專利名稱：能夠降低不會(huì)聚的陰極射線管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于電視接收機(jī)、計(jì)算機(jī)顯示器等的陰極射線管。
背景技術(shù)：
通常，彩色陰極射線管器件光柵通過使用具有水平和垂直偏轉(zhuǎn)線圈的偏轉(zhuǎn)磁軛在水平和垂直方向上偏轉(zhuǎn)從同軸電子槍發(fā)射的三個(gè)電子束掃描形成在面板的內(nèi)側(cè)上的熒光屏。
由于垂直偏轉(zhuǎn)線圈垂直偏轉(zhuǎn)電子束，由線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布(此后稱為“垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)”)具有例如所謂的桶狀。另一方面，因?yàn)樗狡D(zhuǎn)線圈水平偏轉(zhuǎn)電子束，由此線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布(此后稱為“水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)”)具有例如所謂的枕形。為了實(shí)現(xiàn)其中三個(gè)電子束在熒光屏上聚焦在單一點(diǎn)的自會(huì)聚，使得偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生具有上述分布的磁場(chǎng)。
垂直偏轉(zhuǎn)線圈環(huán)繞附接到樹脂框架(絕緣體)的鐘形鐵芯纏繞。在制造過程期間，鐵芯有時(shí)相對(duì)于樹脂框架的中心軸橫向偏移地與芯部的中心軸連接。
這里，“橫向”(左/右)用于表示水平方向，帶有由垂直平面限定的在左和右之間的邊界，該垂直平面包括當(dāng)從屏幕側(cè)面觀看時(shí)陰極射線管的管軸。另一方面，“垂直”(上/下)用于表示垂直方向，帶有由水平平面限定的在上和下之間的邊界，該水平平面包括當(dāng)從屏幕側(cè)面觀看時(shí)陰極射線管的管軸。
當(dāng)偏轉(zhuǎn)磁軛安裝在陰極射線管中使得樹脂框架的中心軸與陰極射線管的管軸對(duì)齊，并且如上所述的與鐵芯的中心軸偏移時(shí)，因?yàn)榇怪逼D(zhuǎn)磁場(chǎng)的中心軸與管軸偏移，所以垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的分布以在管軸的左右側(cè)不對(duì)稱結(jié)束(所謂的“離軸磁場(chǎng)”)。結(jié)果發(fā)生不會(huì)聚，其中三個(gè)電子束的著屏位置垂直位移(此后稱為“Yv不會(huì)聚”)。
這里使用具體的例子描述Yv不會(huì)聚，其中在從上面看鐵芯91的圖1中示出當(dāng)從屏側(cè)面觀看時(shí)在鐵芯91的中心軸A偏移到管軸Z的右側(cè)時(shí)由垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布。圖2示出當(dāng)由垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布如圖1所示時(shí)在屏幕上發(fā)生的Yv不會(huì)聚。
應(yīng)注意，因?yàn)轱@示在鐵芯91內(nèi)分布的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)92，所以在圖1中未描述纏繞鐵芯91的水平偏轉(zhuǎn)線圈。當(dāng)電子束已向上偏轉(zhuǎn)時(shí)，在圖1中用箭頭表示磁場(chǎng)92的取向。
當(dāng)從屏幕側(cè)面觀看時(shí)，從同軸設(shè)置的電子槍94從左手側(cè)以藍(lán)(B)、綠(G)和紅(R)的順序發(fā)射電子束(在圖1中，紅、綠、藍(lán)分別用“R”、“G”、“B”表示)。而且，由于該磁場(chǎng)為桶形，所以磁場(chǎng)92的分布的磁通密度隨著距磁場(chǎng)92中心軸的距離的增加而增加。
因此，定位于三色電子束的最左面的藍(lán)色電子束B受離軸磁場(chǎng)影響最大，其次是綠色電子束G。結(jié)果，如圖2所示，三色電子束的著屏位置垂直位移，從上面變?yōu)樗{(lán)、綠、紅(圖2中也采用“R”、“G”、“B”表示紅、綠、藍(lán))。應(yīng)注意，Yv不會(huì)聚引起顏色偏移等。
校正Yv不會(huì)聚的一個(gè)方法涉及利用漏磁場(chǎng)93(參見圖1)，該磁場(chǎng)從由垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)泄漏到電子槍側(cè)的偏轉(zhuǎn)磁軛的外面(例如參見日本專利申請(qǐng)公開文件5-244614)。根據(jù)該方法，來自垂直偏轉(zhuǎn)線圈的漏磁場(chǎng)通過將兩個(gè)基本為“L”形的磁體附接到電子槍側(cè)上的偏轉(zhuǎn)線圈的端面上的管軸的左右來聚焦或分散以局部加強(qiáng)或減弱漏磁場(chǎng)，由此每個(gè)磁體的臂與管軸平行。
雖然使用該方法可以降低不會(huì)聚，但是該降低很小且應(yīng)用范圍有限。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題所產(chǎn)生的本發(fā)明的目的是提供一種使用簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，通過有效利用當(dāng)偏轉(zhuǎn)電子束時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)能夠提高不會(huì)聚的降低量的陰極射線管器件。
為了獲得上述目的，關(guān)于本發(fā)明的陰極射線管器件由陰極射線管、偏轉(zhuǎn)磁軛、磁體構(gòu)成，其中陰極射線管包括具有連接到面板的錐體的玻璃管殼和設(shè)置在錐體的管頸內(nèi)的電子槍；偏轉(zhuǎn)線圈環(huán)繞錐體的外側(cè)安裝并偏轉(zhuǎn)由電子槍發(fā)射的電子束；而磁體沿縱向在中途折返由此第一端和第二端向陰極射線管的管軸線沿縱向延伸，并且設(shè)置在偏轉(zhuǎn)磁軛的電子槍附近，第一端比第二端的位置更靠近偏轉(zhuǎn)磁軛。
這里，沿縱向中途折返的磁體是一個(gè)概念，它包括如直角“U”形、“M”形、非對(duì)稱“V”形或者半橢圓形。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，當(dāng)在磁體的一端附近偏轉(zhuǎn)電子束時(shí)發(fā)生的磁場(chǎng)的分布(例如從電子槍側(cè)的偏轉(zhuǎn)磁軛泄漏的漏磁場(chǎng))能夠隨著被移入該端的漏磁場(chǎng)的結(jié)果而改變，而且，可以通過從磁體的另一端向管軸線釋放所吸收的漏磁場(chǎng)在減少電子束不會(huì)聚的方向施加磁場(chǎng)。
因此，可以使用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，通過有效地利用偏轉(zhuǎn)電子束時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)，大大提高不會(huì)聚的減少量。
磁體可以具有直角“U”形，并以相對(duì)臂中至少更靠近偏轉(zhuǎn)磁軛的臂基本上與電子槍側(cè)的偏轉(zhuǎn)磁軛的端面平行的狀態(tài)設(shè)置。而且，磁體也可以相對(duì)臂中更靠近電子槍的臂基本上與管軸線垂直的狀態(tài)設(shè)置。
包括在偏轉(zhuǎn)磁軛中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈可以產(chǎn)生桶形磁場(chǎng)，且磁體可以設(shè)置有中心軸線，該中心軸線與磁體相對(duì)臂的至少一個(gè)縱向平行，基本上與陰極射線管的水平軸線對(duì)齊。
這里，“水平軸線”是垂直切割陰極射線管的軸線的水平方向的軸線。
而且，磁體可以僅設(shè)置在管軸線的一側(cè)，在其相對(duì)側(cè)包括在偏轉(zhuǎn)磁軛中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈橫向偏移，由此管軸線位于其間。而且，垂直偏轉(zhuǎn)線圈可以繞鐘形芯螺旋纏繞，磁體可以安裝在芯的最小直徑側(cè)的端面。


結(jié)合說明本發(fā)明的具體實(shí)施例的附圖，從下列描述中將使本發(fā)明的這些目的、優(yōu)點(diǎn)和特征變得顯而易見，其中圖1是鐵芯的示意平面圖，該圖示出由垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布，當(dāng)從屏側(cè)觀看時(shí)鐵芯的中心軸偏移到管軸的右側(cè)；圖2示出當(dāng)由垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布如圖1所示時(shí)在屏幕上發(fā)生的不會(huì)聚；圖3是示出涉及本發(fā)明的彩色陰極射線管器件的示意性結(jié)構(gòu)的半水平剖面圖；圖4是垂直偏轉(zhuǎn)線圈已繞其螺旋纏繞的鐵芯的外部透視圖；圖5是磁體的外部透視圖；圖6是鐵芯的示意平面圖，該圖示出當(dāng)磁體安裝在其一端時(shí)由垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布，當(dāng)從屏側(cè)觀看時(shí)鐵芯的中心軸偏移到管軸的右側(cè)；圖7A到7C示出磁體的變型；
圖8A和8B示出磁體的變型；以及圖9A和9B示出用于不同寬度的磁體的漏磁場(chǎng)的分布。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖描述本發(fā)明實(shí)施例的陰極射線管器件。
1.陰極射線管器件的總體結(jié)構(gòu)圖3是示出涉及本發(fā)明的彩色陰極射線管器件10的示意性結(jié)構(gòu)的半水平剖面圖。器件10由彩色陰極射線管12、偏轉(zhuǎn)磁軛14、會(huì)聚和純度單元(CPU)16等形成。
彩色陰極射線管12將同軸電子槍24、蔭罩26等裝放在由連接到面板20上的錐體22形成的玻璃管殼中。
由系統(tǒng)布置的紅、綠和藍(lán)熒光粉構(gòu)成的熒光屏28形成在面板20的內(nèi)表面上。在蔭罩26中形成大量通孔以使電子束30穿過，由此使得由電子槍24發(fā)射的三個(gè)電子束30準(zhǔn)確地撞擊相應(yīng)的熒光粉。
朝向錐體的頸端繞錐體22的外側(cè)連接的偏轉(zhuǎn)線圈14垂直(上/下)和水平(左/右)地偏轉(zhuǎn)由電子槍24發(fā)射的三個(gè)電子束30，以使用光柵掃描方法在熒光屏28上掃描電子束。
偏轉(zhuǎn)磁軛14包括用于垂直偏轉(zhuǎn)電子束30的垂直偏轉(zhuǎn)線圈36和用于水平偏轉(zhuǎn)電子束30的水平偏轉(zhuǎn)線圈32。如在相關(guān)技術(shù)部分中所描述的，為了實(shí)現(xiàn)自會(huì)聚，分別由偏轉(zhuǎn)線圈32和36產(chǎn)生的磁場(chǎng)為桶形和枕形。
樹脂框架38設(shè)置在偏轉(zhuǎn)線圈32和36之間。樹脂框架38將偏轉(zhuǎn)線圈32和36保持在適當(dāng)位置，以及保持偏轉(zhuǎn)線圈的電絕緣狀態(tài)。
水平偏轉(zhuǎn)線圈32由以例如馬鞍形卷繞的線圈線在樹脂框架38的內(nèi)側(cè)形成，同時(shí)在樹脂框架38的外側(cè)形成的垂直偏轉(zhuǎn)線圈36由以例如螺旋形繞鐵芯34卷繞的線圈線形成。
具有直角“U”形的磁體40附接在鐵芯34的電子槍側(cè)，用于校正/減少Yv不會(huì)聚。在下面的部分具體描述垂直偏轉(zhuǎn)線圈36、鐵芯34和磁體40。
電子槍24容放在管頸23內(nèi)。在電子槍24中，由三個(gè)加熱器(未示出)單獨(dú)加熱的三個(gè)陰極(未示出)在水平方向同軸設(shè)置。
最后，由多個(gè)(例如4個(gè))磁環(huán)形成的已知部件CPU 16設(shè)置在對(duì)應(yīng)于電子槍24的位置，與電子束30相關(guān)的靜態(tài)會(huì)聚、純度等的調(diào)節(jié)由CPU 16執(zhí)行。注意，在進(jìn)行這些調(diào)節(jié)時(shí)先臨時(shí)將偏轉(zhuǎn)線圈14固定在彩色陰極射線管12中，然后一旦完成這些調(diào)節(jié)就將其正式固定。
2.垂直偏轉(zhuǎn)線圈和磁體圖4是鐵芯34和繞鐵芯螺旋卷繞的垂直偏轉(zhuǎn)線圈36的外部透視圖。
如圖4所示，鐵芯34，基本上由兩部分形成的鐘形元件，上芯341和下芯342通過夾緊件344固定在一起。垂直偏轉(zhuǎn)線圈36由上線圈36a和下線圈36b形成，上、下線圈彼此垂直面對(duì)。在上線圈36a中，第一線圈束361和第二線圈束362串聯(lián)連接，在下線圈36b中，第三線圈束363和第四線圈束364串聯(lián)連接。注意，在此雖然鐵芯由上和下部件(即兩個(gè)部件)形成，但是鐵芯也可以由例如左、右部件形成，并且其部件數(shù)量也不限于兩個(gè)。
下面描述磁體40。
如圖3和4所示，磁體40設(shè)置在電子槍側(cè)的鐵芯34的端部附近。
圖5是磁體40的透視圖。
如圖5所示，磁體40由沿縱向中途對(duì)折細(xì)長(zhǎng)件構(gòu)成，從而其第一端和第二端朝陰極射線管的管軸線縱向延伸。磁體40形成為一單件，帶有基本平行的一對(duì)相對(duì)的臂401和402，它們彼此面對(duì)設(shè)置，在相應(yīng)的端部401a和402a通過連接部分403連接(端部401a和402a相當(dāng)于上面提到的彎曲部分)。例如，磁體40具有直角“U”形。
這里，磁體40的高度在相對(duì)的臂401和402的縱向上(圖5中的Y1方向)，寬度在相對(duì)的臂401和402的橫向上(圖5中的X1方向)，而厚度在相對(duì)的臂401和402的連接的方向上(圖5中的Z1方向)。
磁體40由使用例如硅鋼構(gòu)成，并通過例如沖壓板剪切到預(yù)定尺寸形成。
如圖3和4所示，磁體40通過將相對(duì)的臂401固接到電子槍側(cè)的鐵芯34的端面而連接到鐵芯34上，相對(duì)臂401和402的端部401b和402b(即連接部分403的相對(duì)端)朝向管軸線Z延伸，且與管軸線Z接近垂直并在寬度方向穿過磁體40的近似中心的中心線E(在圖5中以點(diǎn)劃線表示并對(duì)應(yīng)于與在本發(fā)明中相對(duì)臂的縱向平行的中心軸線)基本上與陰極射線管12的水平軸線對(duì)齊(即端部401b和402b中的端部401b(相當(dāng)于本發(fā)明的第一端)定位于比另一端部402b(相當(dāng)于第二端)更靠近鐵芯34的狀態(tài))。注意，使用此結(jié)構(gòu)，磁體40使用例如粘結(jié)劑的材料固接。粘結(jié)劑可以是例如硅的合成樹脂材料，并優(yōu)選不腐蝕的材料。
3.通過附接磁體改善不會(huì)聚a.實(shí)驗(yàn)結(jié)果在此描述由將磁體40附接到偏轉(zhuǎn)磁軛14(鐵芯34)所導(dǎo)致的Yv不會(huì)聚的改善。
首先，使用具有離軸磁場(chǎng)的彩色陰極射線管器件測(cè)量不會(huì)聚的量。
所用的彩色陰極射線管器件為帶有104度的偏轉(zhuǎn)角的29英寸平面屏幕型。鐵芯34在軸向(與陰極射線管的管軸線相同)上將近43mm長(zhǎng)，并在電子槍和面板側(cè)分別具有55mm和110mm的外徑。
如本說明書的相關(guān)技術(shù)部分所描述的，鐵芯34附接到其中心軸線偏移到右側(cè)的樹脂框架38，例如當(dāng)從屏幕側(cè)看時(shí)樹脂框架38的中心軸線的右側(cè)。因?yàn)閮?nèi)容與在相關(guān)技術(shù)部分描述的內(nèi)容相同，所以在此使用圖1和圖2描述該狀態(tài)。
如圖1所示，鐵芯91的中心軸線A偏移到管軸線Z的右側(cè)，而垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)92的分布為桶形。為此原因，實(shí)際施加到電子束30上的磁場(chǎng)92(磁通密度)與最初應(yīng)該已施加的磁場(chǎng)92(磁通密度)之間的差值以藍(lán)(B)、綠(G)、紅(R)的順序增強(qiáng)。
因此，當(dāng)從電子槍24發(fā)射的電子束30通過垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)92向上偏轉(zhuǎn)時(shí)，如圖2所示，偏轉(zhuǎn)量以藍(lán)、綠、紅的順序增加，藍(lán)色電子束B在面板上著屏最高，而紅色電子束R著屏最低。這樣，在實(shí)驗(yàn)中藍(lán)色和紅色電子束之間的距離L接近2.5mm。
下面的描述涉及當(dāng)偏轉(zhuǎn)磁軛14具有與其連接的磁體40時(shí)。
在試驗(yàn)中所用的磁體40具有15mm的高度H、5mm的寬度b、3mm的相對(duì)臂401和402之間的間隔D和0.5mm的厚度T(參見圖5)。
圖6是鐵芯34的示意平面圖，該圖示出當(dāng)磁體40安裝在其一端時(shí)由垂直偏轉(zhuǎn)線圈36產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布，當(dāng)從屏側(cè)看時(shí)鐵芯34的中心軸線A偏移到管軸線Z的右側(cè)。注意，盡管在圖6中沒有描述，垂直偏轉(zhuǎn)線圈36繞鐵芯34卷繞。
與在本說明書的相關(guān)技術(shù)部分描述的相同，出于參考目的，用虛線表示在鐵芯34內(nèi)分布的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)37a。注意，如圖1所示，用箭頭表示當(dāng)電子束已經(jīng)向上偏轉(zhuǎn)時(shí)的磁場(chǎng)37a和漏磁場(chǎng)37b的取向。
在試驗(yàn)中，磁體40從左側(cè)沿水平軸線插入，在查看屏幕上的電子束30的不會(huì)聚時(shí)確定其定位。注意，插入磁體40，相對(duì)臂401定位于鐵芯側(cè)。
從相對(duì)側(cè)到鐵芯34的中心軸線A相對(duì)于管軸線Z橫向偏移的一側(cè)(在本實(shí)施例中為右側(cè))插入磁體40。具體地說，最終連接磁體40，使得管軸線Z和電子槍側(cè)的相對(duì)臂402的端面之間的間隔為18mm左右，通過該定位屏幕上的不會(huì)聚被消除。
管軸線Z與磁體40的端面之間的間隔通過使用管頸23的外側(cè)與磁體40的端面之間的距離計(jì)算出，假設(shè)已知管頸23的外表面的尺寸。注意，在試驗(yàn)中所用的陰極射線管中的管頸23具有29mm的外徑。
b.不會(huì)聚被消除的原因在此描述通過使用磁體而改善不會(huì)聚的原因。
首先，如圖6所示，當(dāng)從屏幕側(cè)看時(shí)在鐵芯34的電子槍側(cè)的漏磁場(chǎng)37b從電子槍側(cè)的右側(cè)泄漏，并且，如同鐵芯34內(nèi)的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)37a，流到左側(cè)。流到左側(cè)的漏磁場(chǎng)37b被認(rèn)為通過磁體40的鐵芯側(cè)的相對(duì)臂401的端面被吸引，該磁體40附接在鐵芯34的左側(cè)端面(當(dāng)從屏幕側(cè)看時(shí))。
作為漏磁場(chǎng)37b被磁體40吸引的結(jié)果，環(huán)繞相對(duì)臂401的端面附近的漏磁場(chǎng)37b的分布被分散。結(jié)果，從管軸線Z到相對(duì)臂401的端面，漏磁場(chǎng)37b的磁通密度減少，由此降低電子束向上偏轉(zhuǎn)的量。所以，降低了如圖2所示的在藍(lán)色和紅色電子束之間的距離L(即不會(huì)聚量)。
由磁體40吸引的漏磁場(chǎng)被認(rèn)為流到磁體40的電子槍側(cè)的相對(duì)端402，如磁體40內(nèi)的箭頭所示，并最后從相對(duì)端402的端面向管軸線Z流出。從磁體40流出的漏磁場(chǎng)具有向下偏轉(zhuǎn)電子束30的效果。
而且，以垂直于管軸線方向向管軸線Z前進(jìn)的漏磁場(chǎng)37c隨著它從磁體40移開而逐漸分散并變得更弱。三個(gè)電子束30向下偏轉(zhuǎn)的量增加，它們以藍(lán)、綠、紅的順序更靠近地飛到磁體40(這里，藍(lán)色電子束最靠近)。當(dāng)不提供磁體40時(shí)，這是三色(或三個(gè))電子束的最大向上偏移的相同順序。
因此，可以認(rèn)為因?yàn)樵谶M(jìn)入偏轉(zhuǎn)磁軛之前的電子束30被漏磁場(chǎng)37c向下偏轉(zhuǎn)，所以三色(或三個(gè))電子束可以在屏幕上對(duì)齊。
因此認(rèn)為在進(jìn)入偏轉(zhuǎn)磁軛的區(qū)域之前的電子束由于漏磁場(chǎng)37c而向下偏轉(zhuǎn)，而且，認(rèn)為Yv不會(huì)聚的量由于偏轉(zhuǎn)電子束穿過桶形垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)而被減少，所以能夠使三色電子束在屏幕上對(duì)齊。
如上所述，由于將具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的磁體40附接到鐵芯34，相對(duì)臂401附近的漏磁場(chǎng)37b被吸收。這降低了相對(duì)臂401附近的漏磁場(chǎng)37b的磁通密度，由此降低了電子束向上偏移的量。另一方面，以與從鐵芯34泄漏的漏磁場(chǎng)37a相反的方向從磁體40的相對(duì)臂402向管軸線Z發(fā)射吸收的漏磁場(chǎng)37c。作為結(jié)果電子束向下偏轉(zhuǎn)。這種累積效果被認(rèn)為改善了屏幕上的Yv不會(huì)聚。
c.由漏磁場(chǎng)進(jìn)行電子束的偏轉(zhuǎn)量的調(diào)節(jié)通過改變磁體和管軸線之間的距離可以調(diào)節(jié)從磁體的電子槍側(cè)的相對(duì)臂的端面發(fā)射的漏磁場(chǎng)所偏轉(zhuǎn)的電子束的偏轉(zhuǎn)的量，而且，例如通過改變?cè)搶?duì)相對(duì)臂之間的間隔或者通過改變所吸收的漏磁場(chǎng)在磁體內(nèi)流動(dòng)的距離，也可改變偏轉(zhuǎn)的量；即，通過改變磁體的總長(zhǎng)。
變型盡管根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例上面已經(jīng)描述了本發(fā)明，但本發(fā)明的技術(shù)范圍當(dāng)然不限于優(yōu)選實(shí)施例。可以考慮例如下面的變化。
(1)磁體的形狀磁體40雖然在優(yōu)選實(shí)施例中被描述為具有直角“U”形，但它也可以采用其它形式。
圖7A-7C和圖8A-8B示出在磁體形式上的變型。
優(yōu)選實(shí)施例中的磁體40，當(dāng)從部件401和402彼此分開的方向看時(shí)(圖5中的Z1方向)，相對(duì)臂401和402基本上成矩形形狀。然而，如圖7A所示的磁體41，可以除去相對(duì)臂411或兩個(gè)相對(duì)臂的前邊緣的至少一個(gè)角。這樣在寬度方向(圖5中的X1方向)前邊緣可以具有平面部分411a，或者形成具有沒有平面部分的鈍角或銳角的峰形。
而且，該對(duì)相對(duì)臂的高度無需相同。例如，相對(duì)臂421和422可以具有不同的高度(H1，H2)，如圖7B中所示的磁體42。而且，除了具有直角“U”形，磁體還可以為“M”形，例如如圖7C中所示的磁體43。也就是說，只要連接部分(即對(duì)折部分)的形狀使該對(duì)相對(duì)臂連接以使其端部在管軸線方向上分開，相對(duì)臂的形狀沒有特別的限制。
而且，相對(duì)臂無需彼此平行。例如，磁體的形狀可以為在電子槍側(cè)的相對(duì)臂相對(duì)于鐵芯側(cè)的相對(duì)臂傾斜，其例子包括非對(duì)稱“V”形，如圖8A中的磁體44，或者半橢圓形(包括半圓形)，如圖8B中所示的磁體45。
雖然在優(yōu)選實(shí)施例中將磁體的鐵芯側(cè)的相對(duì)壁描述為與鐵芯的端面基本平行，但是磁體的鐵芯側(cè)的相對(duì)臂無需與端面平行。然而，當(dāng)磁體附接到鐵芯的端面時(shí)，如果磁體的相對(duì)臂與鐵芯的端面平行，不必說對(duì)附接磁體是有幫助的。
(2)磁體的附接位置雖然在優(yōu)選實(shí)施例中磁體被描述為附接到電子槍側(cè)的鐵芯的端面，但是只要磁體位于允許吸收從電子槍側(cè)的偏轉(zhuǎn)磁軛泄漏的漏磁場(chǎng)的位置，磁體也可以附接到除鐵芯的端面以外的位置，例如可以附接到樹脂框架，然而，即使被附接到樹脂框，優(yōu)選磁體的鐵芯側(cè)的相對(duì)臂也與鐵芯接觸。這是因?yàn)楫?dāng)接觸時(shí)漏磁場(chǎng)被更有效地吸收。
(3)磁體尺寸a.相對(duì)臂間的間隔雖然在優(yōu)選實(shí)施例中被描述為3mm(大約鐵芯的總長(zhǎng)的7％)，但在圖5中相對(duì)臂之間的間隔D也可以大于或等于1.5mm。這是因?yàn)槿绻g隔D小于1.5mm，則降低不會(huì)聚的量減少，也不能獲得附接磁體的效果。也要注意，雖然即使當(dāng)相對(duì)臂之間的間隔D采用大值時(shí)可能降低不會(huì)聚，但是在電子槍內(nèi)磁場(chǎng)有很大的區(qū)域不能穿過，這意味著所吸收的磁場(chǎng)發(fā)射到電子槍的該區(qū)域時(shí)電子束不能偏轉(zhuǎn)。所以，磁場(chǎng)不能穿過的從電子槍側(cè)的鐵芯的端面到電子槍的區(qū)域的距離為相對(duì)臂間的間隔D的有效上限值。
b.寬度雖然在優(yōu)選實(shí)施例中被描述為5mm，但磁體的寬度b也可以大于或等于3mm，優(yōu)選小于或等于錐管的頸部的外徑(優(yōu)選實(shí)施例中為29mm)。
如果寬度b小于3mm，如圖9A所示，因?yàn)槁┐艌?chǎng)的分布有限的改變，在磁體40附近的漏磁場(chǎng)193不能有效地被吸引，導(dǎo)致不能獲得附接磁體的效果。另一方面，如圖9B所示，雖然當(dāng)寬度b大于管頸的外徑時(shí)漏磁場(chǎng)194被有效地?cái)U(kuò)散，并且磁通密度降低，但是在進(jìn)入偏轉(zhuǎn)磁軛之前的電子束沿管軸線傳播的事實(shí)意味著它們移動(dòng)得離擴(kuò)散的漏磁場(chǎng)太遠(yuǎn)，導(dǎo)致不能獲得減小磁通密度的效果。
(4)磁體如圖6所示，在優(yōu)選實(shí)施例中，磁體40設(shè)置在電子槍側(cè)的鐵芯的端面，并吸收從電子槍側(cè)的鐵芯34泄漏的漏磁場(chǎng)37b。即利用漏磁場(chǎng)37b。
然而，除了漏磁場(chǎng)37b以外，可以利用在鐵芯34內(nèi)的部分垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)37a。具體地說，可以移去鐵芯的一部分并將磁體的前邊緣固定在切掉部分內(nèi)。即，磁體可以設(shè)置在電子槍側(cè)的偏轉(zhuǎn)磁軛的區(qū)域內(nèi)，其端部沿管軸線分開。
盡管參考附圖通過例子已經(jīng)充分地描述了本發(fā)明，但注意各種變化和修改對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的。所以，除非此種變化和修改脫離本發(fā)明的范圍，否則它們應(yīng)該被認(rèn)為包括在其中。
權(quán)利要求
1.一種陰極射線管器件，它包括陰極射線管，該陰極射線管包括具有連接到面板的錐體的玻璃管殼，和設(shè)置在錐體的管頸內(nèi)的電子槍；偏轉(zhuǎn)線圈，該偏轉(zhuǎn)線圈環(huán)繞錐體的外側(cè)安裝并偏轉(zhuǎn)由電子槍發(fā)射的電子束；磁體，該磁體沿縱向在中途對(duì)折，從而第一端和第二端向陰極射線管的管軸線縱向延伸，并且設(shè)置在偏轉(zhuǎn)磁軛的電子槍側(cè)附近，第一端比第二端的位置更靠近偏轉(zhuǎn)磁軛。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管器件，其特征在于，磁體具有直角“U”形，并以相對(duì)臂中至少更靠近偏轉(zhuǎn)磁軛的臂基本上與電子槍側(cè)的偏轉(zhuǎn)磁軛的端面平行的狀態(tài)設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管器件，其特征在于，磁體以相對(duì)臂中更靠近電子槍的臂基本上與管軸線垂直的狀態(tài)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管器件，其特征在于，包括在偏轉(zhuǎn)磁軛中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生桶形磁場(chǎng)；以及磁體設(shè)置有中心軸線，該中心軸線與磁體的相對(duì)臂的至少一個(gè)縱向平行，并基本上與陰極射線管的水平軸線對(duì)齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管器件，其特征在于，磁體僅設(shè)置在管軸線的一側(cè)，在其相對(duì)側(cè)包括在偏轉(zhuǎn)磁軛中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈橫向偏移，由此管軸線位于其間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陰極射線管器件，其特征在于，垂直偏轉(zhuǎn)線圈繞鐘形芯螺旋纏繞；以及磁體安裝在芯的最小直徑側(cè)的端面。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陰極射線管器件，其特征在于，相對(duì)臂之間的間隔至少為1.5mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陰極射線管器件，其特征在于，磁體的寬度至少為3mm，并小于或等于錐體的管頸的外徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極射線管器件，其特征在于，磁體具有直角“U”形，并以相對(duì)臂中至少更靠近偏轉(zhuǎn)磁軛的臂基本上與電子槍側(cè)的偏轉(zhuǎn)磁軛的端面平行的狀態(tài)設(shè)置，并且更靠近電子槍的臂與管軸線基本上成直角。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陰極射線管器件，其特征在于，相對(duì)臂之間的間隔至少為1.5mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陰極射線管器件，其特征在于，磁體的寬度至少為3mm，并小于或等于錐體的管頸的外徑。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陰極射線管器件，其特征在于，包括在偏轉(zhuǎn)磁軛中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生桶形磁場(chǎng)；以及磁體設(shè)置有中心軸線，該中心軸線與磁體的相對(duì)臂的至少一個(gè)的縱向平行，并基本上與陰極射線管的水平軸線對(duì)齊。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陰極射線管器件，其特征在于，磁體僅設(shè)置在管軸線的一側(cè)，在其相對(duì)側(cè)包括在偏轉(zhuǎn)磁軛中的垂直偏轉(zhuǎn)線圈橫向偏移，由此管軸線位于其間。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陰極射線管器件，其特征在于，垂直偏轉(zhuǎn)線圈繞鐘形芯螺旋纏繞；以及磁體安裝在芯的最小直徑側(cè)的端面。
全文摘要
一種陰極射線管器件，它包括在水平和垂直方向上偏轉(zhuǎn)從電子槍發(fā)射的電子束的偏轉(zhuǎn)磁軛。偏轉(zhuǎn)磁軛具有垂直偏轉(zhuǎn)電子束的垂直偏轉(zhuǎn)線圈。垂直偏轉(zhuǎn)線圈繞鐘形鐵芯螺旋纏繞，在鐵芯的電子槍側(cè)，沿橫向中途對(duì)折的直角“U”形磁體設(shè)置在水平軸線上，由此其端部向管軸線延伸并沿管軸線分開。
文檔編號(hào)H01J29/76GK1604264SQ200410092140
公開日2005年4月6日 申請(qǐng)日期2004年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月26日
發(fā)明者杉本一宏, 巖崎勝世 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社