專利名稱：等離子顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于等離子顯示器的結(jié)構(gòu)的技術(shù)，尤其是關(guān)于能夠有效提高放電效率的等離子顯示器的。
背景技術(shù)：
等離子顯示器(PLASMA DISPLAY PANEL以下稱“PDP”)是利用He+Xe，Ne+Xe和He+Ne+Xe等惰性氣體的混合氣體放電時(shí)所發(fā)出的紫外線來使熒光體發(fā)光，顯示圖像的。這種PDP不僅能很容易被做得超薄化和大型化，而且，借助于最近技術(shù)的開發(fā)，它還能大幅度提高畫面質(zhì)量。
參照圖1可知，3電極交流面放電型等離子顯示器的放電單元體包括在上部基板10上形成的掃描電極8Y、維持電極8Z和下部基板12上形成的尋址電極2。
掃描電極8Y和維持電極8Z分別包含透明電極4Y、4Z和比透明電極4Y、4Z寬度小，位于透明電極一側(cè)邊緣的金屬總線電極6Y、6Z。透明電極4Y、4Z的制造材料通常使用銦錫氧化物(Indium-Tin-OxideITO)，并在上部基板10上形成。金屬總線電極6Y、6Z的制造材料通常使用鉻(Cr)等金屬，在透明電極4Y、4Z上形成，具有利用電阻很大的透明電極4Y、4Z來使電壓降下來的作用。這種金屬總線(BUS)電極6Y、6Z位于透明電極4Y、4Z上，并利用電阻大的透明電極4Y、4Z來降低電壓。并排設(shè)置了掃描電極(4Y)和維持電極(4Z)的上面板10上還分別疊加設(shè)置了上電介質(zhì)層14和保護(hù)膜16。上電介質(zhì)層14對等離子放電時(shí)生成的壁電荷進(jìn)行累積。保護(hù)膜16對上電介質(zhì)層14進(jìn)行保護(hù)，使之不受等離子放電時(shí)所產(chǎn)生的帶電粒子激射影響，提高2次電子放出效率。保護(hù)膜16一般都用氧化鎂(MgO)制成。尋址電極2沿與掃描電極(8Y)和維持電極(8Z)相交叉的方向，被設(shè)置在下部基板12上。設(shè)置了尋址電極2的下部基板12上還設(shè)置了下電介質(zhì)層16和間隔壁20。
下電介質(zhì)層16和間隔壁20的表面上設(shè)置了熒光體層22。間隔壁20與尋址電極2并排設(shè)置，從結(jié)構(gòu)上將放電單元體分割開，它們是用來防止放電所產(chǎn)生的紫外線和可視光泄露到臨近的放電單元體中去的。熒光體層22依靠等離子放電時(shí)所產(chǎn)生的紫外線發(fā)光，產(chǎn)生紅色、綠色或藍(lán)色光中的任意一種可視光。為了進(jìn)行放電，向上/下部基板10、12和間隔壁20之間所形成的放電空間中注入了He+Xe，Ne+Xe及HE+NE+Xe等隋性混合氣體。
這種PDP的放電原理如下如果在電極間加入電壓的話，氣體中所存在的電子便向(+)電極方向加速前進(jìn)。得到了高速的的電子與中性氣體發(fā)生沖突，依靠沖突得到能量的中性氣體經(jīng)過分離出(+)離子和電子的電離過程，使中性氣體的最外圍電子向高能量級別移動(dòng)，引起照射過程。在此過程中，引起照射過程的中性氣體恢復(fù)到能量較低狀態(tài)的基礎(chǔ)狀態(tài)，相當(dāng)于其能量差的那部分能量便以具有特定波長的紫外線的形態(tài)被釋放出來。熒光體吸收到此時(shí)所生成的紫外線，以高能量狀態(tài)進(jìn)行照射，便重新恢復(fù)到能量較低的基礎(chǔ)狀態(tài)，同時(shí)，放出光能量和可視光線。
通過這種過程釋放出的可視光線的光速如下數(shù)學(xué)式1F＝Kβηhγψ在這里，F(xiàn)代表的是所輸出可視光的光速，K代表的是放電間隔空間內(nèi)熒光體的涂抹面積，β代表的是熒光體放射可視光的放電單元體的脫出效率，η代表的是熒光體的量子效率，h代表的是可視光的能量，γ代表的是視覺度，ψ代表的是放電單元體單位面積照射的紫外線光速。
通過該數(shù)學(xué)式，在決定可視光線光速F的可視因素中，其中一個(gè)便是熒光體的涂抹面積K，并由數(shù)學(xué)式可知，可視光線的光速F與熒光體的涂抹面積K是成正比例的，如果涂抹面積K大，可視光線的光速F便大，可視光線的光速F大便意味著PDP的放電效率高。
如果考慮到PDP的綜合效率不到1％這一點(diǎn)的話，為了提高PDP的效率，多角度的改善方案正在研究之中，在這些方案中，其中一個(gè)便是改善放電空間的熒光體的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是為了解決上述問題，提供一種能夠提高放電效率的等離子顯示器(PDP)的結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器，是在上部基板一側(cè)面形成多個(gè)成對的平行的掃描電極和維持電極，在下部基板上與上述掃描電極和維持電極相交叉的方向上形成多個(gè)尋址電極，在上述下部基板上形成間隔壁對放電空間進(jìn)行分割，在上述間隔壁之間形成熒光體的3電極面放電型的等離子顯示器，具有如下特征放電空間被具有較短邊和較長邊的間隔壁所包圍，上述間隔壁的較短邊中至少有一個(gè)面形成突出部分，從而形成凹凸形狀。
上述突出部分具有數(shù)個(gè)以上。
上述突出部分不進(jìn)入到引起主放電的放電空間的中心部位。
上述各突出部分間的間隔為30μm以上。
除上述目的外，本發(fā)明的其它目的和特征參照附圖，通過對實(shí)施例進(jìn)行說明便能夠清楚。
本發(fā)明的效果如上所述，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器使熒光體的發(fā)光面積擴(kuò)大了，從而能夠增加放電效率。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。


圖1是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的3電極等離子顯示器的視圖。
圖2是用來顯示依據(jù)本發(fā)明的第1實(shí)施例的等離子顯示器的視圖。
圖3是用來顯示依據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)施例的等離子顯示器的視圖。
圖4a至圖4f是用來顯示依據(jù)本發(fā)明的間隔壁的制造流程圖。
附圖中主要部分的符號說明4Y，4Z透明電極 6Y，6Z總線電極10，11上部基板 12，32，62下部基板14，16，34，36，66電介質(zhì)層 18，38保護(hù)膜20，40間隔壁 50，60，90間隔壁的突出部分74遮光框 80噴砂處理裝置70a，70b間隔壁所使用的涂料
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖2至附圖4f，對依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器(PDP)的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖2是用來顯示依據(jù)本發(fā)明的第1實(shí)施例的等離子顯示器的視圖。參照圖2可知，依據(jù)本發(fā)明的PDP的放電單元體具有以下結(jié)構(gòu)在上部基板11和下部基板32間利用間隔壁40形成區(qū)分的放電空間結(jié)構(gòu)。在上部基板11上主要形成以下各部分對放電單元體進(jìn)行掃描，輸入引起維持放電電壓的掃描電極28Y；輸入主要引起維持放電電壓的維持電極28Z；在掃描電極28Y和維持電極28Z上按次序疊加的上電介質(zhì)層層34和保護(hù)膜38。在下部基板32上具有以下各部分用于輸入對放電單元體進(jìn)行尋址的電壓的尋址電極52，在尋址電極上疊加的下電介質(zhì)層層36；對放電單元體進(jìn)行結(jié)構(gòu)區(qū)分的間隔壁40；涂抹于間隔壁40和下電介質(zhì)層層36上的熒光體層42。
掃描電極28Y和維持電極28Z分別包含透明電極24Y、24Z和比透明電極24Y、24Z寬度小，位于透明電極一側(cè)邊緣的金屬總線電極26Y、26Z。透明電極24Y、24Z的制造材料通常使用銦錫氧化物(Indium-Tin-OxideITO)，并在上部基板11上形成。金屬總線電極26Y、26Z的制造材料通常使用鉻(Cr)等金屬，在透明電極24Y、24Z上形成，具有利用電阻很大的透明電極24Y、24Z來使電壓降下來的作用。上電介質(zhì)層層34在上部基板11上形成，如果輸入電壓的話，便會(huì)引起分極現(xiàn)象，等離子放電時(shí)便會(huì)積累壁電荷。保護(hù)膜38對上電介質(zhì)層34進(jìn)行保護(hù)，使之不受等離子放電時(shí)所產(chǎn)生的帶電粒子激射影響，提高2次電子放出效率。保護(hù)膜38一般都用氧化鎂(MgO)制成。尋址電極52沿與掃描電極28Y和維持電極28Z相交叉的方向，被設(shè)置在下部基板32上。設(shè)置了尋址電極52的下部基板32上還設(shè)置了下電介質(zhì)層36和間隔壁40。間隔壁40與尋址電極52平行設(shè)置，從結(jié)構(gòu)上將放電單元體分割開，它們是用來防止放電所產(chǎn)生的紫外線和可視光泄露到臨近的放電單元體中去的。向上/下部基板11、32和間隔壁40之間所形成的放電單元體的空間中注入了He+Xe，Ne+Xe及HE+NE+Xe等隋性混合氣體。下電介質(zhì)層層36和間隔壁40的表面上涂抹了熒光體層42。熒光體層42依靠等離子放電時(shí)所產(chǎn)生的紫外線照射發(fā)光，產(chǎn)生紅色、綠色或藍(lán)色光中的任意一種可視光。依據(jù)本發(fā)明的PDP的間隔壁40具有在較短邊上形成突出部分50的特征。PDP為了表現(xiàn)出顏色，利用紅色、綠色和藍(lán)色的子像素形成一個(gè)像素，所以一個(gè)子像素如圖所示，構(gòu)成具有較短邊和較長邊的直四邊形結(jié)構(gòu)。同時(shí)，因?yàn)镻DP放電中的維持放電在掃描電極28Y和維持電極28Z之間引起，所以如圖所示，以放電單元體的較短邊為直徑具有圓形形態(tài)。放電空間中的放電區(qū)域以外的空間直接對放電產(chǎn)生影響。依據(jù)本發(fā)明的PDP具有如下效果利用這種空間能夠擴(kuò)大熒光體的涂抹面積，使間隔壁40形成凹凸形狀，所以如上述數(shù)學(xué)式1所示，擴(kuò)大了熒光體的涂抹面積，從而能夠增加可視光線的光速，同時(shí)，能夠大大提高PDP的效率。
圖3是用來顯示依據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)施例的等離子顯示器的視圖。參照圖3可知，依據(jù)本發(fā)明的PDP的放電單元體具有以下結(jié)構(gòu)在上部基板11和下部基板32間利用間隔壁40形成區(qū)分的放電空間結(jié)構(gòu)。在上部基板11上主要形成以下各部分對放電單元體進(jìn)行掃描，輸入引起維持放電電壓的掃描電極(28Y)；輸入主要引起維持放電電壓的維持電極28Z；在掃描電極28Y和維持電極(28Z)上按次序疊加的上電介質(zhì)層層34和保護(hù)膜38。在下部基板32上具有以下各部分用于輸入對放電單元體進(jìn)行尋址的電壓的尋址電極52，在尋址電極上疊加的下電介質(zhì)層層36；對放電單元體進(jìn)行結(jié)構(gòu)區(qū)分的間隔壁40；涂抹于間隔壁40和下電介質(zhì)層層36上的熒光體層42。在圖3中，與上例中實(shí)際相同的構(gòu)成部件使用了相同的符號，并且將對其的詳細(xì)說明省略了。
依據(jù)該實(shí)施例的PDP的間隔壁40的較短邊上具有多個(gè)突出部分60，形成凹凸形狀。圖中所顯示的是具有兩個(gè)突出部分60的間隔壁40。多個(gè)突出部分60之間的距離為11以上。
這是因?yàn)樗康臒晒怏w的厚度為10μm以上，所以為了有效提高熒光體的涂抹效率，從實(shí)質(zhì)上擴(kuò)大熒光體的涂抹面積，各突出部分60之間的距離應(yīng)該在30μm以上。
另一方面，在圖2和圖3中，根據(jù)說明的依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，各放電單元體內(nèi)所包含的間隔壁40上形成的一個(gè)以上的突出部分50、60的長度為10至100μm，各突出部分50、60的寬幅為25至80μm。在這里，突出部分50、60的長度為10μm以下的話，擴(kuò)大熒光體的涂抹面積幾乎沒有效果。如果超過100μm以上的話，引起主放電的主放電空間非常窄，所以便不能夠很好引起放電。同時(shí)，突出部分50、60的寬幅如果是25μm以下的話，對突出部分50、60進(jìn)行燒制時(shí)，突出部分50、60便陷進(jìn)去，或者引起很嚴(yán)重的變形，如果寬幅為80μm以上的話，突出部分50、60便具有了區(qū)分放電單元體的間隔壁的功能，所以放電空間便會(huì)變窄，反而會(huì)降低熒光體的涂抹面積。
因此，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的突出部分50、60能夠形成一個(gè)以上，突出部分50、60的長度為10至100μm，寬幅為25至80μm，兩個(gè)以上的突出部分之間的間隔應(yīng)該為30μm以上，必須充分滿足以上條件才行。例如，在依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的突出部分50、60的個(gè)數(shù)能夠?yàn)?個(gè)以上，6個(gè)以下。
依據(jù)本發(fā)明的PDP如上所述，除了在間隔壁的較短邊上形成突出部分外，也可以在間隔壁的較長邊上形成突出部分，從而大大增加熒光體的涂抹面積。如果在間隔壁的較長邊上形成突出部分的話，突出部分的長度和寬幅雖然可以與在較短邊上形成突出部分的情況不同，但兩個(gè)以上突出部分之間的間隔應(yīng)該充分滿足超過30μm以上的條件。
依據(jù)本發(fā)明的PDP的間隔壁可以利用以下公知的方法進(jìn)行加工處理形成屏幕印刷(Screen printing)法，添加(Additive)法，感光性涂布法，LTCCM(LovwTemperature Corature Ceramic on Metal)方法，噴砂處理(Sand Blasting)法等。
運(yùn)用噴砂處理法來制造依據(jù)本發(fā)明的間隔壁的制造方法如圖4a至4f所示，下面將對此進(jìn)行說明。
參照圖4a可知，包含尋址電極(圖中未顯示)的下部基板62上形成有電介質(zhì)層66，在電介質(zhì)層66上形成具有燒制高度的間隔壁所使用的涂料70a、70b。間隔壁所使用的涂料70a、70b是運(yùn)用印刷法或者涂膜等方法形成的，它由白色層涂料70a和黑色層涂料70b依次疊加所形成的。
參照圖4b可知，在間隔壁所使用的涂料70a、70b上形成有干薄膜樹脂(DryFilm Resin；以下稱之為DFR)。DFR72與間隔壁用黑色層涂料70b相結(jié)合。利用燒制溫度的熱和所施加的均勻壓力與DFR72相結(jié)合。
參照圖4c可知，在DFR72上排列有遮光框74，并向其上照射光線。遮光框74具有依據(jù)本發(fā)明特征的突出部分90，能夠排列出具有凹凸形狀的間隔壁模樣。如果經(jīng)過此后的流程，被遮光框所遮蓋的區(qū)域能夠阻斷光線，所以只留下間隔壁的形狀。
參照圖4d可知，在露光流程中，實(shí)施DFR72的顯像工藝。通過顯像工藝，與不露光區(qū)域的DFR72殘留到黑色層間隔壁所使用的涂料70b上相反，露出光的區(qū)域的DFR72進(jìn)行蝕刻除去。
參照圖4e可知，噴砂處理裝置80驅(qū)動(dòng)，將沙子粒子噴射到間隔壁所使用的涂料中。此時(shí)，因?yàn)樯匙恿Ｗ拥募ど?，與間隔壁所使用的涂料70a、70b被削掉相反，相當(dāng)于間隔壁大小的涂料70a、70b被DFR72板所保護(hù)。結(jié)果，經(jīng)過噴砂處理工藝后形成間隔壁。
參照圖4f可知，對經(jīng)過噴砂處理工藝后形成的間隔壁實(shí)施剝離工藝。經(jīng)過剝離工藝處理后，DFR72便被剝離出來。接下來，對間隔壁所使用的涂料70a、70b進(jìn)行燒制，形成間隔壁，在間隔壁的較短邊上形成突出部分，最終形成凹凸形態(tài)。
本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來說明本發(fā)明，而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實(shí)施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器，是在上部基板一側(cè)面形成多個(gè)成對的平行的掃描電極和維持電極，在下部基板上與上述掃描電極和維持電極相交叉的方向上形成多個(gè)尋址電極，在上述下部基板上形成間隔壁對放電空間進(jìn)行分割，在上述間隔壁之間形成熒光體的3電極面放電型的等離子顯示器，其特征在于包括以下部分由短邊和長邊構(gòu)成的開閉型間隔壁；在上述短邊和長邊中至少有一邊上形成的向外突出的一個(gè)以上的突出部分。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于上述每個(gè)突出部分的長度為10至100μm。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于上述每個(gè)突出部分的寬幅為25至80μm。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于兩個(gè)以上的上述突出部分之間的間隔為超過30μm以上。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于上述突出部分從兩個(gè)以上的短邊或者兩個(gè)以上的長邊向外突出，從上述兩個(gè)以上的短邊或者兩個(gè)以上的長邊突出出來的每個(gè)突出部分在同一直線上形成，并互相相對。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于上述突出部分的個(gè)數(shù)為一個(gè)以上，六個(gè)以下。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于等離子顯示器，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器具有如下特征放電空間被具有短邊和長邊的間隔壁所包圍，上述間隔壁的較短邊中至少有一個(gè)面形成突出部分，從而形成凹凸形狀。本發(fā)明的等離子顯示器使熒光體的發(fā)光面積擴(kuò)大了，從而能夠增加放電效率。
文檔編號H01J17/16GK101038845SQ20061002468
公開日2007年9月19日 申請日期2006年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月15日
發(fā)明者崔泰完 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司