面具有通過(guò)使來(lái)自熒光體的內(nèi)向光朝外鏡面反射來(lái)提 高亮度的功能、以及對(duì)陽(yáng)極電極施加加速電子所需要的加速電壓的功 能。將描述隔板的制造過(guò)程。使用圖10所示的熱拉伸機(jī)制造隔板的 基材。首先，通過(guò)切割在絕緣基材的表面上形成凹凸圖案。用于該實(shí) 例中的絕緣基材是由Asahi Glass有限公司制造的PD200。包括凹凸果所得到的產(chǎn)品稱(chēng)為隔板基材501 。在基材501的兩端固定的情況下， 通過(guò)加熱器502，將基材501縱向方向上的一部分加熱到軟化點(diǎn)以上 的溫度。根據(jù)該實(shí)例，該溫度為500至700。C。接著，在加熱端的方 向上以速度V2進(jìn)送基材501，從加熱器502的相對(duì)端以速度V1拉出 基材501。在進(jìn)入加熱器502之前的橫截面面積S2和從加熱器502 出來(lái)的橫截面面積S1設(shè)計(jì)成滿(mǎn)足下述關(guān)系S2xV2-SlxVl。尤其是， 進(jìn)入之前和輸出之后的橫截面被設(shè)計(jì)成彼此相似。將拉伸后的基材切 割成所需的長(zhǎng)度。金剛石切割機(jī)、激光切割機(jī)等用于切割。根據(jù)該實(shí) 例，在與圖5相比較圖示時(shí)，膜形成之前的隔板506的各個(gè)部分尺寸 如下隔板的厚度101為195nm,隔板的長(zhǎng)度102為1600nm,前板 側(cè)上的平坦部分的長(zhǎng)度為337nm，背板側(cè)上的平坦部分的長(zhǎng)度為 33nm。共有42個(gè)凹槽，凹槽間距為30nm。前板側(cè)上有8個(gè)凹槽， 凹槽的深度為10.5nm。在背板側(cè)上有10個(gè)凹槽，凹槽的深度為12.5 jim。在過(guò)渡區(qū)域106中有24個(gè)凹槽，其中凹槽的深度從背板側(cè)凹槽 深度到前板側(cè)凹槽深度線(xiàn)性地變化。使用表面粗糙度測(cè)量?jī)x(由三豐 公司制造的SV-3000)，測(cè)量隔板的實(shí)際尺寸。接下來(lái)，通過(guò)在膜形成之后在隔板端面506上進(jìn)行濺射，形成低 阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜。在前板側(cè)，濺射金(Au)和鋁(Al)，從而形成由金 (Au)、鋁(Al)、氣(O)和氮(N)所組成的化合物構(gòu)成的膜。 膜厚為O.lnm。在背板側(cè)上形成5-nm厚度鴒(W)膜。接下來(lái)，在隔板表面上濺射金(Au)和鋁(Al)，從而形成由 金(Au)、鋁(Al)、氧(O)和氮(N)所組成的化合物構(gòu)成的膜， 作為高阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜。該化合物具有約1E+11 (Q/)的表面電阻，膜 厚為0.1,。此外，在高阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜上濺射鎢(W)和鍺(Ge)，從而形 成由鎢(W)、鍺(Ge)、氧(O)和氮(N)所組成的化合物構(gòu)成 的膜，作為高阻抗靜電膜。該化合物具有約1E+14(Q/)的表面電阻， 膜厚為—。由此所產(chǎn)生的隔板具有如圖6所示的表面膜組合物。在前板側(cè)端 面和背板側(cè)端面上存在低阻抵靠表面電勢(shì)調(diào)節(jié)膜。在低阻抵靠表面電 勢(shì)調(diào)節(jié)膜上，隔板被高阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜包圍。然后，高阻電勢(shì)調(diào)節(jié)膜被 高阻抗靜電膜覆蓋。這些膜對(duì)其各自下面緊鄰的膜具有足夠粘附性， 但是未被混合時(shí)各個(gè)組成部分分別起作用。上述的背板、前板、隔板和支撐框架構(gòu)成圖2所示的圖像顯示設(shè) 備的外殼90。首先，通過(guò)在背板上用預(yù)定力拉伸兩個(gè)縱向端，在掃描 布線(xiàn)上安裝隔板，并且用粘合劑將兩個(gè)縱向端固定。通過(guò)參照?qǐng)D2中 用虛框包圍的部分，描述外殼90的密封結(jié)構(gòu)。用燒熔玻璃將支撐框 架86和背板固定在一起。通過(guò)接合元件206，結(jié)合支撐框架86和前 板82?？捎糜诮雍显?06的材料包括足夠軟以吸收背板81和前板 82之間的熱膨脹系數(shù)之差并在高溫下不會(huì)釋放很多氣體的材料。銦 (In)用于本實(shí)例中。將底涂層204施加到支撐框架86和前板82通 過(guò)接合元件206所結(jié)合的部分，以提高界面上的粘附力。在本實(shí)例中，
使用銀(Ag)，相對(duì)于銦(In)，銀(Ag)具有良好的潤(rùn)濕性。當(dāng)密封外殼90時(shí)，由于不同顏色的熒光體必須與電子發(fā)射器件 匹配，需要通過(guò)將上基底和下基底輕推而充分對(duì)準(zhǔn)。由于根據(jù)本實(shí)例的表面導(dǎo)電電子發(fā)射器件的上述基本特性，通過(guò) 施加在相對(duì)的器件電極之間的脈沖電壓的振幅和寬度，控制電子發(fā)射 特性以便進(jìn)行半調(diào)色。當(dāng)放置大量電子發(fā)射器件時(shí)，通過(guò)掃描線(xiàn)信號(hào) 選擇布線(xiàn)，通過(guò)信息信號(hào)布線(xiàn)(X側(cè)導(dǎo)線(xiàn))，將脈沖電壓施加在各個(gè) 器件，從而允許將不同電壓施加在任何所需的器件上，從而允許獨(dú)立 地控制各個(gè)器件。將描述圖像顯示設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)單元。圖11的框圖概述了根據(jù) 本實(shí)例的圖像顯示設(shè)備結(jié)構(gòu)，其中圖像顯示設(shè)備用于基于電視信號(hào)的 電視顯示器。使用電子發(fā)射器件的圖像顯示面板301的Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn)與施加掃描 線(xiàn)信號(hào)的掃描驅(qū)動(dòng)電路的掃描信號(hào)電路302連接。另一方面，X側(cè)導(dǎo) 線(xiàn)與施加信息信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的脈沖寬度調(diào)制電路305和調(diào)制電 壓轉(zhuǎn)換電路307連接。關(guān)于電壓調(diào)制，適當(dāng)?shù)卣{(diào)制輸入電壓脈沖的振 幅。關(guān)于脈沖寬度調(diào)制，調(diào)制輸入并行圖像信號(hào)的電壓脈沖的寬度。同步控制電路303基于從解碼器306接收到同步信號(hào)來(lái)發(fā)送出同 步控制信號(hào)。解碼器306是將同步信號(hào)分量和圖像信號(hào)分量與外部輸 入電視信號(hào)分離的電路。圖像信號(hào)分量與所述同步信號(hào)同步輸入一個(gè) 并行轉(zhuǎn)換電路304。并行轉(zhuǎn)換電路304的操作是基于來(lái)自同步控制電路303的信號(hào)而 控制的，隨著圖像信號(hào)串行地輸入，并行轉(zhuǎn)換電路304按照時(shí)間順序 對(duì)圖像信號(hào)進(jìn)行串行到并行的轉(zhuǎn)換。將經(jīng)過(guò)串行到并行轉(zhuǎn)換的圖像信 號(hào)作為用于電子發(fā)射器件的并行信號(hào)輸出。如上所述，才艮據(jù)本實(shí)例，當(dāng)通過(guò)圖形顯示i殳備中的X導(dǎo)線(xiàn)和Y 導(dǎo)線(xiàn)施加電壓時(shí)，電子發(fā)射器件釋放電子。此外，圖像顯示設(shè)備通過(guò) 高壓端子Hv施加高壓到金屬背面，金屬背面是陽(yáng)極電極，從而使從 電子發(fā)射器件釋放的電子加速，因此使電子入射在熒光體上以顯示圖
像。如本文所描述那樣配置的圖像顯示設(shè)備只是根據(jù)本發(fā)明的圖像顯 示設(shè)備的例子，基于本發(fā)明的技術(shù)思想，可以進(jìn)行各種修改?？赡艿妮斎胄盘?hào)包括NTSC、 PAL和HDTV。將描迷根據(jù)本實(shí)例的電子束位置校正。根據(jù)本實(shí)例，絕緣層和掃 描布線(xiàn)(Y側(cè)導(dǎo)線(xiàn))的組合高度是75nm,像素間距是630nm，如上 所述，在隔板和第一最接近電子源的中心之間的距離是215jun。此夕卜， 由于通過(guò)上述隔板形狀適當(dāng)?shù)匦Ｕ谝蛔罱咏骷?，僅在第二最接近 器件(圖13A)中安裝傾斜的器件電極。為了在遠(yuǎn)離隔板的方向上校 正第二最接近器件0.51%，將角度e設(shè)置為1.9度。也就是說(shuō)，第二 最接近器件的器件電極以這樣方式形成使得器件電極之間間隙的縱 向方向相對(duì)于與隔板縱向方向垂直的方向成1.9度的角度傾斜。另一 方面，除了第二最接近器件以外的器件的器件電極以這樣的方式形成 使得器件電極之間間隙的縱向方向與垂直于隔板縱向方向的方向平 行。這樣得到的圖像顯示設(shè)備在第一最接近器件和第二最接近器件的 電子束入射位置上沒(méi)有偏離。 (實(shí)例2)該實(shí)例與實(shí)例1的不同之處在于絕緣層和掃描布線(xiàn)的總高度為 45nm。隔板和第一最接近電子源的中心之間的距離為215nm。因此， 第一最接近器件的電子束位置被吸引0.43%。第二最接近器件的電子 束入射位置與實(shí)例1中的電子束入射位置相同。這樣，在遠(yuǎn)離隔板的 方向上校正第一最接近器件的電子束入射位置的偏離(圖13D)。也 就是說(shuō)，第一最接近器件和第二最接近器件的器件電極以這樣的方式 形成使得器件電極之間間隙的縱向方向相對(duì)于與隔板縱向方向垂直 的方向傾斜。也就是說(shuō)，第一最接近器件的器件電極以這樣的方式形 成使得器件電極之間間隙的縱向方向相對(duì)于與隔板縱向方向垂直的 方向成1.6度的角度傾斜。這樣，第二最接近器件比第一最接近器件 更加傾斜。這樣得到的圖像顯示設(shè)備在笫一最接近器件和第二最接近 器件的電子束入射位置上沒(méi)有偏離。 (實(shí)例3)
該實(shí)例與實(shí)例1的不同之處在于像素間距為483jim，隔板的 厚度為16(Him，并且隔板和第一最接近器件之間的距離為161.5nm。 在第一最接近器件中沒(méi)有使用傾斜的器件電極。另一方面，在第二最 接近器件和第三最接近器件中，傾斜的器件電極相對(duì)于遠(yuǎn)離隔板的方 向分別傾斜3.0和1.5度(圖13B)。本實(shí)例得到的圖像顯示設(shè)備圖 像質(zhì)量沒(méi)有降級(jí)。這樣，通過(guò)根據(jù)其特征將表面具有凹凸圖案和高阻膜的隔板與傾 斜的器件電極結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)沒(méi)有電子束偏離的較高質(zhì)量的圖像顯示 設(shè)備.隨便提一下，本文所指的 一對(duì)器件電極之間間隙的縱向方向是指 連接間隙兩個(gè)相對(duì)端的直線(xiàn)的方向。因此，例如，如果所述一對(duì)器件 電極成形為圖14所示的形狀，所述一對(duì)器件電極間隙的縱向方向與 線(xiàn)段A-A，延伸方向重合。隨便提一下，器件電極用2和3標(biāo)識(shí)，導(dǎo)電 膜用4標(biāo)識(shí)，電子發(fā)射部分用5標(biāo)識(shí)，與上述的其他附圖的情況一樣。通過(guò)校正由于距離隔板的間隔距離不同所引起的電子束入射位 置差異，本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的圖像顯示設(shè)備。雖然已經(jīng)就范例實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不 局限于所公開(kāi)的范例實(shí)施例。應(yīng)該最廣義地解釋下述權(quán)利要求的范 圍，以包括所有的這種修改和等同結(jié)構(gòu)及功能。
權(quán)利要求
1、一種圖像顯示設(shè)備，包括背板，在其上包括第一電子發(fā)射器件和第二電子發(fā)射器件，每一個(gè)電子發(fā)射器件都具有一對(duì)器件電極和位于所述一對(duì)器件電極之間的電子發(fā)射區(qū)域，所述一對(duì)器件電極彼此相對(duì)設(shè)置且其間夾有一個(gè)間隙；前板，其具有熒光體；以及板狀隔板，其設(shè)置在所述背板和所述前板之間，更靠近所述第一電子發(fā)射器件而非所述第二電子發(fā)射器件，其中所述第一電子發(fā)射器件的所述間隙的縱向方向相對(duì)于與所述隔板縱向方向垂直的方向成第一傾斜角度傾斜，所述第二電子發(fā)射器件的所述間隙的縱向方向相對(duì)于與所述隔板縱向方向垂直的方向成第二傾斜角度傾斜，并且所述第二傾斜角度大于所述第一傾斜角度。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示設(shè)備，其中第一傾斜角度是零。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示設(shè)備，還包括第三電子發(fā)射 器件，該第三電子發(fā)射器件包括彼此相對(duì)設(shè)置且其間夾有一個(gè)間隙的 一對(duì)器件電極、以及在所述一對(duì)器件電極之間的電子發(fā)射區(qū)域，所述 第三電子發(fā)射器件設(shè)置成不更靠近所述隔板而非所述第二電子發(fā)射 器件，其中所述第三電子發(fā)射器件的間隙的縱向方向相對(duì)于與所述隔 板縱向方向垂直的方向成第三傾斜角度傾斜，以及所述第三傾斜角度 小于第二傾斜角度。
全文摘要
提供一種更小電子束偏移的圖像顯示設(shè)備，其中通過(guò)使最接近隔板100的第一電子發(fā)射器件發(fā)射的電子的初始速度矢量和平行于隔板100的縱向方向的線(xiàn)所形成的角度絕對(duì)值更小，而不是使第二接近隔板100的第二電子發(fā)射器件發(fā)射的電子的初始速度矢量和平行于隔板100的縱向方向的線(xiàn)所形成的角度絕對(duì)值更小。
文檔編號(hào)H01J31/15GK101211740SQ20071016085
公開(kāi)日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日
發(fā)明者山戶(hù)田武史, 山野明彥 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社;株式會(huì)社東芝